JPH0543310B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0543310B2 JPH0543310B2 JP61154380A JP15438086A JPH0543310B2 JP H0543310 B2 JPH0543310 B2 JP H0543310B2 JP 61154380 A JP61154380 A JP 61154380A JP 15438086 A JP15438086 A JP 15438086A JP H0543310 B2 JPH0543310 B2 JP H0543310B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum well
- layer
- well structure
- forming
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 17
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 13
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザの製造方法に関し、特
に選択的に無秩序化された量子井戸構造を有する
半導体レーザの製造方法に関する。
に選択的に無秩序化された量子井戸構造を有する
半導体レーザの製造方法に関する。
従来から、不純物を注入することにより量子井
戸構造が無秩序化されることが知られているが、
これを利用した量子井戸構造を有する半導体レー
ザの製造方法の一例が雑誌「アプライド・フイジ
クス・レターズ（Applied Physics Letters）」、
1985年、第47巻、1239頁に報告されている。
戸構造が無秩序化されることが知られているが、
これを利用した量子井戸構造を有する半導体レー
ザの製造方法の一例が雑誌「アプライド・フイジ
クス・レターズ（Applied Physics Letters）」、
1985年、第47巻、1239頁に報告されている。
この半導体レーザの製造方法は、第２図に示す
ように、Ｎ型GaAs基板１上に、Ｎ型クラツド層
２と、厚さ約2000Åの量子井戸構造３と、厚さ約
1μｍのＰ型クラツド層４と、厚さ約1000Åの
GaAsキヤツプ層５とをそれぞれ順次形成したの
ちに、成長室から基板を取出して斜線の領域にSi
を拡散させて量子井戸構造３を選択的に無秩序化
する製造方法となつている。
ように、Ｎ型GaAs基板１上に、Ｎ型クラツド層
２と、厚さ約2000Åの量子井戸構造３と、厚さ約
1μｍのＰ型クラツド層４と、厚さ約1000Åの
GaAsキヤツプ層５とをそれぞれ順次形成したの
ちに、成長室から基板を取出して斜線の領域にSi
を拡散させて量子井戸構造３を選択的に無秩序化
する製造方法となつている。
しかしながら、上述した従来の半導体レーザの
製造方法は、GaAsキヤツプ層５の表面から約
1.5μｍSiを拡散させなければならず、そのため拡
散時間か７〜８時間と長時間必要になるため、量
子井戸活性領域までSiが拡散してしまい、活性層
がくずれやすくなるという欠点があつた。
製造方法は、GaAsキヤツプ層５の表面から約
1.5μｍSiを拡散させなければならず、そのため拡
散時間か７〜８時間と長時間必要になるため、量
子井戸活性領域までSiが拡散してしまい、活性層
がくずれやすくなるという欠点があつた。
本発明の目的は、不純物が注入される領域の制
御が容易にでき、活性層のくずれを防止すること
ができる半導体レーザの製造方法を提供すること
にある。
御が容易にでき、活性層のくずれを防止すること
ができる半導体レーザの製造方法を提供すること
にある。
本発明の半導体レーザの製造方法は、半導体基
板上に第１のクラツド層を形成する工程と、この
第１のクラツド層の上に量子井戸層と取込め層と
からなる量子井戸構造を形成する工程と、この量
子井戸構造の上に表面保護層を形成する工程と、
この表面保護層の上から不純物を導入して前記量
子井戸構造を選択的に無秩序化する工程と、前記
表面保護層を除去する工程と、無秩序化された領
域を含む前記量子井戸構造の上に第２のクラツド
層を形成する工程とを有している。
板上に第１のクラツド層を形成する工程と、この
第１のクラツド層の上に量子井戸層と取込め層と
からなる量子井戸構造を形成する工程と、この量
子井戸構造の上に表面保護層を形成する工程と、
この表面保護層の上から不純物を導入して前記量
子井戸構造を選択的に無秩序化する工程と、前記
表面保護層を除去する工程と、無秩序化された領
域を含む前記量子井戸構造の上に第２のクラツド
層を形成する工程とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図Ａ，Ｂはそれぞれ本発明の一実施例を説
明するための半導体レーザの側面図及び中間工程
における半導体レーザの側面図である。
明するための半導体レーザの側面図及び中間工程
における半導体レーザの側面図である。
まず、Ｎ型GaAs基板１上に第１のクラツド層
としてAl0.7Ga0.3AsのＮ型クラツド層２を厚さ約
1μｍ形成する。
としてAl0.7Ga0.3AsのＮ型クラツド層２を厚さ約
1μｍ形成する。
次にこのＮ型クラツド層２の上に、GaAsの量
子井戸層３１とAl0.3Ga0.7Asの閉込め層３２とか
らなる量子井戸構造３を厚さ約2000Å形成する。
子井戸層３１とAl0.3Ga0.7Asの閉込め層３２とか
らなる量子井戸構造３を厚さ約2000Å形成する。
次に、この量子井戸構造３の上に表面保護層と
してのGaAs保護層７を厚さ50〜1000Å成長させ
る。これまでの工程は、成長室において分子線エ
ピタクシ（MBE）法により行う。
してのGaAs保護層７を厚さ50〜1000Å成長させ
る。これまでの工程は、成長室において分子線エ
ピタクシ（MBE）法により行う。
その後、この基板を成長室から取出し、GaAs
保護層７の上から不純物としてSiをＮ型クラツド
層２に達するまで選択的に拡散して無秩序化し、
斜線で示すSi拡散領域６を形成し、第１図Ｂに示
す中間工程の半導体レーザができ上る。
保護層７の上から不純物としてSiをＮ型クラツド
層２に達するまで選択的に拡散して無秩序化し、
斜線で示すSi拡散領域６を形成し、第１図Ｂに示
す中間工程の半導体レーザができ上る。
次に、この半導体レーザを再び成長室に導入
し、真空中で750℃を越える温度で加熱し、
GaAs保護層７を蒸発除去する。
し、真空中で750℃を越える温度で加熱し、
GaAs保護層７を蒸発除去する。
次に、現われた量子井戸構造３の上に、第２の
クラツド層としてAl0.7Ga0.3AsのＰ型クラツド層
４を厚さ約1μｍ、更にその上にGaAsキヤツプ層
５を厚さ約1000Å成長させ、第１図Ａに示す半導
体レーザが出来上る。
クラツド層としてAl0.7Ga0.3AsのＰ型クラツド層
４を厚さ約1μｍ、更にその上にGaAsキヤツプ層
５を厚さ約1000Å成長させ、第１図Ａに示す半導
体レーザが出来上る。
従つて、量子井戸構造３を選択的に無秩序化す
るSi拡散領域６を薄くすることができるため、無
秩序化する領域の制御が容易になり、量子井戸活
性層領域への拡散をふせぐことができる。
るSi拡散領域６を薄くすることができるため、無
秩序化する領域の制御が容易になり、量子井戸活
性層領域への拡散をふせぐことができる。
また、表面保護層としてのGaAs保護層７を形
成、除去する工程を設けることにより再成長表面
が清浄に保たれ、以後の工程で良質の再成長結晶
が得られる。
成、除去する工程を設けることにより再成長表面
が清浄に保たれ、以後の工程で良質の再成長結晶
が得られる。
上記実施例において、不純物をSiとしたが、こ
れにかぎらず他の不純物であつても適用できる。
また、不純物の導入を拡散による方法としたが、
これにかぎらず、例えばイオン注入による方法で
あつても適用できることは明らかである。
れにかぎらず他の不純物であつても適用できる。
また、不純物の導入を拡散による方法としたが、
これにかぎらず、例えばイオン注入による方法で
あつても適用できることは明らかである。
また、各層を成長、形成する方法をMBE法と
したが、有機金属気相成長法（MOCVD法）で
あつてもよいし、GaAs保護層７を真空中で加熱
し蒸発除去したが、これにかぎらず塩酸で選択エ
ツチングしても同様に適用できる。
したが、有機金属気相成長法（MOCVD法）で
あつてもよいし、GaAs保護層７を真空中で加熱
し蒸発除去したが、これにかぎらず塩酸で選択エ
ツチングしても同様に適用できる。
更に、半導体基板の導電型を、Ｎ型としたが、
Ｐ型を用いても適用できることは明らかであり、
また、量子井戸構造３を単一の量子井戸構造とし
たが、これにかぎらず多重の量子井戸構造であつ
ても適用できる。
Ｐ型を用いても適用できることは明らかであり、
また、量子井戸構造３を単一の量子井戸構造とし
たが、これにかぎらず多重の量子井戸構造であつ
ても適用できる。
以上説明したように本発明は、量子井戸構造を
形成した後、量子井戸構造の上に一旦表面保護層
を形成してから不純物を導入する工程順とするこ
とにより、量子井戸構造を無秩序化する領域の制
御が容易になり、活性層のくずれを防止すること
ができ、また、表面保護層により良質の再成長結
晶を得ることができる効果がある。
形成した後、量子井戸構造の上に一旦表面保護層
を形成してから不純物を導入する工程順とするこ
とにより、量子井戸構造を無秩序化する領域の制
御が容易になり、活性層のくずれを防止すること
ができ、また、表面保護層により良質の再成長結
晶を得ることができる効果がある。
第１図Ａ，Ｂはそれぞれ本発明の一実施例を説
明するための半導体レーザの側面図及び中間工程
における半導体レーザの側面図、第２図は従来の
製造方法による半導体レーザの側面図である。 １……Ｎ型GaAs基板、２……Ｎ型クラツド
層、３……量子井戸構造、４……Ｐ型クラツド
層、５……GaAsキヤツプ層、６，６ａ……Si拡
散領域、７……GaAs保護層、３１……量子井戸
層、３２……閉込め層。
明するための半導体レーザの側面図及び中間工程
における半導体レーザの側面図、第２図は従来の
製造方法による半導体レーザの側面図である。 １……Ｎ型GaAs基板、２……Ｎ型クラツド
層、３……量子井戸構造、４……Ｐ型クラツド
層、５……GaAsキヤツプ層、６，６ａ……Si拡
散領域、７……GaAs保護層、３１……量子井戸
層、３２……閉込め層。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に第１のクラツド層を形成する
工程と、この第１のクラツド層の上に量子井戸層
と閉込め層とからなる量子井戸構造を形成する工
程と、この量子井戸構造の上に表面保護層を形成
する工程と、この表面保護層の上から不純物を導
入して前記量子井戸構造を選択的に無秩序化する
工程と、前記表面保護層を除去する工程と、無秩
序化された領域を含む前記量子井戸構造の上に第
２のクラツド層を形成する工程とを有することを
特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15438086A JPS639991A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15438086A JPS639991A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639991A JPS639991A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0543310B2 true JPH0543310B2 (ja) | 1993-07-01 |
Family
ID=15582880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15438086A Granted JPS639991A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639991A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118192A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Hitachi Ltd | 半導体構造体 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15438086A patent/JPS639991A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118192A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Hitachi Ltd | 半導体構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639991A (ja) | 1988-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |