JPH05339770A - 高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成した金属基材ならびにその製造方法 - Google Patents
高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成した金属基材ならびにその製造方法Info
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- JPH05339770A JPH05339770A JP14934192A JP14934192A JPH05339770A JP H05339770 A JPH05339770 A JP H05339770A JP 14934192 A JP14934192 A JP 14934192A JP 14934192 A JP14934192 A JP 14934192A JP H05339770 A JPH05339770 A JP H05339770A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高誘電性チタン酸金属塩薄膜を金属チタンの
表面に低温で容易に結晶化でき、所望の電気特性を有す
る高誘電性チタン薄膜の製造方法を得る。 【構成】 金属チタン板とＣａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカ
リ土類金属およびＢｉ，Ｐｂ，Ｍｇ等の金属添加剤より
なる混合物を水熱条件下で反応させ、金属チタンを陽
極、白金を陰極として、１０〜１００mA／cm2 の電流を
同時に通電することにより、金属チタン表面に高誘電性
チタン酸金属塩薄膜を形成する。 【効果】 凹凸があったり、複雑な金属チタンの表面に
低温で容易に、かつ大面積にも可能なように高誘電性チ
タン酸金属塩薄膜を形成できる。
表面に低温で容易に結晶化でき、所望の電気特性を有す
る高誘電性チタン薄膜の製造方法を得る。 【構成】 金属チタン板とＣａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカ
リ土類金属およびＢｉ，Ｐｂ，Ｍｇ等の金属添加剤より
なる混合物を水熱条件下で反応させ、金属チタンを陽
極、白金を陰極として、１０〜１００mA／cm2 の電流を
同時に通電することにより、金属チタン表面に高誘電性
チタン酸金属塩薄膜を形成する。 【効果】 凹凸があったり、複雑な金属チタンの表面に
低温で容易に、かつ大面積にも可能なように高誘電性チ
タン酸金属塩薄膜を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は金属チタンの表面に均
質かつ緻密で、誘電率が高く、リーク電流の低い良好な
電気特性を有する高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成し
た金属基材ならびにその製造方法に関するものである。
質かつ緻密で、誘電率が高く、リーク電流の低い良好な
電気特性を有する高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成し
た金属基材ならびにその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属チタンにチタン酸金属塩薄膜を形成
する方法としては、従来より試みられている電子ビー
ム、スパッタなどの真空蒸着法、ＣＶＤ法、金属の有機
または無機化合物の溶液中での加水分解・重合反応によ
るゾル−ゲル法がある。
する方法としては、従来より試みられている電子ビー
ム、スパッタなどの真空蒸着法、ＣＶＤ法、金属の有機
または無機化合物の溶液中での加水分解・重合反応によ
るゾル−ゲル法がある。
【０００３】また、最近、例えば特公平３−２１８９２
６号公報に示されているように金属チタンとＣａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｍｇなどのアルカリ土類金属を水熱条件下に
て直接反応させることにより、チタン酸金属塩化合物膜
を形成する方法が熱処理による結晶化の工程が必要ない
方法として提案されている。
６号公報に示されているように金属チタンとＣａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｍｇなどのアルカリ土類金属を水熱条件下に
て直接反応させることにより、チタン酸金属塩化合物膜
を形成する方法が熱処理による結晶化の工程が必要ない
方法として提案されている。
【０００４】従来の真空蒸着法、ＣＶＤ法、ゾル−ゲル
法で形成されたチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチ
ウムなどのチタン酸金属塩化合物薄膜は誘電率が高く、
誘電損失が小さく、さらに容量の電圧依存性が小さいこ
とが望まれており、実際には、それらの系にチタン酸鉛
（ＰｂＴｉＯ3 ）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉ
Ｏ3 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および酸化鉛（Ｐ
ｂＯ）を添加して特性を実現したものが知られている。
法で形成されたチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチ
ウムなどのチタン酸金属塩化合物薄膜は誘電率が高く、
誘電損失が小さく、さらに容量の電圧依存性が小さいこ
とが望まれており、実際には、それらの系にチタン酸鉛
（ＰｂＴｉＯ3 ）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉ
Ｏ3 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および酸化鉛（Ｐ
ｂＯ）を添加して特性を実現したものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チタン酸金属塩薄膜を形成する技術は実用上困難な問題
点を有していた。すなわち、真空蒸着法では、Ａ／Ｔｉ
比（ただしＡは前記Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｍ
ｇなどの元素）で表わされる膜組成がずれ易く、ＣＶＤ
法では、構成金属元素の塩化物などを原料とするため、
塩素等の不純物の混入がある。
チタン酸金属塩薄膜を形成する技術は実用上困難な問題
点を有していた。すなわち、真空蒸着法では、Ａ／Ｔｉ
比（ただしＡは前記Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｍ
ｇなどの元素）で表わされる膜組成がずれ易く、ＣＶＤ
法では、構成金属元素の塩化物などを原料とするため、
塩素等の不純物の混入がある。
【０００６】ゾル−ゲル法においても、金属アルコキシ
ドなどの原料が高価なこと、形成された薄膜の結晶性が
不十分で、いずれの場合も電気的特性に問題が発生する
ことがある。
ドなどの原料が高価なこと、形成された薄膜の結晶性が
不十分で、いずれの場合も電気的特性に問題が発生する
ことがある。
【０００７】また、先の二つの方法においても、結晶化
を確実にするためには、成膜後の熱処理（５００〜６０
０℃）が不可欠であるという欠点があった。一方、水熱
反応による成膜では、熱処理が不要であるが、リーク電
流が低くならないという問題点があった。
を確実にするためには、成膜後の熱処理（５００〜６０
０℃）が不可欠であるという欠点があった。一方、水熱
反応による成膜では、熱処理が不要であるが、リーク電
流が低くならないという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、組成制御しやすく、不純物
の混入がなく、均質かつ緻密な、誘電率が高く、リーク
電流の低い良好な電気特性を有する高誘電性チタン酸金
属塩薄膜を形成した金属基材を得ることを目的としてお
り、また凹凸あるいは複雑な形状を有する金属チタンに
高誘電性チタン酸金属塩薄膜を低温で容易に形成できる
とともに、大面積にも形成可能な高誘電性チタン酸金属
塩薄膜の製造方法を得ることを提供することを目的とし
ている。
ためになされたものであり、組成制御しやすく、不純物
の混入がなく、均質かつ緻密な、誘電率が高く、リーク
電流の低い良好な電気特性を有する高誘電性チタン酸金
属塩薄膜を形成した金属基材を得ることを目的としてお
り、また凹凸あるいは複雑な形状を有する金属チタンに
高誘電性チタン酸金属塩薄膜を低温で容易に形成できる
とともに、大面積にも形成可能な高誘電性チタン酸金属
塩薄膜の製造方法を得ることを提供することを目的とし
ている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高誘電性
チタン酸金属塩薄膜を形成した金属基材は、金属チタン
の表面に高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成したもので
ある。
チタン酸金属塩薄膜を形成した金属基材は、金属チタン
の表面に高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成したもので
ある。
【００１０】また、この発明に係る高誘電性チタン酸金
属塩薄膜の製造方法は、金属チタン板とＣａ，Ｓｒ，Ｂ
ａ等のアルカリ土類金属およびＢｉ，Ｐｂ，Ｍｇ等の金
属塩添加剤よりなる混合物を攪拌下で水熱反応させると
同時に、金属チタン板を陽極、白金板を陰極としてこの
水溶液に１０〜１００mA／cm2 の電流を流すことによ
り、金属チタン表面にＡＴｉＯ3 （ただし、ＡはＣａ，
Ｓｒ，ＢａあるいはＢｉ，Ｐｂ，Ｍｇなどの元素）で表
わされるチタン酸金属塩化合物膜を形成するようにした
ものである。
属塩薄膜の製造方法は、金属チタン板とＣａ，Ｓｒ，Ｂ
ａ等のアルカリ土類金属およびＢｉ，Ｐｂ，Ｍｇ等の金
属塩添加剤よりなる混合物を攪拌下で水熱反応させると
同時に、金属チタン板を陽極、白金板を陰極としてこの
水溶液に１０〜１００mA／cm2 の電流を流すことによ
り、金属チタン表面にＡＴｉＯ3 （ただし、ＡはＣａ，
Ｓｒ，ＢａあるいはＢｉ，Ｐｂ，Ｍｇなどの元素）で表
わされるチタン酸金属塩化合物膜を形成するようにした
ものである。
【００１１】
【作用】この発明における高誘電性チタン酸金属薄膜は
低温で結晶性を示し、均質かつ緻密な誘電率が高く、リ
ーク電流の低い電気特性を示す。
低温で結晶性を示し、均質かつ緻密な誘電率が高く、リ
ーク電流の低い電気特性を示す。
【００１２】また、この発明における金属チタンの表面
にチタン酸金属塩薄膜を形成する過程は、高圧下の水溶
液中の反応であるため真空蒸着のように成膜の方向性の
発生がなく、通電による電気化学的な効果により酸化が
促進され、成膜後の熱処理による結晶化が不要であり、
反応容器に入る大きさであれば、金属チタン基板の形状
が限定されなくなる。
にチタン酸金属塩薄膜を形成する過程は、高圧下の水溶
液中の反応であるため真空蒸着のように成膜の方向性の
発生がなく、通電による電気化学的な効果により酸化が
促進され、成膜後の熱処理による結晶化が不要であり、
反応容器に入る大きさであれば、金属チタン基板の形状
が限定されなくなる。
【００１３】
【実施例】次に、この発明の実施例について説明する
が、この発明により製造された高誘電性チタン酸金属塩
薄膜に適用されるＣａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカリ土類金
属供給原料としては、それらの水酸化物、酸化物、塩化
物などの化合物のうち、水熱条件下で溶解するものであ
れば良い。電気特性向上のための添加剤であるＢｉ2Ｏ
3 ，ＰｂＯ，ＭｇＯも最初から酸化物である必要はな
く、水酸化物、塩化物といった化合物で良い。
が、この発明により製造された高誘電性チタン酸金属塩
薄膜に適用されるＣａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカリ土類金
属供給原料としては、それらの水酸化物、酸化物、塩化
物などの化合物のうち、水熱条件下で溶解するものであ
れば良い。電気特性向上のための添加剤であるＢｉ2Ｏ
3 ，ＰｂＯ，ＭｇＯも最初から酸化物である必要はな
く、水酸化物、塩化物といった化合物で良い。
【００１４】しかし、これらが炭酸塩の形で存在する場
合、金属チタンと反応しないばかりか、他のそのまま反
応生成物に混入して組成変動ならびに電気特性の低下が
発生するため、炭酸塩の混入および生成は極力避けなけ
ればならない。
合、金属チタンと反応しないばかりか、他のそのまま反
応生成物に混入して組成変動ならびに電気特性の低下が
発生するため、炭酸塩の混入および生成は極力避けなけ
ればならない。
【００１５】チタン酸金属塩化合物の合成は、攪拌機を
装備したオートクレーブを用いて行うが、加熱成膜温度
は１００℃以上、好ましくは１２０〜２００℃程度が良
い。加熱温度が高くなるにしたがい、所定の膜厚を得る
のに要する時間が短縮できるが、２００℃以上に加熱し
ても顕著な効果はなく、安全性も問題が生じる。１２０
℃〜２００℃程度の温度であれば、反応容器の材質、構
造も特別なものを使用する必要はなく、コスト面での負
担はそれほど大きくない。
装備したオートクレーブを用いて行うが、加熱成膜温度
は１００℃以上、好ましくは１２０〜２００℃程度が良
い。加熱温度が高くなるにしたがい、所定の膜厚を得る
のに要する時間が短縮できるが、２００℃以上に加熱し
ても顕著な効果はなく、安全性も問題が生じる。１２０
℃〜２００℃程度の温度であれば、反応容器の材質、構
造も特別なものを使用する必要はなく、コスト面での負
担はそれほど大きくない。
【００１６】この発明における各成分の限定理由は次の
通りである。ＳｒＴｉＯ3 が９０wt％以上あるいは４０
wt％以下では、誘電率が５００以下となり実用的でなく
なる。ＢａＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＰｂＴｉＯ3 が５
０％を越えると、ＳｒＴｉＯ3 の特徴である常誘電性が
損われ好ましくない。Ｂｉ2 Ｏ3 が３０wt％以上では、
誘電体損失が大きくなり、５wt％未満では、誘電率が小
さくなり、好ましくない。
通りである。ＳｒＴｉＯ3 が９０wt％以上あるいは４０
wt％以下では、誘電率が５００以下となり実用的でなく
なる。ＢａＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＰｂＴｉＯ3 が５
０％を越えると、ＳｒＴｉＯ3 の特徴である常誘電性が
損われ好ましくない。Ｂｉ2 Ｏ3 が３０wt％以上では、
誘電体損失が大きくなり、５wt％未満では、誘電率が小
さくなり、好ましくない。
【００１７】また、ＰｂＯが１５wt％を越えると、誘電
率が低下するとともに、誘電損失が増大する傾向があ
る。１０wt％以下では誘電率増大の効果は認められなく
なる。ＨｇＯも同様に１０wt％以上では誘電率が低下
し、７wt％未満では、誘電体損が大きくなる傾向があ
る。
率が低下するとともに、誘電損失が増大する傾向があ
る。１０wt％以下では誘電率増大の効果は認められなく
なる。ＨｇＯも同様に１０wt％以上では誘電率が低下
し、７wt％未満では、誘電体損が大きくなる傾向があ
る。
【００１８】以上の理由に基づいて、この発明は（１０
０−ｘ−ｙ−ｚ）ＳｒＴｉＯ3 ＋ｘＢａＴｉＯ3 ＋ｙＣ
ａＴｉＯ3 ＋ｚＰｂＴｉＯ3 （ｘ，ｙ，ｚ＝０〜５０）
４０〜９０wt％、Ｂｉ2 Ｏ3 ５〜３０wt％、ＰｂＯ１０
〜１５wt％、ＭｇＯ７〜１０wt％に膜組成を限定するも
のである。
０−ｘ−ｙ−ｚ）ＳｒＴｉＯ3 ＋ｘＢａＴｉＯ3 ＋ｙＣ
ａＴｉＯ3 ＋ｚＰｂＴｉＯ3 （ｘ，ｙ，ｚ＝０〜５０）
４０〜９０wt％、Ｂｉ2 Ｏ3 ５〜３０wt％、ＰｂＯ１０
〜１５wt％、ＭｇＯ７〜１０wt％に膜組成を限定するも
のである。
【００１９】また、金属チタンを陽極に白金を陰極にし
て通電する場合、１０mA／cm2 未満の電流密度では膜組
成の酸化が不十分であり、１００mA／cm2 を越えると、
反応が急速すぎて、膜組成が制御困難となり、好ましく
ない。次に、この発明の具体的実施例を説明するが、こ
の発明はこれに限定されるものではない。
て通電する場合、１０mA／cm2 未満の電流密度では膜組
成の酸化が不十分であり、１００mA／cm2 を越えると、
反応が急速すぎて、膜組成が制御困難となり、好ましく
ない。次に、この発明の具体的実施例を説明するが、こ
の発明はこれに限定されるものではない。
【００２０】実施例１．短辺１５mm長辺３０mm、厚さ
０．２mmの金属チタン板と水酸化ストロンチウム３０
ｇ、酸化ビスマス５ｇ、沸騰して脱炭酸した純水３００
ccを内容積５００ccの電極付反応容器（オートクレー
ブ）に充填し、１００rpm で攪拌しつつ、２００℃で５
時間、金属チタン板を陽極、白金を陰極として、０．４
５Ａ（１００mA／cm2 ）の電流を通電し、成膜した。次
に、常温まで自然冷却した容器より成膜した基材を取り
出し、水洗後１０５℃で３時間乾燥した。
０．２mmの金属チタン板と水酸化ストロンチウム３０
ｇ、酸化ビスマス５ｇ、沸騰して脱炭酸した純水３００
ccを内容積５００ccの電極付反応容器（オートクレー
ブ）に充填し、１００rpm で攪拌しつつ、２００℃で５
時間、金属チタン板を陽極、白金を陰極として、０．４
５Ａ（１００mA／cm2 ）の電流を通電し、成膜した。次
に、常温まで自然冷却した容器より成膜した基材を取り
出し、水洗後１０５℃で３時間乾燥した。
【００２１】このようにして得たチタン酸金属塩化合物
薄膜はＸ線回折解析の結果結晶性の良いペロブスカイト
構造のチタン酸ストロンチウムと金属チタンのパターン
を示した。膜厚は触針式表面粗さ計（Ｓｌｏａｎ製ＤＥ
ＫＴＡＫ３０３０）で測定した結果０．２μｍであっ
た。
薄膜はＸ線回折解析の結果結晶性の良いペロブスカイト
構造のチタン酸ストロンチウムと金属チタンのパターン
を示した。膜厚は触針式表面粗さ計（Ｓｌｏａｎ製ＤＥ
ＫＴＡＫ３０３０）で測定した結果０．２μｍであっ
た。
【００２２】続いて、この膜表面に金電極を真空蒸着
し、誘電率、リーク電流をそれぞれＬＣＲメータ、ピコ
アンペアメータ（ＹＨＰ製）で測定した。その結果、比
誘電率５７０、リーク電流３．７×１０-8Ａ／cm2 とい
う優れた特性を示した。また、ＥＰＭＡによる組成分析
では、ＳｒＴｉＯ3 ８４wt％，Ｂｉ2 Ｏ3 １６wt％であ
った。
し、誘電率、リーク電流をそれぞれＬＣＲメータ、ピコ
アンペアメータ（ＹＨＰ製）で測定した。その結果、比
誘電率５７０、リーク電流３．７×１０-8Ａ／cm2 とい
う優れた特性を示した。また、ＥＰＭＡによる組成分析
では、ＳｒＴｉＯ3 ８４wt％，Ｂｉ2 Ｏ3 １６wt％であ
った。
【００２３】実施例２．上記実施例１において、水酸化
ストロンチウム２５ｇ、水酸化バリウム３ｇ、酸化ビス
マス３ｇ、水酸化マグネシウム２ｇを用いる他は、実施
例１と同様にしてこの発明の実施例２によるチタン酸金
属塩薄膜を得た。膜厚は０．２７μｍ、比誘電率７３
０、リーク電流９．２×１０-9Ａ／cm2 という優れた特
性を示した。ＥＰＭＡによる組成分析では、８５ＳｒＴ
ｉＯ3 ＋１５ＢａＴｉＯ3 ８１wt％Ｂｉ2 Ｏ3 １２wt％
ＭｇＯ７wt％であった。
ストロンチウム２５ｇ、水酸化バリウム３ｇ、酸化ビス
マス３ｇ、水酸化マグネシウム２ｇを用いる他は、実施
例１と同様にしてこの発明の実施例２によるチタン酸金
属塩薄膜を得た。膜厚は０．２７μｍ、比誘電率７３
０、リーク電流９．２×１０-9Ａ／cm2 という優れた特
性を示した。ＥＰＭＡによる組成分析では、８５ＳｒＴ
ｉＯ3 ＋１５ＢａＴｉＯ3 ８１wt％Ｂｉ2 Ｏ3 １２wt％
ＭｇＯ７wt％であった。
【００２４】比較例１．実施例１において、水酸化スト
ロンチウム３０ｇのみを用いる他は実施例１と同様にし
て金属チタン上にチタン酸金属塩薄膜を得た。膜厚は
０．２μｍ、誘電率は６２０であったが、リーク電流は
２．３×１０-6Ａ／cm2 と低い値を示した。
ロンチウム３０ｇのみを用いる他は実施例１と同様にし
て金属チタン上にチタン酸金属塩薄膜を得た。膜厚は
０．２μｍ、誘電率は６２０であったが、リーク電流は
２．３×１０-6Ａ／cm2 と低い値を示した。
【００２５】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２６】高誘電性チタン酸金属塩薄膜は均質かつ誘
電率が高いから、リーク電流が低くなり、良好な電気特
性が得られる。
電率が高いから、リーク電流が低くなり、良好な電気特
性が得られる。
【００２７】また、この高誘電性チタン酸金属塩薄膜の
製造方法として、金属チタン板とアルカリ土類金属およ
び金属添加剤より混合物を攪拌下で高圧化の水溶液中で
水熱反応させるため、真空蒸着のような成膜の方向性が
なく、通電による電気化学的な効果により、酸化が促進
され、成膜後の熱処理による結晶化が不要となるととも
に、凹凸や複雑な形状の金属チタンに低温で容易に高誘
電性チタン酸金属塩薄膜を形成できる。
製造方法として、金属チタン板とアルカリ土類金属およ
び金属添加剤より混合物を攪拌下で高圧化の水溶液中で
水熱反応させるため、真空蒸着のような成膜の方向性が
なく、通電による電気化学的な効果により、酸化が促進
され、成膜後の熱処理による結晶化が不要となるととも
に、凹凸や複雑な形状の金属チタンに低温で容易に高誘
電性チタン酸金属塩薄膜を形成できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 金属チタンの表面に高誘電性チタン酸金
属塩薄膜を形成した金属基材。 - 【請求項２】 金属チタン板とＣａ，Ｓｒ，Ｂａ等のア
ルカリ土類金属およびＢｉ，Ｐｂ，Ｍｇなどの金属塩添
加剤よりなる混合物を攪拌下で水熱反応させると同時
に、金属チタン板を陽極、白金板を陰極としてこの水熱
反応させる水溶液に１０〜１００mA／cm2 の電流を流す
ことにより、前記金属チタン板の表面にＡＴｉＯ3 （た
だし、ＡはＣａ，Ｓｒ，ＢａあるいはＢｉ，Ｐｂ，Ｍｇ
等の前記元素）で表わされるペロブスカイト型チタン酸
金属塩薄膜を形成することを特徴とする高誘電性チタン
酸金属塩薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14934192A JPH05339770A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成した金属基材ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14934192A JPH05339770A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成した金属基材ならびにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339770A true JPH05339770A (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=15472997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14934192A Pending JPH05339770A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 高誘電性チタン酸金属塩薄膜を形成した金属基材ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05339770A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007013596A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
| US8486493B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device |
| CN106076437A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-11-09 | 东华大学 | 一种纺织纤维/石墨烯/SrTiO3复合环境催化材料的制备方法 |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP14934192A patent/JPH05339770A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007013596A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| US8524324B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-09-03 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, dielectric material including complex oxide film, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element, and electronic device |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
| US8486493B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor and electronic device |
| CN106076437A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-11-09 | 东华大学 | 一种纺织纤维/石墨烯/SrTiO3复合环境催化材料的制备方法 |
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