JPH05343251A - 誘電体装置 - Google Patents
誘電体装置Info
- Publication number
- JPH05343251A JPH05343251A JP4152371A JP15237192A JPH05343251A JP H05343251 A JPH05343251 A JP H05343251A JP 4152371 A JP4152371 A JP 4152371A JP 15237192 A JP15237192 A JP 15237192A JP H05343251 A JPH05343251 A JP H05343251A
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- JP
- Japan
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- film
- dielectric
- platinum
- electrode
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- Pending
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】誘電体が２つの電極によって挟まれた構造を有
する誘電体装置において、製造過程における熱処理工程
あるいは経時変化による前記電極の酸化によるリテンシ
ョン特性、膜疲労特性の劣化を防止して、装置の信頼性
を向上させる。 【構成】前記電極の少なくとも一方の電極が、耐酸化性
に優れた白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウ
ム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、
ルテニウム（Ｒｕ）の白金属の内２種類以上を含む合金
を主成分とする。
する誘電体装置において、製造過程における熱処理工程
あるいは経時変化による前記電極の酸化によるリテンシ
ョン特性、膜疲労特性の劣化を防止して、装置の信頼性
を向上させる。 【構成】前記電極の少なくとも一方の電極が、耐酸化性
に優れた白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウ
ム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、
ルテニウム（Ｒｕ）の白金属の内２種類以上を含む合金
を主成分とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体装置あるいは誘電
体装置の構造に関する。
体装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体が２つの電極によって挟まれた構
造を有する誘電体装置において、従来は例えばジャーナ
ル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ）、１９９１年、第７０巻、第１号、３８２項
〜３８８項に記載されていたように、前記電極材料とし
て白金（Ｐｔ）、誘電体材料としては強誘電体であるＰ
ＺＴ（Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3）を用いていた。
造を有する誘電体装置において、従来は例えばジャーナ
ル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ）、１９９１年、第７０巻、第１号、３８２項
〜３８８項に記載されていたように、前記電極材料とし
て白金（Ｐｔ）、誘電体材料としては強誘電体であるＰ
ＺＴ（Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3）を用いていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、製造工
程における熱処理あるいは経時変化によって、ＰＺＴ中
の酸素と電極材料である白金とが反応して電極が酸化さ
れ、その結果リテンション特性、膜疲労特性を劣化させ
るため、信頼性に悪影響を及ぼしていた。
程における熱処理あるいは経時変化によって、ＰＺＴ中
の酸素と電極材料である白金とが反応して電極が酸化さ
れ、その結果リテンション特性、膜疲労特性を劣化させ
るため、信頼性に悪影響を及ぼしていた。
【０００４】そこで本発明はこのような問題を解決する
もので、電極の酸化に起因するリテンション特性、膜疲
労特性の劣化を防ぎ、信頼性を向上させるものである。
もので、電極の酸化に起因するリテンション特性、膜疲
労特性の劣化を防ぎ、信頼性を向上させるものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における誘電体装
置は、誘電体が２つの電極によって挟まれた構造を有す
る誘電体装置において、前記電極の少なくとも一方の電
極が、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム
（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ル
テニウム（Ｒｕ）の白金属の内２種類以上を含む合金を
主成分とすることを特徴とする。
置は、誘電体が２つの電極によって挟まれた構造を有す
る誘電体装置において、前記電極の少なくとも一方の電
極が、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム
（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ル
テニウム（Ｒｕ）の白金属の内２種類以上を含む合金を
主成分とすることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明の誘電体装置の構成によれば、前記誘電
体装置の製造過程における熱処理工程あるいは経時変化
による電極の酸化は防止され、前記電極の酸化に起因す
るリテンション特性、膜疲労特性の劣化を防ぎ、信頼性
を向上させるものである。
体装置の製造過程における熱処理工程あるいは経時変化
による電極の酸化は防止され、前記電極の酸化に起因す
るリテンション特性、膜疲労特性の劣化を防ぎ、信頼性
を向上させるものである。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を図に従って説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明における誘電体装置を半導体
基板上に形成した場合の製造過程を工程に従って説明し
たものである。まず、（ａ）のように半導体装置の基板
上に形成された第１の層間絶縁膜１０２上に、白金パラ
ジウム１０１をＤＣスパッタ法によって０．２μｍ成膜
する。次いで、フォトレジストをマスクとして前記白金
パラジウム膜をハロゲン系のガスを用いたドライエッチ
ング法によってエッチングし、前記フォトレジストを除
去して下部電極とする（ｂ）。次に高誘電率膜ＳｒＴｉ
Ｏ3 ０．３μｍをＲＦスパッタ法で形成した後、前記下
部電極と同様にフォト工程を経てエッチングを行い、誘
電体膜１０３とする（ｃ）。さらに、白金パラジウムを
ＤＣスパッタ法によって１．５μｍ成膜した後、前記下
部電極と同様にフォトレジストをマスクとして前記白金
パラジウム膜をハロゲン系のガスを用いたドライエッチ
ング法によってエッチングし、上部電極１０４とする
（ｄ）。この後、第２の層間絶縁膜１０６を形成した
後、上部電極へのコンタクトホール、及びＡｌ配線層１
０５を形成して（ｅ）に示すような断面構造を持つ誘電
体装置を得た。
基板上に形成した場合の製造過程を工程に従って説明し
たものである。まず、（ａ）のように半導体装置の基板
上に形成された第１の層間絶縁膜１０２上に、白金パラ
ジウム１０１をＤＣスパッタ法によって０．２μｍ成膜
する。次いで、フォトレジストをマスクとして前記白金
パラジウム膜をハロゲン系のガスを用いたドライエッチ
ング法によってエッチングし、前記フォトレジストを除
去して下部電極とする（ｂ）。次に高誘電率膜ＳｒＴｉ
Ｏ3 ０．３μｍをＲＦスパッタ法で形成した後、前記下
部電極と同様にフォト工程を経てエッチングを行い、誘
電体膜１０３とする（ｃ）。さらに、白金パラジウムを
ＤＣスパッタ法によって１．５μｍ成膜した後、前記下
部電極と同様にフォトレジストをマスクとして前記白金
パラジウム膜をハロゲン系のガスを用いたドライエッチ
ング法によってエッチングし、上部電極１０４とする
（ｄ）。この後、第２の層間絶縁膜１０６を形成した
後、上部電極へのコンタクトホール、及びＡｌ配線層１
０５を形成して（ｅ）に示すような断面構造を持つ誘電
体装置を得た。
【０００９】図２は本発明における誘電体装置を絶縁物
基板上に形成し、圧電素子として使用する場合の製造過
程を工程に従って説明したものである。まず、（ａ）の
ようにＭｇＯ基板２０２上に、白金パラジウム（ＰｔＰ
ｄ）２０１をＤＣスパッタ法によって１．０μｍ成膜す
る。次いで、フォトレジストをマスクとして前記白金パ
ラジウム膜をハロゲン系のガスを用いたドライエッチン
グ法によってエッチングし、前記フォトレジストを除去
して下部電極とする（ｂ）。次に強誘電体膜ＰＺＴ（Ｐ
ｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3） ０．８μｍをＲＦスパッタ法
で形成した後、前記下部電極と同様にフォト工程を経て
エッチングを行い、誘電体膜２０３とする（ｃ）。さら
に、白金パラジウム（ＰｔＰｄ）をＤＣスパッタ法によ
って１．５μｍ成膜した後、前記下部電極と同様にフォ
トレジストをマスクとして前記白金パラジウム膜をハロ
ゲン系のガスを用いたドライエッチング法によってエッ
チングし、上部電極２０４とする（ｄ）。この後、保護
膜２０５を形成して（ｅ）に示すような断面構造を持つ
誘電体装置を得た。本実施例における誘電体装置は誘電
体部に強誘電体であるＰＺＴを使用しているため、圧電
素子あるいは焦電素子としても利用できる。
基板上に形成し、圧電素子として使用する場合の製造過
程を工程に従って説明したものである。まず、（ａ）の
ようにＭｇＯ基板２０２上に、白金パラジウム（ＰｔＰ
ｄ）２０１をＤＣスパッタ法によって１．０μｍ成膜す
る。次いで、フォトレジストをマスクとして前記白金パ
ラジウム膜をハロゲン系のガスを用いたドライエッチン
グ法によってエッチングし、前記フォトレジストを除去
して下部電極とする（ｂ）。次に強誘電体膜ＰＺＴ（Ｐ
ｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3） ０．８μｍをＲＦスパッタ法
で形成した後、前記下部電極と同様にフォト工程を経て
エッチングを行い、誘電体膜２０３とする（ｃ）。さら
に、白金パラジウム（ＰｔＰｄ）をＤＣスパッタ法によ
って１．５μｍ成膜した後、前記下部電極と同様にフォ
トレジストをマスクとして前記白金パラジウム膜をハロ
ゲン系のガスを用いたドライエッチング法によってエッ
チングし、上部電極２０４とする（ｄ）。この後、保護
膜２０５を形成して（ｅ）に示すような断面構造を持つ
誘電体装置を得た。本実施例における誘電体装置は誘電
体部に強誘電体であるＰＺＴを使用しているため、圧電
素子あるいは焦電素子としても利用できる。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による誘電体
装置においてはその製造過程における熱処理工程あるい
は経時変化における電極の酸化を防止することが可能で
あるため、リテンション特性や膜疲労特性が劣化するこ
となく、装置の信頼性が向上した。
装置においてはその製造過程における熱処理工程あるい
は経時変化における電極の酸化を防止することが可能で
あるため、リテンション特性や膜疲労特性が劣化するこ
となく、装置の信頼性が向上した。
【図１】 本発明における第１の実施例の工程断面図。
【図２】 本発明における第２の実施例の工程断面図。
第１の層間絶縁膜 １０２ 下部電極 １０１、２０１ 誘電体膜 １０３、２０３ 上部電極 １０４、２０４ 第２の層間絶縁膜 １０６ Ａｌ配線層 １０５ ＭｇＯ基板 ２０２ 保護膜 ２０５
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ０１Ｊ 1/02 Ｙ 7381−2Ｇ Ｈ０１Ｌ 41/09
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体が２つの電極によって挟まれた構
造を有する誘電体装置において、前記電極の少なくとも
一方の電極が、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イ
リジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏ
ｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）の白金属の内２種類以上を含
む合金を主成分とすることを特徴とする誘電体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の誘電体が一般式ＡＢＯ3
で表わされるペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘
電体であることを特徴とする誘電体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152371A JPH05343251A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 誘電体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152371A JPH05343251A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 誘電体装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11166042A Division JP2000030965A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 圧電素子 |
| JP11166043A Division JP2000031549A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 焦電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343251A true JPH05343251A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15539070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4152371A Pending JPH05343251A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 誘電体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343251A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6046469A (en) * | 1997-09-29 | 2000-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor storage device having a capacitor and a MOS transistor |
| US6180974B1 (en) | 1996-12-06 | 2001-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor storage device having a capacitor electrode formed of at least a platinum-rhodium oxide |
| US6201271B1 (en) | 1997-07-29 | 2001-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device prevented from deterioration due to activated hydrogen |
-
1992
- 1992-06-11 JP JP4152371A patent/JPH05343251A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6180974B1 (en) | 1996-12-06 | 2001-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor storage device having a capacitor electrode formed of at least a platinum-rhodium oxide |
| US6201271B1 (en) | 1997-07-29 | 2001-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device prevented from deterioration due to activated hydrogen |
| US6046469A (en) * | 1997-09-29 | 2000-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor storage device having a capacitor and a MOS transistor |
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