JPH05335539A - 画像読取りデバイスおよび画像読取り装置 - Google Patents
画像読取りデバイスおよび画像読取り装置Info
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- JPH05335539A JPH05335539A JP4142902A JP14290292A JPH05335539A JP H05335539 A JPH05335539 A JP H05335539A JP 4142902 A JP4142902 A JP 4142902A JP 14290292 A JP14290292 A JP 14290292A JP H05335539 A JPH05335539 A JP H05335539A
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- Japan
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- photodiode
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】本発明は、薄型、小形にでき、軽量でかつ振動
に強い密着型エリアセンサとし得る画像読取りデバイス
および画像読取り装置を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、透明ガラス基板２６の一面に、該基
板２６面側を受光面とするａ−Ｓｉフォトダイオード１
１と該ａ−Ｓｉフォトダイオード１１のカソード側に接
続したスイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジスタ１２を
マトリクス状に配列してマトリクス読取り部を設け、前
記各ａ−Ｓｉフォトダイオード１１の受光面領域外に対
応する前記透明ガラス基板２６の一面または他面を遮光
マスク２５で覆って構成する。
に強い密着型エリアセンサとし得る画像読取りデバイス
および画像読取り装置を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、透明ガラス基板２６の一面に、該基
板２６面側を受光面とするａ−Ｓｉフォトダイオード１
１と該ａ−Ｓｉフォトダイオード１１のカソード側に接
続したスイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジスタ１２を
マトリクス状に配列してマトリクス読取り部を設け、前
記各ａ−Ｓｉフォトダイオード１１の受光面領域外に対
応する前記透明ガラス基板２６の一面または他面を遮光
マスク２５で覆って構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電変換素子とスイッチ
ング用の薄膜トランジスタをマトリクス状に配列した画
像読取りデバイスおよび画像読取り装置に関するもので
ある。
ング用の薄膜トランジスタをマトリクス状に配列した画
像読取りデバイスおよび画像読取り装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、ビデオカメラ用のＣＣＤ等の光電
変換素子を用いた画像読取りエリアセンサは、受光面が
小さいため光学系を用いて結像縮尺をしなければなら
ず、小形化、薄型化が困難であった。
変換素子を用いた画像読取りエリアセンサは、受光面が
小さいため光学系を用いて結像縮尺をしなければなら
ず、小形化、薄型化が困難であった。
【０００３】また、ファクシミリ用の密着型ラインセン
サは、ロッドレンズ・アレーを有し、光源を横から当て
るため薄型にはならず、さらに、一方向に機械的走査を
しなければならず薄型、小形化は不可能であると共に重
くかつ振動に弱いものであった。
サは、ロッドレンズ・アレーを有し、光源を横から当て
るため薄型にはならず、さらに、一方向に機械的走査を
しなければならず薄型、小形化は不可能であると共に重
くかつ振動に弱いものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
エリアセンサおよびラインセンサは、薄型、小形化が困
難であり、重くかつ振動に弱いものであった。
エリアセンサおよびラインセンサは、薄型、小形化が困
難であり、重くかつ振動に弱いものであった。
【０００５】本発明は上記の実情に鑑みてなされたもの
で、薄型、小形にでき、軽量でかつ振動に強い密着型エ
リアセンサとし得る画像読取りデバイスおよび画像読取
り装置を提供することを目的とする。
で、薄型、小形にでき、軽量でかつ振動に強い密着型エ
リアセンサとし得る画像読取りデバイスおよび画像読取
り装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、透明ガラス基板の一面に、該基板面側を受
光面とする光電変換素子と該光電変換素子のカソード側
に接続されたスイッチング用の薄膜トランジスタをマト
リクス状に配列してマトリクス読取り部を設け、前記各
光電変換素子の受光面領域外に対応する前記透明ガラス
基板の一面または他面を遮光マスクで覆ったことを特徴
とする画像読取りデバイスであり、また、この画像読取
りデバイスにおいて、各光電変換素子は、中央部が開口
された枠状に形成されていることを特徴とするものであ
り、さらに、前記画像読取りデバイスのマトリクス読取
り部形成面側に面状発光体を配置したことを特徴とする
画像読取り装置である。
するために、透明ガラス基板の一面に、該基板面側を受
光面とする光電変換素子と該光電変換素子のカソード側
に接続されたスイッチング用の薄膜トランジスタをマト
リクス状に配列してマトリクス読取り部を設け、前記各
光電変換素子の受光面領域外に対応する前記透明ガラス
基板の一面または他面を遮光マスクで覆ったことを特徴
とする画像読取りデバイスであり、また、この画像読取
りデバイスにおいて、各光電変換素子は、中央部が開口
された枠状に形成されていることを特徴とするものであ
り、さらに、前記画像読取りデバイスのマトリクス読取
り部形成面側に面状発光体を配置したことを特徴とする
画像読取り装置である。
【０００７】
【作用】本発明は、マトリクス状に配列された光電変換
素子およびスイッチング素子を薄膜トランジスタで形成
することにより、薄型、小形にでき、軽量でかつ振動に
強くすることができる。また、各光電変換素子の受光面
領域外を遮光マスクで覆うこにより、密着型エリアセン
サを構成することができる。
素子およびスイッチング素子を薄膜トランジスタで形成
することにより、薄型、小形にでき、軽量でかつ振動に
強くすることができる。また、各光電変換素子の受光面
領域外を遮光マスクで覆うこにより、密着型エリアセン
サを構成することができる。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例を示す構成説明図
である。即ち、画像表示装置等からインターフェース１
を介して画像読取り指令信号が制御部２に入力される
と、制御部２は水平走査部７，垂直走査部８およびＬＥ
Ｄドライバ３にそれぞれ指令信号を出力する。ＬＥＤド
ライバ３は制御部２から入力された指令信号に基づいて
ＬＥＤアレイ４の必要な部分を発光させ、このＬＥＤア
レイ４からの光はイメージセンサ部５を通して原稿６を
照明する。また、前記水平走査部７，垂直走査部８は制
御部２から入力された指令信号に基づいてイメージセン
サ部５を走査し、このイメージセンサ部５の１ライン走
査により原稿６を読取り、その読取り信号をビデオ増幅
器９に出力する。このビデオ増幅器９はイメージセンサ
部５から入力された読取り信号を増幅してＡ／Ｄ変換部
１０に出力し、このＡ／Ｄ変換部１０はビデオ増幅器９
から入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換し、
インターフェース１を介して画像表示装置等に出力す
る。イメージセンサ部５の１ラインずつの走査により原
稿６の読取りを繰り返して数ラインを走査したら、制御
部２からＬＥＤドライバ３に指令信号を出してＬＥＤア
レイ４の発光部分を切換え常に原稿６の読取り面が一定
の照度になるようにする。このようにして、原稿６の全
エリアを走査して原稿６の読取りを完了する。尚、水平
走査部７，垂直走査部８以外のビデオ増幅器９およびＡ
／Ｄ変換部１０等も薄膜トランジスタで形成することが
できる。
である。即ち、画像表示装置等からインターフェース１
を介して画像読取り指令信号が制御部２に入力される
と、制御部２は水平走査部７，垂直走査部８およびＬＥ
Ｄドライバ３にそれぞれ指令信号を出力する。ＬＥＤド
ライバ３は制御部２から入力された指令信号に基づいて
ＬＥＤアレイ４の必要な部分を発光させ、このＬＥＤア
レイ４からの光はイメージセンサ部５を通して原稿６を
照明する。また、前記水平走査部７，垂直走査部８は制
御部２から入力された指令信号に基づいてイメージセン
サ部５を走査し、このイメージセンサ部５の１ライン走
査により原稿６を読取り、その読取り信号をビデオ増幅
器９に出力する。このビデオ増幅器９はイメージセンサ
部５から入力された読取り信号を増幅してＡ／Ｄ変換部
１０に出力し、このＡ／Ｄ変換部１０はビデオ増幅器９
から入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換し、
インターフェース１を介して画像表示装置等に出力す
る。イメージセンサ部５の１ラインずつの走査により原
稿６の読取りを繰り返して数ラインを走査したら、制御
部２からＬＥＤドライバ３に指令信号を出してＬＥＤア
レイ４の発光部分を切換え常に原稿６の読取り面が一定
の照度になるようにする。このようにして、原稿６の全
エリアを走査して原稿６の読取りを完了する。尚、水平
走査部７，垂直走査部８以外のビデオ増幅器９およびＡ
／Ｄ変換部１０等も薄膜トランジスタで形成することが
できる。
【００１０】図２は前記イメージセンサ部５の一例を示
す回路図である。即ち、複数個の垂直スイッチング用の
薄膜ＭＯＳトランジスタ１２はマトリクス状に配列され
るように垂直方向のソース電極１７が共通に接続される
と共に水平方向のゲート電極１８が共通に接続される。
前記各ＭＯＳトランジスタ１２のドレイン電極にはそれ
ぞれ光電変換素子例えばａ−Ｓｉフォトダイオード１１
のカソード電極が接続され、このａ−Ｓｉフォトダイオ
ード１１のアノード電極は接地される。前記各ゲート電
極１８はそれぞれ対応して垂直走査部８の垂直シフトレ
ジスタ１６に接続される。前記各ソース電極１７はそれ
ぞれ対応して水平スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジ
スタ１３のドレイン電極に接続され、このＭＯＳトラン
ジスタ１３はゲート電極がそれぞれ対応して水平走査部
７の水平シフトレジスタ１５に接続され、ソース電極が
ビデオ増幅器９の入力端子に接続されると共に抵抗１４
を介してフォトダイオードプリチャージ用電源２０に接
続される。
す回路図である。即ち、複数個の垂直スイッチング用の
薄膜ＭＯＳトランジスタ１２はマトリクス状に配列され
るように垂直方向のソース電極１７が共通に接続される
と共に水平方向のゲート電極１８が共通に接続される。
前記各ＭＯＳトランジスタ１２のドレイン電極にはそれ
ぞれ光電変換素子例えばａ−Ｓｉフォトダイオード１１
のカソード電極が接続され、このａ−Ｓｉフォトダイオ
ード１１のアノード電極は接地される。前記各ゲート電
極１８はそれぞれ対応して垂直走査部８の垂直シフトレ
ジスタ１６に接続される。前記各ソース電極１７はそれ
ぞれ対応して水平スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジ
スタ１３のドレイン電極に接続され、このＭＯＳトラン
ジスタ１３はゲート電極がそれぞれ対応して水平走査部
７の水平シフトレジスタ１５に接続され、ソース電極が
ビデオ増幅器９の入力端子に接続されると共に抵抗１４
を介してフォトダイオードプリチャージ用電源２０に接
続される。
【００１１】即ち、垂直シフトレジスタ１６からゲート
電極１８にゲート信号が供給されると、垂直スイッチン
グ用の薄膜ＭＯＳトランジスタ１２がオンしてａ−Ｓｉ
フォトダイオード１１のカソード電極とソース電極１７
が導通する。この状態において、水平シフトレジスタ１
５から順次ＭＯＳトランジスタ１３のゲート電極にゲー
ト信号が供給されると、水平スイッチング用のＭＯＳト
ランジスタ１３が順次オンして、ａ−Ｓｉフォトダイオ
ード１１に光電変換により発生した１画素づつのデータ
がビデオ増幅器９に入力される。尚、垂直シフトレジス
タ１６および水平シフトレジスタ１５はイメージセンサ
部５と一体に構成しなくてもよい。
電極１８にゲート信号が供給されると、垂直スイッチン
グ用の薄膜ＭＯＳトランジスタ１２がオンしてａ−Ｓｉ
フォトダイオード１１のカソード電極とソース電極１７
が導通する。この状態において、水平シフトレジスタ１
５から順次ＭＯＳトランジスタ１３のゲート電極にゲー
ト信号が供給されると、水平スイッチング用のＭＯＳト
ランジスタ１３が順次オンして、ａ−Ｓｉフォトダイオ
ード１１に光電変換により発生した１画素づつのデータ
がビデオ増幅器９に入力される。尚、垂直シフトレジス
タ１６および水平シフトレジスタ１５はイメージセンサ
部５と一体に構成しなくてもよい。
【００１２】図３は前記イメージセンサ部５の１画素の
一例をガラス基板側から見た平面図であり、図４は図３
のＡ−Ａ′断面図である。即ち、図３に示すように、ソ
ース電極１７とゲート電極１８に囲まれた所には、垂直
スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジスタ１２およびａ
−Ｓｉフォトダイオード１１が形成されると共に中央部
に透光窓部２１が設けられる。この透光窓部２１はＬＥ
Ｄアレイ４で発光した光を通して原稿６を照明するため
のものである。この透光窓部２１の周縁部にはａ−Ｓｉ
フォトダイオード１１のアノード電極２２が透明電極で
形成され、このアノード電極２２はアノード電極２２の
回りを囲む金属の共通電極２３に接続されて接地され
る。２４はａ−Ｓｉフォトダイオード１１のカソード電
極および垂直スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジスタ
１２のドレイン電極である。尚、実際には斜線で示した
ように前記透光窓部２１および透明電極よりなるアノー
ド電極２２以外はガラス基板の表面に遮光マスク２５が
形成されている。また、ａ−Ｓｉフォトダイオード１１
はカソード電極２４で覆われている。
一例をガラス基板側から見た平面図であり、図４は図３
のＡ−Ａ′断面図である。即ち、図３に示すように、ソ
ース電極１７とゲート電極１８に囲まれた所には、垂直
スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジスタ１２およびａ
−Ｓｉフォトダイオード１１が形成されると共に中央部
に透光窓部２１が設けられる。この透光窓部２１はＬＥ
Ｄアレイ４で発光した光を通して原稿６を照明するため
のものである。この透光窓部２１の周縁部にはａ−Ｓｉ
フォトダイオード１１のアノード電極２２が透明電極で
形成され、このアノード電極２２はアノード電極２２の
回りを囲む金属の共通電極２３に接続されて接地され
る。２４はａ−Ｓｉフォトダイオード１１のカソード電
極および垂直スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジスタ
１２のドレイン電極である。尚、実際には斜線で示した
ように前記透光窓部２１および透明電極よりなるアノー
ド電極２２以外はガラス基板の表面に遮光マスク２５が
形成されている。また、ａ−Ｓｉフォトダイオード１１
はカソード電極２４で覆われている。
【００１３】前記垂直スイッチング用の薄膜ＭＯＳトラ
ンジスタ１２およびａ−Ｓｉフォトダイオード１１は、
図４に示すように、ガラス基板２６上に蒸着スパッタ、
プラズマＣＶＤ、エッチングによって薄膜積層されて構
成される。即ち、ガラス基板２６の裏面上には垂直スイ
ッチング用の薄膜ＭＯＳトランジスタ１２のゲート電極
１８およびａ−Ｓｉフォトダイオード１１の共通電極２
３が形成され、前記ゲート電極１８およびガラス基板２
６上には窒化シリコン２７、ａ−Ｓｉチャネル２８、窒
化シリコン２９およびｎ+ ａ−Ｓｉ３０が順次積層して
形成される。このｎ+ ａ−Ｓｉ３０の上には金属よりな
るＭＯＳトランジスタ１２のソース電極１７およびドレ
イン電極２４１が積層して形成される。前記共通電極２
３およびガラス基板２６上には透明電極よりなるアノー
ド電極２２、ｐ+ ａ−Ｓｉ３５、ｉａ−Ｓｉ３１および
ｎ+ ａ−Ｓｉ３２が順次積層して形成される。このｎ+
ａ−Ｓｉ３２上には金属よりなるａ−Ｓｉフォトダイオ
ード１１のカソード電極２４２が前記ドレイン電極２４
１と接続して形成される。このカソード電極２４２、、
前記ドレイン電極２４１およびソース電極１７の上には
窒化シリコン３３が積層して形成され、この窒化シリコ
ン３３の上には遮光マスク３４が積層して形成される。
前記ガラス基板の表面には前記透光窓部２１および透明
電極よりなるアノード電極２２以外の部分に対応して表
面に遮光マスク２５が形成されている。尚、遮光マスク
２５はガラス基板２６裏面の素子形成側に設けてもよ
い。又、ガラス基板上に下地層を形成した後、各素子を
形成するようにしてもよい。
ンジスタ１２およびａ−Ｓｉフォトダイオード１１は、
図４に示すように、ガラス基板２６上に蒸着スパッタ、
プラズマＣＶＤ、エッチングによって薄膜積層されて構
成される。即ち、ガラス基板２６の裏面上には垂直スイ
ッチング用の薄膜ＭＯＳトランジスタ１２のゲート電極
１８およびａ−Ｓｉフォトダイオード１１の共通電極２
３が形成され、前記ゲート電極１８およびガラス基板２
６上には窒化シリコン２７、ａ−Ｓｉチャネル２８、窒
化シリコン２９およびｎ+ ａ−Ｓｉ３０が順次積層して
形成される。このｎ+ ａ−Ｓｉ３０の上には金属よりな
るＭＯＳトランジスタ１２のソース電極１７およびドレ
イン電極２４１が積層して形成される。前記共通電極２
３およびガラス基板２６上には透明電極よりなるアノー
ド電極２２、ｐ+ ａ−Ｓｉ３５、ｉａ−Ｓｉ３１および
ｎ+ ａ−Ｓｉ３２が順次積層して形成される。このｎ+
ａ−Ｓｉ３２上には金属よりなるａ−Ｓｉフォトダイオ
ード１１のカソード電極２４２が前記ドレイン電極２４
１と接続して形成される。このカソード電極２４２、、
前記ドレイン電極２４１およびソース電極１７の上には
窒化シリコン３３が積層して形成され、この窒化シリコ
ン３３の上には遮光マスク３４が積層して形成される。
前記ガラス基板の表面には前記透光窓部２１および透明
電極よりなるアノード電極２２以外の部分に対応して表
面に遮光マスク２５が形成されている。尚、遮光マスク
２５はガラス基板２６裏面の素子形成側に設けてもよ
い。又、ガラス基板上に下地層を形成した後、各素子を
形成するようにしてもよい。
【００１４】図５はＬＥＤアレイ４およびイメージセン
サ部５を示す構成図であり、全高は数ｍｍである。即
ち、ＬＥＤ基板４１下面にはチップＬＥＤ４２がマトリ
クス状に配置され、水平走査ライン毎に点灯できるよう
になっている。前記チップＬＥＤ４２の下側には光拡散
板４３が設けられ、この光拡散板４３によりチップＬＥ
Ｄ４２からの光が拡散されてイメージセンサ部５の透光
窓部２１を通して原稿６が均一に照明される。前記光拡
散板４３の下側には薄膜ＭＯＳトランジスタ１２、ａ−
Ｓｉフォトダイオード１１、ガラス基板２６および遮光
マスク２５等よりなるイメージセンサ部５が設けられ、
このイメージセンサ部５で原稿６よりの反射光を受けて
読取りデータを出力する。
サ部５を示す構成図であり、全高は数ｍｍである。即
ち、ＬＥＤ基板４１下面にはチップＬＥＤ４２がマトリ
クス状に配置され、水平走査ライン毎に点灯できるよう
になっている。前記チップＬＥＤ４２の下側には光拡散
板４３が設けられ、この光拡散板４３によりチップＬＥ
Ｄ４２からの光が拡散されてイメージセンサ部５の透光
窓部２１を通して原稿６が均一に照明される。前記光拡
散板４３の下側には薄膜ＭＯＳトランジスタ１２、ａ−
Ｓｉフォトダイオード１１、ガラス基板２６および遮光
マスク２５等よりなるイメージセンサ部５が設けられ、
このイメージセンサ部５で原稿６よりの反射光を受けて
読取りデータを出力する。
【００１５】図６は本発明の応用例を示す分解斜視図で
ある。即ち、ケース５１内にＬＥＤ基板４１、光拡散板
４３、イメージセンサ部５および配線基板５２、液晶表
示パネル５３を収納して、イメージセンサ部５で読取っ
た画素データを液晶表示パネル５３に表示するようにし
てもよい。
ある。即ち、ケース５１内にＬＥＤ基板４１、光拡散板
４３、イメージセンサ部５および配線基板５２、液晶表
示パネル５３を収納して、イメージセンサ部５で読取っ
た画素データを液晶表示パネル５３に表示するようにし
てもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、マト
リクス状に配列された光電変換素子およびスイッチング
素子を薄膜トランジスタで形成することにより、薄型、
小形にでき、軽量でかつ振動に強くすることができる。
また、各光電変換素子の受光面領域外を遮光マスクで覆
うこにより、密着型エリアセンサを構成することができ
る。
リクス状に配列された光電変換素子およびスイッチング
素子を薄膜トランジスタで形成することにより、薄型、
小形にでき、軽量でかつ振動に強くすることができる。
また、各光電変換素子の受光面領域外を遮光マスクで覆
うこにより、密着型エリアセンサを構成することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す構成説明図である。
【図２】本発明に係るイメージセンサ部の一例を示す回
路図である。
路図である。
【図３】本発明に係るイメージセンサ部の１画素の一例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ′断面図である。
【図５】本発明に係るＬＥＤアレイおよびイメージセン
サ部の一例を示す構成図である。
サ部の一例を示す構成図である。
【図６】本発明の応用例を示す分解斜視図である。
１…インターフェース、２…制御部、３…ＬＥＤドライ
バ、４…ＬＥＤアレイ、５…イメージセンサ部、６…原
稿、７…水平走査部、８…垂直走査部、９…ビデオ増幅
器、１０…Ａ／Ｄ変換部、１１…ａ−Ｓｉフォトダイオ
ード、１２…垂直スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジ
スタ、１３…水平スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジ
スタ、１５…水平シフトレジスタ、１６…垂直シフトレ
ジスタ、１７…ソース電極、１８…ゲート電極、２５…
遮光マスク、２６…ガラス基板。
バ、４…ＬＥＤアレイ、５…イメージセンサ部、６…原
稿、７…水平走査部、８…垂直走査部、９…ビデオ増幅
器、１０…Ａ／Ｄ変換部、１１…ａ−Ｓｉフォトダイオ
ード、１２…垂直スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジ
スタ、１３…水平スイッチング用の薄膜ＭＯＳトランジ
スタ、１５…水平シフトレジスタ、１６…垂直シフトレ
ジスタ、１７…ソース電極、１８…ゲート電極、２５…
遮光マスク、２６…ガラス基板。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明ガラス基板の一面に、該基板面側を
受光面とする光電変換素子と該光電変換素子のカソード
側に接続されたスイッチング用の薄膜トランジスタをマ
トリクス状に配列してマトリクス読取り部を設け、前記
各光電変換素子の受光面領域外に対応する前記透明ガラ
ス基板の一面または他面を遮光マスクで覆ったことを特
徴とする画像読取りデバイス。 - 【請求項２】 各光電変換素子は、中央部が開口された
枠状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の
画像読取りデバイス。 - 【請求項３】 画像読取りデバイスのマトリクス読取り
部形成面側に面状発光体を配置したことを特徴とする請
求項１記載の画像読取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4142902A JPH05335539A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 画像読取りデバイスおよび画像読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4142902A JPH05335539A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 画像読取りデバイスおよび画像読取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335539A true JPH05335539A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15326267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4142902A Pending JPH05335539A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 画像読取りデバイスおよび画像読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335539A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012338A1 (fr) * | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Rohm Co., Ltd. | Substrat pour capteur d'images et capteur d'images comprenant un tel substrat |
| US6507010B1 (en) | 1999-05-11 | 2003-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact area sensor |
| JP2007141899A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Nec Lcd Technologies Ltd | 受光回路 |
| JP2014063171A (ja) * | 2013-10-21 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP4142902A patent/JPH05335539A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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