JPS6243136A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6243136A JPS6243136A JP18440885A JP18440885A JPS6243136A JP S6243136 A JPS6243136 A JP S6243136A JP 18440885 A JP18440885 A JP 18440885A JP 18440885 A JP18440885 A JP 18440885A JP S6243136 A JPS6243136 A JP S6243136A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor manufacturing
- ion source
- ion
- sample surface
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明（よ、半導体製造装置に関し、さらに詳しくは
、半導体素子製造工程において、イオンビームを用いて
微細加工または薄膜形成等の表面処理を行う装置に関す
るものである。
、半導体素子製造工程において、イオンビームを用いて
微細加工または薄膜形成等の表面処理を行う装置に関す
るものである。
半導体集積回路は年々２１集積化が要求され、パターン
の微細化およびゲート絶縁膜など膜形成時の薄膜化が進
んでいろ。現在、パターンの微細化への要求に対応する
ため、微細加工では反応性のイオンをビーム状にして基
板に南突させることによりエツチングする方法、いわゆ
る反応性イオンビームエツチング法（以下、ＲＴ［ＩＥ
と略す）が検討されている。イオンビームエツチング法
で用いる装置の構成例を第２図に示す。
の微細化およびゲート絶縁膜など膜形成時の薄膜化が進
んでいろ。現在、パターンの微細化への要求に対応する
ため、微細加工では反応性のイオンをビーム状にして基
板に南突させることによりエツチングする方法、いわゆ
る反応性イオンビームエツチング法（以下、ＲＴ［ＩＥ
と略す）が検討されている。イオンビームエツチング法
で用いる装置の構成例を第２図に示す。
この図において、１はイオン源、２は前記イオン源１か
ら発生されたイオンビーム、３（、を前記イオンビーム
２が照射される試料、４はこの試１１３を保持するため
の試料台である。
ら発生されたイオンビーム、３（、を前記イオンビーム
２が照射される試料、４はこの試１１３を保持するため
の試料台である。
ここにおいて、イオン源１としては、熱）、イラメント
を用いたカウフマン型イオン源と、電子サイクロｌ−ｏ
ン共１１１３（以下、ＥＣＲと略す）現象を利用したイ
オン源であるＥＣＲ型イオン源などが提案されている。
を用いたカウフマン型イオン源と、電子サイクロｌ−ｏ
ン共１１１３（以下、ＥＣＲと略す）現象を利用したイ
オン源であるＥＣＲ型イオン源などが提案されている。
上記のような従来のＲＩＢＥでは、ユンチング速度を上
げるためにＩＫＶ近い電圧を印加してイオンを加速しな
ければならず、これはデバイス損傷の原因となり、デバ
イス特性の悪化をもたらす。
げるためにＩＫＶ近い電圧を印加してイオンを加速しな
ければならず、これはデバイス損傷の原因となり、デバ
イス特性の悪化をもたらす。
また材料間のエツチング速度比も小さいため、パターン
精度の低下をもたらすという欠点があった。
精度の低下をもたらすという欠点があった。
またシリコン薄膜等の薄膜形成の場合も、装置の構成は
第２図に示したものと同様であり、例えば最近注目され
ているＥＣＲ型イオン源を利用した装置においてさえも
、ＦＩ膜形成速度が遅いという問題点があった。
第２図に示したものと同様であり、例えば最近注目され
ているＥＣＲ型イオン源を利用した装置においてさえも
、ＦＩ膜形成速度が遅いという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、イオンビームを使用して試料の微細加工ま
たは表面処理を行う装置において、高速に、かつ精度よ
く処理ができるようにすることを目的としている。
れたもので、イオンビームを使用して試料の微細加工ま
たは表面処理を行う装置において、高速に、かつ精度よ
く処理ができるようにすることを目的としている。
この発明に係る半導体製造装置にあっては、イオン源と
試料表面との間で、前記試料表面に平行に所要の波長を
持つ光を照射する光源を設けたものである。
試料表面との間で、前記試料表面に平行に所要の波長を
持つ光を照射する光源を設けたものである。
〔作用］
この発明においては、イオンビームに照射する光源より
発生ずる光線の波長を選ぶことにより、イオンビーム中
の必要なイオンの発生が促進でき、かつそのイオンを活
性化でき、エツチング速度あるいは薄膜の形成速度が太
き（なる。また特定のイオンのみが活性化されるので、
他の材料とのエツチング速度比も大きくなる。
発生ずる光線の波長を選ぶことにより、イオンビーム中
の必要なイオンの発生が促進でき、かつそのイオンを活
性化でき、エツチング速度あるいは薄膜の形成速度が太
き（なる。また特定のイオンのみが活性化されるので、
他の材料とのエツチング速度比も大きくなる。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体製造装置の概
略構成図である。第１図において、１〜４は第２図と同
じものであり、５は前記イオン源１と試料３との間で、
前記試料３表面に任意の波長を持つ光を照射する光源、
６は前記光源５より発せられた光線、７はこの光線６を
導入するための窓である。光源５の例としては、ランプ
光源、レーザ光源など各種のものが考えられる。そして
、必要があればし・ノズ系を光源５と窓７の間に介在さ
せてもよい。
略構成図である。第１図において、１〜４は第２図と同
じものであり、５は前記イオン源１と試料３との間で、
前記試料３表面に任意の波長を持つ光を照射する光源、
６は前記光源５より発せられた光線、７はこの光線６を
導入するための窓である。光源５の例としては、ランプ
光源、レーザ光源など各種のものが考えられる。そして
、必要があればし・ノズ系を光源５と窓７の間に介在さ
せてもよい。
このような構成の装置において、光源５より発生ずる光
線６の波長を任意に選べば、イオンビーム２中の必要な
イオンの発生が促進でき、かつそのイオンを活性化でき
、表面処理、すなわちエツチング速度あるいは薄膜の形
成速度を大きくすることができる。また特にエツチング
の場合には、特定のイオンの発生が促進でき、かつその
イオンが活性化されるため、他の材料とのエツチング速
度比も大きくすることができる。また薄膜形成の場合に
は、深さ方向の膜の均質化の向上などの効果も期待でき
る。
線６の波長を任意に選べば、イオンビーム２中の必要な
イオンの発生が促進でき、かつそのイオンを活性化でき
、表面処理、すなわちエツチング速度あるいは薄膜の形
成速度を大きくすることができる。また特にエツチング
の場合には、特定のイオンの発生が促進でき、かつその
イオンが活性化されるため、他の材料とのエツチング速
度比も大きくすることができる。また薄膜形成の場合に
は、深さ方向の膜の均質化の向上などの効果も期待でき
る。
またイオンの種類を変えることによって薄膜形成または
酸化・窒化等の表面変質処理を行うことも可能である。
酸化・窒化等の表面変質処理を行うことも可能である。
すなわち、シリコン薄膜を形成ずろときは、シラン（Ｓ
ｉＨ４）ガスを、酸化・窒化の表面変質処理時には、そ
れぞれ酸素（０２）および窒素（Ｎ２）ガスをイオン源
に導入しイオン流を発生させればよい。
ｉＨ４）ガスを、酸化・窒化の表面変質処理時には、そ
れぞれ酸素（０２）および窒素（Ｎ２）ガスをイオン源
に導入しイオン流を発生させればよい。
この発明は以上説明したとおり、イオン源と試料表面と
の間で、試料表面に平行に所要の波長を持つ光を照射す
る光源を備文なので、エツチング速度あるいは薄膜の形
成速度を、イオンの加速を大きくすることなく増大させ
、かつ試料の材料間のエツチング速度比を大きくするこ
とができろため、デバイス特性の劣化を防ぐことができ
ろ。
の間で、試料表面に平行に所要の波長を持つ光を照射す
る光源を備文なので、エツチング速度あるいは薄膜の形
成速度を、イオンの加速を大きくすることなく増大させ
、かつ試料の材料間のエツチング速度比を大きくするこ
とができろため、デバイス特性の劣化を防ぐことができ
ろ。
また試料表面に複数種の異なる膜厚の薄膜が形成され、
これを一度にエツチングする場合、あるいは試料表面に
複数種の異なる膜質の薄膜を形成する場合などにおいて
は、光線の波長を切り換えろことにより可能となる。
これを一度にエツチングする場合、あるいは試料表面に
複数種の異なる膜質の薄膜を形成する場合などにおいて
は、光線の波長を切り換えろことにより可能となる。
さらに、薄膜形成おＬび表面変質処理の場合は、ガスを
変更するだけでこの発明の適用が可能となるという利点
も有する。
変更するだけでこの発明の適用が可能となるという利点
も有する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体製造装置の概
略構成図、第２図は従来の半導体製造装置の概略構成図
である。 図において、１はイオン源、２はイオンビーム、３は試
料、５は光源、６は光線である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭８０−０１８４４０８号２
、発明の名称 半導体製造装置 ３３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁■２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住 所 東京都十代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 、補正の内容 、１）明細書第５頁１６行の「ガス」を、「ガス等を」
と補正する。 （２）同じく第６頁６行の「異なる膜厚の」ｔ、「異な
る膜質の」と補正する。 （３）同じく第６頁９行の「においては、光線の波長」
を、「においては、ガスの種類および／または光線の波
長」と補正する。 以上
略構成図、第２図は従来の半導体製造装置の概略構成図
である。 図において、１はイオン源、２はイオンビーム、３は試
料、５は光源、６は光線である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭８０−０１８４４０８号２
、発明の名称 半導体製造装置 ３３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁■２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住 所 東京都十代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 、補正の内容 、１）明細書第５頁１６行の「ガス」を、「ガス等を」
と補正する。 （２）同じく第６頁６行の「異なる膜厚の」ｔ、「異な
る膜質の」と補正する。 （３）同じく第６頁９行の「においては、光線の波長」
を、「においては、ガスの種類および／または光線の波
長」と補正する。 以上
Claims (2)
- （１）イオン源から発生するイオンビームを試料表面に
照射して前記試料表面の処理を行う半導体製造装置にお
いて、前記イオン源と試料表面との間で、前記試料表面
に平行に所要の波長を持つ光を照射する光源を備えたこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - （２）イオン源として、電子サイクロトロン共鳴型イオ
ン源を使用したことを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18440885A JPS6243136A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18440885A JPS6243136A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243136A true JPS6243136A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16152643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18440885A Pending JPS6243136A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6243136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5531521A (en) * | 1994-03-04 | 1996-07-02 | Nippon Thompson Co., Ltd. | Linear rolling guide unit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966124A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | 表面処理方法および装置 |
| JPS59139539A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-08-10 | コミツサリア・タ・レネルギ−・アトミ−ク | 空間変調密度を有する粒子ビ−ムを得るための方法および装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18440885A patent/JPS6243136A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966124A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | 表面処理方法および装置 |
| JPS59139539A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-08-10 | コミツサリア・タ・レネルギ−・アトミ−ク | 空間変調密度を有する粒子ビ−ムを得るための方法および装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5531521A (en) * | 1994-03-04 | 1996-07-02 | Nippon Thompson Co., Ltd. | Linear rolling guide unit |
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