JPH0542736B2 - - Google Patents
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- JPH0542736B2 JPH0542736B2 JP58099245A JP9924583A JPH0542736B2 JP H0542736 B2 JPH0542736 B2 JP H0542736B2 JP 58099245 A JP58099245 A JP 58099245A JP 9924583 A JP9924583 A JP 9924583A JP H0542736 B2 JPH0542736 B2 JP H0542736B2
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- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- STECJAGHUSJQJN-USLFZFAMSA-N LSM-4015 Chemical compound C1([C@@H](CO)C(=O)OC2C[C@@H]3N([C@H](C2)[C@@H]2[C@H]3O2)C)=CC=CC=C1 STECJAGHUSJQJN-USLFZFAMSA-N 0.000 description 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4037—Edge-emitting structures with active layers in more than one orientation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はピツクアツプ装置に関し、特に光学式
記録情報読取用のピツクアツプ装置の構造に関す
るものである。
記録情報読取用のピツクアツプ装置の構造に関す
るものである。
かかるピツクアツプ装置として、小型軽量化を
図るべく半導体レーザの情報読取用光源として用
いたものがあり、半導体レーザ装置の１発光面か
らレーザを記録デイスクへ照射してその反射光を
再びこの１発光面へ帰還し、他の発光面からの出
射光の光量変化を検出するいわゆるSCOOP（Self
−Coupled Optical Pich−up）方式がある。
図るべく半導体レーザの情報読取用光源として用
いたものがあり、半導体レーザ装置の１発光面か
らレーザを記録デイスクへ照射してその反射光を
再びこの１発光面へ帰還し、他の発光面からの出
射光の光量変化を検出するいわゆるSCOOP（Self
−Coupled Optical Pich−up）方式がある。
かかるSCOOP方式のピツクアツプ装置におい
て、記録情報の検出のみならず、トラツキング状
態の検出やフオーカス状態の検出のための検出用
光源を一体的に組込んでコンパクトなピツクアツ
プ構造とした例が、特開昭55−113139号公報明細
書に開示されている。
て、記録情報の検出のみならず、トラツキング状
態の検出やフオーカス状態の検出のための検出用
光源を一体的に組込んでコンパクトなピツクアツ
プ構造とした例が、特開昭55−113139号公報明細
書に開示されている。
第１図は当該ピツクアツプの概略を説明するた
めの図であり、特にフオーカス状態検出手段の原
理を説明するものである。ａにその概略ブロツク
を示す如く、記録情報検出用半導体レーザ装置４
に対して光軸方向の位置を若干前後にずらして装
置４の両側にフオーカス状態検出用光源である一
対の半導体レーザ装置５，６を配置したものであ
る。尚、これら各レーザ装置４〜６の発射光軸は
同一平面上にあるようにされている。これら各装
置４〜６からのレーザ光は対物レンズ３を介して
デイスク１の記録トラツク２上に照射されるよう
になつており、図ｂに示す様に、情報検出用スポ
ツトＳがトラツク２上に正確に収束しているとき
には、フオーカス検出用スポツトF1及びF2は若
干ぼけた状態にある。しかしながら、スポツト
F1，F2の反射光はトラツク面が上下することに
より変化しかつその変化は互いに相補的となつて
いることから、半導体レーザ装置５，６の出力光
量の差を検出器７により導出すれば、その差出力
がフオーカスエラー信号となるのである。尚、情
報検出用光源４の出力Soが記録情報読取信号と
なる。
めの図であり、特にフオーカス状態検出手段の原
理を説明するものである。ａにその概略ブロツク
を示す如く、記録情報検出用半導体レーザ装置４
に対して光軸方向の位置を若干前後にずらして装
置４の両側にフオーカス状態検出用光源である一
対の半導体レーザ装置５，６を配置したものであ
る。尚、これら各レーザ装置４〜６の発射光軸は
同一平面上にあるようにされている。これら各装
置４〜６からのレーザ光は対物レンズ３を介して
デイスク１の記録トラツク２上に照射されるよう
になつており、図ｂに示す様に、情報検出用スポ
ツトＳがトラツク２上に正確に収束しているとき
には、フオーカス検出用スポツトF1及びF2は若
干ぼけた状態にある。しかしながら、スポツト
F1，F2の反射光はトラツク面が上下することに
より変化しかつその変化は互いに相補的となつて
いることから、半導体レーザ装置５，６の出力光
量の差を検出器７により導出すれば、その差出力
がフオーカスエラー信号となるのである。尚、情
報検出用光源４の出力Soが記録情報読取信号と
なる。
図ｃにピツクアツプの具体的構成例が示されて
おり、各半導体レーザ装置４〜６はヒートシンク
機能を有する基台８上に図示の如く取付けられて
いる。
おり、各半導体レーザ装置４〜６はヒートシンク
機能を有する基台８上に図示の如く取付けられて
いる。
かかる従来装置では、デフオーカス状態におい
てもフオーカス状態検出用スポツトF1，F2のト
ラツク面上における形状はいわゆるジヤストフオ
ーカス時と同様に円形であつて何等変形すること
はない。その結果、得られるフオーカスエラー信
号のＳ／Ｎが良好とならないという欠点がある。
また、この装置ではトラツキング状態検出のため
に別の一対のトラツキング検出用光源が必要とな
るという欠点もある。
てもフオーカス状態検出用スポツトF1，F2のト
ラツク面上における形状はいわゆるジヤストフオ
ーカス時と同様に円形であつて何等変形すること
はない。その結果、得られるフオーカスエラー信
号のＳ／Ｎが良好とならないという欠点がある。
また、この装置ではトラツキング状態検出のため
に別の一対のトラツキング検出用光源が必要とな
るという欠点もある。
フオーカス状態の検出方法には、上記SCOP方
式の他に例えばウオヴリング法があるが、その構
成が複雑でかつ高価となるという欠点がある。
式の他に例えばウオヴリング法があるが、その構
成が複雑でかつ高価となるという欠点がある。
本発明は簡単な構成でかつ良質なフオーカスエ
ラー信号を得ることができる他にトラツキングエ
ラー信号をも得ることができるピツクアツプ装置
を提供することを目的としてる。
ラー信号を得ることができる他にトラツキングエ
ラー信号をも得ることができるピツクアツプ装置
を提供することを目的としてる。
本発明による光学式記録情報読取用ピツクアツ
プ装置は、記録情報検出用光源と、非点収差を
夫々有する第１及び第２の光源とを有し、その第
１の光源のサジタル及びメリジオナル焦線の一方
と第２の光源のサジタル及びメリジオナル焦線の
他方とが同一平面において互いに平行となるよう
にこれら第１及び第２の光源が配置されており、
これら両光源を用いて記録情報検出用光源による
情報検出点の位置状態検出をなすようにしたこと
を特徴としている。
プ装置は、記録情報検出用光源と、非点収差を
夫々有する第１及び第２の光源とを有し、その第
１の光源のサジタル及びメリジオナル焦線の一方
と第２の光源のサジタル及びメリジオナル焦線の
他方とが同一平面において互いに平行となるよう
にこれら第１及び第２の光源が配置されており、
これら両光源を用いて記録情報検出用光源による
情報検出点の位置状態検出をなすようにしたこと
を特徴としている。
以下に本発明について図面を用いて説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す図であり、ａ
は各光源の発射面から見た正面図、ｂは上面図で
ある。図示する如く、記録情報検出用光源である
半導体レーザチツプ４を挟んで両側に非点収差を
夫々有する第１及び第２の光源である半導体レー
ザチツプ５及び６が基板８上において取付けられ
ており、これら３つの光源の発射光軸４ａ，５ａ
及び６ａは同一平面にあるようになされている。
更に、第１及び第２の半導体レーザチツプ５，６
の活性層（PN接合面）は互いに90゜であり、第１
の光源５は他の光源４及び６に対し光軸方向に距
離ｄだけ突出して取付けられている。この距離ｄ
は第１の光源５の非点収差量に相当するものであ
つて、図ｂに示すように、第１の光源５のメリジ
オナル焦線lm1とサジタル焦線ls1との間の距離に
等しい。従つて、この第１の光源５のサジタル焦
線ls1と第２の光源６のメリジオナル焦線lm2とが
同一平面内に存在し、かつ互いに平行となるもの
である。この平行な方向ｙが記録トラツク方向と
一致するように記録デイスクへ照射されるのであ
る。尚、Foは記録情報検出用光源４の焦点を示
しており、記録デイスクの記録トラツク面は、こ
の焦点Fo及び焦線ls1，lm2の各中心を結ぶ直線を
通り光軸４ａ〜６ａを含む面に垂直な面に置かれ
る。
は各光源の発射面から見た正面図、ｂは上面図で
ある。図示する如く、記録情報検出用光源である
半導体レーザチツプ４を挟んで両側に非点収差を
夫々有する第１及び第２の光源である半導体レー
ザチツプ５及び６が基板８上において取付けられ
ており、これら３つの光源の発射光軸４ａ，５ａ
及び６ａは同一平面にあるようになされている。
更に、第１及び第２の半導体レーザチツプ５，６
の活性層（PN接合面）は互いに90゜であり、第１
の光源５は他の光源４及び６に対し光軸方向に距
離ｄだけ突出して取付けられている。この距離ｄ
は第１の光源５の非点収差量に相当するものであ
つて、図ｂに示すように、第１の光源５のメリジ
オナル焦線lm1とサジタル焦線ls1との間の距離に
等しい。従つて、この第１の光源５のサジタル焦
線ls1と第２の光源６のメリジオナル焦線lm2とが
同一平面内に存在し、かつ互いに平行となるもの
である。この平行な方向ｙが記録トラツク方向と
一致するように記録デイスクへ照射されるのであ
る。尚、Foは記録情報検出用光源４の焦点を示
しており、記録デイスクの記録トラツク面は、こ
の焦点Fo及び焦線ls1，lm2の各中心を結ぶ直線を
通り光軸４ａ〜６ａを含む面に垂直な面に置かれ
る。
第３図及び第４図は、第２図に示した構成のピ
ツクアツプによりフオーカス状態を検出する場合
の作用を説明する図である。これら図において、
４ｓは記録情報検出用光源４からの照射スポツ
ト、５ｓ及び６ｓは第１及び第２の光源５及び６
からの照射スポツトを夫々示し、５sy及び５sx
は第１の光源５からの光束のうちｙ成分及びｘ成
分を、また６sy及び６sxは第２の光源６からの
光束のうちｙ成分及びｘ成分を夫々示している。
尚、ｙ方向に対し直交するＸ方向に第１の光源５
のメリジオナル焦線lm1が、また第２の光源６の
サジタル焦線ls2が夫々存在するものである。２
は記録トラツクを示し、この記録トラツク２の中
心線と各スポツト４ｓ〜６ｓの中心を結ぶ線とは
第４図Ｂの如くある角θを有するように交叉して
いるものとする。第３図ａ，ｂ，ｃは夫々第１の
光源５からの光束、記録情報検出用光源４からの
光束、第２の光源６からの光束を示す。
ツクアツプによりフオーカス状態を検出する場合
の作用を説明する図である。これら図において、
４ｓは記録情報検出用光源４からの照射スポツ
ト、５ｓ及び６ｓは第１及び第２の光源５及び６
からの照射スポツトを夫々示し、５sy及び５sx
は第１の光源５からの光束のうちｙ成分及びｘ成
分を、また６sy及び６sxは第２の光源６からの
光束のうちｙ成分及びｘ成分を夫々示している。
尚、ｙ方向に対し直交するＸ方向に第１の光源５
のメリジオナル焦線lm1が、また第２の光源６の
サジタル焦線ls2が夫々存在するものである。２
は記録トラツクを示し、この記録トラツク２の中
心線と各スポツト４ｓ〜６ｓの中心を結ぶ線とは
第４図Ｂの如くある角θを有するように交叉して
いるものとする。第３図ａ，ｂ，ｃは夫々第１の
光源５からの光束、記録情報検出用光源４からの
光束、第２の光源６からの光束を示す。
いま、記録情報検出用光源４からの光束が記録
トラツク２上において正確に収束しているときに
は、各スポツト４ｓ〜６ｓの形状は第４図Ｂの如
くなつており、記録情報検出用スポツト４ｓは最
小径を有する真円であり、第１及び第２の光源に
よるスポツト５ｓ及び６ｓは共に非点収差量に応
じてトラツク方向に長い長円となつている。この
状態がいわゆるジヤストフオーカス状態であり、
第３図ａ〜ｃの点Ｂの位置である。この状態で
は、スポツト５ｓと６ｓとによる反射光量に応じ
た検出信号のAC成分（デイスク記録周波数成分）
は略等しくなつている。
トラツク２上において正確に収束しているときに
は、各スポツト４ｓ〜６ｓの形状は第４図Ｂの如
くなつており、記録情報検出用スポツト４ｓは最
小径を有する真円であり、第１及び第２の光源に
よるスポツト５ｓ及び６ｓは共に非点収差量に応
じてトラツク方向に長い長円となつている。この
状態がいわゆるジヤストフオーカス状態であり、
第３図ａ〜ｃの点Ｂの位置である。この状態で
は、スポツト５ｓと６ｓとによる反射光量に応じ
た検出信号のAC成分（デイスク記録周波数成分）
は略等しくなつている。
次に、記録デイスクの面反り等に起因して記録
デイスクがピツクアツプ側へ近づいた場合には、
第４図Ａの如く各スポツトの形状が変化しこの状
態が第３図ａ〜ｃのＡ点位置で示されている。す
なわち、第１の光源５による光束はｘ，ｙ両方向
に伸長することからそのスポツト５ｓは全体的に
拡大し、第２の光源６による光束はｙ方向に短縮
しｘ方向に伸長することからトラツク垂直方向に
長くなる長円となる。それ故に、スポツト５ｓに
よる信号のAC成分は減少し、スポツト６ｓによ
る信号のAC成分は増加することになる。
デイスクがピツクアツプ側へ近づいた場合には、
第４図Ａの如く各スポツトの形状が変化しこの状
態が第３図ａ〜ｃのＡ点位置で示されている。す
なわち、第１の光源５による光束はｘ，ｙ両方向
に伸長することからそのスポツト５ｓは全体的に
拡大し、第２の光源６による光束はｙ方向に短縮
しｘ方向に伸長することからトラツク垂直方向に
長くなる長円となる。それ故に、スポツト５ｓに
よる信号のAC成分は減少し、スポツト６ｓによ
る信号のAC成分は増加することになる。
記録デイスクがピツクアツプから遠ざかる場合
には、第４図Ｃの如く各スポツトの形状が変化し
この状態が第３図ａ〜ｃのＣ点位置で示されてい
る。すなわち、第１の光源５による光束はｙ方向
に短縮しｘ方向に伸長することからそのスポツト
５ｓはトラツク垂直方向に長くなる長円となる。
第２の光源６による光束はｘ，ｙ方向共に伸長す
るからそのスポツト６ｓは全体的に拡大すること
になる。それ故に、スポツト５ｓによる信号の
AC成分は増大し、スポツト６ｓによる信号のAC
成分は減少することになる。
には、第４図Ｃの如く各スポツトの形状が変化し
この状態が第３図ａ〜ｃのＣ点位置で示されてい
る。すなわち、第１の光源５による光束はｙ方向
に短縮しｘ方向に伸長することからそのスポツト
５ｓはトラツク垂直方向に長くなる長円となる。
第２の光源６による光束はｘ，ｙ方向共に伸長す
るからそのスポツト６ｓは全体的に拡大すること
になる。それ故に、スポツト５ｓによる信号の
AC成分は増大し、スポツト６ｓによる信号のAC
成分は減少することになる。
そこで、第１及び第２の光源のスポツト５ｓ，
６ｓによる信号のAC成分レベル差を検出すれば、
記録情報検出点４ｓの記録トラツク面に垂直な方
向位置ずれすなわちフオーカス状態の検出が可能
となる。
６ｓによる信号のAC成分レベル差を検出すれば、
記録情報検出点４ｓの記録トラツク面に垂直な方
向位置ずれすなわちフオーカス状態の検出が可能
となる。
かかる事実を基にして第５図に示すフオーカス
エラー信号発生系のブロツクが得られる。第１及
び第２の光源である半導体レーザチツプ５及び６
の他端面から得られる光量変化に応じた信号から
HPF１２，１３を介して交流成分を抽出する。
この交流成分のエンベロープを検波器１４，１５
にて検出して差動アンプ１６によりそのレベル差
を得てフオーカスエラー信号とするのである。
尚、記録情報検出用光源４による検出出力が読取
HF（高周波）信号となるが、HPF１２又は１３
の出力を読取HF信号としても良いものである。
エラー信号発生系のブロツクが得られる。第１及
び第２の光源である半導体レーザチツプ５及び６
の他端面から得られる光量変化に応じた信号から
HPF１２，１３を介して交流成分を抽出する。
この交流成分のエンベロープを検波器１４，１５
にて検出して差動アンプ１６によりそのレベル差
を得てフオーカスエラー信号とするのである。
尚、記録情報検出用光源４による検出出力が読取
HF（高周波）信号となるが、HPF１２又は１３
の出力を読取HF信号としても良いものである。
次に、第６図を用いてトラツキング状態の検出
をなす場合につき説明する。第６図Ｂに示すよう
な位置関係に３つのスポツト４ｓ〜６ｓが照射さ
れているとする（第４図Ｂと同じ位置関係であ
る）。この状態では第１及び第２のスポツト５ｓ
及び６ｓによる信号のDC成分は共に略等しくな
つている。次に、記録トラツク２の直交方向に対
し記録情報検出用スポツト４ｓが左又は右へずれ
ると、第６図Ａ又はＣの如くなる。Ａの場合には
第１のスポツト５ｓのDC成分が増大し、第２の
スポツト６ｓのそれは減少する。Ｃの場合にはＡ
の場合の反対となるので、両スポツトによる信号
のDC成分の差をとれば、記録情報検出点のトラ
ツク直交方向位置のずれ量及び方向を検出するこ
とができる。
をなす場合につき説明する。第６図Ｂに示すよう
な位置関係に３つのスポツト４ｓ〜６ｓが照射さ
れているとする（第４図Ｂと同じ位置関係であ
る）。この状態では第１及び第２のスポツト５ｓ
及び６ｓによる信号のDC成分は共に略等しくな
つている。次に、記録トラツク２の直交方向に対
し記録情報検出用スポツト４ｓが左又は右へずれ
ると、第６図Ａ又はＣの如くなる。Ａの場合には
第１のスポツト５ｓのDC成分が増大し、第２の
スポツト６ｓのそれは減少する。Ｃの場合にはＡ
の場合の反対となるので、両スポツトによる信号
のDC成分の差をとれば、記録情報検出点のトラ
ツク直交方向位置のずれ量及び方向を検出するこ
とができる。
第５図のブロツクの一部に当該トラツキングエ
ラー信号発生系が示されており、光源５，６の各
出力がLPF１７，１８へ夫々入力されDC成分が
抽出される。このDC成分が差動アンプ１９に入
力されてトラツキングエラー信号となるのであ
る。
ラー信号発生系が示されており、光源５，６の各
出力がLPF１７，１８へ夫々入力されDC成分が
抽出される。このDC成分が差動アンプ１９に入
力されてトラツキングエラー信号となるのであ
る。
第５図の構成から明らかなように、トラツキン
グエラーの生成にあたつては、信号の低域成分の
みを用いるので、夫々のピツトの長さが持つ高域
成分の信号はトラツキングエラー信号に影響を与
えない。それゆえ、この信号に影響を与える周波
数成分は、第４図横の方向、すなわちデイスク半
径方向の、「トラツクに垂直な方向」だけになる。
この方向のスポツト径が大きくなると、トラツキ
ングエラー信号の振幅が小さくなると、レーザ５
と６とのどちらからのスポツトも同じように大き
くなつているので、トラツキングエラー信号の極
性が反転することはない。すると、トラツキング
サーボ回路は、このエラー信号を常に０とするよ
うに動作し、スポツト径の変化に十分追従するよ
うに径の変化率を定めることが可能であるので、
デフオーカス時にも問題なくトラツキングエラー
を得ることが出来る。
グエラーの生成にあたつては、信号の低域成分の
みを用いるので、夫々のピツトの長さが持つ高域
成分の信号はトラツキングエラー信号に影響を与
えない。それゆえ、この信号に影響を与える周波
数成分は、第４図横の方向、すなわちデイスク半
径方向の、「トラツクに垂直な方向」だけになる。
この方向のスポツト径が大きくなると、トラツキ
ングエラー信号の振幅が小さくなると、レーザ５
と６とのどちらからのスポツトも同じように大き
くなつているので、トラツキングエラー信号の極
性が反転することはない。すると、トラツキング
サーボ回路は、このエラー信号を常に０とするよ
うに動作し、スポツト径の変化に十分追従するよ
うに径の変化率を定めることが可能であるので、
デフオーカス時にも問題なくトラツキングエラー
を得ることが出来る。
尚、第４図Ａ又はＣに示すフオーカス検出用ス
ポツト５ｓ，６ｓのメリジオナル焦線又はサジタ
ル焦線の長さｗをトラツクピツチよりも大きな値
に設定しておけば、トラツキングずれが生じてい
てもフオーカス状態の検出は可能となる。
ポツト５ｓ，６ｓのメリジオナル焦線又はサジタ
ル焦線の長さｗをトラツクピツチよりも大きな値
に設定しておけば、トラツキングずれが生じてい
てもフオーカス状態の検出は可能となる。
ここで、SCOP方式によつて感度良く各検出信
号を得るためには、全てのスポツトが記録トラツ
ク２上に投影されいるのが良く、そのための最良
の配置は、情報検出用スポツト４ｓが正しく投影
されているトラツク上にフオーカスやトラツキン
グ検出用スポツト５ｓ，６ｓがトラツクピツチの
１／４だけ互いに逆方向に離間して投影されている
場合である。光源４〜６について見れば、光源４
の光軸４ａと光源５，６の各光軸５ａ，６ａとの
各離間距離がトラツクピツチの1/4に比例する長
さに選定されているのが良い。
号を得るためには、全てのスポツトが記録トラツ
ク２上に投影されいるのが良く、そのための最良
の配置は、情報検出用スポツト４ｓが正しく投影
されているトラツク上にフオーカスやトラツキン
グ検出用スポツト５ｓ，６ｓがトラツクピツチの
１／４だけ互いに逆方向に離間して投影されている
場合である。光源４〜６について見れば、光源４
の光軸４ａと光源５，６の各光軸５ａ，６ａとの
各離間距離がトラツクピツチの1/4に比例する長
さに選定されているのが良い。
第７図は本発明の他の実施例のピツクアツプ装
置の平面図であり、第２図ｂに示した如く第１の
光源５を距離ｄだけ突出する代りに、厚さｘ，屈
折率ｎ（ｎ＞１）の透明な例えばSiO2膜やMgF膜
等を、第１の光源５の発光面に被着することによ
り光学的に段差を形成したものである。
置の平面図であり、第２図ｂに示した如く第１の
光源５を距離ｄだけ突出する代りに、厚さｘ，屈
折率ｎ（ｎ＞１）の透明な例えばSiO2膜やMgF膜
等を、第１の光源５の発光面に被着することによ
り光学的に段差を形成したものである。
ここで、空気中からみた透明膜２０を透過して
照射されたレーザ光束の発光点位置は、光の屈折
の法則に従い、ｘ／ｎの位置にあるように見える
ことから、第１の光源５の光束が第２図ｂの場合
と等価な突出位置から発光されているようにする
には、膜２０の厚さｘは、ｘ＝nd／（ｎ−１）
なる値に選定されれば良いものである。
照射されたレーザ光束の発光点位置は、光の屈折
の法則に従い、ｘ／ｎの位置にあるように見える
ことから、第１の光源５の光束が第２図ｂの場合
と等価な突出位置から発光されているようにする
には、膜２０の厚さｘは、ｘ＝nd／（ｎ−１）
なる値に選定されれば良いものである。
第８図〜第１１図は本発明の別の各実施例装置
の正面図であり、第２図と同等部分は同一符号に
より示されている。これら各例においても第１及
び第２の光源５，６のPN接合面は互いに90゜をな
しており、特に第９図の例では基板８上に各半導
体層８１，８２を被着して活性層を形成したもの
であり、第１及び第２の光源となる活性層部５，
６の延長が互いに直交するようになつている。こ
れらすべての例においても、第１の光源５と第２
の光源６との照射面は互いに距離ｄ（空気換算値）
だけ段差を有すようにされており、第２図ｂ又は
第７図の構成をもつて当該段差が形成される。
の正面図であり、第２図と同等部分は同一符号に
より示されている。これら各例においても第１及
び第２の光源５，６のPN接合面は互いに90゜をな
しており、特に第９図の例では基板８上に各半導
体層８１，８２を被着して活性層を形成したもの
であり、第１及び第２の光源となる活性層部５，
６の延長が互いに直交するようになつている。こ
れらすべての例においても、第１の光源５と第２
の光源６との照射面は互いに距離ｄ（空気換算値）
だけ段差を有すようにされており、第２図ｂ又は
第７図の構成をもつて当該段差が形成される。
上記実施例はSCOP方式について説明したが、
光路途中にハーフミラー等を設けて光束を分岐し
これを光検出器により検出するようにしてもよい
ものである。
光路途中にハーフミラー等を設けて光束を分岐し
これを光検出器により検出するようにしてもよい
ものである。
叙上の如く、本発明によれば、半導体レーザチ
ツプとレンズのみでピツクアツプが構成できると
共に、フオーカス及びトラツキング状態の両検出
が一対の光源を用いるのみで可能となるので小型
の装置となる。また、デフオーカス状態に応じて
フオーカス検出用スポツトの形状が変化するので
良質のエラー信号を得ることができる。SCOP方
式による検出行なうようにすれば、光検出器を要
しないので組立てや調整が容易となる利点があ
る。
ツプとレンズのみでピツクアツプが構成できると
共に、フオーカス及びトラツキング状態の両検出
が一対の光源を用いるのみで可能となるので小型
の装置となる。また、デフオーカス状態に応じて
フオーカス検出用スポツトの形状が変化するので
良質のエラー信号を得ることができる。SCOP方
式による検出行なうようにすれば、光検出器を要
しないので組立てや調整が容易となる利点があ
る。
第１図は従来のピツクアツプ装置の一例を示す
図、第２図は本発明の一実施例を示す図、第３図
及び第４図は第２図の装置によりフオーカス状態
を検出する場合の作用を説明する図、第５図はフ
オーカス及びトラツキングの両エラー信号を得る
ブロツク図、第６図は第２図の装置によりトラツ
キング状態を検出する場合の作用を説明する図、
第７図〜第１１図は本発明の他の実施例を夫々示
す図である。 主要部分の符号の説明 ２……記録トラツク、
４……記録情報検出用光源、５，６……第１及び
第２の光源、ls……サジタル焦線、lm……メリジ
オナル焦線。
図、第２図は本発明の一実施例を示す図、第３図
及び第４図は第２図の装置によりフオーカス状態
を検出する場合の作用を説明する図、第５図はフ
オーカス及びトラツキングの両エラー信号を得る
ブロツク図、第６図は第２図の装置によりトラツ
キング状態を検出する場合の作用を説明する図、
第７図〜第１１図は本発明の他の実施例を夫々示
す図である。 主要部分の符号の説明 ２……記録トラツク、
４……記録情報検出用光源、５，６……第１及び
第２の光源、ls……サジタル焦線、lm……メリジ
オナル焦線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 記録情報読取用光源と、非点収差を夫々有す
る第１及び第２の光源とを有し、前記第１の光源
から発せられる光ビームのサジタル及びメリジオ
ナル焦線の一方と前記第２の光源のサジタル及び
メリジオナル焦線の他方とが同一平面上において
互いに平行となるようにこれら第１及び第２の光
源が配置されており、前記第１及び第２の光源か
ら光デイスクへ照射される光ビームの２つの反射
光を各々検出して反射光量差に応じてトラツキン
グ及びフオーカシングエラー信号を発する検出器
を有することを特徴とする光学式記録情報読取用
ピツクアツプ装置。 ２ 前記第１の光源は、この第１の光源の非点収
差量に等しい距離だけ前記第２の光源に対し光軸
方向に突出するように配置されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のピツクアツプ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099245A JPS59223944A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 光学式記録情報読取用ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099245A JPS59223944A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 光学式記録情報読取用ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59223944A JPS59223944A (ja) | 1984-12-15 |
| JPH0542736B2 true JPH0542736B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=14242308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58099245A Granted JPS59223944A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 光学式記録情報読取用ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59223944A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2585761B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1997-02-26 | キヤノン株式会社 | 光ヘッド |
| US5576752A (en) * | 1993-11-22 | 1996-11-19 | Xerox Corporation | Offset mounting of nonmonolithic multiwavelength lasers |
| US5521931A (en) * | 1993-11-22 | 1996-05-28 | Xerox Corporation | Nonmonolithic arrays of accurately positioned diode lasers |
| US5631918A (en) * | 1993-11-22 | 1997-05-20 | Xerox Corporation | Laser diode arrays with close beam offsets |
| JP3817286B2 (ja) * | 1995-11-22 | 2006-09-06 | パイオニア株式会社 | ピックアップ制御装置および情報媒体記録装置 |
| JP5522977B2 (ja) | 2009-06-09 | 2014-06-18 | 三菱電機株式会社 | 多波長半導体レーザ装置 |
-
1983
- 1983-06-02 JP JP58099245A patent/JPS59223944A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59223944A (ja) | 1984-12-15 |
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