JPH05347365A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05347365A JPH05347365A JP15486392A JP15486392A JPH05347365A JP H05347365 A JPH05347365 A JP H05347365A JP 15486392 A JP15486392 A JP 15486392A JP 15486392 A JP15486392 A JP 15486392A JP H05347365 A JPH05347365 A JP H05347365A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- interlayer insulating
- film
- semiconductor device
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多層配線を有する半導体装置においてシリコン
酸化膜からなるダミー配線を設けることにより層間容量
を増大させずに層間絶縁膜の平坦化を行う。 【構成】層間絶縁膜２Ａを堆積したシリコン基板１上
に、フォトリソグラフィー技術を用い、Ａｌ配線３を形
成する。次に配線が疎になっている部分を抜いたフォト
レジスト膜４を形成し、液相成長法を用い配線のないス
ペースだけにシリコン酸化膜６を選択的に成長させ、ダ
ミー配線を形成する。
酸化膜からなるダミー配線を設けることにより層間容量
を増大させずに層間絶縁膜の平坦化を行う。 【構成】層間絶縁膜２Ａを堆積したシリコン基板１上
に、フォトリソグラフィー技術を用い、Ａｌ配線３を形
成する。次に配線が疎になっている部分を抜いたフォト
レジスト膜４を形成し、液相成長法を用い配線のないス
ペースだけにシリコン酸化膜６を選択的に成長させ、ダ
ミー配線を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造方法に関し、特に層間絶縁膜の平坦化プロセスの改
良をはかった半導体装置およびその製造方法に関する。
製造方法に関し、特に層間絶縁膜の平坦化プロセスの改
良をはかった半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化がすすむにつ
れ多層配線が多く用いられるようになっている。この多
層配線構造においては、配線層が多くなるにつれ層間絶
縁膜の平坦化が必要となってくる。しかし従来技術で多
層配線を形成した場合、下層の配線が密集した部分と孤
立している部分で層間絶縁膜を同時に平坦化することは
困難である。また下層配線層の部分に金属のダミー配線
をけた場合、配線容量が増加するという問題が生じる。
以下図面を用いて説明する。
れ多層配線が多く用いられるようになっている。この多
層配線構造においては、配線層が多くなるにつれ層間絶
縁膜の平坦化が必要となってくる。しかし従来技術で多
層配線を形成した場合、下層の配線が密集した部分と孤
立している部分で層間絶縁膜を同時に平坦化することは
困難である。また下層配線層の部分に金属のダミー配線
をけた場合、配線容量が増加するという問題が生じる。
以下図面を用いて説明する。
【０００３】図３はシリコン基板１上に第１の層間絶縁
膜２Ａを堆積し、その上にＡｌ配線３を形成し、その後
第２の層間絶縁膜２Ｂを堆積した状態を示す断面図であ
る。図３からわかるように、Ａｌ配線３が密な部分では
層間絶縁膜２Ｂの平坦化は比較的容易であるが、Ａｌ配
線３が孤立している部分では層間絶縁膜２Ｂに段差が残
る。層間絶縁膜２Ｂに段差がある場合、この上に形成す
る配線に段切れ等が生じる恐れがある。
膜２Ａを堆積し、その上にＡｌ配線３を形成し、その後
第２の層間絶縁膜２Ｂを堆積した状態を示す断面図であ
る。図３からわかるように、Ａｌ配線３が密な部分では
層間絶縁膜２Ｂの平坦化は比較的容易であるが、Ａｌ配
線３が孤立している部分では層間絶縁膜２Ｂに段差が残
る。層間絶縁膜２Ｂに段差がある場合、この上に形成す
る配線に段切れ等が生じる恐れがある。
【０００４】この対策として図４に示すように、孤立部
のＡｌ配線３付近のスペースに同層の配線金属（Ａｌ）
でダミー配線３Ａを設けることによって配線スペースを
ほぼ一定に保ち、層間絶縁膜２Ｂを平坦にする方法が考
えられる。この場合上層配線の段切れ等の問題がなくな
り配線の信頼性は向上するがＡｌ配線３とダミー配線３
Ａとの間で寄生容量７が生じ、半導体装置の動作スピー
ドの低下を招く。
のＡｌ配線３付近のスペースに同層の配線金属（Ａｌ）
でダミー配線３Ａを設けることによって配線スペースを
ほぼ一定に保ち、層間絶縁膜２Ｂを平坦にする方法が考
えられる。この場合上層配線の段切れ等の問題がなくな
り配線の信頼性は向上するがＡｌ配線３とダミー配線３
Ａとの間で寄生容量７が生じ、半導体装置の動作スピー
ドの低下を招く。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】多層配線を形成する場
合、配線の信頼性を高めるため層間絶縁膜を平坦にする
必要がある。しかし上述したように配線が密集した部分
と孤立した部分を同時に同じ高さで平担化することは困
難であった。また孤立した配線付近のスペースにダミー
配線を設けることより層間絶縁膜の平坦化は可能となる
が、ダミー配線が導電物の場合、配線容量が増大すると
いう問題があった。
合、配線の信頼性を高めるため層間絶縁膜を平坦にする
必要がある。しかし上述したように配線が密集した部分
と孤立した部分を同時に同じ高さで平担化することは困
難であった。また孤立した配線付近のスペースにダミー
配線を設けることより層間絶縁膜の平坦化は可能となる
が、ダミー配線が導電物の場合、配線容量が増大すると
いう問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明の半導体装置
は、半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成された金属
からなる多層配線を有する半導体装置において、少くと
も１層の配線層に絶縁膜からなるダミー配線を設けたも
のである。
は、半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成された金属
からなる多層配線を有する半導体装置において、少くと
も１層の配線層に絶縁膜からなるダミー配線を設けたも
のである。
【０００７】第２の発明の半導体装置の製造方法は、半
導体基板上に層間絶縁膜を介して金属配線を形成する工
程と、この金属配線を含む全面にフォトレジスト膜を形
成したのちパターニングし金属配線が疎に形成された部
分に開口部を形成する工程と、前記開口部に選択的に酸
化膜からなるダミー配線を形成する工程と、前記フォト
レジスト膜を除去したのち前記ダミー配線を含む全面に
層間絶縁膜を形成する工程とを含むものである。
導体基板上に層間絶縁膜を介して金属配線を形成する工
程と、この金属配線を含む全面にフォトレジスト膜を形
成したのちパターニングし金属配線が疎に形成された部
分に開口部を形成する工程と、前記開口部に選択的に酸
化膜からなるダミー配線を形成する工程と、前記フォト
レジスト膜を除去したのち前記ダミー配線を含む全面に
層間絶縁膜を形成する工程とを含むものである。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明
するための半導体チップの断面図である。
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明
するための半導体チップの断面図である。
【０００９】まず図１（ａ）に示すように、シリコン基
板１上に酸化膜等からなる層間絶縁膜２Ａを堆積したの
ち、この層間絶縁膜２Ａ上に例えばＡｌからなる配線３
を形成する。
板１上に酸化膜等からなる層間絶縁膜２Ａを堆積したの
ち、この層間絶縁膜２Ａ上に例えばＡｌからなる配線３
を形成する。
【００１０】次に図１（ｂ）に示すように、全面にフォ
トレジスト膜４を塗布したのち、マスク合わせ、露光、
現像を行い孤立部のＡｌ配線３付近の広いスペースを抜
いたレジストパターンを形成する。次でこのフォトレジ
スト膜４をマスクとして例えば液相成長法によりシリコ
ン酸化膜６を堆積する。この液相成長法は例えば特開昭
６４−２５９８６号公報に示された方法であり、選択性
が高いためフォトレジスト膜上にはシリコン酸化膜６は
形成されず、層間絶縁膜２Ａ上のみに選択的に成膜が行
われる。
トレジスト膜４を塗布したのち、マスク合わせ、露光、
現像を行い孤立部のＡｌ配線３付近の広いスペースを抜
いたレジストパターンを形成する。次でこのフォトレジ
スト膜４をマスクとして例えば液相成長法によりシリコ
ン酸化膜６を堆積する。この液相成長法は例えば特開昭
６４−２５９８６号公報に示された方法であり、選択性
が高いためフォトレジスト膜上にはシリコン酸化膜６は
形成されず、層間絶縁膜２Ａ上のみに選択的に成膜が行
われる。
【００１１】Ａｌ配線３の高さまでシリコン酸化膜６を
堆積した後、図１（ｃ）に示すように、配線部のフォト
レジスト膜４を剥離する。
堆積した後、図１（ｃ）に示すように、配線部のフォト
レジスト膜４を剥離する。
【００１２】次に図１（ｄ）に示すように、全面にシリ
コン酸化膜からなる上層の層間絶縁膜２Ｂを堆積する。
このときには孤立したＡｌ配線付近の広いスペースはシ
リコン酸化膜６によって形成されるダミーパターン（配
線）で占められているため、層間絶縁膜２Ｂは、ウェハ
面内でほぼ同一の高さで平坦に形成される。
コン酸化膜からなる上層の層間絶縁膜２Ｂを堆積する。
このときには孤立したＡｌ配線付近の広いスペースはシ
リコン酸化膜６によって形成されるダミーパターン（配
線）で占められているため、層間絶縁膜２Ｂは、ウェハ
面内でほぼ同一の高さで平坦に形成される。
【００１３】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施
例を説明するための半導体チップの断面図である。
例を説明するための半導体チップの断面図である。
【００１４】まず図２（ａ）に示すように、第１の実施
例と同様に操作し、シリコン基板１上に層間絶縁膜２Ａ
を介してＡｌ配線３を形成する。次に孤立したＡｌ配線
付近の広くあいたスペースに、Ａｌ配線の幅と同程度の
幅のスペースを抜いたフォトレジスト膜４Ａを形成す
る。次でこのスペース内に液相成長法によりシリコン酸
化膜６ＡをＡｌ配線３の高さまで堆積する。
例と同様に操作し、シリコン基板１上に層間絶縁膜２Ａ
を介してＡｌ配線３を形成する。次に孤立したＡｌ配線
付近の広くあいたスペースに、Ａｌ配線の幅と同程度の
幅のスペースを抜いたフォトレジスト膜４Ａを形成す
る。次でこのスペース内に液相成長法によりシリコン酸
化膜６ＡをＡｌ配線３の高さまで堆積する。
【００１５】次に図２（ｂ）に示すように、フォトレジ
スト膜４Ａを除去したのち図２（ｃ）に示すようにＣＶ
Ｄ法等により上層の層間絶縁膜２Ｃを全面に堆積する。
Ａｌ配線が疎な部分にはシリコン酸化膜６Ａのダミーパ
ターン（配線）が形成されているため、層間絶縁膜６Ａ
は均一でかつ平坦に形成される。
スト膜４Ａを除去したのち図２（ｃ）に示すようにＣＶ
Ｄ法等により上層の層間絶縁膜２Ｃを全面に堆積する。
Ａｌ配線が疎な部分にはシリコン酸化膜６Ａのダミーパ
ターン（配線）が形成されているため、層間絶縁膜６Ａ
は均一でかつ平坦に形成される。
【００１６】尚、上記実施例ではダミー配線をシリコン
酸化膜で形成した場合について説明したが、窒化膜等他
の絶縁膜であってもよい。
酸化膜で形成した場合について説明したが、窒化膜等他
の絶縁膜であってもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、配線が疎
な部分の広いスペースに液相成長法によって絶縁膜から
なるダミー配線を形成することにより、この上層に堆積
する絶縁膜を均一かつ平坦に形成することができる。ま
たダミー配線として絶縁膜を使用するため、金属材料を
ダミー配線として使用する場合に比べ、配線容量が増大
する等の問題もなく、半導体装置の素子特性および信頼
性の向上をはかることが可能である。
な部分の広いスペースに液相成長法によって絶縁膜から
なるダミー配線を形成することにより、この上層に堆積
する絶縁膜を均一かつ平坦に形成することができる。ま
たダミー配線として絶縁膜を使用するため、金属材料を
ダミー配線として使用する場合に比べ、配線容量が増大
する等の問題もなく、半導体装置の素子特性および信頼
性の向上をはかることが可能である。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための半導体
チップの断面図。
チップの断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための半導体
チップの断面図。
チップの断面図。
【図３】従来の半導体装置を説明するための半導体チッ
プの断面図。
プの断面図。
【図４】従来の半導体装置を説明するための半導体チッ
プの断面図。
プの断面図。
１ シリコン基板 ２Ａ，２Ｂ 層間絶縁膜 ３ Ａｌ配線 ３Ａ ダミー配線 ４，４Ａ フォトレジスト膜 ５，５Ａ 開口部 ６，６Ａ シリコン酸化膜 ７ 寄生容量
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成
された金属からなる多層配線を有する半導体装置におい
て、少くとも１層の配線層に絶縁膜からなるダミー配線
を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ダミー配線の幅は金属配線の幅より広く
形成されている請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体基板上に層間絶縁膜を介して金属
配線を形成する工程と、この金属配線を含む全面にフォ
トレジスト膜を形成したのちパターニングし金属配線が
疎に形成された部分に開口部を形成する工程と、前記開
口部に選択的に酸化膜からなるダミー配線を形成する工
程と、前記フォトレジスト膜を除去したのち前記ダミー
配線を含む全面に層間絶縁膜を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15486392A JPH05347365A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15486392A JPH05347365A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347365A true JPH05347365A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15593568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15486392A Pending JPH05347365A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347365A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425986A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Selective formation of silicon dioxide film |
| JPH01303742A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15486392A patent/JPH05347365A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425986A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Selective formation of silicon dioxide film |
| JPH01303742A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980421 |