JPH05335615A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- -1 Cyclic silane compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000013080 microcrystalline material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/03765—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table including AIVBIV compounds or alloys, e.g. SiGe, SiC
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
- H01L27/1465—Infrared imagers of the hybrid type
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヘテロ接合部のスパイク及びノッチをなく
し、低電圧印加時にも、高増倍率で応答速度のすぐれた
光電変換装置を実現する。 【構成】 光吸収層４０４及びキャリア増倍層４０３が
非単結晶材料からなり、前記キャリア増倍層４０３がそ
の禁制帯幅を連続的に変化させた複数の層４１１〜４１
４からなる光電変換装置であって、前記キャリア増倍層
４０３のヘテロ接合部近傍のフェルミ準位と真空エネル
ギー準位との差をほぼ一定とした。
し、低電圧印加時にも、高増倍率で応答速度のすぐれた
光電変換装置を実現する。 【構成】 光吸収層４０４及びキャリア増倍層４０３が
非単結晶材料からなり、前記キャリア増倍層４０３がそ
の禁制帯幅を連続的に変化させた複数の層４１１〜４１
４からなる光電変換装置であって、前記キャリア増倍層
４０３のヘテロ接合部近傍のフェルミ準位と真空エネル
ギー準位との差をほぼ一定とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電変換装置に係わり、
特にアバランシェ増倍を利用した光電変換装置に関す
る。
特にアバランシェ増倍を利用した光電変換装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に光電変換装置は、その光電変換特
性に対し高い信号対雑音比を持つことが要求されるが、
なかでもアバランシェ効果を利用したアバランシェフォ
トダイオード（以下、ＡＰＤと略する）を受光部に使用
した光電変換装置は、この要求を満たすものと期待さ
れ、近年盛んに開発が進められている。
性に対し高い信号対雑音比を持つことが要求されるが、
なかでもアバランシェ効果を利用したアバランシェフォ
トダイオード（以下、ＡＰＤと略する）を受光部に使用
した光電変換装置は、この要求を満たすものと期待さ
れ、近年盛んに開発が進められている。
【０００３】従来、一般的に普及しているＡＰＤは、強
電界を印加してアバランシェ効果を引き出しており、そ
の増倍過程に内在するゆらぎのために、過剰増倍雑音が
発生し、信号対雑音比を低下させてしまう。
電界を印加してアバランシェ効果を引き出しており、そ
の増倍過程に内在するゆらぎのために、過剰増倍雑音が
発生し、信号対雑音比を低下させてしまう。
【０００４】この点を鑑みて、例えば、Ｆ．Ｃａｐａｓ
ｓｏらは、特開昭５８−１５７１７９号公報やＩＥＥＥ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ
第ＥＤＬ３版（１９８２年）の７１〜７３ページに、分
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法等を用いて、主にIII −
Ｖ族に属する単結晶化合物半導体を用いて作成される、
光通信システムに使用可能な低雑音ＡＰＤを提案してい
る。
ｓｏらは、特開昭５８−１５７１７９号公報やＩＥＥＥ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ
第ＥＤＬ３版（１９８２年）の７１〜７３ページに、分
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法等を用いて、主にIII −
Ｖ族に属する単結晶化合物半導体を用いて作成される、
光通信システムに使用可能な低雑音ＡＰＤを提案してい
る。
【０００５】そこで提案されている従来のＡＰＤの概略
構造図を図１１〜図１３に示す。
構造図を図１１〜図１３に示す。
【０００６】図１１は従来のＡＰＤの断面構造図であ
る。ここでは、５つの層からなるＩ型バンドギャップ傾
斜半導体層２０１，２０３，２０５，２０７及び２０９
がキャリア増倍層として、Ｐ型半導体層２１１及びＮ型
半導体層２１５で挟まれ、電極２１３がＰ型半導体層２
１１に、また電極２１４がＮ型半導体層２１５にそれぞ
れオーミック接触されている。
る。ここでは、５つの層からなるＩ型バンドギャップ傾
斜半導体層２０１，２０３，２０５，２０７及び２０９
がキャリア増倍層として、Ｐ型半導体層２１１及びＮ型
半導体層２１５で挟まれ、電極２１３がＰ型半導体層２
１１に、また電極２１４がＮ型半導体層２１５にそれぞ
れオーミック接触されている。
【０００７】図１２は従来のＡＰＤに強電界を印加し動
作状態にしたときのエネルギー帯構造図である。ここで
バンドギャップが急俊にステップバックするヘテロ接合
部２０２，２０４，２０６のエネルギー不連続がイオン
化を助勢するので、そのステップバック近傍で選択的に
イオン化が起こりキャリアが増倍される。
作状態にしたときのエネルギー帯構造図である。ここで
バンドギャップが急俊にステップバックするヘテロ接合
部２０２，２０４，２０６のエネルギー不連続がイオン
化を助勢するので、そのステップバック近傍で選択的に
イオン化が起こりキャリアが増倍される。
【０００８】こうした構造をとることにより、イオン化
が起こる場所のゆらぎが少なくなり、増倍過程に内在す
るゆらぎが少なくなる。したがって過剰雑音が軽減され
た、信号対雑音比の改善された、光通信システムに使用
可能な低雑音ＡＰＤが実現できる。
が起こる場所のゆらぎが少なくなり、増倍過程に内在す
るゆらぎが少なくなる。したがって過剰雑音が軽減され
た、信号対雑音比の改善された、光通信システムに使用
可能な低雑音ＡＰＤが実現できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したような従
来のＡＰＤは強電界が印加されて動作する光通信用の個
別受光素子としては有用であるが、従来のＡＰＤを蓄積
動作を行なう、ビデオカメラ、スキャナーなどの光電変
換装置に応用範囲を広げて使用しようとすると、次のよ
うな問題点を生じる。 （１）従来のＡＰＤでは、III −Ｖ族、II−VI族等に属
する化合物半導体をその構成材料としているため、材料
の毒性、価格など工業材料としての問題点を有してい
る。 （２）また、その構成材料である単結晶化合物半導体の
形成においては、超高真空装置を用いて、高温（約５０
０℃以上）で成膜を行なう必要があるので、大面積の光
電変換装置への応用が困難であり、また、信号処理回路
等が既に形成されている半導体基板上への積層も不可能
であり、その応用範囲が限られる。 （３）また、低雑音のＡＰＤを実現するには、ステップ
バックヘテロ接合部のイオン化率を高めることが必要
で、そのためにはステップバック部のエネルギー不連続
の価電子帯側または伝導帯側の一方のみが大きな材料が
求められるが、結晶化合物半導体では、こうした要求を
満たせる材料が限られてしまう。さらに雑音の一要因と
なる熱的に発生する暗電流を抑制したさらに低雑音のＡ
ＰＤを実現するためには、最小禁制帯幅が（望ましくは
１．０ｅＶよりも）大きな材料を用いて上記の要求を同
時に満たす必要があるが、結晶化合物半導体では、こう
した要求を満たせる材料は存在しない。 （４）さらに、蓄積動作を行なった場合、キャリア蓄積
量の増加にともないＡＰＤに印加される電界は低くな
り、図１３に示すように、Ｉ型半導体から構成されるキ
ャリア増倍層のステップバックヘテロ接合部分にはスパ
イク及びノッチが生じてしまう。そのために、ステップ
バックヘテロ接合部の実効的なバンド不連続が減少しイ
オン化率が低下するだけでなく、キャリア走行を阻害す
る方向のエネルギー不連続が生じ、増倍率の低下、入射
光量対出力の直線性の劣化、応答速度の低下をまねいて
しまう。
来のＡＰＤは強電界が印加されて動作する光通信用の個
別受光素子としては有用であるが、従来のＡＰＤを蓄積
動作を行なう、ビデオカメラ、スキャナーなどの光電変
換装置に応用範囲を広げて使用しようとすると、次のよ
うな問題点を生じる。 （１）従来のＡＰＤでは、III −Ｖ族、II−VI族等に属
する化合物半導体をその構成材料としているため、材料
の毒性、価格など工業材料としての問題点を有してい
る。 （２）また、その構成材料である単結晶化合物半導体の
形成においては、超高真空装置を用いて、高温（約５０
０℃以上）で成膜を行なう必要があるので、大面積の光
電変換装置への応用が困難であり、また、信号処理回路
等が既に形成されている半導体基板上への積層も不可能
であり、その応用範囲が限られる。 （３）また、低雑音のＡＰＤを実現するには、ステップ
バックヘテロ接合部のイオン化率を高めることが必要
で、そのためにはステップバック部のエネルギー不連続
の価電子帯側または伝導帯側の一方のみが大きな材料が
求められるが、結晶化合物半導体では、こうした要求を
満たせる材料が限られてしまう。さらに雑音の一要因と
なる熱的に発生する暗電流を抑制したさらに低雑音のＡ
ＰＤを実現するためには、最小禁制帯幅が（望ましくは
１．０ｅＶよりも）大きな材料を用いて上記の要求を同
時に満たす必要があるが、結晶化合物半導体では、こう
した要求を満たせる材料は存在しない。 （４）さらに、蓄積動作を行なった場合、キャリア蓄積
量の増加にともないＡＰＤに印加される電界は低くな
り、図１３に示すように、Ｉ型半導体から構成されるキ
ャリア増倍層のステップバックヘテロ接合部分にはスパ
イク及びノッチが生じてしまう。そのために、ステップ
バックヘテロ接合部の実効的なバンド不連続が減少しイ
オン化率が低下するだけでなく、キャリア走行を阻害す
る方向のエネルギー不連続が生じ、増倍率の低下、入射
光量対出力の直線性の劣化、応答速度の低下をまねいて
しまう。
【００１０】本発明はこのような問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、ヘテロ接合部のスパイク
及びノッチをなくし、低電圧印加時にも、高増倍率で応
答速度のすぐれた、工業的にも有用な、回路既存半導体
基板へも積層も可能な、応用範囲の広い光電変換装置を
提供しようとするものである。
で、その目的とするところは、ヘテロ接合部のスパイク
及びノッチをなくし、低電圧印加時にも、高増倍率で応
答速度のすぐれた、工業的にも有用な、回路既存半導体
基板へも積層も可能な、応用範囲の広い光電変換装置を
提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換装置
は、光吸収層及びキャリア増倍層が非単結晶材料からな
り、前記キャリア増倍層がその禁制帯幅を連続的に変化
させた複数の層からなる光電変換装置であって、前記キ
ャリア増倍層のヘテロ接合部近傍のフェルミ準位と真空
エネルギー準位との差をほぼ一定としたことを特徴とす
る。
は、光吸収層及びキャリア増倍層が非単結晶材料からな
り、前記キャリア増倍層がその禁制帯幅を連続的に変化
させた複数の層からなる光電変換装置であって、前記キ
ャリア増倍層のヘテロ接合部近傍のフェルミ準位と真空
エネルギー準位との差をほぼ一定としたことを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】以下、図７〜図９を用いて、本発明の光電変換
装置の実施態様例及び作用について説明する。
装置の実施態様例及び作用について説明する。
【００１３】図７は、本発明の光電変換装置の構造を示
す概略的断面図であり、光吸収層３１０と、キャリア増
倍層となる複数の禁制帯幅傾斜層３０１，３０３，３０
５，３０７，３０９とが、電荷注入阻止層となるＰ型半
導体層３１１とＮ型半導体層３１５とで挟まれており、
Ｐ型半導体層３１１は電極３１３と電気的に接続され、
Ｎ型半導体層３１５は電極３１４と電気的に接続されて
いる。なお、上記電荷注入阻止層は隣接する半導体層と
ショットキー接続されていても良い。また、禁制帯幅傾
斜層は５層の場合を示したが、これに限定されず、１層
あるいは２層以上であればよい。
す概略的断面図であり、光吸収層３１０と、キャリア増
倍層となる複数の禁制帯幅傾斜層３０１，３０３，３０
５，３０７，３０９とが、電荷注入阻止層となるＰ型半
導体層３１１とＮ型半導体層３１５とで挟まれており、
Ｐ型半導体層３１１は電極３１３と電気的に接続され、
Ｎ型半導体層３１５は電極３１４と電気的に接続されて
いる。なお、上記電荷注入阻止層は隣接する半導体層と
ショットキー接続されていても良い。また、禁制帯幅傾
斜層は５層の場合を示したが、これに限定されず、１層
あるいは２層以上であればよい。
【００１４】図８は、本発明の光電変換装置の高電界印
加動作時の模式的なエネルギー帯図であり、図９は、本
発明の光電変換装置の低電界印加動作時の模式的なエネ
ルギー帯図である。
加動作時の模式的なエネルギー帯図であり、図９は、本
発明の光電変換装置の低電界印加動作時の模式的なエネ
ルギー帯図である。
【００１５】アバランシェ効果を利用した増倍原理は、
Ｆ．Ｃａｐａｓｓｏらの提案した従来例と一見似ている
ように見えるが、本発明の光電変換装置は次のような特
徴を備えている。 （１）本発明の光電変換装置の光吸収層、キャリア増倍
層の構成材料は非単結晶材料から構成されるので、毒性
の少ない、安価な工業的にすぐれたものとなる。ここで
非単結晶材料とは、多結晶材料あるいは非晶質材料であ
り、非晶質材料のなかにいわゆる微結晶材料も含まれる
ものとする。具体的には、多結晶シリコン、水素及び／
またはハロゲン元素を含む非晶質シリコン（以下、ａ−
Ｓｉ（：Ｈ，Ｘ）と称す）、非晶質シリコンゲルマニウ
ム（以下、ａ−ＳｉＧｅ（：Ｈ，Ｘ）と称す）、非晶質
シリコンカーバイト（以下、ａ−ＳｉＣ（：Ｈ，Ｘ）と
称す）、微結晶シリコン等がこの例に当たる。 （２）また、本発明の光電変換装置の構成材料である非
単結晶材料の形成においては、プラズマＣＶＤ法、スパ
ッタ法などの成膜方法が適用でき、大面積かつ低温（２
００〜３００℃）で容易に形成できる。したがって、大
面積の光電変換装置への応用が容易であり、また、信号
処理回路等が既に形成されている半導体基板上への積層
も可能であり、その応用範囲は大いに広がる。 （３）また、非単結晶材料を用いていることにより、最
小禁制帯幅が（例えば１．０ｅＶよりも）大きく、か
つ、ステップバックヘテロ接合部のエネルギー不連続の
価電子帯側または伝導帯側の一方のみが大きなキャリア
増倍層を形成することが可能となる。したがって過剰雑
音だけでなく暗電流雑音も小さな低雑音で高効率な増倍
動作が実現できる。 （４）さらに、蓄積動作を行なって、キャリア蓄積量の
増加にともないキャリア増倍層に印加される電界が低く
なっても、図９に示すように、キャリア増倍層のステッ
プバックヘテロ接合部分にはスパイク及びノッチが生じ
ない。したがって、低電界でもステップバックヘテロ接
合部のバンド不連続が維持され、高電界印加時と同様な
高イオン化率が達成できるだけでなく、キャリア走行を
阻害する方向のエネルギー不連続も生ぜず、高増倍率
で、入射光量対出力の直線性のすぐれた、応答速度の早
い蓄積動作を行なうことができる。キャリアの走行を阻
害しないエネルギー不連続量は、好ましくは常温で０．
２ｅＶ以下、より好ましくは０．１ｅＶである。
Ｆ．Ｃａｐａｓｓｏらの提案した従来例と一見似ている
ように見えるが、本発明の光電変換装置は次のような特
徴を備えている。 （１）本発明の光電変換装置の光吸収層、キャリア増倍
層の構成材料は非単結晶材料から構成されるので、毒性
の少ない、安価な工業的にすぐれたものとなる。ここで
非単結晶材料とは、多結晶材料あるいは非晶質材料であ
り、非晶質材料のなかにいわゆる微結晶材料も含まれる
ものとする。具体的には、多結晶シリコン、水素及び／
またはハロゲン元素を含む非晶質シリコン（以下、ａ−
Ｓｉ（：Ｈ，Ｘ）と称す）、非晶質シリコンゲルマニウ
ム（以下、ａ−ＳｉＧｅ（：Ｈ，Ｘ）と称す）、非晶質
シリコンカーバイト（以下、ａ−ＳｉＣ（：Ｈ，Ｘ）と
称す）、微結晶シリコン等がこの例に当たる。 （２）また、本発明の光電変換装置の構成材料である非
単結晶材料の形成においては、プラズマＣＶＤ法、スパ
ッタ法などの成膜方法が適用でき、大面積かつ低温（２
００〜３００℃）で容易に形成できる。したがって、大
面積の光電変換装置への応用が容易であり、また、信号
処理回路等が既に形成されている半導体基板上への積層
も可能であり、その応用範囲は大いに広がる。 （３）また、非単結晶材料を用いていることにより、最
小禁制帯幅が（例えば１．０ｅＶよりも）大きく、か
つ、ステップバックヘテロ接合部のエネルギー不連続の
価電子帯側または伝導帯側の一方のみが大きなキャリア
増倍層を形成することが可能となる。したがって過剰雑
音だけでなく暗電流雑音も小さな低雑音で高効率な増倍
動作が実現できる。 （４）さらに、蓄積動作を行なって、キャリア蓄積量の
増加にともないキャリア増倍層に印加される電界が低く
なっても、図９に示すように、キャリア増倍層のステッ
プバックヘテロ接合部分にはスパイク及びノッチが生じ
ない。したがって、低電界でもステップバックヘテロ接
合部のバンド不連続が維持され、高電界印加時と同様な
高イオン化率が達成できるだけでなく、キャリア走行を
阻害する方向のエネルギー不連続も生ぜず、高増倍率
で、入射光量対出力の直線性のすぐれた、応答速度の早
い蓄積動作を行なうことができる。キャリアの走行を阻
害しないエネルギー不連続量は、好ましくは常温で０．
２ｅＶ以下、より好ましくは０．１ｅＶである。
【００１６】したがって、本発明の上記構成によれば、
光吸収層及びキャリア増倍層を非単結晶半導体材料で構
成し、キャリア増倍層に不純物をドープして、キャリア
増倍層の、特に、ヘテロ接合部近傍のフェルミ準位と真
空エネルギー準位との差をほぼ一定になるようにするこ
とによって、ヘテロ接合部のスパイク及びノッチをなく
し、蓄積動作下でも性能を劣化させることなく、高増倍
率で応答速度のすぐれた、工業的にも有用な、回路既存
半導体基板上へも積層可能な、光電変換装置が実現され
る。
光吸収層及びキャリア増倍層を非単結晶半導体材料で構
成し、キャリア増倍層に不純物をドープして、キャリア
増倍層の、特に、ヘテロ接合部近傍のフェルミ準位と真
空エネルギー準位との差をほぼ一定になるようにするこ
とによって、ヘテロ接合部のスパイク及びノッチをなく
し、蓄積動作下でも性能を劣化させることなく、高増倍
率で応答速度のすぐれた、工業的にも有用な、回路既存
半導体基板上へも積層可能な、光電変換装置が実現され
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の光電変換装置の一実施例の
構造を示す概略的断面図である。
構造を示す概略的断面図である。
【００１９】図１において、４０１はＣｒ電極、４０２
は正孔注入を阻止するための厚さ約５００ÅのＮ型ａ−
Ｓｉ1-x Ｇｅx ：Ｈからなる電荷注入阻止層、４０３は
キャリア増倍を行なうためのａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：Ｈ〜
ａ−Ｓｉ1-y Ｃy ：Ｈの組成を変化させて禁制帯幅を変
化させたキャリア増倍層、４０４は光を吸収しキャリア
を発生させるための厚さ約１μｍのａ−Ｓｉ：Ｈからな
る光吸収層、４０５は電子注入を阻止するための厚さ約
１００ÅのＰ型ａ−Ｓｉ1-y'Ｃy'：Ｈからなる電荷注入
阻止層、４０６は酸化インジウムを主体とする透明電極
である。
は正孔注入を阻止するための厚さ約５００ÅのＮ型ａ−
Ｓｉ1-x Ｇｅx ：Ｈからなる電荷注入阻止層、４０３は
キャリア増倍を行なうためのａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：Ｈ〜
ａ−Ｓｉ1-y Ｃy ：Ｈの組成を変化させて禁制帯幅を変
化させたキャリア増倍層、４０４は光を吸収しキャリア
を発生させるための厚さ約１μｍのａ−Ｓｉ：Ｈからな
る光吸収層、４０５は電子注入を阻止するための厚さ約
１００ÅのＰ型ａ−Ｓｉ1-y'Ｃy'：Ｈからなる電荷注入
阻止層、４０６は酸化インジウムを主体とする透明電極
である。
【００２０】Ｃｒ電極４０１はＥＢ蒸着法で、透明電極
４０６はスパッタ法で、電荷注入阻止層４０５、光吸収
層４０４、キャリア増倍層４０３及び電荷注入阻止層４
０２はプラズマＣＶＤ法で作成した。非晶質層作成の際
に用いた原料ガスは、電荷注入阻止層４０２にはＳｉＨ
4 ，ＧｅＨ4 ，ＰＨ3 ，Ｈ2 を、キャリア増倍層４０３
にはＳｉＨ4 ，ＧｅＨ4 ，ＣＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ，Ｈ2 を、
光吸収層４０４にはＳｉＨ4 ，Ｈ2 を、電荷注入阻止層
４０５にはＳｉＨ4 ，ＣＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ，Ｈ2を用い
た。
４０６はスパッタ法で、電荷注入阻止層４０５、光吸収
層４０４、キャリア増倍層４０３及び電荷注入阻止層４
０２はプラズマＣＶＤ法で作成した。非晶質層作成の際
に用いた原料ガスは、電荷注入阻止層４０２にはＳｉＨ
4 ，ＧｅＨ4 ，ＰＨ3 ，Ｈ2 を、キャリア増倍層４０３
にはＳｉＨ4 ，ＧｅＨ4 ，ＣＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ，Ｈ2 を、
光吸収層４０４にはＳｉＨ4 ，Ｈ2 を、電荷注入阻止層
４０５にはＳｉＨ4 ，ＣＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ，Ｈ2を用い
た。
【００２１】キャリア増倍層４０３は原料ガスのうちＣ
Ｈ4 とＧｅＨ4 とＢ2 Ｈ6 のガス流量を連続的に変化さ
せた厚さ２００Åの禁制帯幅及びフェルミ準位変化層４
１１，４１２，４１３，４１４の４層から成り立ってい
る。キャリア増倍層の禁制帯幅変化領域は、まず、Ｓｉ
Ｈ4 ，Ｈ2 ，ＣＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ガスから最大禁制帯幅層
の形成をするところから開始し、このうちのＣＨ4 の流
量を徐々に減らしゼロになった時点からＧｅＨ4 の流量
を徐々に増やすことによって最小禁制帯幅層に至るよう
に作成した。このときまた、Ｂ2 Ｈ6 の流量も最大禁制
帯幅層から徐々に減らし最小禁制帯幅層ではゼロになる
ように変化させた。
Ｈ4 とＧｅＨ4 とＢ2 Ｈ6 のガス流量を連続的に変化さ
せた厚さ２００Åの禁制帯幅及びフェルミ準位変化層４
１１，４１２，４１３，４１４の４層から成り立ってい
る。キャリア増倍層の禁制帯幅変化領域は、まず、Ｓｉ
Ｈ4 ，Ｈ2 ，ＣＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ガスから最大禁制帯幅層
の形成をするところから開始し、このうちのＣＨ4 の流
量を徐々に減らしゼロになった時点からＧｅＨ4 の流量
を徐々に増やすことによって最小禁制帯幅層に至るよう
に作成した。このときまた、Ｂ2 Ｈ6 の流量も最大禁制
帯幅層から徐々に減らし最小禁制帯幅層ではゼロになる
ように変化させた。
【００２２】図１に示した実施例の光電変換装置のエネ
ルギー帯構造を図２及び図３に示す。図２は本光電変換
装置に強電界が印加された場合のエネルギー帯図、図３
は本光電変換装置に弱電界が印加された場合のエネルギ
ー帯図である。
ルギー帯構造を図２及び図３に示す。図２は本光電変換
装置に強電界が印加された場合のエネルギー帯図、図３
は本光電変換装置に弱電界が印加された場合のエネルギ
ー帯図である。
【００２３】図２、図３は、Ｎ型ａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：
Ｈ層５０１の禁制帯幅がＥｇ４、ａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：
Ｈからａ−Ｓｉ1-y Ｃy ：Ｈの組成を変化させた禁制帯
幅変化層５１１，５１２，５１３，５１４の４つの層か
らなるキャリア増倍層の最小禁制帯幅がＥｇ２、最大禁
制帯幅がＥｇ３、ａ−Ｓｉ：Ｈ層５０３の禁制帯幅がＥ
ｇ１、Ｐ型ａ−Ｓｉ1-y'Ｃy'：Ｈ層５０４の禁制帯幅が
Ｅｇ０であることを示している。また、５１５，５１
６，５１７がステップバックヘテロ接合であることを示
している。ここで作成したａ−Ｓｉ：Ｈ層５０３の禁制
帯幅Ｅｇ１は約１．７２ｅＶである。また、ａ−Ｓｉ
1-y'Ｃy'：Ｈ層５０４のＣの組成比ｙ' は約０．２であ
り、その禁制帯幅は約２．２ｅＶである。禁制帯幅変化
層５１１，５１２，５１３，５１４のうちの最大禁制帯
幅を与える層ａ−Ｓｉ1-y Ｃy の組成比ｙは約０．５で
あり、それらの禁制帯幅は、約２．９ｅＶである。ま
た、ａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：Ｈ層５０１と禁制帯幅変化層
５１１，５１２，５１３，５１４のうちの最小禁制帯幅
を与える層ａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：ＨとのＧｅの組成比は
ともに約０．４であり、それらの禁制帯幅Ｅｇ４及びＥ
ｇ２は約１．４ｅＶである。また、禁制帯幅変化層のＢ
濃度は、最大禁制帯幅層のところが最大であり、そこか
ら徐々に減少し、最小禁制帯幅層のところでゼロであ
る。このとき、禁制帯幅変化層５１１，５１２，５１
３，５１４のフェルミ準位は、最大禁制帯幅層で禁制帯
中央から測って下に約０．４ｅＶのところにあり、そこ
から徐々に変化し、最小禁制帯幅層で禁制帯中央のとこ
ろにある。このとき、ステップバックヘテロ接合近傍の
フェルミ準位は真空準位から測って約０．１ｅＶの範囲
でほぼ一定である。
Ｈ層５０１の禁制帯幅がＥｇ４、ａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：
Ｈからａ−Ｓｉ1-y Ｃy ：Ｈの組成を変化させた禁制帯
幅変化層５１１，５１２，５１３，５１４の４つの層か
らなるキャリア増倍層の最小禁制帯幅がＥｇ２、最大禁
制帯幅がＥｇ３、ａ−Ｓｉ：Ｈ層５０３の禁制帯幅がＥ
ｇ１、Ｐ型ａ−Ｓｉ1-y'Ｃy'：Ｈ層５０４の禁制帯幅が
Ｅｇ０であることを示している。また、５１５，５１
６，５１７がステップバックヘテロ接合であることを示
している。ここで作成したａ−Ｓｉ：Ｈ層５０３の禁制
帯幅Ｅｇ１は約１．７２ｅＶである。また、ａ−Ｓｉ
1-y'Ｃy'：Ｈ層５０４のＣの組成比ｙ' は約０．２であ
り、その禁制帯幅は約２．２ｅＶである。禁制帯幅変化
層５１１，５１２，５１３，５１４のうちの最大禁制帯
幅を与える層ａ−Ｓｉ1-y Ｃy の組成比ｙは約０．５で
あり、それらの禁制帯幅は、約２．９ｅＶである。ま
た、ａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：Ｈ層５０１と禁制帯幅変化層
５１１，５１２，５１３，５１４のうちの最小禁制帯幅
を与える層ａ−Ｓｉ1-x Ｇｅx ：ＨとのＧｅの組成比は
ともに約０．４であり、それらの禁制帯幅Ｅｇ４及びＥ
ｇ２は約１．４ｅＶである。また、禁制帯幅変化層のＢ
濃度は、最大禁制帯幅層のところが最大であり、そこか
ら徐々に減少し、最小禁制帯幅層のところでゼロであ
る。このとき、禁制帯幅変化層５１１，５１２，５１
３，５１４のフェルミ準位は、最大禁制帯幅層で禁制帯
中央から測って下に約０．４ｅＶのところにあり、そこ
から徐々に変化し、最小禁制帯幅層で禁制帯中央のとこ
ろにある。このとき、ステップバックヘテロ接合近傍の
フェルミ準位は真空準位から測って約０．１ｅＶの範囲
でほぼ一定である。
【００２４】図２、図３をみてもわかるように、本実施
例においては、強電界下においても、弱電界下において
も、スパイク及びノッチが発生していない。
例においては、強電界下においても、弱電界下において
も、スパイク及びノッチが発生していない。
【００２５】かかる実施例における光電変換装置の増倍
率は、１０Ｖ〜２０Ｖのバイアス印加時にもほとんど変
化が無く、約１０倍であった。また、増倍に伴って発生
した過剰雑音は約１．０５と低かった。また、暗電流は
約１ｎＡ／ｃｍ2 以下と低かった。また、応答速度はキ
ャリア増倍層の無いｐｉｎ型光電変換装置と同等であ
り、高速であった。
率は、１０Ｖ〜２０Ｖのバイアス印加時にもほとんど変
化が無く、約１０倍であった。また、増倍に伴って発生
した過剰雑音は約１．０５と低かった。また、暗電流は
約１ｎＡ／ｃｍ2 以下と低かった。また、応答速度はキ
ャリア増倍層の無いｐｉｎ型光電変換装置と同等であ
り、高速であった。
【００２６】なお、本実施例においては、キャリア増倍
層内の禁制帯幅変化層が４層であったが、これは単なる
一例であり、その層数は幾つでもよく、所望の増倍率に
応じて決めればよい。
層内の禁制帯幅変化層が４層であったが、これは単なる
一例であり、その層数は幾つでもよく、所望の増倍率に
応じて決めればよい。
【００２７】また、本実施例においては、ステップバッ
クヘテロ接合が急俊な接合になっているが、電子の平均
自由行程以内の範囲であれば接合がなだらかになってい
ても、同様の効果が得られる。また、接合がさらになだ
らかであっても、所望の作用をもたらす範囲にあればよ
い。
クヘテロ接合が急俊な接合になっているが、電子の平均
自由行程以内の範囲であれば接合がなだらかになってい
ても、同様の効果が得られる。また、接合がさらになだ
らかであっても、所望の作用をもたらす範囲にあればよ
い。
【００２８】また、本実施例では組成変化層の厚さは約
２００Åであるが、キャリアが再結合せずに走行できる
範囲内の厚さであればよい。ただし、薄い方が印加バイ
アスを低くできるので好ましい。また本実施例では、光
吸収層の厚さが約１μｍとしているが、入射光が光吸収
層を通過してキャリア増倍層まで達しない厚さであれば
よく、この厚さは光吸収係数により決められる。
２００Åであるが、キャリアが再結合せずに走行できる
範囲内の厚さであればよい。ただし、薄い方が印加バイ
アスを低くできるので好ましい。また本実施例では、光
吸収層の厚さが約１μｍとしているが、入射光が光吸収
層を通過してキャリア増倍層まで達しない厚さであれば
よく、この厚さは光吸収係数により決められる。
【００２９】また、本実施例の非晶質層の原料ガスに
は、ＳｉＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＰＨ3 ，ＣＨ4 ，ＧｅＨ4 を
用いたが、ＳｉＨ4 のかわりにＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，
Ｓｉ2Ｆ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，ＳｉＨ3 Ｆ，Ｓｉ2 Ｆ2 等の
鎖状シラン化合物、Ｓｉ4 Ｈ8，Ｓｉ5 Ｈ10，Ｓｉ6 Ｈ
12等の環状シラン化合物等を使うことができ、Ｂ2 Ｈ6
のかわりにＢ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｔｌ等の第III 族原子を含
むガスを使うことができ、ＰＨ3 のかわりにＰ，Ａｓ，
Ｓｂ，Ｂｉ等の第Ｖ族原子を含むガスを使うことがで
き、ＣＨ4 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｈ6 ，Ｃ2 Ｈ4 ，Ｃ2 Ｈ
2 ，Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ，ＳｉＨ（ＣＨ3 ）3 等の炭素化
合物、Ｎ2 ，ＮＨ3 ，Ｈ2 ＮＮＨ2 ，ＨＮ3ＮＨ4 Ｎ
3 ，Ｆ3 Ｎ，Ｆ4 Ｎ等の窒素化合物、Ｏ2 ，ＣＯ2 ，Ｎ
Ｏ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ，Ｏ3 ，Ｎ2 Ｏ3 ，Ｎ2 Ｏ4 ，ＮＯ
3 等の酸素化合物を使うことができ、ＧｅＨ4 のかわり
にＧｅＦ4 等のゲルマニウム化合物、ＳｎＨ4 等のスズ
化合物を使うことができる。さらに、禁制帯幅変化層の
組成比は、局在準位低減のため０〜約０．６の範囲であ
ることが好ましい。また非晶質層の作成にはプラズマＣ
ＶＤ法の他にＥＣＲプラズマ法等も有用である。
は、ＳｉＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＰＨ3 ，ＣＨ4 ，ＧｅＨ4 を
用いたが、ＳｉＨ4 のかわりにＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，
Ｓｉ2Ｆ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，ＳｉＨ3 Ｆ，Ｓｉ2 Ｆ2 等の
鎖状シラン化合物、Ｓｉ4 Ｈ8，Ｓｉ5 Ｈ10，Ｓｉ6 Ｈ
12等の環状シラン化合物等を使うことができ、Ｂ2 Ｈ6
のかわりにＢ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｔｌ等の第III 族原子を含
むガスを使うことができ、ＰＨ3 のかわりにＰ，Ａｓ，
Ｓｂ，Ｂｉ等の第Ｖ族原子を含むガスを使うことがで
き、ＣＨ4 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｈ6 ，Ｃ2 Ｈ4 ，Ｃ2 Ｈ
2 ，Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ，ＳｉＨ（ＣＨ3 ）3 等の炭素化
合物、Ｎ2 ，ＮＨ3 ，Ｈ2 ＮＮＨ2 ，ＨＮ3ＮＨ4 Ｎ
3 ，Ｆ3 Ｎ，Ｆ4 Ｎ等の窒素化合物、Ｏ2 ，ＣＯ2 ，Ｎ
Ｏ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ，Ｏ3 ，Ｎ2 Ｏ3 ，Ｎ2 Ｏ4 ，ＮＯ
3 等の酸素化合物を使うことができ、ＧｅＨ4 のかわり
にＧｅＦ4 等のゲルマニウム化合物、ＳｎＨ4 等のスズ
化合物を使うことができる。さらに、禁制帯幅変化層の
組成比は、局在準位低減のため０〜約０．６の範囲であ
ることが好ましい。また非晶質層の作成にはプラズマＣ
ＶＤ法の他にＥＣＲプラズマ法等も有用である。
【００３０】また、本実施例では半導体層に非晶質層を
用いたが、多結晶等の非単結晶を用いてもよい。
用いたが、多結晶等の非単結晶を用いてもよい。
【００３１】また、本実施例では、電荷注入阻止層のＰ
層側から光を入射し、電子により増倍動作を起こしてい
るが、電荷注入阻止層のＰ層とＮ層を入れ替え、キャリ
ア増倍層の価電子帯側に急俊なステップバックヘテロ接
合が形成されるようにして、電荷注入阻止層のＮ側から
光を入射し、正孔により増倍動作を起こさせてもよい。
層側から光を入射し、電子により増倍動作を起こしてい
るが、電荷注入阻止層のＰ層とＮ層を入れ替え、キャリ
ア増倍層の価電子帯側に急俊なステップバックヘテロ接
合が形成されるようにして、電荷注入阻止層のＮ側から
光を入射し、正孔により増倍動作を起こさせてもよい。
【００３２】また、電荷注入阻止層の禁制帯幅、ドーピ
ング量は、電極からの少数キャリアの注入が抑制でき、
かつ、多数キャリアの走行性が妨げられないように調整
されていればよい。
ング量は、電極からの少数キャリアの注入が抑制でき、
かつ、多数キャリアの走行性が妨げられないように調整
されていればよい。
【００３３】次に、上記実施例に示した光電変換装置
を、本発明者らが既に特開昭６３−２７８２６９号公報
に提案した走査回路、読出し回路上に積層した実施例に
ついて具体的に説明する。
を、本発明者らが既に特開昭６３−２７８２６９号公報
に提案した走査回路、読出し回路上に積層した実施例に
ついて具体的に説明する。
【００３４】図４は、本発明の実施例の受光部付近の概
略的断面図、図５は一画素の等価回路図、図６は本装置
全体の等価回路図及びブロック図である。
略的断面図、図５は一画素の等価回路図、図６は本装置
全体の等価回路図及びブロック図である。
【００３５】図４において、Ｎ型シリコン基板７０１上
にエピタキシャル成長によりコレクタ領域となるＮ- 層
７０２が形成され、その中にＰベース領域７０３、さら
にＮ+ エミッタ領域７０４が形成されバイポーラトラン
ジスタを構成している。Ｐベース領域７０３は隣接画素
と分離されており、また、水平方向に隣接するＰベース
領域との間には酸化膜７０５を挟んでゲート電極７０６
が形成されている。したがって、隣接するＰベース領域
７０３を各々ソース・ドレイン領域としてＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタが構成されている。ゲート電極７０６
はＰベース領域７０３の電位を制御するためのキャパシ
タとしても働いている。さらに、絶縁層７０７を形成し
た後、エミッタ電極７０８、ベース電極７０８' を形成
する。その後、絶縁層７０９を形成し、続いて電極７１
１を形成し、画素ごとに分離する。電極７１１は電極７
０８' と電気的に接続している。続いて、ａ−Ｓｉ1-x
Ｇｅx ：Ｈ〜ａ−Ｓｉl-y Ｃy ：Ｈの禁制帯幅変化層７
２１，７２２，７２３，７２４を形成してキャリア増倍
層７１３を構成する。次に光吸収層ａ−Ｓｉ：Ｈ層７１
４を形成し、Ｐ型ａ−Ｓｉl-y'Ｃy'：Ｈ層７１５を形成
し、バイアスを印加するための透明電極７１６を形成す
る。また、コレクタ電極７１７が基板７０１の裏面にオ
ーミック接続されている。
にエピタキシャル成長によりコレクタ領域となるＮ- 層
７０２が形成され、その中にＰベース領域７０３、さら
にＮ+ エミッタ領域７０４が形成されバイポーラトラン
ジスタを構成している。Ｐベース領域７０３は隣接画素
と分離されており、また、水平方向に隣接するＰベース
領域との間には酸化膜７０５を挟んでゲート電極７０６
が形成されている。したがって、隣接するＰベース領域
７０３を各々ソース・ドレイン領域としてＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタが構成されている。ゲート電極７０６
はＰベース領域７０３の電位を制御するためのキャパシ
タとしても働いている。さらに、絶縁層７０７を形成し
た後、エミッタ電極７０８、ベース電極７０８' を形成
する。その後、絶縁層７０９を形成し、続いて電極７１
１を形成し、画素ごとに分離する。電極７１１は電極７
０８' と電気的に接続している。続いて、ａ−Ｓｉ1-x
Ｇｅx ：Ｈ〜ａ−Ｓｉl-y Ｃy ：Ｈの禁制帯幅変化層７
２１，７２２，７２３，７２４を形成してキャリア増倍
層７１３を構成する。次に光吸収層ａ−Ｓｉ：Ｈ層７１
４を形成し、Ｐ型ａ−Ｓｉl-y'Ｃy'：Ｈ層７１５を形成
し、バイアスを印加するための透明電極７１６を形成す
る。また、コレクタ電極７１７が基板７０１の裏面にオ
ーミック接続されている。
【００３６】したがって、一画素の等価回路は図５のよ
うに、結晶シリコンで構成されるバイポーラトランジス
タ７３１のベースに、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ７
３２とキャパシタ７３３及び前記実施例と同様の光電変
換装置７３４が接続され、ベースに電位を与えるための
端子７３５と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ７３２及
びキャパシタを駆動するための端子７３６と、透明電極
に電位を与えるための電極７３７とエミッタ電極７３
８、コレクタ電極７３９とで表わされる。
うに、結晶シリコンで構成されるバイポーラトランジス
タ７３１のベースに、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ７
３２とキャパシタ７３３及び前記実施例と同様の光電変
換装置７３４が接続され、ベースに電位を与えるための
端子７３５と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ７３２及
びキャパシタを駆動するための端子７３６と、透明電極
に電位を与えるための電極７３７とエミッタ電極７３
８、コレクタ電極７３９とで表わされる。
【００３７】図６は図４、図５で示した一画素セル７４
０を３×３の２次元マトリックスに配置した回路構成図
である。同図において、一画素セル７４０のコレクタ電
極７４１は全画素にそれぞれ設けられ、センサ電極７４
２もそれぞれ設けられている。また、ＰＭＯＳトランジ
スタのゲート電極及びキャパシタ電極は行ごとに駆動配
線７４３，７４３' ，７４３''と接続され、垂直シフト
レジスタ（Ｖ．Ｓ．Ｒ．）７４４と接続されている。ま
たエミッタ電極は、列ごとに、信号読出しのための垂直
配線７４６，７４６' ，７４６''と接続されている。垂
直配線７４６，７４６' ，７４６''はそれぞれ垂直配線
の電荷をリセットするためのスイッチ７４７，７４７'
，７４７''と読出しスイッチ７５０，７５０' ，７５
０''に接続されている。リセットスイッチ７４７，７４
７' ，７４７''のゲート電極は垂直配線リセットパルス
を印加するための端子７４８に共通接続され、また、ソ
ース電極は垂直ラインリセット電圧を印加するための端
子７４９に共通接続されている。読出しスイッチ７５
０，７５０' ，７５０''のゲート電極はそれぞれ配線７
５１，７５１' ，７５１''を介して水平シフトレジスタ
（Ｈ．Ｓ．Ｒ．）７５２に接続されており、またドレイ
ン電極は水平読出し配線７５３を介して出力アンプ７５
７に接続されている。水平読出し配線７５３は水平読出
し配線の電荷をリセットするためのスイッチ７５４に接
続されている。リセットスイッチ７５４は水平配線リセ
ットパルスを印加するための端子７５５と水平配線リセ
ット電圧を印加するための端子７５６に接続される。最
後にアンプ７５７の出力は端子７５８から取り出され
る。
０を３×３の２次元マトリックスに配置した回路構成図
である。同図において、一画素セル７４０のコレクタ電
極７４１は全画素にそれぞれ設けられ、センサ電極７４
２もそれぞれ設けられている。また、ＰＭＯＳトランジ
スタのゲート電極及びキャパシタ電極は行ごとに駆動配
線７４３，７４３' ，７４３''と接続され、垂直シフト
レジスタ（Ｖ．Ｓ．Ｒ．）７４４と接続されている。ま
たエミッタ電極は、列ごとに、信号読出しのための垂直
配線７４６，７４６' ，７４６''と接続されている。垂
直配線７４６，７４６' ，７４６''はそれぞれ垂直配線
の電荷をリセットするためのスイッチ７４７，７４７'
，７４７''と読出しスイッチ７５０，７５０' ，７５
０''に接続されている。リセットスイッチ７４７，７４
７' ，７４７''のゲート電極は垂直配線リセットパルス
を印加するための端子７４８に共通接続され、また、ソ
ース電極は垂直ラインリセット電圧を印加するための端
子７４９に共通接続されている。読出しスイッチ７５
０，７５０' ，７５０''のゲート電極はそれぞれ配線７
５１，７５１' ，７５１''を介して水平シフトレジスタ
（Ｈ．Ｓ．Ｒ．）７５２に接続されており、またドレイ
ン電極は水平読出し配線７５３を介して出力アンプ７５
７に接続されている。水平読出し配線７５３は水平読出
し配線の電荷をリセットするためのスイッチ７５４に接
続されている。リセットスイッチ７５４は水平配線リセ
ットパルスを印加するための端子７５５と水平配線リセ
ット電圧を印加するための端子７５６に接続される。最
後にアンプ７５７の出力は端子７５８から取り出され
る。
【００３８】以下、図４〜図６を用いて動作を簡単に説
明する。図４の光吸収層７１４で入射された光が吸収さ
れ、発生したキャリアが増倍領域７１３で増倍されて、
ベース領域７０３に蓄積される。図６の垂直シフトレジ
スタから出力される駆動パルスが駆動配線７４３に現わ
れると、キャパシタを介してベース電位が上昇し、１行
目の画素から光量に応じた信号電荷が垂直配線７４６，
７４６' ，７４６''にそれぞれ取り出される。次に、水
平シフトレジスタ７５２から走査パルスが配線７５１，
７５１' ，７５１''に順次出力されると、読出しスイッ
チ７５０，７５０' ，７５０''が順にオン、オフ制御さ
れ、信号がアンプ７５７を通じて出力端子７５８に取り
出される。この際、リセットスイッチ７５４は、スイッ
チ７５０，７５０' ，７５０''が順番にオン動作する間
にオン状態となり、水平配線７５３の残留電荷を除去し
ている。次に、垂直ラインリセットスイッチ７４７，７
４７' ，７４７''がオン状態となり、垂直配線７４６，
７４６' ，７４６''の残留電荷が除去される。そして、
垂直シフトレジスタ７４４から駆動配線７４３に負方向
のパルスが印加されると、１行目の各ＰＭＯＳトランジ
スタがオン状態となり、各画素のベース残留電荷が除去
され、初期化される。次に、垂直シフトレジスタ７４４
から出力される駆動パルスが駆動配線７４３' に現れ、
２行目の画素の信号電荷が、同様にとり出される。次
に、３行目の画素の信号取り出しも同様に行なわれる。
以上の動作を繰返すことにより本装置は動作する。
明する。図４の光吸収層７１４で入射された光が吸収さ
れ、発生したキャリアが増倍領域７１３で増倍されて、
ベース領域７０３に蓄積される。図６の垂直シフトレジ
スタから出力される駆動パルスが駆動配線７４３に現わ
れると、キャパシタを介してベース電位が上昇し、１行
目の画素から光量に応じた信号電荷が垂直配線７４６，
７４６' ，７４６''にそれぞれ取り出される。次に、水
平シフトレジスタ７５２から走査パルスが配線７５１，
７５１' ，７５１''に順次出力されると、読出しスイッ
チ７５０，７５０' ，７５０''が順にオン、オフ制御さ
れ、信号がアンプ７５７を通じて出力端子７５８に取り
出される。この際、リセットスイッチ７５４は、スイッ
チ７５０，７５０' ，７５０''が順番にオン動作する間
にオン状態となり、水平配線７５３の残留電荷を除去し
ている。次に、垂直ラインリセットスイッチ７４７，７
４７' ，７４７''がオン状態となり、垂直配線７４６，
７４６' ，７４６''の残留電荷が除去される。そして、
垂直シフトレジスタ７４４から駆動配線７４３に負方向
のパルスが印加されると、１行目の各ＰＭＯＳトランジ
スタがオン状態となり、各画素のベース残留電荷が除去
され、初期化される。次に、垂直シフトレジスタ７４４
から出力される駆動パルスが駆動配線７４３' に現れ、
２行目の画素の信号電荷が、同様にとり出される。次
に、３行目の画素の信号取り出しも同様に行なわれる。
以上の動作を繰返すことにより本装置は動作する。
【００３９】なお、以上説明した実施例では、本発明者
等の発明による回路例を示したが、本装置を一般的に知
られる光電変換装置の回路に適用しても構わない。
等の発明による回路例を示したが、本装置を一般的に知
られる光電変換装置の回路に適用しても構わない。
【００４０】以下、一般的な構成の光電変換装置に、本
発明の光電変換装置を用いた場合について説明する。図
１０は一般的な構成の光電変換装置に本発明を用いた場
合の構成を示すブロック図である。同図において、８０
１は複数の本発明に係わる光電変換部であり、例えば、
実施例１、実施例２に示した本発明の光電変換装置が用
いられる。光電変換部８０１は信号出力部８０５に接続
される。信号出力部８０５において、８０２は光電変換
部８０１より発生した信号電荷の蓄積手段、８０３は前
記蓄積手段８０２を駆動するための走査手段、８０４は
走査手段８０３により転送された信号電荷の増幅・ノイ
ズ補償等を行なう回路等からなる読出し手段である。な
お、蓄積手段８０２は蓄積動作を行なう場合には必要と
なるが、蓄積動作を行なわない場合にはなくてもよい。
発明の光電変換装置を用いた場合について説明する。図
１０は一般的な構成の光電変換装置に本発明を用いた場
合の構成を示すブロック図である。同図において、８０
１は複数の本発明に係わる光電変換部であり、例えば、
実施例１、実施例２に示した本発明の光電変換装置が用
いられる。光電変換部８０１は信号出力部８０５に接続
される。信号出力部８０５において、８０２は光電変換
部８０１より発生した信号電荷の蓄積手段、８０３は前
記蓄積手段８０２を駆動するための走査手段、８０４は
走査手段８０３により転送された信号電荷の増幅・ノイ
ズ補償等を行なう回路等からなる読出し手段である。な
お、蓄積手段８０２は蓄積動作を行なう場合には必要と
なるが、蓄積動作を行なわない場合にはなくてもよい。
【００４１】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、光吸収
層及びキャリア増倍層が非単結晶材料からなり、該キャ
リア増倍層がその禁制帯幅を連続的に変化させた層を複
数層重ねた構造で構成された光電変換装置であって、キ
ャリア増倍層に不純物をドープして、キャリア増倍層
の、特に、ヘテロ接合部近傍のフェルミ準位と真空エネ
ルギー準位との差をほぼ一定になるようにすることによ
って、ヘテロ接合部のスパイク及びノッチをなくし、低
電圧印加時にも、高増倍率で応答速度のすぐれた、工業
的にも有用な、回路既存半導体基板上へも積層可能な、
光電変換装置を実現することができる。
層及びキャリア増倍層が非単結晶材料からなり、該キャ
リア増倍層がその禁制帯幅を連続的に変化させた層を複
数層重ねた構造で構成された光電変換装置であって、キ
ャリア増倍層に不純物をドープして、キャリア増倍層
の、特に、ヘテロ接合部近傍のフェルミ準位と真空エネ
ルギー準位との差をほぼ一定になるようにすることによ
って、ヘテロ接合部のスパイク及びノッチをなくし、低
電圧印加時にも、高増倍率で応答速度のすぐれた、工業
的にも有用な、回路既存半導体基板上へも積層可能な、
光電変換装置を実現することができる。
【図１】本発明の光電変換装置の一実施例を示す概略的
な断面図であるである。
な断面図であるである。
【図２】本光電変換装置に強電界が印加された場合のエ
ネルギー帯図である。
ネルギー帯図である。
【図３】本光電変換装置に弱電界が印加された場合のエ
ネルギー帯図である。
ネルギー帯図である。
【図４】本発明の他の実施例の受光部付近の概略的断面
図である。
図である。
【図５】本発明の他の実施例の一画素等価回路図であ
る。
る。
【図６】本発明の他の実施例の装置全体の等価回路図及
びブロック図である。
びブロック図である。
【図７】本発明の光電変換装置の実施態様例の構造を示
す概略的断面構造図である。
す概略的断面構造図である。
【図８】本発明の光電変換装置の実施態様例の高電界印
加動作時の模式的なエネルギー帯図である。
加動作時の模式的なエネルギー帯図である。
【図９】本発明の光電変換装置の実施態様例の低電界印
加動作時の模式的なエネルギー帯図である。
加動作時の模式的なエネルギー帯図である。
【図１０】一般的な構成の光電変換装置に本発明を用い
た場合の構成を示すブロック図である。
た場合の構成を示すブロック図である。
【図１１】従来のＡＰＤの断面構造図である。
【図１２】従来のＡＰＤに強電界を印加し動作状態にし
たときのエネルギー帯構造図であるである。
たときのエネルギー帯構造図であるである。
【図１３】従来のＡＰＤにおいて蓄積動作を行った場合
の、キャリア増倍層のステップバックヘテロ接合部分の
エネルギー帯構造図である。
の、キャリア増倍層のステップバックヘテロ接合部分の
エネルギー帯構造図である。
３１０ 光吸収層 ３０１，３０３，３０５，３０７，３０９ 禁制帯幅傾
斜層 ３１１ Ｐ型半導体層 ３１３ 電極 ３１４ 電極 ３１５ Ｎ型半導体層 ４０１ Ｃｒ電極 ４０２ 電荷注入阻止層 ４０３ キャリア増倍層 ４０４ 光吸収層 ４０５ 電荷注入阻止層 ４０６ 透明電極
斜層 ３１１ Ｐ型半導体層 ３１３ 電極 ３１４ 電極 ３１５ Ｎ型半導体層 ４０１ Ｃｒ電極 ４０２ 電荷注入阻止層 ４０３ キャリア増倍層 ４０４ 光吸収層 ４０５ 電荷注入阻止層 ４０６ 透明電極
Claims (4)
- 【請求項１】 光吸収層及びキャリア増倍層が非単結晶
材料からなり、前記キャリア増倍層がその禁制帯幅を連
続的に変化させた複数の層からなる光電変換装置であっ
て、前記キャリア増倍層のヘテロ接合部近傍のフェルミ
準位と真空エネルギー準位との差をほぼ一定とした光電
変換装置。 - 【請求項２】 前記非単結晶材料に少なくともシリコン
原子が含まれていることを特徴とする請求項１に記載の
光電変換装置。 - 【請求項３】 前記キャリア増倍層のフェルミ準位は不
純物がドープされることにより真空準位との差をほぼ一
定に保つことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装
置。 - 【請求項４】 前記光電変換装置が複数個備えられ、か
つ、該光電変換装置に電気的に接続される信号出力部
が、該光電変換装置より発生した電気的信号を蓄積する
蓄積手段、前記電気的信号を走査するための走査手段、
前記電気的信号を読み出すための読出し手段のうち、少
なくとも１つを備えていることを特徴とする請求項１に
記載の光電変換装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158889A JPH05335615A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 光電変換装置 |
| AT93108415T ATE187278T1 (de) | 1992-05-27 | 1993-05-25 | Photoelektrischer umwandlungsanordnung |
| EP93108415A EP0571944B1 (en) | 1992-05-27 | 1993-05-25 | Photoelectric conversion device |
| DE69327130T DE69327130T2 (de) | 1992-05-27 | 1993-05-25 | Photoelektrischer Umwandlungsanordnung |
| US08/867,924 US5869851A (en) | 1992-05-27 | 1997-06-03 | Photoelectric conversion device with graded band gap and carrier concentration |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158889A JPH05335615A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335615A true JPH05335615A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15681599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4158889A Pending JPH05335615A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 光電変換装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5869851A (ja) |
| EP (1) | EP0571944B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05335615A (ja) |
| AT (1) | ATE187278T1 (ja) |
| DE (1) | DE69327130T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009290215A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 光検出分子を利用したイメージセンサ及びその駆動方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1020900B1 (en) * | 1999-01-14 | 2009-08-05 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP2001135851A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Minolta Co Ltd | 光電変換素子および固体撮像装置 |
| US6369426B2 (en) * | 2000-04-27 | 2002-04-09 | Infineon Technologies North America Corp. | Transistor with integrated photodetector for conductivity modulation |
| US6696710B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-02-24 | Agilent Technologies, Inc. | Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction |
| US7453129B2 (en) | 2002-12-18 | 2008-11-18 | Noble Peak Vision Corp. | Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry |
| KR100604865B1 (ko) * | 2004-06-08 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 신호 대 잡음비가 향상된 ａｐｓ 셀 |
| KR101428147B1 (ko) * | 2011-12-18 | 2014-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
| WO2015027416A1 (zh) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 华为技术有限公司 | 雪崩光电二极管 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4476477A (en) * | 1982-02-23 | 1984-10-09 | At&T Bell Laboratories | Graded bandgap multilayer avalanche photodetector with energy step backs |
| JPH0760888B2 (ja) * | 1985-06-12 | 1995-06-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH0654957B2 (ja) * | 1985-11-13 | 1994-07-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH0644619B2 (ja) * | 1986-07-17 | 1994-06-08 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US4866293A (en) * | 1986-12-09 | 1989-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus to prevent the outflow of excess carriers |
| EP0277016B1 (en) * | 1987-01-29 | 1998-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
| JPH0234977A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出器及びその製造法 |
| JP2838906B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1998-12-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| EP0444963B1 (en) * | 1990-03-02 | 1997-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric transfer device |
| US5260560A (en) * | 1990-03-02 | 1993-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric transfer device |
| US5162885A (en) * | 1990-09-07 | 1992-11-10 | Georgia Tech Research Corporation | Acoustic charge transport imager |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP4158889A patent/JPH05335615A/ja active Pending
-
1993
- 1993-05-25 EP EP93108415A patent/EP0571944B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-25 DE DE69327130T patent/DE69327130T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-05-25 AT AT93108415T patent/ATE187278T1/de active
-
1997
- 1997-06-03 US US08/867,924 patent/US5869851A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009290215A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 光検出分子を利用したイメージセンサ及びその駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69327130T2 (de) | 2000-06-21 |
| US5869851A (en) | 1999-02-09 |
| ATE187278T1 (de) | 1999-12-15 |
| EP0571944A1 (en) | 1993-12-01 |
| DE69327130D1 (de) | 2000-01-05 |
| EP0571944B1 (en) | 1999-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |