JPH05343407A - 基板接続用バンプ電極 - Google Patents
基板接続用バンプ電極Info
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- JPH05343407A JPH05343407A JP14561592A JP14561592A JPH05343407A JP H05343407 A JPH05343407 A JP H05343407A JP 14561592 A JP14561592 A JP 14561592A JP 14561592 A JP14561592 A JP 14561592A JP H05343407 A JPH05343407 A JP H05343407A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はバンプにより基板に接続を行う場合
の基板接続用バンプ電極に関し、熱サイクルにより隣接
バンプ間の接触を防止することを目的とする。 【構成】 第１の基板２１上に二次元に配設された第１
及び第２のバンプ２２，２３と、第２の基板２４上に二
次元に配設された第３及び第４のバンプ２５，２６と
を、長さを異ならせて形成させる。そして、第１のバン
プ２２と第３のバンプ２５、及び第２のバンプ２３と第
４のバンプ２６を圧着接合させ、接合面の高さを異なら
せて第１及び第２の基板２１，２４の電気的結合を行
う。
の基板接続用バンプ電極に関し、熱サイクルにより隣接
バンプ間の接触を防止することを目的とする。 【構成】 第１の基板２１上に二次元に配設された第１
及び第２のバンプ２２，２３と、第２の基板２４上に二
次元に配設された第３及び第４のバンプ２５，２６と
を、長さを異ならせて形成させる。そして、第１のバン
プ２２と第３のバンプ２５、及び第２のバンプ２３と第
４のバンプ２６を圧着接合させ、接合面の高さを異なら
せて第１及び第２の基板２１，２４の電気的結合を行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バンプにより基板に接
続を行う場合の基板接続用バンプ電極に関する。
続を行う場合の基板接続用バンプ電極に関する。
【０００２】近年、例えば、半導体基板上に複数の受光
素子を二次元配置した光電変換素子部と、光電変換され
た信号を読み出すための信号処理部それぞれの基板を電
極柱（バンプ電極）で接続し、貼り合わせたハイブリッ
ド型固体撮像装置が使用されつつある。特に、赤外線光
を検知する赤外線固体撮像素子は近年、画素数を増やし
高解像度化が図られている。この場合、多数の画素のう
ち一部でも欠陥画素が発生すれば使用できなくなるた
め、画素数が増加しても欠陥画素の発生しない信頼性、
耐久性の高いことが望まれている。
素子を二次元配置した光電変換素子部と、光電変換され
た信号を読み出すための信号処理部それぞれの基板を電
極柱（バンプ電極）で接続し、貼り合わせたハイブリッ
ド型固体撮像装置が使用されつつある。特に、赤外線光
を検知する赤外線固体撮像素子は近年、画素数を増やし
高解像度化が図られている。この場合、多数の画素のう
ち一部でも欠陥画素が発生すれば使用できなくなるた
め、画素数が増加しても欠陥画素の発生しない信頼性、
耐久性の高いことが望まれている。
【０００３】
【従来の技術】図５に、従来のバンプ電極による接続を
行う固体撮像装置を説明するための図を示す。図５
（Ａ）は一部を切欠いた概略図であり、図５（Ｂ）は図
５（Ａ）の一部断面図である。
行う固体撮像装置を説明するための図を示す。図５
（Ａ）は一部を切欠いた概略図であり、図５（Ｂ）は図
５（Ａ）の一部断面図である。
【０００４】図５（Ａ），（Ｂ）において、固体撮像装
置１１は、光電変換部１２と信号処理部１３とが複数の
バンプ電極１４により電気的接合されたものである。
置１１は、光電変換部１２と信号処理部１３とが複数の
バンプ電極１４により電気的接合されたものである。
【０００５】光電変換部１２は、例えばＨｇＣｄＴｅ
（水銀カドミウムテルル）の半導体基板１２ａ上に、赤
外線を検知するフォトダイオード領域１２ｂが二次元に
配置されたものである。そして、このフォトダイオード
領域１２ｂのそれぞれに、例えばインジウム（Ｉｎ）を
蒸着したバンプ１４ａが形成される。
（水銀カドミウムテルル）の半導体基板１２ａ上に、赤
外線を検知するフォトダイオード領域１２ｂが二次元に
配置されたものである。そして、このフォトダイオード
領域１２ｂのそれぞれに、例えばインジウム（Ｉｎ）を
蒸着したバンプ１４ａが形成される。
【０００６】一方、処理回路部１３は、例えばシリコン
（Ｓｉ）基板上に上記フォトダイオード領域１２ｂに対
応する複数の画素１３ａを含む信号読出し回路１３ｂが
形成される。また、各画素１３ａ上に、例えばインジウ
ム（Ｉｎ）を蒸着したバンプ１４ｂが形成される。
（Ｓｉ）基板上に上記フォトダイオード領域１２ｂに対
応する複数の画素１３ａを含む信号読出し回路１３ｂが
形成される。また、各画素１３ａ上に、例えばインジウ
ム（Ｉｎ）を蒸着したバンプ１４ｂが形成される。
【０００７】そして、光電変換部１２の各バンプ１４ａ
と、処理回路部１３の各バンプ１４ｂとが圧着されて、
電気的結合が行われ、いわゆるハイブリッド型を構成す
る。このような固体撮像装置１１は、光電変換部１２に
入射する赤外線で電子が発生し、フォトダイオード領域
１２ｂより電気信号がバンプ電極１４を介して処理回路
部１３に送られる。
と、処理回路部１３の各バンプ１４ｂとが圧着されて、
電気的結合が行われ、いわゆるハイブリッド型を構成す
る。このような固体撮像装置１１は、光電変換部１２に
入射する赤外線で電子が発生し、フォトダイオード領域
１２ｂより電気信号がバンプ電極１４を介して処理回路
部１３に送られる。
【０００８】また、この固体撮像装置１１は、装置自身
の有する温度によって発生する不要な信号を除くため
に、冷却して用いられるのが一般的である。
の有する温度によって発生する不要な信号を除くため
に、冷却して用いられるのが一般的である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の固体
撮像装置１１は、非動作時は室温であり、動作時には例
えば液体窒素温度に冷却されるため、使用するごとに光
変換部１２及び処理回路部１３が温度による収縮、膨張
を繰り返すことになる。ここで、図６に、図５における
バンプ電極の変形を説明するための図を示す。上述のＨ
ｇＣｄＴｅの半導体基板１２ａとＳｉ基板１３のよう
に、異種基板を貼り合わせたハイブリッド型の固体撮像
装置１１においては、それぞれの基板１２ａ，１３の熱
膨張率が異なるため、バンプ１４ａ，１４ｂに歪みが発
生する。熱サイクルが多数繰り返された場合、図６に示
すようにバンプ１４ａ，１４ｂが変形し、例えばつなぎ
目部分１５がずれることなどにより、接触部分で隣接す
るバンプ１４ａ，１４ｂどうしが接触することがある。
この場合、接触した２つの画素の信号は混ざり合うた
め、２画素ともに欠陥画素となってしまう。このよう
に、熱サイクルを繰り返すうちに欠陥画素が発生する不
都合があり、固体撮像素子の信頼性、耐久性を低下させ
るという問題がある。
撮像装置１１は、非動作時は室温であり、動作時には例
えば液体窒素温度に冷却されるため、使用するごとに光
変換部１２及び処理回路部１３が温度による収縮、膨張
を繰り返すことになる。ここで、図６に、図５における
バンプ電極の変形を説明するための図を示す。上述のＨ
ｇＣｄＴｅの半導体基板１２ａとＳｉ基板１３のよう
に、異種基板を貼り合わせたハイブリッド型の固体撮像
装置１１においては、それぞれの基板１２ａ，１３の熱
膨張率が異なるため、バンプ１４ａ，１４ｂに歪みが発
生する。熱サイクルが多数繰り返された場合、図６に示
すようにバンプ１４ａ，１４ｂが変形し、例えばつなぎ
目部分１５がずれることなどにより、接触部分で隣接す
るバンプ１４ａ，１４ｂどうしが接触することがある。
この場合、接触した２つの画素の信号は混ざり合うた
め、２画素ともに欠陥画素となってしまう。このよう
に、熱サイクルを繰り返すうちに欠陥画素が発生する不
都合があり、固体撮像素子の信頼性、耐久性を低下させ
るという問題がある。
【００１０】このことは、上述の固体撮像装置１１に限
らず、例えば集積度の高いハイブリッドＩＣ等の熱膨張
率の異なる基板同士をバンプで接続する場合においても
生じる問題である。
らず、例えば集積度の高いハイブリッドＩＣ等の熱膨張
率の異なる基板同士をバンプで接続する場合においても
生じる問題である。
【００１１】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、熱サイクルにより隣接するバンプ間の接触を防
止する基板接続用バンプ電極を提供することを目的とす
る。
もので、熱サイクルにより隣接するバンプ間の接触を防
止する基板接続用バンプ電極を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１の基板
上の所定位置に、長さの異なる第１及び第２のバンプを
交互に二次元に配設すると共に、第２の基板上に、該第
１及び第２のバンプに対応する位置であって、該第１の
基板上の該第１のバンプに対応する第３のバンプと、該
第２のバンプに対応する第４のバンプとを配設し、該第
１のバンプと該第３のバンプ、及び該第２のバンプと、
該第４のバンプとが接合面の高さを異ならせて接合さ
れ、前記第１の基板と前記第２の基板とを電気的接合さ
せることにより解決される。
上の所定位置に、長さの異なる第１及び第２のバンプを
交互に二次元に配設すると共に、第２の基板上に、該第
１及び第２のバンプに対応する位置であって、該第１の
基板上の該第１のバンプに対応する第３のバンプと、該
第２のバンプに対応する第４のバンプとを配設し、該第
１のバンプと該第３のバンプ、及び該第２のバンプと、
該第４のバンプとが接合面の高さを異ならせて接合さ
れ、前記第１の基板と前記第２の基板とを電気的接合さ
せることにより解決される。
【００１３】
【作用】上述のように、第１の基板上に二次元に配設さ
れた第１及び第２のバンプと、第２の基板上に二次元に
配設された第３及び第４のバンプとを、接合面の高さを
異ならせて接合させて、第１及び第２の基板の電気的接
合を行う。
れた第１及び第２のバンプと、第２の基板上に二次元に
配設された第３及び第４のバンプとを、接合面の高さを
異ならせて接合させて、第１及び第２の基板の電気的接
合を行う。
【００１４】これにより、熱サイクルの影響で各バンプ
の接合面に位置ずれが発生しても、各バンプの接合面の
高さが異なっており、隣接するバンプ電極間の接触を防
止することが可能となる。
の接合面に位置ずれが発生しても、各バンプの接合面の
高さが異なっており、隣接するバンプ電極間の接触を防
止することが可能となる。
【００１５】
【実施例】図１に、本発明の第１の実施例の構成図を示
す。図１（Ａ）は部分的側部構成図であり、図１（Ｂ）
は熱サイクルにおけるバンプ電極変形の概略図である。
す。図１（Ａ）は部分的側部構成図であり、図１（Ｂ）
は熱サイクルにおけるバンプ電極変形の概略図である。
【００１６】図１（Ａ）において、第１の基板２１上
に、長さの短い第１のバンプ２２と長さの長い第２のバ
ンプ２３とが交互に配置されて二次元に配設される。
に、長さの短い第１のバンプ２２と長さの長い第２のバ
ンプ２３とが交互に配置されて二次元に配設される。
【００１７】一方、第２の基板２４上には、長さの長い
第３のバンプ（第２のバンプ２３と同じ長さ）と長さの
短い第４のバンプ２６（第１のバンプ２２と同じ長さ）
とが交互に配置されて二次元に配置される。この場合、
第３のバンプ２５が第１の基板２１の第１のバンプ２２
に対応し、第４のバンプ２６が第２のバンプ２３に対応
する。
第３のバンプ（第２のバンプ２３と同じ長さ）と長さの
短い第４のバンプ２６（第１のバンプ２２と同じ長さ）
とが交互に配置されて二次元に配置される。この場合、
第３のバンプ２５が第１の基板２１の第１のバンプ２２
に対応し、第４のバンプ２６が第２のバンプ２３に対応
する。
【００１８】そして、第１の基板２１の第１のバンプ２
２と第２の基板２４の第３のバンプ２５とを対応させる
と共に、第２のバンプ２３と第４のバンプ２６とを対応
させて圧着により接合させてそれぞれバンプ電極２７を
形成させ、該第１及び第２の基板２１，２４を電気的接
合させるものである。この場合、接合された各バンプ電
極２７の接合面２７ａは隣接するバンプ電極２７の接合
面２７ｂと異なる高さとなる。
２と第２の基板２４の第３のバンプ２５とを対応させる
と共に、第２のバンプ２３と第４のバンプ２６とを対応
させて圧着により接合させてそれぞれバンプ電極２７を
形成させ、該第１及び第２の基板２１，２４を電気的接
合させるものである。この場合、接合された各バンプ電
極２７の接合面２７ａは隣接するバンプ電極２７の接合
面２７ｂと異なる高さとなる。
【００１９】ここで、このバンプ電極２７で電気的結合
された第１及び第２の基板２１，２４に熱サイクルで熱
ストレスを加えた場合、図１（Ｂ）に示すように、収
縮、膨張を繰り返し、バンプ電極２７の接合面２７ａ，
２７ｂで位置ずれが発生する。しかし、図１（Ｂ）に示
すように、隣接するバンプ電極２７の接合面２７ａ，２
７ｂの高さが異なることから、上述の接合面２７ａ，２
７ｂに位置ずれを生じても各バンプ電極２７の接触を防
止することができるものである。
された第１及び第２の基板２１，２４に熱サイクルで熱
ストレスを加えた場合、図１（Ｂ）に示すように、収
縮、膨張を繰り返し、バンプ電極２７の接合面２７ａ，
２７ｂで位置ずれが発生する。しかし、図１（Ｂ）に示
すように、隣接するバンプ電極２７の接合面２７ａ，２
７ｂの高さが異なることから、上述の接合面２７ａ，２
７ｂに位置ずれを生じても各バンプ電極２７の接触を防
止することができるものである。
【００２０】これを図５に示す固体撮像装置や、ハイブ
リッドＩＣ等に適用することにより、欠陥画素や欠陥電
極等の発生を防止して装置の信頼性、耐久性を向上させ
ることができる。
リッドＩＣ等に適用することにより、欠陥画素や欠陥電
極等の発生を防止して装置の信頼性、耐久性を向上させ
ることができる。
【００２１】そこで、図２に、図１の製造を説明するた
めの図を示す。図２において、まず、所定の領域形成等
の処理が施されたＨｇＣｄＴｅやＳｉ等の半導体基板
（第１又は第２の基板２１，２４の何れであってもよ
い）２１（２４）上に、レジスト３１ａが塗布され、ホ
トエッチングによりバンプ電極が位置する部分を開口さ
せる（図２（Ａ））。
めの図を示す。図２において、まず、所定の領域形成等
の処理が施されたＨｇＣｄＴｅやＳｉ等の半導体基板
（第１又は第２の基板２１，２４の何れであってもよ
い）２１（２４）上に、レジスト３１ａが塗布され、ホ
トエッチングによりバンプ電極が位置する部分を開口さ
せる（図２（Ａ））。
【００２２】そして、開口部分にインジウム（Ｉｎ）を
蒸着させる（図２（Ｂ））。さらに、レジスト３１ｂを
塗布し、ホトエッチングにより、上述の長さの長い第２
及び第３のバンプ２３，２５に相当する部分を開口させ
る（図２（Ｃ））。
蒸着させる（図２（Ｂ））。さらに、レジスト３１ｂを
塗布し、ホトエッチングにより、上述の長さの長い第２
及び第３のバンプ２３，２５に相当する部分を開口させ
る（図２（Ｃ））。
【００２３】続いて、この開口部分にインジウム（Ｉ
ｎ）を蒸着させ（図２（Ｄ）、レジスト３１ａ，３１ｂ
を除去することにより、半導体基板２１（２４）上に長
さの長い第２（第３）のバンプ２３（２５）、及び長さ
の短い第１（第４）のバンプ２２（２６）が形成される
ものである（図２（Ｅ））。
ｎ）を蒸着させ（図２（Ｄ）、レジスト３１ａ，３１ｂ
を除去することにより、半導体基板２１（２４）上に長
さの長い第２（第３）のバンプ２３（２５）、及び長さ
の短い第１（第４）のバンプ２２（２６）が形成される
ものである（図２（Ｅ））。
【００２４】そして、このように形成された半導体基板
２１，２４を図１（Ａ）に示すようにバンプ同士で圧着
させることにより、隣接するバンプ電極２７間で接合面
の高さが異なるものが形成されるものである。
２１，２４を図１（Ａ）に示すようにバンプ同士で圧着
させることにより、隣接するバンプ電極２７間で接合面
の高さが異なるものが形成されるものである。
【００２５】次に、図３に、本発明の第２の実施例の構
成図を示す。図３では、図５に示すような固体撮像装置
１１を例として、光電変換部１２の平面図を示して説明
する。なお、固体撮像装置に限らず、集積度の高いハイ
ブリッドＩＣにおいても同様である。
成図を示す。図３では、図５に示すような固体撮像装置
１１を例として、光電変換部１２の平面図を示して説明
する。なお、固体撮像装置に限らず、集積度の高いハイ
ブリッドＩＣにおいても同様である。
【００２６】図３（Ａ）において、第１の基板２１とし
ての光電変換部１２は、例えばＨｇＣｄＴｅの半導体基
板で形成され、各画素に相当する区画４１が二次元的に
形成される。そして、各区画４１のうち、４辺に（３辺
は省略する）位置する区画４１（斜線部分）に、一区画
４１内で位置を異ならせてバンプ１４ａを配設したもの
である。このバンプ１４ａは、半導体基板１２の中心か
ら放射線状方向で、隣接するバンプ１４ａ間の距離を得
るように配置される。
ての光電変換部１２は、例えばＨｇＣｄＴｅの半導体基
板で形成され、各画素に相当する区画４１が二次元的に
形成される。そして、各区画４１のうち、４辺に（３辺
は省略する）位置する区画４１（斜線部分）に、一区画
４１内で位置を異ならせてバンプ１４ａを配設したもの
である。このバンプ１４ａは、半導体基板１２の中心か
ら放射線状方向で、隣接するバンプ１４ａ間の距離を得
るように配置される。
【００２７】また、図示していないが、半導体基板１２
のバンプ１４ａの配置に対応して、第２の基板２４とし
ての処理回路部１３の例えばＳｉの半導体基板上にバン
プ１４ｂが配設される（図５参照）。そして、図５に示
すように、バンプ１４ａ，１４ｂ同士を圧着接合して各
基板１２，１３の電気的結合を行う。
のバンプ１４ａの配置に対応して、第２の基板２４とし
ての処理回路部１３の例えばＳｉの半導体基板上にバン
プ１４ｂが配設される（図５参照）。そして、図５に示
すように、バンプ１４ａ，１４ｂ同士を圧着接合して各
基板１２，１３の電気的結合を行う。
【００２８】ここで、図３（Ｂ）に示すように、半導体
基板１２に熱サイクルによる熱ストレスを加えると、該
半導体基板１２は、図３（Ｂ）の矢印方向、すなわち基
板中心より放射状方向に収縮、膨張を繰り返し、バンプ
電極１４の接合面１５が矢印方向に位置ずれを生じる。
この場合の歪み量は、基板周辺部分における斜線部分の
領域４２ａ〜４２ｄほど大きくなる。すなわち、この領
域４２ａ〜４２ｄに位置する区画４１に配設されるバン
プ電極１４が等間隔の場合には、接合面１５の歪み量が
大きくバンプ電極１４間の接触が生じ易い。
基板１２に熱サイクルによる熱ストレスを加えると、該
半導体基板１２は、図３（Ｂ）の矢印方向、すなわち基
板中心より放射状方向に収縮、膨張を繰り返し、バンプ
電極１４の接合面１５が矢印方向に位置ずれを生じる。
この場合の歪み量は、基板周辺部分における斜線部分の
領域４２ａ〜４２ｄほど大きくなる。すなわち、この領
域４２ａ〜４２ｄに位置する区画４１に配設されるバン
プ電極１４が等間隔の場合には、接合面１５の歪み量が
大きくバンプ電極１４間の接触が生じ易い。
【００２９】従って、図３（Ａ）に示すように、領域４
２ａ〜４２ｄに位置する区画４１内に設けられるバンプ
１４ａ（１４ｂ）間を、矢印方向で距離を長くするよう
に配置することで、バンプ電極１４間の接触を防止する
ことができるものである。
２ａ〜４２ｄに位置する区画４１内に設けられるバンプ
１４ａ（１４ｂ）間を、矢印方向で距離を長くするよう
に配置することで、バンプ電極１４間の接触を防止する
ことができるものである。
【００３０】なお、このようなバンプ１４ａ，１４ｂの
形成は、図２（Ａ），（Ｂ）におけるレジスト３１ａの
開口する部分をマスクパターンで位置変更させればよ
い。
形成は、図２（Ａ），（Ｂ）におけるレジスト３１ａの
開口する部分をマスクパターンで位置変更させればよ
い。
【００３１】次に、図４に、本発明の第３の実施例の構
成図を示す。図４においても、図３と同様に、図５に示
すような固体撮像装置１１を例として、光電変換部１２
の平面図を示して説明する。なお、図３と同一の部分に
ついてはその説明を省略する。
成図を示す。図４においても、図３と同様に、図５に示
すような固体撮像装置１１を例として、光電変換部１２
の平面図を示して説明する。なお、図３と同一の部分に
ついてはその説明を省略する。
【００３２】図４において、半導体基板１２の一区画４
１内に形成されるバンプ４２ａ（対向するバンプを４２
ｂとして図示を省略する）の断面形状を、短辺と長辺を
有するだ円としたもので、図３（Ｂ）に示す矢印方向に
配列される区画４１内に形成されるバンプ４２ａを、該
矢印方向で短辺が対向して位置するように配設したもの
である。すなわち、該矢印方向で隣接するバンプ４２ａ
（４２ｂ）間で距離を長くするように配置するものであ
る。
１内に形成されるバンプ４２ａ（対向するバンプを４２
ｂとして図示を省略する）の断面形状を、短辺と長辺を
有するだ円としたもので、図３（Ｂ）に示す矢印方向に
配列される区画４１内に形成されるバンプ４２ａを、該
矢印方向で短辺が対向して位置するように配設したもの
である。すなわち、該矢印方向で隣接するバンプ４２ａ
（４２ｂ）間で距離を長くするように配置するものであ
る。
【００３３】これにより、図３と同様に、熱サイクルの
影響でバンプ電極間の接合面で位置ずれを生じても、接
触を防止することができる。
影響でバンプ電極間の接合面で位置ずれを生じても、接
触を防止することができる。
【００３４】なお、上述の第３の実施例では、バンプ４
２ａ（４２ｂ）の断面形状をだ円とした場合を示した
が、断面積が略等しく短辺部分と長辺部分を有すればよ
く、例えばひし形や長方形でもよい。
２ａ（４２ｂ）の断面形状をだ円とした場合を示した
が、断面積が略等しく短辺部分と長辺部分を有すればよ
く、例えばひし形や長方形でもよい。
【００３５】また、第３の実施例であっても、当該断面
形状のバンプの製造は、図３と同様にマスクパターンの
形状を変更することによって形成することができる。
形状のバンプの製造は、図３と同様にマスクパターンの
形状を変更することによって形成することができる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、接合に
より基板間の電気的接合を行うバンプ電極の、接合面の
高さを交互に異ならせ、又は配置を異ならせ、又はその
断面形状で短辺間を対向させることにより、熱サイクル
の影響で接合面に位置ずれを生じても、隣接するバンプ
電極間の接触を防止することができる。
より基板間の電気的接合を行うバンプ電極の、接合面の
高さを交互に異ならせ、又は配置を異ならせ、又はその
断面形状で短辺間を対向させることにより、熱サイクル
の影響で接合面に位置ずれを生じても、隣接するバンプ
電極間の接触を防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の構成図である。
【図２】図１の製造を説明するための工程図である。
【図３】本発明の第２の実施例の構成図である。
【図４】本発明の第３の実施例の構成図である。
【図５】従来のバンプ電極による接続を行う固体撮像装
置を説明するための図である。
置を説明するための図である。
【図６】図５におけるバンプ電極の変形を説明するため
の図である。
の図である。
２１ 第１の基板 ２２ 第１のバンプ ２３ 第２のバンプ ２４ 第２の基板 ２５ 第３のバンプ ２６ 第４のバンプ ２７ バンプ電極 ２７ａ，２７ｂ 接合面 ３１ａ，３１ｂ レジスト ３２ インジウム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東福 勲 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 土肥 正二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の基板（２１）上の所定位置に、長
さの異なる第１及び第２のバンプ（２２，２３）を交互
に二次元に配設すると共に、 第２の基板（２４）上に、該第１及び第２のバンプ（２
２，２３）に対応する位置であって、該第１の基板（２
１）上の該第１のバンプ（２２）に対応する第３のバン
プ（２５）と、該第２のバンプ（２３）に対応する第４
のバンプ（２６）とを配設し、 該第１のバンプ（２２）と該第３のバンプ（２５）、及
び該第２のバンプ（２３）と、該第４のバンプ（３６）
とが接合面の高さを異ならせて接合され、前記第１の基
板（２１）と前記第２の基板（２４）とを電気的接合さ
せることを特徴とする基板接続用バンプ電極。 - 【請求項２】 第１の基板（２１，１２）及び第２の基
板（２４，１３）の一区画（４１）内に位置されるバン
プ（１４ａ，１４ｂ）を全区画で複数二次元に配設され
て、該第１の基板（２１，１２）と該第２の基板（２
４，１３）とを、該各バンプ（１４ａ，１４ｂ）を介し
て電気的接続させるための基板接続用バンプ電極におい
て、 前記第１及び第２の基板（２１，２４，１２，１３）の
中心から放射状方向で隣接する前記バンプ（１４ａ，１
４ｂ）間の距離を得るために、所定の該バンプを、前記
一区画（４１）内で位置を異ならせて配置させることを
特徴とする基板接続用バンプ電極。 - 【請求項３】 第１の基板（２１，１２）及び第２の基
板（２４，１３）の一区画（４１）内に位置されるバン
プ（４２ａ，４２ｂ）を全区画で複数二次元に配設され
て、該第１の基板（２１，１２）と該第２の基板（２
４，１３）とを、該各バンプ（４２ａ，４２ｂ）を介し
て電気的接続させるための基板接続用バンプ電極におい
て、 前記第１及び第２の基板（２１，２４，１２，１３）の
中心から放射状方向で隣接する前記バンプ（４２ａ，４
２ｂ）間の距離を得るために、所定の該バンプの断面形
状を、該放射状方向で短辺として対向させることを特徴
とする基板接続用バンプ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14561592A JPH05343407A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 基板接続用バンプ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14561592A JPH05343407A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 基板接続用バンプ電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343407A true JPH05343407A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15389131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14561592A Withdrawn JPH05343407A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 基板接続用バンプ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343407A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023070B2 (en) | 2003-06-05 | 2006-04-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2009218233A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-24 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011091087A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2015141917A (ja) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | チップ実装構造体およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP14561592A patent/JPH05343407A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023070B2 (en) | 2003-06-05 | 2006-04-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2009218233A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-24 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011091087A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2015141917A (ja) * | 2014-01-27 | 2015-08-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | チップ実装構造体およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |