JPH054592U - 高周波数帯域用電子機器内部回路の反射防止構造 - Google Patents

高周波数帯域用電子機器内部回路の反射防止構造

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JPH054592U JP5770691U JP5770691U JPH054592U JP H054592 U JPH054592 U JP H054592U JP 5770691 U JP5770691 U JP 5770691U JP 5770691 U JP5770691 U JP 5770691U JP H054592 U JPH054592 U JP H054592U
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Abstract

(57)【要約】 【目的】高周波数帯域用電子機器の内部回路に設けられ
た電波遮蔽用の金属シールド函内部における電波の反射
現象を抑止することにより、回路破壊やノイズの発生を
防止せんとするものである。 【構成】発振回路及び/又は増幅回路等の電波発生源を
外被する樹脂絶縁層とこれを外装する電波遮蔽用の金属
シールド函との間に、反射防止材としての電波吸収体を
部分的にあるいは全体にわたって介在させたことを特徴
としている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は携帯電話や自動車電話等の移動体通信、衛星放送やアマチュア無線等 、高周波数帯域を対象とした送信又は受信を行う電子機器の内部回路における電 波の反射防止構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話や自動車電話等の移動体通信、衛星放送やアマチュア無線の一部は1 GHz〜数十GHz程度の高周波数帯域の電波を通信手段として使用しており、 それぞれの装置内部には、この高周波数帯域の電波を発振したり増幅したりする 回路が内蔵されている。そしてこれら回路が送信部を構成しているときには、そ の出力の大半はアンテナに導かれ、他方、これら回路が受信部を構成していると きにはその出力の大半は受信部の後段回路に導かれるよう構成されている。とこ ろで、このような正規の経路を経由する以外にも電波は周辺に漏洩することが知 られており、特にマイクロ波と称される高周波数帯域においては、電波は空中伝 播しやすく、この為従来より発振回路及び/又は増幅回路等の電波発生源を金属 シールド函により遮蔽することが行われている。
【0003】 図5として示すものがこの様子を示す説明図であり、図中Aが各種回路を配置 した基板であり、図中1が発振回路及び/又は増幅回路等に代表される電波発生 源を外装する金属シールド函である。図6はこの金属シールド函1によって外装 された電波発生源の様子を示している。図中2は発振回路又は増幅回路のいずれ か一方が搭載されたり、あるいは発振回路及び増幅回路が一体的に搭載されたハ イブリッドIC(混成IC)である。ハイブリッドIC2は絶縁樹脂によって樹 脂モールド3され、各部品間に充填された絶縁樹脂によって衝撃や振動が作用し た場合でも部品相互の接触がないように構成されている。
【0004】 そしてこのような構成においては、ハイブリッドIC2上の特定箇所から発信 される高周波数帯域の電波は回路上の所定経路を経由すると同時に例えば図中E として示すように空中にも輻射されるが、ハイブリッドIC2を外装する電波遮 蔽用の金属シールド函1によって金属シールド函外部への電波漏洩を防止してい る。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
上記したようにこの構成では金属シールド函外部への電波漏洩は防止できるも のの、新たな問題があることがわかつた。即ち、ハイブリッドIC2から発信し た電波Eは金属シールド函内面によって反射してハイブリッドIC2に帰還する 現象が生じ、この現象が回路破壊やノイズ発生の原因となる。例えばハイブリッ ドIC2が送信回路である場合には、図7に示すように増幅回路からの3W〜5 Wもの大電力の出力が増幅回路の入力側に帰還する現象が生じて増幅回路の破壊 を招き、又、発振回路から空中発信された電波が金属シールド函内で反復反射し て輻射干渉した後、増幅回路に入力すると図8に示す如く本来の周波数(例えば 1GHz)の前後にノイズ原因となる不要波が発生する。 上記したのは主として送信機についての場合であるが、受信機においても出力 は小さいものの発振回路が内蔵されていることから、類似の問題が存在する。 本考案はかかる現況に鑑みてなされたものであり、電波遮蔽用の金属シールド函 内部における電波の反射現象を抑止することにより、回路破壊やノイズの発生を 防止せんとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決した本考案は、発振回路及び/又は増幅回路等の電波発生源 を外被する樹脂絶縁層とこれを外装する電波遮蔽用の金属シールド函との間に、 反射防止材としての電波吸収体を部分的にあるいは全体にわたって介在させたこ とを特徴としている。
【0007】 本考案は、基板上に各部品を通常配置した回路構成に対して適用できることは 勿論であるが、特に樹脂モールドをしたハイブリッドICに適用することが好ま しく、この場合は樹脂モールドの外表面の一部あるいは全体を電波吸収体で外装 することが採用される。又、電波吸収体の配置位置は金属シールド函の内面とす ることも可能である。
【0008】 電波吸収体としては、取付け作業の容易なものが好ましく、例えばシート状で あって且つ裏面に粘着剤層を設けたものを用いることが好ましい。
【0009】 電波吸収体としては、例えば、フェライト粉、カーボン粉又は金属粉のうちか ら選んだ1種又は2種以上を合成樹脂系バインダー又はゴム系バインダーに分散 配合した材料を用いることができる。
【0010】
【作用】
このような反射防止構造を採用すれば、発振回路や増幅回路から空中発信され る電波は、樹脂絶縁層と金属シールド函との間に介在させられた電波吸収体内部 を必ず通過して電波吸収体内部で熱エネルギーに変換されて減衰することになる 。したがって、電波が増幅回路の入力側に大電力のまま再入力したり、電波が金 属シールド函内で輻射干渉することが少なくなる。 電波吸収体としてシート状であって且つ裏面に粘着剤層を設けたものを用いた 場合は、所定位置への電波吸収体の取付け作業が著しく容易となる。
【0011】
【実施例】
次に本考案の詳細を図示した実施例に基づき説明する。図1は本考案の1実施 例を示す断面説明図であり、図中Aが各種回路を配置した基板、2が発振回路及 び/又は増幅回路を搭載したハイブリッドIC、3がハイブリッドIC2を被覆 する樹脂モールド、1が金属シールド函である。本考案はこのような構成におい て、樹脂絶縁層としての樹脂モールド3と金属シールド函1との間に電波吸収体 を介在させることを要旨としており、図例のものは、樹脂モールド3の外表面に 電波吸収体4を配置した様子を示している。電波吸収体4としては、公知のもの が使用可能であるが、例えばフェライト粉、カーボン粉又は金属粉のうちから選 んだ1種又は2種以上を合成樹脂系バインダー又はゴム系バインダーに分散配合 した材料を用いることができる。特に、大出力の送信回路に適用する場合で電波 吸収体4内部の発熱量が無視できないときには、耐熱性に優れた合成樹脂を用い ることが好ましい。
【0012】 電波吸収体4は樹脂モールド3の上面のみに配置することも、又、一点鎖線で 示すように樹脂モールド3の外表面の全てを覆うことも可能である。又、電波吸 収体4はハイブリッドIC2上における主たる電波発生源に近接した部分のみに 選択的に配置することも可能である。
【0013】 電波吸収体4は樹脂モールド3と金属シールド函1との間に位置していればよ いのであるから、図2に示す如く、金属シールド函1の内面に電波吸収体4を配 置することも可能である。樹脂モールド3表面や金属シールド函1内面に配置さ れる電波吸収体4の形状及び取付け方法は任意であるが、例えば電波吸収体4を シート状となすとともに電波吸収体4の片面に粘着剤層を設けて構成とすれば、 所定箇所への取付けは粘着剤によって行うことができるので作業性が向上する。 又、電波吸収体4の厚みは適宜選択されるが、電波Eは電波吸収体4の厚み方向 に通過するだけでなく図3に示す如く電波吸収体4の長手方向に沿っても通過す るから、それほど厚いものである必要はなく、電波吸収体4の厚みdは数mmの 範囲内で充分である。そして、このように比較的薄いものであれば、樹脂モール ド3の外形状に沿わせて被覆することも容易である。
【0014】 本考案は、発振回路及び/又は増幅回路等の電波発生源を有し且つ該電波発生 源が樹脂絶縁層で外被されるとともに、更にこの樹脂絶縁層が金属シールド函に よって外装されるものであれば、ハイブリッドIC以外の通常回路にも適用され 、例えば図4に示す如く、内面に電波吸収体4と樹脂絶縁層5を積層した金属シ ールド函1を基板A上の発振回路及び/又は増幅回路を含む通常回路部分に外嵌 することも採用される。
【0015】 このような構成の本考案によれば、発振回路や増幅回路から空中発信される電 波は電波吸収体4内を必ず通過するから、これら電波を電波吸収体4内で熱エネ ルギーに変換して減衰させることができ、金属シールド函内の反射した電波が増 幅回路に再入力したり、輻射干渉してノイズを発生させることを防止することが できる。
【0016】
【考案の効果】
本考案は、発振回路及び/又は増幅回路等の電波発生源を外被する樹脂絶縁層 とこれを外装する電波遮蔽用の金属シールド函との間に、反射防止材としての電 波吸収体を部分的にあるいは全体にわたって介在させたので、金属シールド函に よって電波漏洩を遮断できることは勿論のこと、発振回路や増幅回路から空中発 信される電波を電波吸収体内を通過させて減衰させることが可能となり、従来よ り高周波数帯域用電子機器において問題となっていた、出力帰還による回路破壊 や輻射干渉によるノイズ発生を防止することができる。
【0017】 又、電波吸収体としてシート状で且つ裏面に粘着剤層を設けたものを用いたと きには、電波吸収体の取付け作業が容易となるとともに、特にシート体が薄いと きには取付け対象の形状に即してシート体を変形させることができるので、作業 性は一層向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の1実施例の断面説明図
【図2】本考案の他の実施例を示す断面説明図
【図3】電波吸収体内部を通過する電波の状態を示す説
明図
【図4】本考案の他の実施例を示す断面説明図
【図5】基板上において発振回路及び/又は増幅回路を
金属シールド函で外装した状態を示す説明図
【図6】従来の金属シールド函内部の構造を示す断面説
明図
【図7】送信機において増幅回路の出力が入力側に帰還
する様子を示す説明図
【図8】本来の電波の前後に不要波が発生している様子
を示す説明図
【符号の説明】
A 基板 1 金属シールド函 2 ハイブリッドIC 3 樹脂モールド 4 電波吸収体 5 樹脂絶縁層

Claims (5)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発振回路及び/又は増幅回路等の電波発
    生源を外被する樹脂絶縁層とこれを外装する電波遮蔽用
    の金属シールド函との間に、反射防止材としての電波吸
    収体を部分的にあるいは全体にわたって介在させてなる
    高周波数帯域用電子機器内部回路の反射防止構造。
  2. 【請求項2】 樹脂モールドをしたハイブリッドICの
    モールド外表面の一部あるいは全体を電波吸収体で外装
    してなる請求項1記載の高周波数帯域用電子機器内部回
    路の反射防止構造。
  3. 【請求項3】 金属シールド函の内面の一部あるいは全
    体に電波吸収体を配置してなる請求項1記載の高周波数
    帯域用電子機器内部回路の反射防止構造。
  4. 【請求項4】 電波吸収体としてシート状であって且つ
    裏面に粘着剤層を設けたものを用いてなる請求項1,2
    又は3記載の高周波数帯域用電子機器内部回路の反射防
    止構造。
  5. 【請求項5】 電波吸収体として、フェライト粉、カー
    ボン粉又は金属粉のうちから選んだ1種又は2種以上を
    合成樹脂系バインダー又はゴム系バインダーに分散配合
    した材料を用いてなる請求項1,2,3又は4記載の高
    周波数帯域用電子機器内部回路の反射防止構造。
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