JPS5973045A - 表面被覆方法 - Google Patents
表面被覆方法Info
- Publication number
- JPS5973045A JPS5973045A JP18417282A JP18417282A JPS5973045A JP S5973045 A JPS5973045 A JP S5973045A JP 18417282 A JP18417282 A JP 18417282A JP 18417282 A JP18417282 A JP 18417282A JP S5973045 A JPS5973045 A JP S5973045A
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- JP
- Japan
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- gas
- matrix material
- coating
- reaction gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は母材表面に、金属、半導体等を被覆する方法に
関する。
関する。
従来半導体製作においてエピタキシャル成長技術といっ
て基板結晶上に半導体を成長させ−Ｃいく方法がある。
て基板結晶上に半導体を成長させ−Ｃいく方法がある。
Ｓｉを例にとれば、シランＳ！ｆ−１４の熱分解反応（
約１，０００℃）により、ＳｉＨ＋→Ｓｉ＋２Ｈ２とＳ
ｌを析出成長させる。しかし前記基板をヒーター等で１
，０００’Ｃ以上の高温に加熱すること、その加熱状態
を平均して維持さけることは極めて困難である。
約１，０００℃）により、ＳｉＨ＋→Ｓｉ＋２Ｈ２とＳ
ｌを析出成長させる。しかし前記基板をヒーター等で１
，０００’Ｃ以上の高温に加熱すること、その加熱状態
を平均して維持さけることは極めて困難である。
本発明はこの点に鑑みてプラズマ発生装置を用いて反応
ガスを母材被覆面に噴流することを特徴としたものであ
る。
ガスを母材被覆面に噴流することを特徴としたものであ
る。
以下図面の一実施例によって説明すると、１が被覆加工
しようとする母材で、−−９３を有する加工台２に固定
する。４及び５は加工台２をＸ軸及びＹ軸に駆動するモ
ータで、ＮＣ制御装置６による分配信号により駆動し制
御される。７は加工台２上の母材１を囲むチャンバーで
、排気ロア１は真空ポンプに接続され内部を所定の一定
気圧に維持する。８はプラズマ発生装置で、筒体８１の
先端に陽極８２を設け、筒体内に同軸状に陰極棒８３を
挿入し、この陰極８３と陽極８２どの間にアーク放電を
起し、そのアーク放電状態に供給口８４から反応ガスを
供給し渦気流をつくり、プラズマとして先端陽極８２０
から噴流する。プラズマ流は母材１の被覆表面に向りて
噴流供給するようにしである３、８５は陰陽極間にアー
ク放電を発生させる電源、８６は電流制御抵抗である。
しようとする母材で、−−９３を有する加工台２に固定
する。４及び５は加工台２をＸ軸及びＹ軸に駆動するモ
ータで、ＮＣ制御装置６による分配信号により駆動し制
御される。７は加工台２上の母材１を囲むチャンバーで
、排気ロア１は真空ポンプに接続され内部を所定の一定
気圧に維持する。８はプラズマ発生装置で、筒体８１の
先端に陽極８２を設け、筒体内に同軸状に陰極棒８３を
挿入し、この陰極８３と陽極８２どの間にアーク放電を
起し、そのアーク放電状態に供給口８４から反応ガスを
供給し渦気流をつくり、プラズマとして先端陽極８２０
から噴流する。プラズマ流は母材１の被覆表面に向りて
噴流供給するようにしである３、８５は陰陽極間にアー
ク放電を発生させる電源、８６は電流制御抵抗である。
９はレーザー発振器、１０は反射鏡、１１は集光レンズ
である。
である。
加工台２上の母材１をヒータ３加熱して予じめ適当な温
度に予熱維持させる。チャンバー７は真空ポンプによっ
て排気ロア１から排気が行われ、そこにプラズマ発生装
置８から被覆元素を含む反応ガスが母材１に向けて供給
される。プラズマ発生装置は陰陽極８２’、 ８３間に
アーク放電を行い、ガス供給口８４から反応ガス或いは
Ｈ２、Ｇｏ等の作動ガスとともに反応ガスを供給すると
、このガスはアーク放電によってプラズマ状態となって
先端陽極噴出口から噴射する。噴出気体は被覆母材１に
当って被覆元素の析出成長が行われる。Ｓｉを被覆する
にはＳ！ Ｈ４ガスを用い、またＳｉ Ｃｌ ４＋２Ｈ
２を用いれば水素還元して３ｉを被覆することができる
。また母材１の被覆加工部分にはレーザー照射が行われ
る。即ち発振器９から増１］された強力レーザー光が出
力し反射鏡１０によって母材１面に焦点を結ぶよう集光
する。このレーザー照射により表面照射点は高温に加熱
され反応ガスの分解析出反応を促進し被覆効果を高める
ことができる。
度に予熱維持させる。チャンバー７は真空ポンプによっ
て排気ロア１から排気が行われ、そこにプラズマ発生装
置８から被覆元素を含む反応ガスが母材１に向けて供給
される。プラズマ発生装置は陰陽極８２’、 ８３間に
アーク放電を行い、ガス供給口８４から反応ガス或いは
Ｈ２、Ｇｏ等の作動ガスとともに反応ガスを供給すると
、このガスはアーク放電によってプラズマ状態となって
先端陽極噴出口から噴射する。噴出気体は被覆母材１に
当って被覆元素の析出成長が行われる。Ｓｉを被覆する
にはＳ！ Ｈ４ガスを用い、またＳｉ Ｃｌ ４＋２Ｈ
２を用いれば水素還元して３ｉを被覆することができる
。また母材１の被覆加工部分にはレーザー照射が行われ
る。即ち発振器９から増１］された強力レーザー光が出
力し反射鏡１０によって母材１面に焦点を結ぶよう集光
する。このレーザー照射により表面照射点は高温に加熱
され反応ガスの分解析出反応を促進し被覆効果を高める
ことができる。
例えば反応ガスにＳ！Ｈａを用い３ｉ被覆加工を行うと
き、プラズマとして０．５〜１Ｔｏｒｒ。
き、プラズマとして０．５〜１Ｔｏｒｒ。
１．５Ｏｏｖ、 ３ｍ Ａを用い、被覆速度は、約５５
人／ｍｉｎであった。次に加工中アルゴンレーザー２７
４゜Ａ、５Ｗを照射したとき・３ｉ析出速度は約１２０
人／ｍｉｎに増加した。
人／ｍｉｎであった。次に加工中アルゴンレーザー２７
４゜Ａ、５Ｗを照射したとき・３ｉ析出速度は約１２０
人／ｍｉｎに増加した。
なおプラズマ及びレーザー照射位置は析出形状が予じめ
プログラム入力しであるＮＣ制御装置６によって制御さ
れる。ＮＣ制御装置６はモータ４゜５を駆動して加工台
２を所望の形状に移動させるから母材１上の照射点は所
望形状を走査し、そこに３ｉを析出成長さゼることかで
きる。
プログラム入力しであるＮＣ制御装置６によって制御さ
れる。ＮＣ制御装置６はモータ４゜５を駆動して加工台
２を所望の形状に移動させるから母材１上の照射点は所
望形状を走査し、そこに３ｉを析出成長さゼることかで
きる。
なおレーザー照射はＱスイッチングによりパルス的に行
うことができる。また反応ガスを供給するプラズマ発生
装置には高周波電界による無極放電を利用したものが利
用され、これによれば放電電極材の混合が防止でき被覆
層の純度を高めることができる。
うことができる。また反応ガスを供給するプラズマ発生
装置には高周波電界による無極放電を利用したものが利
用され、これによれば放電電極材の混合が防止でき被覆
層の純度を高めることができる。
被覆材反応ガスとしては、メチル化合物１Ｍ（ＣＨ３）
Ｘ 、Ｍ＝ＡＩ 、Ｂｉ 、Ｃｄ 、Ｇｅ 。
Ｘ 、Ｍ＝ＡＩ 、Ｂｉ 、Ｃｄ 、Ｇｅ 。
３ｎ 、 ｚｎ 、その他、カルボニル化合物、 Ｍ
（ＧＯ）ｎ 、Ｍ＝Ｃｒ 、Ｆｅ 、Ｗ、その他等が利
用でき、分解反応により前記Ｍ元素の析出成長させるこ
とができる。
（ＧＯ）ｎ 、Ｍ＝Ｃｒ 、Ｆｅ 、Ｗ、その他等が利
用でき、分解反応により前記Ｍ元素の析出成長させるこ
とができる。
以上のように本発明はプラズマ発生装置を用いて母材上
に反応ガスを流すようにしたので所望金属、半導体等の
被覆ができ、またレーザー照射を併用すればその析出速
度を著しく高めることができる効果がある。
に反応ガスを流すようにしたので所望金属、半導体等の
被覆ができ、またレーザー照射を併用すればその析出速
度を著しく高めることができる効果がある。
−図面は本発明の詳細な説明図である。
１・・・・・・・・・被覆母材
２・・・・・・・・・加工台
４．５・・・・・・・・・モータ
６・・・・・・・・・ＮＣ制御装置
７・・・・・・・・・チャンバー
８・・・・・・・・・プラズマ発生装置９・・・・・・
・・・レーザー発振器 １０・・・・・・・・・反射鏡 １１・・・・・・・・・レンズ 特 許 出 願 人 株式会社井上ジャパックス研、究所 代表者 月 上 魅
・・・レーザー発振器 １０・・・・・・・・・反射鏡 １１・・・・・・・・・レンズ 特 許 出 願 人 株式会社井上ジャパックス研、究所 代表者 月 上 魅
Claims (2)
- （１）熱分解反応を利用した表面被覆において、母材被
覆面にプラズマ発生装置を用いて反応ガスを流すことを
特徴とした表面被覆方法。 - （２）熱分解反応を利用した表面被覆において、母材被
覆面にプラズマ発生装置を用いて反応ガスを流すととも
に、前記母材被覆面にレーザーを照射するようにしたこ
とを特徴とした表面被覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18417282A JPS5973045A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 表面被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18417282A JPS5973045A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 表面被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5973045A true JPS5973045A (ja) | 1984-04-25 |
| JPH0340107B2 JPH0340107B2 (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=16148619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18417282A Granted JPS5973045A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 表面被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5973045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59157274A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-06 | Agency Of Ind Science & Technol | イオンビ−ムを用いたパタ−ン形成法 |
| JPS61119676A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Ulvac Corp | シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置 |
| JPH01301865A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜成長方法および薄膜成長装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5045759A (ja) * | 1973-08-29 | 1975-04-24 | ||
| JPS5266884A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process for forming film on base material |
| JPS5558362A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thin film |
| JPS56124229A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film |
| JPS5721669U (ja) * | 1980-07-11 | 1982-02-04 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145582A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Ikegami Tsushinki Kk | Method of correcting deviation strain |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP18417282A patent/JPS5973045A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5045759A (ja) * | 1973-08-29 | 1975-04-24 | ||
| JPS5266884A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process for forming film on base material |
| JPS5558362A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of thin film |
| JPS56124229A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film |
| JPS5721669U (ja) * | 1980-07-11 | 1982-02-04 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59157274A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-06 | Agency Of Ind Science & Technol | イオンビ−ムを用いたパタ−ン形成法 |
| JPH046793B2 (ja) * | 1983-02-25 | 1992-02-06 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPS61119676A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Ulvac Corp | シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置 |
| JPH01301865A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜成長方法および薄膜成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0340107B2 (ja) | 1991-06-17 |
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