JPH05339737A - ドライプロセスコーティング加工方法および加工装置 - Google Patents
ドライプロセスコーティング加工方法および加工装置Info
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- JPH05339737A JPH05339737A JP4152035A JP15203592A JPH05339737A JP H05339737 A JPH05339737 A JP H05339737A JP 4152035 A JP4152035 A JP 4152035A JP 15203592 A JP15203592 A JP 15203592A JP H05339737 A JPH05339737 A JP H05339737A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板材料に内壁面が平滑で、バリのない小径
穴とし、そこに冷温コーティング処理を連続的に、短時
間に行なうことができる乾式被覆方法およびその装置を
提供しようとするものである。 【構成】 基板材料の両側に電極を配置して、プラズマ
放電処理によって細穴の表面処理を行ない、次にＥＣＲ
プラズマコーティング処理をする連続ドライプロセスコ
ーティング加工方法。
穴とし、そこに冷温コーティング処理を連続的に、短時
間に行なうことができる乾式被覆方法およびその装置を
提供しようとするものである。 【構成】 基板材料の両側に電極を配置して、プラズマ
放電処理によって細穴の表面処理を行ない、次にＥＣＲ
プラズマコーティング処理をする連続ドライプロセスコ
ーティング加工方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の小径孔内の切粉
処理、内壁の荒れの除去、活性化処理、およびコーティ
ング（メッキ）処理を全て乾式で高速に行なう加工方法
および加工装置に関する。
処理、内壁の荒れの除去、活性化処理、およびコーティ
ング（メッキ）処理を全て乾式で高速に行なう加工方法
および加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ポリイミド樹脂やガラス繊維入り
エポキシ樹脂基板に穴明け加工をする手段としてドリル
による機械加工が普通に行なわれていた。しかし、穴の
径が０．２５〜０．１ｍｍ程度になるとドリル刃の折損
や摩耗などで、切粉詰りや、内壁荒れ、バリ発生が多
く、湿式の超音波洗滌方法では切粉排除、内壁荒れ防止
やバリ除去は不可能になってきた。又電気メッキ方法で
も穴径が小さくなればなる程メッキ液が入らず気泡のみ
残り、めっき不良の原因となっていた。
エポキシ樹脂基板に穴明け加工をする手段としてドリル
による機械加工が普通に行なわれていた。しかし、穴の
径が０．２５〜０．１ｍｍ程度になるとドリル刃の折損
や摩耗などで、切粉詰りや、内壁荒れ、バリ発生が多
く、湿式の超音波洗滌方法では切粉排除、内壁荒れ防止
やバリ除去は不可能になってきた。又電気メッキ方法で
も穴径が小さくなればなる程メッキ液が入らず気泡のみ
残り、めっき不良の原因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は基板材の小径
穴内の切粉処理、および内壁面の平滑性、バリの除去と
活性化処理、更に小径穴内の冷温コーティング処理を連
続的に短時間で確実に出来る方法およびその装置を提供
しようとするものである。
穴内の切粉処理、および内壁面の平滑性、バリの除去と
活性化処理、更に小径穴内の冷温コーティング処理を連
続的に短時間で確実に出来る方法およびその装置を提供
しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりのド
ライプロセスコーティング加工方法と加工装置である。
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりのド
ライプロセスコーティング加工方法と加工装置である。
【０００５】具体的に説明すると、本発明は連続処理装
置の前段階で小径穴加工時の切粉詰り処理、内壁荒れ除
去と活性化処理を気圧１０ないし２×１０3Ｔｏｒｒ下
でプラズマ放電処理を行ない、続いてＥＣＲプラズマコ
ーティング処理を０．０１〜５００ｍｓのパルス幅のパ
ルス電流によるパルス磁界によって行なうものであっ
て、特にベルトコンベア方式により連続的に加工とコー
ティングを行なうことを特徴とする基板ドライプロセス
コーティング加工方法である。
置の前段階で小径穴加工時の切粉詰り処理、内壁荒れ除
去と活性化処理を気圧１０ないし２×１０3Ｔｏｒｒ下
でプラズマ放電処理を行ない、続いてＥＣＲプラズマコ
ーティング処理を０．０１〜５００ｍｓのパルス幅のパ
ルス電流によるパルス磁界によって行なうものであっ
て、特にベルトコンベア方式により連続的に加工とコー
ティングを行なうことを特徴とする基板ドライプロセス
コーティング加工方法である。
【０００６】本発明の処理雰囲気は空気、非酸化性ガ
ス、反応ガス、蒸気のいずれかである。本発明でいうプ
ラズマ放電処理は本出願人がすでに提案したものであっ
て、（特願平４−８５６５４号）、それを簡単に説明す
ると、本発明の処理雰囲気において、被加工基板材料の
両側に電極を配置し、この電極に電圧を印加し、気圧１
０〜２×１０3Ｔｏｒｒ下でプラズマ放電処理して被加
工基板材料の小径穴を加工して内壁処理する方法であ
り、切粉処理が必要なく、細穴の内壁面が平滑でバリが
なく、かつ、内壁面を活性化する効果を有する方法であ
る。
ス、反応ガス、蒸気のいずれかである。本発明でいうプ
ラズマ放電処理は本出願人がすでに提案したものであっ
て、（特願平４−８５６５４号）、それを簡単に説明す
ると、本発明の処理雰囲気において、被加工基板材料の
両側に電極を配置し、この電極に電圧を印加し、気圧１
０〜２×１０3Ｔｏｒｒ下でプラズマ放電処理して被加
工基板材料の小径穴を加工して内壁処理する方法であ
り、切粉処理が必要なく、細穴の内壁面が平滑でバリが
なく、かつ、内壁面を活性化する効果を有する方法であ
る。
【０００７】ＥＣＲプラズマコーティング処理は、ＥＣ
Ｒ加熱によりプラズマ中の電子を選択的に加熱できるた
め、電子温度が高く、しかもイオンは冷たいままである
からこの特性は良質のビームの大電流を得るのに最適で
ある。それ故従来の熱ＣＶＤに対し、ＥＣＲプラズマコ
ーティング処理は基板加熱を全く必要としないことと、
異方性処理ができる（特願平４−１５０７８３号、特願
平４−１５０７８７号）。それを簡単に説明するとＥＣ
Ｒ現象を利用したＥＣＲプラズマ方法において、イオン
の高温化を防ぐ目的でマイクロウェーブ方向と平行およ
び垂直方向にパルス磁場を与えることで目的を達してい
る。
Ｒ加熱によりプラズマ中の電子を選択的に加熱できるた
め、電子温度が高く、しかもイオンは冷たいままである
からこの特性は良質のビームの大電流を得るのに最適で
ある。それ故従来の熱ＣＶＤに対し、ＥＣＲプラズマコ
ーティング処理は基板加熱を全く必要としないことと、
異方性処理ができる（特願平４−１５０７８３号、特願
平４−１５０７８７号）。それを簡単に説明するとＥＣ
Ｒ現象を利用したＥＣＲプラズマ方法において、イオン
の高温化を防ぐ目的でマイクロウェーブ方向と平行およ
び垂直方向にパルス磁場を与えることで目的を達してい
る。
【０００８】その効果は、被覆の精度が優れ、被覆速度
が大きく、低温度被覆処理が可能である。更に、雰囲
気、気圧、放電パルス幅とピーク電圧、パルス磁界を適
当に設定することによって、更に連続的に処理すること
ができる。
が大きく、低温度被覆処理が可能である。更に、雰囲
気、気圧、放電パルス幅とピーク電圧、パルス磁界を適
当に設定することによって、更に連続的に処理すること
ができる。
【０００９】以下、実施例により本発明を説明する。
【００１０】図１はベルトコンベア方式の連続処理装置
を示す。左側よりベルトの洗浄を洗浄槽で行ない、ベル
トがＡ室に入いる前に基板をベルト上に載せる。そして
Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄと気圧を変え、各室の間にシャッターを
もうけ、気圧の段階をつけた各室へ基板が運ばれる。そ
してＥ室に入いると基板の厚みが検出され、パルス電源
電圧が制御され１０2Ｔｏｒｒ位の低圧下でプラズマ放
電処理が行なわれる。その時光透過量検出により更にパ
ルス電圧が制御される。この様に制御されて確実に精度
良く処理された基板は次のＦ室へ移動し、１×１０0〜
１×１０-5Ｔｏｒｒ範囲内で反応ガスＣｕＩ＋ＶＯＣｌ
3＋ＰＨ3の混合ガスを使用してＥＣＲプラズマ処理を行
ない、ビーム電流の検出によりパルス磁場電流を制御し
て異方性を与え、温度検出によりマイクロ波電力を制御
して温度調節する。膜厚検出を行ないパルス電源（イオ
ン電源）を制御し膜厚を調節する。一定のＣｕコーティ
ングが進んでからベルトコンベアによりＧ→Ｈ→Ｉ→Ｊ
室と段階的に気圧を高め、大気中に出す。これらの一連
の移動はパルスモーターによりベルトコンベア移動を調
節しており、未処理基板のサイズ厚み、穴径、数等によ
りコントロールする様になっている。
を示す。左側よりベルトの洗浄を洗浄槽で行ない、ベル
トがＡ室に入いる前に基板をベルト上に載せる。そして
Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄと気圧を変え、各室の間にシャッターを
もうけ、気圧の段階をつけた各室へ基板が運ばれる。そ
してＥ室に入いると基板の厚みが検出され、パルス電源
電圧が制御され１０2Ｔｏｒｒ位の低圧下でプラズマ放
電処理が行なわれる。その時光透過量検出により更にパ
ルス電圧が制御される。この様に制御されて確実に精度
良く処理された基板は次のＦ室へ移動し、１×１０0〜
１×１０-5Ｔｏｒｒ範囲内で反応ガスＣｕＩ＋ＶＯＣｌ
3＋ＰＨ3の混合ガスを使用してＥＣＲプラズマ処理を行
ない、ビーム電流の検出によりパルス磁場電流を制御し
て異方性を与え、温度検出によりマイクロ波電力を制御
して温度調節する。膜厚検出を行ないパルス電源（イオ
ン電源）を制御し膜厚を調節する。一定のＣｕコーティ
ングが進んでからベルトコンベアによりＧ→Ｈ→Ｉ→Ｊ
室と段階的に気圧を高め、大気中に出す。これらの一連
の移動はパルスモーターによりベルトコンベア移動を調
節しており、未処理基板のサイズ厚み、穴径、数等によ
りコントロールする様になっている。
【００１１】
【実施例】厚さ１ｍｍ、縦２０ｃｍ、横３０ｃｍの樹脂
基板に各１枚毎に直径０．２ｍｍ、０．１５ｍｍの穴を
それぞれＮＣボール盤で全面に５ｍｍ間隔で穴明け加工
した。穴数は２３００穴となった。０．２ｍｍ細径ドリ
ルでは５４４穴位から、更に０．１５ｍｍ細径ドリルで
は３６４穴位から切粉詰りが著しくなった。
基板に各１枚毎に直径０．２ｍｍ、０．１５ｍｍの穴を
それぞれＮＣボール盤で全面に５ｍｍ間隔で穴明け加工
した。穴数は２３００穴となった。０．２ｍｍ細径ドリ
ルでは５４４穴位から、更に０．１５ｍｍ細径ドリルで
は３６４穴位から切粉詰りが著しくなった。
【００１２】かかる基板をベルトコンベアに載せ毎秒
０．２５ｃｍ／ｓｅｃの移動速度で動かした。プラズマ
放電処理条件は０．２ｍｍの場合２極間間隔は８ｍｍ、
ピーク電圧を９０００Ｖ、又０．１５ｍｍの場合も同一
条件で行なった。又ＥＣＲプラズマ処理条件は反応ガス
圧１Ｔｏｒｒで平行パルス磁界のパルス幅０．０５ｍ
ｓ、垂直パルス磁界のパルス幅２０ｍｓ、磁束密度０．
１２ＴでＣｕコーティング速度は、０．９６μｍ／ｍｉ
ｎとなり、面は極めて滑らかとなった。
０．２５ｃｍ／ｓｅｃの移動速度で動かした。プラズマ
放電処理条件は０．２ｍｍの場合２極間間隔は８ｍｍ、
ピーク電圧を９０００Ｖ、又０．１５ｍｍの場合も同一
条件で行なった。又ＥＣＲプラズマ処理条件は反応ガス
圧１Ｔｏｒｒで平行パルス磁界のパルス幅０．０５ｍ
ｓ、垂直パルス磁界のパルス幅２０ｍｓ、磁束密度０．
１２ＴでＣｕコーティング速度は、０．９６μｍ／ｍｉ
ｎとなり、面は極めて滑らかとなった。
【００１３】
【発明の効果】以上の結果からわかる様に、プラズマ放
電処理とＥＣＲプラズマ処理を組合わせる本発明の全ド
ライ連続処理方法により、今まで不可能に近い小径穴の
高速切粉処理とＥＣＲプラズマコーティングが高能率で
出来る。
電処理とＥＣＲプラズマ処理を組合わせる本発明の全ド
ライ連続処理方法により、今まで不可能に近い小径穴の
高速切粉処理とＥＣＲプラズマコーティングが高能率で
出来る。
【図１】本発明のドライプロセス加工方法を実施するた
めの装置の一例の説明図である。
めの装置の一例の説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大場 和夫 埼玉県東松山市松葉町４丁目２番３号 (72)発明者 嶋 好範 神奈川県川崎市麻生区王禅寺768番地15 (72)発明者 大場 章 埼玉県朝霞市浜崎１丁目９番地の３アクテ ィ朝霞台205
Claims (5)
- 【請求項１】 基板材料の両側に電極を配置して、プラ
ズマ放電処理によって細穴の表面処理を行ない、次にＥ
ＣＲプラズマコーティング処理をすることを特徴とする
連続ドライプロセスコーティング加工方法。 - 【請求項２】 プラズマ放電処理の条件は、気圧が１０
〜２×１０3Ｔｏｒｒ、電圧波形のτonは５μｓ〜２０
ｓであり、ＥＣＲプラズマコーティング処理は、マイク
ロ波の進行方向と直角方向または平行方向にパルス幅
０．０１〜５００ｍｓのパルス電流を電磁石に流すこと
により０．０８Ｔ以上のパルス磁界を発生させることを
特徴とする請求項１記載の連続ドライプロセスコーティ
ング加工方法。 - 【請求項３】 ＥＣＲプラズマコーティング処理に当
り、プラズマ流の電界にτon０．１μｓ〜１×１０6μ
ｓのパルス電界を加えることを特徴とする請求項２記載
の連続ドライプロセスコーティング加工方法。 - 【請求項４】 処理雰囲気が空気、非酸化性ガス、反応
性ガス、蒸気の何れかであることを特徴とする請求項１
ないし請求項３の何れかに記載の連続ドライプロセスコ
ーティング加工方法。 - 【請求項５】 プラズマ放電処理装置とＥＣＲプラズマ
コーティング処理装置とを備えたことを特徴とする連続
ドライプロセスコーティング加工装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152035A JP2634536B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | ドライプロセスコーティング加工方法および加工装置 |
| EP93304290A EP0574178B1 (en) | 1992-06-11 | 1993-06-03 | Dry process coating method and apparatus therefor |
| DE0574178T DE574178T1 (de) | 1992-06-11 | 1993-06-03 | Verfahren und Vorrichtung zur trocken Beschichtung. |
| DE69304804T DE69304804T2 (de) | 1992-06-11 | 1993-06-03 | Verfahren und Vorrichtung zur Trockenbeschichtung |
| US08/071,487 US5378507A (en) | 1992-06-11 | 1993-06-04 | Dry coating method |
| TW082104590A TW281856B (ja) | 1992-06-11 | 1993-06-09 | |
| KR1019930010563A KR960014699B1 (ko) | 1992-06-11 | 1993-06-10 | 연속 드라이 프로세스 코팅방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152035A JP2634536B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | ドライプロセスコーティング加工方法および加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339737A true JPH05339737A (ja) | 1993-12-21 |
| JP2634536B2 JP2634536B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=15531635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4152035A Expired - Lifetime JP2634536B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | ドライプロセスコーティング加工方法および加工装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5378507A (ja) |
| EP (1) | EP0574178B1 (ja) |
| JP (1) | JP2634536B2 (ja) |
| KR (1) | KR960014699B1 (ja) |
| DE (2) | DE574178T1 (ja) |
| TW (1) | TW281856B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4414083C2 (de) * | 1994-04-22 | 2000-01-20 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Herstellen dünner Schichten auf Kunststoff-Substraten und zum Ätzen solcher Substrate |
| US6159300A (en) * | 1996-12-17 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device |
| DE19824040C1 (de) | 1998-05-29 | 1999-10-07 | Angew Solarenergie Ase Gmbh | Anordnung sowie Verfahren zum Beschichten von Gegenständen |
| FR2780601B1 (fr) * | 1998-06-24 | 2000-07-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de depot par plasma a la resonance cyclotron electronique de couches de carbone emetteur d'electrons sous l'effet d'un champ electrique applique |
| CN101657174B (zh) | 2007-04-25 | 2012-08-29 | 松下电器产业株式会社 | 运动辅助装置 |
| CN106140764B (zh) * | 2016-08-24 | 2019-07-09 | 南京苏曼等离子科技有限公司 | 大气常压差分输出激励低温等离子体玻璃清洗装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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