JPH0794697A - ２次元イメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型化、薄膜化が可能な２次元イメ−ジセン
サを提供する。 【構成】 センサ本体部１は、ガラス基板１８の表面側
にフォトダイオ−ドＰＤ、薄膜トランジスタ（図示せ
ず）等が配されてなるもので、ガラス基板１８の２つの
側端面には、柱状の実装基板１１の長手軸方向（図３に
おいて紙面表裏方向）に複数のＬＥＤ１２を配すると共
に、その周囲に光拡散部１４を設けてなる光源ユニット
８が取り付けられており、ガラス基板１８の側端面から
光が導入されるようになっている。ガラス基板１８の裏
面側には光拡散反射板１０が設けられており、ガラス基
板１８内に導入された光は、ガラス基板１８の表面へ抜
け、このガラス基板１８上に設けられた光照射窓（図示
せず）を介して原稿１５へ入射することとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、２次元イメ−ジセンサ
に係り、特に、原稿に密着させて画像読取りを行ういわ
ゆる密着型の２次元イメ−ジセンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の２次元イメ−ジセンサと
しては、例えば、特開昭６４−６２９８０号公報に示さ
れたように、受光素子とこの受光素子に直列接続された
スイッチング素子とを一画素用の素子として、これを行
列方向に複数配置し、各行毎に列方向に各受光素子から
の画像信号を順に読み出すようにしたものが公知・周知
となっている。かかる２次元イメ−ジセンサにおいて、
原稿への照射は、２次元イメ−ジセンサ基板の裏面側に
設けた光源を用いて行われるようになっている。すなわ
ち、例えば２次元イメ−ジセンサ基板裏面側にアクリル
板等からなる導光板を設けると共に、この導光板のエッ
ジに液晶ディスプレイ用の冷陰極管又は熱陰極管を設
け、さらに、導光板の裏面側に反射板を、表面側（２次
元イメ−ジセンサ基板の裏面側）に光拡散板を、それぞ
れ設ける（例えば、特開平４−１４０７８３号公報等参
照）。

【０００３】そして、かかる構成において、冷陰極管又
は熱陰極管から出射されて、導光板のエッジから反射板
へ入射した光は、ここで反射されて導光板の表面へ導か
れ、光拡散板へ透過させることによって、２次元イメ−
ジセンサ基板全体へ光が拡散照射されるようにし、この
拡散光を２次元イメ−ジセンサ基板の各画素毎に穿設さ
れた照射用窓を通して２次元イメ−ジセンサの表面に配
置された原稿に照射するようにしてある。また、２次元
イメ−ジセンサ基板の裏面に、複数のＬＥＤを同一面内
に一定間隔をおいて配置すると共に、その出射光側に光
拡散板を設けてなる面光源ユニットを配し、この面光源
ユニットから出射された光を２次元イメ−ジセンサ基板
に穿設された照射用窓を通して２次元イメ−ジセンサの
表面に配置された原稿に照射するようにしたものもあ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
従来例においては、導光板を２次元イメ−ジセンサ基板
に接合する構造であるために、装置全体の厚み方向（２
次元イメ−ジセンサ基板及び導光板の厚み方向）での寸
法が大きくなり、近年の小型、薄型化の要請に対応でき
ないばかりか、陰極管を用いた場合には、陰極管の高周
波駆動及び高圧駆動に起因する電磁波ノイズがイメ−ジ
センサの動作に影響を及ぼすという問題があった。ま
た、後者の従来例にあっては、前者の従来例における問
題に加え、ＬＥＤが面光源を構成していることにより、
光量分布を均一にしようとすると、ＬＥＤと光拡散板と
の間に一定の距離を確保しなければならず、そのため、
この場合にも装置全体としての容量が大きくなってしま
い、小型化に不向きであるという問題があった。

【０００５】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
で、小型化、薄膜化が可能な２次元イメ−ジセンサを提
供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る２次元イメ−ジセンサは、透光性基板の一方の面上に
複数の受光素子と、この複数の受光素子のそれぞれに接
続された複数のスイッチング素子とを、２次元に配設し
てなるセンサ本体部を有する２次元イメ−ジセンサにお
いて、前記透光性基板の少なくとも１つの側端面に沿っ
て光源ユニットを配する一方、前記透光性基板の他方の
面上に前記一方の面側に反射面を有する光拡散反射材を
形成すると共に、前記透光性基板の一方の面上には前記
光拡散反射材により反射され前記透光性基板の一方の面
側へ進行してきた光を通過させる光照射窓を設けてなる
ものである。特に、光源ユニットは、柱状基板上に複数
のＬＥＤを間隔を設けて配し、各ＬＥＤの間には反射材
を配すると共に、前記複数のＬＥＤ及び反射材を光拡散
性部材で覆ってなるものが好適である。

【０００７】請求項３記載の発明に係るカラ−用２次元
イメ−ジセンサは、透光性基板の一方の面上に複数の受
光素子と、この複数の受光素子のそれぞれに接続された
複数のスイッチング素子とを、２次元に配設してなるセ
ンサ本体部を有する２次元イメ−ジセンサにおいて、前
記透光性基板の少なくとも３つの側端面に沿って赤色の
光を発光する光源ユニット、緑色の光を発光する光源ユ
ニット、青色の光を発光する光源ユニット、をそれぞれ
配する一方、前記透光性基板の他方の面上に前記一方の
面側に反射面を有する光拡散反射材を形成すると共に、
前記透光性基板の一方の面上には前記光拡散反射材によ
り反射され前記透光性基板の一方の面側へ進行してきた
光を通過させる光照射窓を設けてなるものである。特
に、光源ユニットは、柱状基板上に赤色、緑色、青色の
いずれかの一色の光を発光する複数のＬＥＤを間隔を設
けて配し、各ＬＥＤの間には反射材を配すると共に、前
記複数のＬＥＤ及び反射材を光拡散性部材で覆ってなる
ものが好適である。

【０００８】

【作用】光源ユニットは、受光素子等が配設された透光
性基板の側端面に取り付けられているので、光源ユニッ
トから発せられた光は、この透光性基板の側端面から透
光性基板内へ入射し、一部の光は受光素子等が配された
透光性基板の一方の面へ直接進み、その一方の面側から
出てさらに光照射窓を通過することによって、この光照
射窓に臨む位置に設けられた原稿面へ入射することとな
る。また、透光性基板の側端面から入射した光の一部
は、透光性基板の裏面に設けられた光拡散反射材へ向か
い、そこで反射されて透光性基板の表面へ進行し、表面
から出た後に光照射窓を通過することによって、原稿へ
入射することとなるものである。

【０００９】

【実施例】以下、図１乃至図１２を参照しつつ、本発明
に係る２次元イメ−ジセンサについて説明する。ここ
で、図１は本発明に係る２次元イメ−ジセンサの主要部
の電気的等価回路図、図２は図１に示された回路におけ
る主要部のタイミング図、図３は本発明に係る２次元イ
メ−ジセンサの第１の実施例における縦断面図、図４は
第１の実施例における２次元イメ−ジセンサの配置構成
の概略平面図、図５は第１の実施例に用いられる光源ユ
ニットの縦断面図、図６は第１の実施例におけるセンサ
本体部の部分平面図、図７は図６のＡＡ線断面図、図８
は第２の実施例における２次元イメ−ジセンサの縦断面
図、図９は第３の実施例における２次元イメ−ジセンサ
の配置構成の概略平面図、図１０はカラ−２次元イメ−
ジセンサにおける動作を説明するためのタイミング図、
図１１は第４の実施例における光源ユニットの縦断面
図、図１２は第５の実施例における光源ユニットの縦断
面図である。

【００１０】この２次元イメ−ジセンサの電気回路の構
成としては、センサ本体部１と、走査線駆動回路２と、
デ−タ線読取回路３と、を主な構成要素としてなるもの
で、この電気回路の構成としては従来のものと基本的に
変わるところはないものである（図１参照）。先ず、図
１及び図２を参照しつつ、この２次元イメ−ジセンサの
回路構成及びその動作を概略的に説明する。センサ本体
部１は、後述するように透光性のガラス基板１８に薄膜
トランジスタＴｒと直列接続されたフォトダイオ−ドＰ
Ｄを、一画素当りの受光要素とし、これを行列方向に複
数配列してなるものである。走査線駆動回路２は、薄膜
トランジスタＴｒを導通状態とするための走査信号Ｓc
を行方向に配置された走査線４へ、行毎に順に出力する
ものである。デ−タ線読取回路３は、走査信号が印加さ
れた走査線４と同一の行に位置するフォトダイオ−ドＰ
Ｄから順に画像信号を読み出すためのもので、列方向
（図１において紙面左右方向）の画素数即ちフォトダイ
オ−ドＰＤの数と同数だけ設けられたリセットスイッチ
５と、増幅器６と、アナログマルチプレクサ７と、を主
な構成要素としてなるものである。

【００１１】かかる構成において、走査線駆動回路２か
ら走査信号Ｓci(i=1〜m)が順に走査線４へ出力されるこ
とによって、走査信号が印加された行に位置する全ての
薄膜トランジスタＴｒが導通状態となる。一つの走査線
４における画像信号の読み出しは、図２中の一部拡大図
に示されたように、先ず、先の走査信号の印加に先立っ
て、期間ｔ１においてリセットスイッチ５が閉成される
ことによって、蓄積用容量ＣL がリセットされる。そし
て、走査信号Ｓci(i=1〜m)が印加されると、その印加期
間ｔ３中に薄膜トランジスタＴｒが導通状態となり、ｎ
個のフォトダイオ−ドＰＤから各蓄積容量ＣL へ一斉に
電荷転送がなされる。この後、期間ｔ４において、いわ
ゆるフィ−ドスル−の影響のために電圧ＶDAに降下した
各蓄積容量ＣL の電圧が、アナログマルチプレクサ７内
のサンプリングスイッチ７ａの順次動作（図２において
「ＳＰＬ」と記載された波形図参照）により順次出力さ
れるようになっている（図２において「Ｄａ」と記載さ
れた波形図参照）。

【００１２】図４にはこの２次元イメ−ジセンサの配置
構造が示されている。この２次元イメ−ジセンサは、矩
形状の基板に形成されたセンサ本体部１の長手軸方向の
２つの側辺に、後述する光源ユニット８（図４において
斜線部分）が配設されると共に、センサ本体部１の周囲
には長手軸方向に沿ってフレキシブルプリント基板９ａ
にＩＣ３ａを配してなるデ−タ線読取回路３が、短手軸
方向に沿って同様にフレキシブルプリント基板９ｂにＩ
Ｃ２ａを配してなる走査線駆動回路２が、それぞれ配設
されている。センサ本体部１は、図３に示されたように
パシベ−ション膜２６で覆われた複数のフォトダイオ−
ドＰＤが、ガラス基板１８上に設けられた構造となって
いる。また、このガラス基板１８の裏面（図３において
紙面上側）には、光拡散反射板１０が貼着されている。
さらに、ガラス基板１８の長手軸方向（図３において紙
面表裏方向）に沿う両側には、光源ユニット８が接合さ
れている。

【００１３】光源ユニット８は、図５に示されたよう
に、やや偏平の柱状に形成された実装基板１１の偏平面
上に、長手軸方向に沿って複数のＬＥＤ１２が略等間隔
で配置されると共に、この複数のＬＥＤ１２の間の実装
基板１１の面上には反射板１３が配設されている。さら
に、これら複数のＬＥＤ１２及び反射板１３を覆うよう
に、光拡散性を有する部材からなる樹脂を固着してなる
光拡散部１４が設けられてなるものである。そして、こ
の光源ユニット８は、光拡散部１４がガラス基板１８の
側端面に接合するようにしてガラス基板１８へ取り付け
られている（図３参照）。尚、図５において、（ａ）は
正面縦断面図、（ｂ）は側面縦断面図である。

【００１４】この光源ユニット８の複数のＬＥＤ１２の
回路接続は、特定の構成に限定されるものではなく、直
列接続、並列接続、或るいは直列接続と並列接続とを混
合したものいずれでも構わないものである。そして、こ
の光源ユニット８のＬＥＤ１２から出射された光は、光
拡散部１４で拡散されつつこの光拡散部１４を透過し、
ガラス基板１８の側端面からガラス基板１８へ入射し、
一部の光はガラス基板１８に一画素毎に形成された光照
射窓１７（図７参照）を介してガラス基板１８の表面へ
抜けて原稿１５に入射することとなる。また、ガラス基
板１８の裏面側へ向かった光は、光拡散反射板１０にお
いて反射され、ガラス基板１８の表面方向へ向かい光照
射窓１７を介して原稿１５へ入射するようになっている
（図３点線矢印参照）。尚、光源ユニット８からは、Ｌ
ＥＤ駆動のための配線４２が図３に示されたように外部
へ引き出され、フレキシブルプリント基板９ｂに接続さ
れている。

【００１５】図６には、ガラス基板１８における薄膜ト
ランジスタＴｒ、フォトダイオ−ドＰＤ及び光照射窓１
７等の主要要素の配置構造の一例が示されており、以
下、同図を参照しつつその配置構造について説明する。
走査線４とデ−タ線１６は、互いに直交するようにして
且つ積層方向（図６において紙面表裏方向）で離隔され
た状態で設けられている。そして、走査線４とデ−タ線
１６とで画成される格子部分に薄膜トランジスタＴｒ、
フォトダイオ−ドＰＤ及び光照射窓１７が設けられた構
造となっている。図７には、図６のＡＡ線断面図として
表された一画素当りの縦断面構造が示されており、同図
を参照しつつその構造について説明すれば、先ず、薄膜
トランジスタＴｒは、ガラス基板１８の上にいわゆる逆
スタガ構造で設けられている。すなわち、ガラス基板１
８の上には、クロム（Ｃｒ）からなるゲ−ト電極１９が
設けられ、このゲ−ト電極１９を覆うようにシリコン窒
化膜（ＳｉＮｘ）からなるゲ−ト絶縁層２０が積層され
ている。そして、このゲ−ト絶縁層２０上に、水素化ア
モルファスシリコン（ｎ⁺ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる半導
体活性層２１が形成され、この半導体活性層２１上にト
ップ絶縁層２２及びオ−ミックコンタクト層２３が形成
され、さらに、オ−ミックコンタクト層２３上に、クロ
ム（Ｃｒ）からなるソ−ス電極２４ａ及びドレイン電極
２４ｂが積層形成されている。

【００１６】そして、ソ−ス電極２４ａ及びドレイン電
極２４ａ並びにトップ絶縁層２２を覆うようにポリイミ
ドからなる層間絶縁層２５、パシベ−ション膜２６が順
に積層されている。尚、層間絶縁層２５上にはソ−ス電
極２４ａ及びドレイン電極２４ａに接続された配線層２
７、ゲ−ト電極１９の上方向に位置するようにアルミニ
ウムからなる遮光層２８が、それぞれ形成されている。
一方、この薄膜トランジスタＴｒの近傍には、フォトダ
イオ−ドＰＤが次述するように構成されている。すなわ
ち、フォトダイオ−ドＰＤは、先のゲ−ト絶縁層２０の
上に、例えばクロム（Ｃｒ）からなる下部電極２９、水
素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光
導電層３０、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）からなる
透明電極３１が、順次積層されて構成されている。尚、
本実施例における光導電層３０及び透明電極３１は、各
フォトダイオ−ドＰＤ毎に形成されたものであるのに対
して、下部電極２９は各フォトダイオ−ドＰＤに対して
共通電極となっている。

【００１７】上記構成における本実施例の２次元イメ−
ジセンサの動作を概括的に説明すれば、先ず、光源ユニ
ット８が図示されない駆動回路によって駆動され、光を
出射する状態となり、ガラス基板１８の側端面からガラ
ス基板１８内部へ光が入射することとなる。入射光の一
部は、光照射窓１７へ直接向い、この光照射窓１７を通
過して原稿１５へ入射する。一方、ガラス基板１８に入
射し光拡散反射板１０へ向った光は、そこで反射されて
ガラス基板１８の反対側の面へ向い、その結果、光照射
窓１７を介して原稿１５へ入射する光が生ずることとな
る。そして、原稿１５に入射し、そこで反射された光の
内、フォトダイオ−ドＰＤに入射した光が、フォトダイ
オ−ドＰＤに画素信号としての電荷を発生させ、この電
荷が先に図１及び図２を用いて説明したようにして、デ
−タ線読取回路３から行毎にしかもシリアルに順に出力
されるようになっている。

【００１８】上述の第１の実施例においては、センサ本
体部１のガラス基板１８の側端面に光源ユニット８を添
わせ、光源ユニット８で発生した光を、ガラス基板１８
へ直接導入するように構成することで、従来と異なりガ
ラス基板１８の上に、光を導入するための透光性の板材
を別個に設ける必要がなくなるので、薄く、小型化され
た２次元イメ−ジセンサとなる。

【００１９】次に、光源ユニットの第２の実施例につい
て、図８を参照しつつ説明する。この第２の実施例は、
デ−タ線読取回路３が構成されているフレキシブルプリ
ント基板９ａにＬＥＤ接続電極３３をプリント形成し、
このＬＥＤ接続電極３３に光源ユニット３２の側壁を接
合することにより、側壁部分に引き出されてあるＬＥＤ
１２の接続線（図示せず）がＬＥＤ接続電極３３と電気
的に導通状態となるようにしてある。一方、光源ユニッ
ト３２は、やや偏平の柱状部材の実装基板１１の長手軸
方向に、複数のＬＥＤ１２を配置した点においては、図
５に示された第１の実施例と同様であるが、この第２の
実施例においてはさらに、実装基板１１の裏面側に反射
遮光板３４を貼着してある。また、樹脂からなる光拡散
部１４は、ＬＥＤ１２の出射面側に接合されており、第
１の実施例と異なりＬＥＤ１２の周囲にはこの光拡散板
１４を形成する樹脂が充填されていない構造となってい
る。この光源ユニット３２においては、実装基板１１の
裏面側に接合された反射遮光板３４により、ＬＥＤ１２
からこの反射遮光板３４側へ向った光が、反射遮光板３
４によって反射されて光拡散部１４側へ戻されるように
なっている。尚、光源ユニット３２からガラス基板１８
の側端面を介してガラス基板１８内へ入射した光の光路
については、第１の実施例と同様であるのでここでの説
明は省略することとする。

【００２０】この第２の実施例においては、第１の実施
例のように光源ユニット８から外部へ引き出された配線
４２が、フレキシブルプリント基板９ｂの実装スペ−ス
の一部を占有する（図３参照）ことがないので、高密度
の実装が可能となるものである。次に、図９乃至図１１
を参照しつつ第３の実施例について説明する。この第３
の実施例は、先の第１及び第２の実施例がいわゆる白黒
画像用のイメ−ジセンサであるのに対して、カラ−画像
用のイメ−ジセンサに適用したものである。先ず、全体
の配置構成としては、図９に示されるように、センサ本
体部１の４辺に、光源ユニット３５ａ〜３５ｃを配置す
るようにしてある点が、第１及び第２の実施例と異なっ
ているものである。すなわち、センサ本体部１の短手軸
方向（図９において紙面上下方向）の２つの側辺には、
青色光源ユニット３５ａ（図９において斜線部分）が、
センサ本体部１の長手軸方向（図９において紙面左右方
向）の２つの側辺には緑色光源ユニット３５ｂと赤色光
源ユニット３５ｃ（図９において斜線部分）が、それぞ
れ配置されている。

【００２１】各光源ユニット３５ａ〜３５ｃの基本的構
成は、図５に示されたものと同一であるが、青色光源ユ
ニット３５ａは青色用のＬＥＤだけを、緑色光源ユニッ
ト３５ｂは緑色用のＬＥＤだけを、赤色光源ユニット３
５ｃは赤色用のＬＥＤだけを、それぞれ設けたものであ
る点が異なっているものである。上述のカラ−２次元イ
メ−ジセンサにおける動作を説明するためのタイミング
図が図１０に示されており、以下、同図を参照しつつカ
ラ−画像読取りの動作について説明する。図１０におい
てＴｓは、全ての走査線４に走査信号Ｓc が印加される
１フレ−ム時間であり、各光源ユニットは、赤色光源ユ
ニット３５ｃ（図１０において「ＬＥＤ−Ｒ」と略記）
から順に、２フレ−ムの間、発光状態とされる（図１０
において、ＬＥＤ−Ｇは緑色光源ユニット３５ｂを、Ｌ
ＥＤ−Ｂは青色光源ユニット３５ａを、それぞれ示すも
のである）。

【００２２】そして、発光期間の内、前半の１フレ−ム
で電荷蓄積が行われ、後半の１フレ−ムにおいて、先の
白黒画像信号の読み取り（図２参照）と同様にして走査
線毎に画像信号（図１０において「ＶCOM 」と略記した
波形図参照）の読み取りが行われる。このような動作が
各色毎に繰り返されるが、本実施例においては、６フレ
−ムで各色毎の画像信号の読み取りが行われることとな
る。そして、最終的には、図示されない信号処理回路に
おいて、３色の画像信号の混合処理が施されることによ
って、カラ−画像信号が得られることとなる。尚、上述
の第３の実施例においては、青色光源ユニット３５ａを
センサ本体部１の短手軸方向の２つの側辺に配置した
が、必ずしも２つ配置される必要はなく、いずれか一方
の側辺に配置されればよいものである。また、各光源ユ
ニット３５ａ〜３５ｃの配置も図９に示されたものに限
定される必要はなく、適宜にその相対位置関係を変えて
もよいものである。図１１には第４の実施例が示されて
おり、以下、同図を参照しつつこの第４の実施例につい
て説明する。

【００２３】この第４の実施例は、１つの光源ユニット
に３色のＬＥＤを配置して構成した点に特徴を有するも
のである。すなわち、図１１の縦断面図に示されたよう
に、この光源ユニット３６は、図５に示された第１の実
施例と同一の実装基板１１に、赤色用ＬＥＤ３７ａ、緑
色用ＬＥＤ３７ｂ、青色用ＬＥＤ３７ｃの順に、それぞ
れ複数個配設してなるものである。この光源ユニット３
６においては、同色のＬＥＤ同士を直列接続、並列接続
又は直列並列混合の接続のいずれかとし、その駆動方法
は、先に図１０で説明したと同様に各色毎に行われるよ
うになっているものである。尚、各ＬＥＤ３７ａ〜３７
ｃの周囲には、第１の実施例と同様に樹脂を固着して形
成された光拡散部１４が設けられている。尚、図１１に
おいて、（ａ）は正面縦断面図、（ｂ）は側面縦断面図
である。

【００２４】最後に第５の実施例について図１２を参照
しつつ説明する。この第５の実施例の光源ユニット３８
は、３色のＬＥＤを設けた点は、図１１に示された第４
の実施例のものと基本的に同一であるが、各色毎の光量
レベルを均一化するための構造が付加されている点が異
なっているものである。具体的には、各色用のＬＥＤ３
７ａ〜３７ｃの間には、遮光板３９が設けられると共
に、この遮光板３９の間におけるＬＥＤ３７ａ〜３７ｃ
の周囲には、それぞれＬＥＤ３７ａ〜３７ｃの発光色に
対応した色樹脂４０ａ〜４０ｃを充填し、さらに、これ
ら色樹脂４０ａ〜４０ｃの上面に白色の樹脂からなる光
拡散板４１を設けてなるものである。かかる構成におい
ては、ＬＥＤ３７ａ〜３７ｃから出力された光の色の純
度が色樹脂４０ａ〜４０ｃにより向上された後に、光拡
散板４１を介して出射されるようになっているので、図
１１に示された第４の実施例に比して混色の度合いが低
くなる。

【００２５】

【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
受光素子が配置される透光性基板を導光板として用いる
ように構成することにより、従来と異なり光源ユニット
からの光をイメ−ジセンサへ導くための導光板を設ける
必要がなく、しかも光源ユニットをイメ−ジセンサを構
成する基板の端面に取り付けたので、従来に比して厚み
が小さく小型化された２次元イメ−ジセンサを提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る２次元イメ−ジセンサの主要部
の電気的等価回路図である。

【図２】 図１に示された回路における主要部のタイミ
ング図である。

【図３】 本発明に係る２次元イメ−ジセンサの第１の
実施例における縦断面図である。

【図４】 第１の実施例における２次元イメ−ジセンサ
の配置構成の概略平面図である。

【図５】 第１の実施例に用いられる光源ユニットの縦
断面図である。

【図６】 第１の実施例におけるセンサ本体部の部分平
面図である。

【図７】 図６のＡＡ線断面図である。

【図８】 第２の実施例における２次元イメ−ジセンサ
の縦断面図である。

【図９】 第３の実施例における２次元イメ−ジセンサ
の配置構成の概略平面図である。

【図１０】 カラ−２次元イメ−ジセンサにおける動作
を説明するためのタイミング図である。

【図１１】 第４の実施例における光源ユニットの縦断
面図である。

【図１２】 第５の実施例における光源ユニットの縦断
面図である。

【符号の説明】

１…センサ本体部、 ２…走査線駆動回路、 ３…デ−
タ線読取回路、 ４…走査線、 ７…アナログマルチプ
レクサ、 ８…光源ユニット、 １０…光拡散反射板、
１２…ＬＥＤ、 １３…反射板、 １４…光拡散部、
１７…光照射窓、 １８…ガラス基板、 ３２…光源
ユニット、 ３３…ＬＥＤ接続電極、３４…反射遮光
板、 ３５ａ…青色光源ユニット、 ３５ｂ…緑色光源
ユニット、 ３５ｃ…赤色光源ユニット、 ３６…光源
ユニット、 ３７ａ…赤色ＬＥＤ、 ３７ｂ…緑色ＬＥ
Ｄ、 ３７ｃ…青色ＬＥＤ、 ３９…遮光板、 ４０ａ
…赤色樹脂、 ４０ｂ…緑色樹脂、 ４０ｃ…青色樹脂

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性基板の一方の面上に複数の受光素
   子と、この複数の受光素子のそれぞれに接続された複数
   のスイッチング素子とを、２次元に配設してなるセンサ
   本体部を有する２次元イメ−ジセンサにおいて、前記透
   光性基板の少なくとも１つの側端面に沿って光源ユニッ
   トを配する一方、前記透光性基板の他方の面上に前記一
   方の面側に反射面を有する光拡散反射部材を形成すると
   共に、前記透光性基板の一方の面上には前記光拡散反射
   材により反射され前記透光性基板の一方の面側へ進行し
   てきた光を通過させる光照射窓を設けてなることを特徴
   とする２次元イメ−ジセンサ。
2. 【請求項２】 光源ユニットは、柱状基板上に複数のＬ
   ＥＤを間隔を設けて配し、各ＬＥＤの間には反射材を配
   すると共に、前記複数のＬＥＤ及び反射材を光拡散性部
   材で覆ってなることを特徴とする請求項１記載の２次元
   イメ−ジセンサ。
3. 【請求項３】 透光性基板の一方の面上に複数の受光素
   子と、この複数の受光素子のそれぞれに接続された複数
   のスイッチング素子とを、２次元に配設してなるセンサ
   本体部を有する２次元イメ−ジセンサにおいて、前記透
   光性基板の少なくとも３つの側端面に沿って赤色の光を
   発光する光源ユニット、緑色の光を発光する光源ユニッ
   ト、青色の光を発光する光源ユニット、をそれぞれ配す
   る一方、前記透光性基板の他方の面上に前記一方の面側
   に反射面を有する光拡散反射材を形成すると共に、前記
   透光性基板の一方の面上には前記光拡散反射材により反
   射され前記透光性基板の一方の面側へ進行してきた光を
   通過させる光照射窓を設けてなるカラ−用２次元イメ−
   ジセンサ。
4. 【請求項４】 光源ユニットは、柱状基板上に赤色、緑
   色、青色のいずれかの一色の光を発光する複数のＬＥＤ
   を間隔を設けて配し、各ＬＥＤの間には反射材を配する
   と共に、前記複数のＬＥＤ及び反射材を光拡散性部材で
   覆ってなることを特徴とする請求項３記載のカラ−用２
   次元イメ−ジセンサ。