JPS61119676A - シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置 - Google Patents
シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置Info
- Publication number
- JPS61119676A JPS61119676A JP23953684A JP23953684A JPS61119676A JP S61119676 A JPS61119676 A JP S61119676A JP 23953684 A JP23953684 A JP 23953684A JP 23953684 A JP23953684 A JP 23953684A JP S61119676 A JPS61119676 A JP S61119676A
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- JP
- Japan
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- substrate
- sheet plasma
- laser light
- thin film
- plasma
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ） ｋｃ置として実施され得
るようなシートプラズマとレーザ光を利用した成膜装置
に関するものである。
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ） ｋｃ置として実施され得
るようなシートプラズマとレーザ光を利用した成膜装置
に関するものである。
従来の技術
一般に、シートプラズマは、簡単には永久磁石を利用し
て磁場中の放電で作られたプラズマを圧縮および伸−長
して所望の幅、厚さ装置をもって形成され得ることが知
られている。そしてこのようなシートプラズマを利用し
て成膜を行なう技術も従来提案されてお夛、例えば特開
昭５９−８８８２０号公報には、五族成分元素を含んだ
シートプラズマを形成する手段と、このシートプラズマ
を通過して他方の成分元素の分子線を基板へ注入する手
段とを有し、シートプラズマから一万の成分元素のイオ
ンを引き出して他方の成分元素の分子線と共に基板へ注
入するように構成した化合物半導体薄膜製造装置が開示
されている。
て磁場中の放電で作られたプラズマを圧縮および伸−長
して所望の幅、厚さ装置をもって形成され得ることが知
られている。そしてこのようなシートプラズマを利用し
て成膜を行なう技術も従来提案されてお夛、例えば特開
昭５９−８８８２０号公報には、五族成分元素を含んだ
シートプラズマを形成する手段と、このシートプラズマ
を通過して他方の成分元素の分子線を基板へ注入する手
段とを有し、シートプラズマから一万の成分元素のイオ
ンを引き出して他方の成分元素の分子線と共に基板へ注
入するように構成した化合物半導体薄膜製造装置が開示
されている。
発明が解決しようとする問題点
上述のようなシートプラズマを利用した成膜装置におい
ては生成すべき薄膜の成分元素をシートプラズマにのせ
て基板表面の近傍から注入することによって空間電荷に
よる拡がりの影響を受ける前に基板に入るので低速大密
度のイオン注入が可能となると共に処理室内の汚染をお
さえることができる。
ては生成すべき薄膜の成分元素をシートプラズマにのせ
て基板表面の近傍から注入することによって空間電荷に
よる拡がりの影響を受ける前に基板に入るので低速大密
度のイオン注入が可能となると共に処理室内の汚染をお
さえることができる。
本発明は、このような成膜プロセスにおける反応効率を
レーザ光を用いてさらに向上させることを目的とするも
のである。
レーザ光を用いてさらに向上させることを目的とするも
のである。
問題点を解決するだめの手段
上記の目的を達成するために、本発明によれば、４＆に
平行にしかもそれに近接して基板表面の実質的な部分を
覆う幅をもち生成すべきＮ膜の成分元素を含む化学的に
活性なガスまたは蒸気によって形成されたシートプラズ
マを発生する装置と、基板に垂直にレーザ光をビーム状
に導入する装置とを有することを特徴とするシートプラ
ズマとレーザ光を利用しだ成膜装置が提供される。
平行にしかもそれに近接して基板表面の実質的な部分を
覆う幅をもち生成すべきＮ膜の成分元素を含む化学的に
活性なガスまたは蒸気によって形成されたシートプラズ
マを発生する装置と、基板に垂直にレーザ光をビーム状
に導入する装置とを有することを特徴とするシートプラ
ズマとレーザ光を利用しだ成膜装置が提供される。
作 用
このように構成したことによって本発明による成膜装置
においては、シートプラズマから拡散して基板へ入射す
る活性励起粒子（原子および分子）による成膜プロセス
中にレーザ光を導入することによって、レーザ光の当っ
た部分だけ選択的に成膜を促進させることができ、照射
する党の波長としては例えばエキシマレーザの波長を選
ぶことができる。また活性種はシートプラズマによって
励起されているので、レーザ光による反応の効率は著し
く向上させることができる。
においては、シートプラズマから拡散して基板へ入射す
る活性励起粒子（原子および分子）による成膜プロセス
中にレーザ光を導入することによって、レーザ光の当っ
た部分だけ選択的に成膜を促進させることができ、照射
する党の波長としては例えばエキシマレーザの波長を選
ぶことができる。また活性種はシートプラズマによって
励起されているので、レーザ光による反応の効率は著し
く向上させることができる。
実施例
以下・本発明を、添附図面を参照して一実施例について
説明する。
説明する。
図面には本発明による装置の構成を原理的に示し、１は
図示してない真空処理室内に配置される処理すべき基板
で、図示してない加熱装置で加熱され得、そして静止状
態または回転成いは並進運動状態に保持され得る。なお
Ｉ図示実施例では一つの基板１だけが示されているが処
理すべき基板によっては当然複数個の基板を同時に処理
するようにしてもよい。
図示してない真空処理室内に配置される処理すべき基板
で、図示してない加熱装置で加熱され得、そして静止状
態または回転成いは並進運動状態に保持され得る。なお
Ｉ図示実施例では一つの基板１だけが示されているが処
理すべき基板によっては当然複数個の基板を同時に処理
するようにしてもよい。
２はシートプラズマ形成装置で、この装置はシートプラ
ズマ発生部３と、このシートプラズマ発生部３から発生
された点線で略示するシートプラズマ４を受けるシート
プラズマ受入部５とから成っている。シートプラズマ４
は化学的に活性なガスまたは蒸気によって形成され、そ
して処理ナベき基板の大きさに合わせて適宜寸法決めさ
れ得る。
ズマ発生部３と、このシートプラズマ発生部３から発生
された点線で略示するシートプラズマ４を受けるシート
プラズマ受入部５とから成っている。シートプラズマ４
は化学的に活性なガスまたは蒸気によって形成され、そ
して処理ナベき基板の大きさに合わせて適宜寸法決めさ
れ得る。
また図示したようにシートプラズマ４は基板１０表面に
平行にしかもその近くに位置して形成され、シートプラ
ズマ４の境界と基板１との距離は例えば２ｕ〜３０襲程
度に設定され得る。
平行にしかもその近くに位置して形成され、シートプラ
ズマ４の境界と基板１との距離は例えば２ｕ〜３０襲程
度に設定され得る。
ブロック６はエキシマレーザで、シートプラズマ４から
拡散して基板１に入る活性ビームによる成膜プロセス中
【基板１に対して実質的に垂直にレーザ光ビームを入射
する。このレーザ光ビームの入射によって、シートプラ
ズマ４によシ励起されて基板１へ入る励起活性粒子の反
応効率は非常に促進される。またエキシマレーザ６から
基板１へのレーザ光ビームの入射は処理すべき基板１上
における成膜を選択的に促進させるように制御され得る
。
拡散して基板１に入る活性ビームによる成膜プロセス中
【基板１に対して実質的に垂直にレーザ光ビームを入射
する。このレーザ光ビームの入射によって、シートプラ
ズマ４によシ励起されて基板１へ入る励起活性粒子の反
応効率は非常に促進される。またエキシマレーザ６から
基板１へのレーザ光ビームの入射は処理すべき基板１上
における成膜を選択的に促進させるように制御され得る
。
また図示装置においてはシートプラズマ４に使用する活
性ガスまたは蒸気とは別に成膜処理室内に別の活性ガス
を導入して基板表面での励起活性粒子およびレーザ光と
の化学反応の協同現象をもたせるようにしてもよい。
性ガスまたは蒸気とは別に成膜処理室内に別の活性ガス
を導入して基板表面での励起活性粒子およびレーザ光と
の化学反応の協同現象をもたせるようにしてもよい。
効 果
以上説明してきたように、本発明によれば、シートプラ
ズマからの励起ビームとレーザ光ビームとを作用させる
ことによって成膜速度を大幅に高めることができ、生産
性の向上を得ることができ、またレーザ″に、による反
応効率を大いに高めることができるので励起ビームを用
層ない場合に比べてレーザ、光の光量が少なくても同じ
効果をあげることができる。
ズマからの励起ビームとレーザ光ビームとを作用させる
ことによって成膜速度を大幅に高めることができ、生産
性の向上を得ることができ、またレーザ″に、による反
応効率を大いに高めることができるので励起ビームを用
層ない場合に比べてレーザ、光の光量が少なくても同じ
効果をあげることができる。
図面は本発明による成膜装置ｉ１を示す概略線図である
。 図中、１：基板、 ２：シートプラズマ形成装置、 ４
：シートプラズマ、 ６：レーザー光発生装置。
。 図中、１：基板、 ２：シートプラズマ形成装置、 ４
：シートプラズマ、 ６：レーザー光発生装置。
Claims (1)
- 基板に平行にしかもそれに近接して基板表面の実質的な
部分を覆う幅をもち生成すべき薄膜の成分元素を含む化
学的に活性なガスまたは蒸気によつて形成されたシート
プラズマを発生する装置と、基板に垂直にレーザ光をビ
ーム状に導入する装置とを有することを特徴とするシー
トプラズマとレーザ光を利用した成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23953684A JPS61119676A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23953684A JPS61119676A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119676A true JPS61119676A (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=17046266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23953684A Pending JPS61119676A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119676A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900581A (en) * | 1987-08-17 | 1990-02-13 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Method for producing metal films |
| US4910043A (en) * | 1987-07-16 | 1990-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
| US5178905A (en) * | 1988-11-24 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film by hydrogen radical-assisted cvd method utilizing hydrogen gas plasma in sheet-like state |
| WO2013001306A3 (en) * | 2011-06-28 | 2013-06-20 | Pravin Mistry | Method and apparatus for surface treatment of materials utilizing multiple combined energy sources |
| CN104488363A (zh) * | 2012-06-28 | 2015-04-01 | 米提克斯有限公司 | 利用组合能量源处理材料 |
| US9605376B2 (en) | 2011-06-28 | 2017-03-28 | Mtix Ltd. | Treating materials with combined energy sources |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638464A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of nitride film |
| JPS5973045A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-25 | Inoue Japax Res Inc | 表面被覆方法 |
| JPS5988820A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-22 | Ulvac Corp | シ−トプラズマを利用した化合物半導体薄膜製造装置 |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP23953684A patent/JPS61119676A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4910043A (en) * | 1987-07-16 | 1990-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
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| CN103635624A (zh) * | 2011-06-28 | 2014-03-12 | 米提克斯有限公司 | 使用组合的多个能量源的材料表面处理方法和装置 |
| US9309619B2 (en) | 2011-06-28 | 2016-04-12 | Mtix Ltd. | Method and apparatus for surface treatment of materials utilizing multiple combined energy sources |
| US9605376B2 (en) | 2011-06-28 | 2017-03-28 | Mtix Ltd. | Treating materials with combined energy sources |
| CN104488363A (zh) * | 2012-06-28 | 2015-04-01 | 米提克斯有限公司 | 利用组合能量源处理材料 |
| EP2868166A4 (en) * | 2012-06-28 | 2016-06-08 | Mtix Ltd | TREATMENT OF MATERIALS WITH COMBINED ENERGY SOURCES |
| CN104488363B (zh) * | 2012-06-28 | 2018-03-27 | 米提克斯有限公司 | 利用组合能量源处理材料 |
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