JPH05334000A - 入力一体型表示装置 - Google Patents

入力一体型表示装置

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JPH05334000A
JPH05334000A JP13914592A JP13914592A JPH05334000A JP H05334000 A JPH05334000 A JP H05334000A JP 13914592 A JP13914592 A JP 13914592A JP 13914592 A JP13914592 A JP 13914592A JP H05334000 A JPH05334000 A JP H05334000A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 一般的な表示装置に見られる欠点、すなわ
ち、消費電力が大きく、重量が重く、磁界の影響を受け
やすく、分解能及び耐久性が悪く、静電気に対して弱
く、検出回路が複雑であって耐環境性に弱く、かつ入力
位置と表示位置とが視差によりずれるという諸問題点を
解消し得る入力一体型表示装置を提供することである。 【構成】 液晶(32)を表示媒体として用いた表示パ
ネルにおいて、所定の波長の光を表示基板(30,3
1,71,72,85、88)面とほぼ平行に導光させ
る光導波路(36,73)をマトリクス状に一体形成し
たことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入力一体型表示装置に
係り、詳細にはOA(オフイスオ−トメ−ション)機器
や、AV(オ−ディオビジュアル)機器における手書き
入力用の入力一体型表示装置に係る。
【0002】
【従来の技術】近年、高度情報化社会の進展と相俟っ
て、大型・大表示容量ディスプレイへの要望が高まって
きている。このような要望に答えるため、現在の「ディ
スプレイの王者」とも呼ばれるCRT(陰極線管)で
は、高精細化への開発が進む一方、大型化に関しても直
視型では40インチクラスのもの、投射型では200 インチ
クラスのものまで開発されている。
【0003】しかし、CRTのもつ重量や奥行きの問題
が、大型・大容量表示の実現において一段と深刻化する
ため、抜本的な解決方法が強く望まれている。
【0004】従来のCRTとは異なる原理で表示を行う
平面型ディスプレイでは、ワ−プロやパソコンといった
用途で知られている現状から脱却し、ハイビジョンや高
性能EWS(エンジニアリングワ−クステ−ション)用
デイスプレイに要求される高表示品質化に向かって着実
に研究が進められている。
【0005】平面型ディスプレイでは、ELP(エレク
トロルミネセントパネル)、PDP(プラズマディスプ
レイパネル)、VFD(蛍光表示管)、ECD(エレク
トロミック表示装置)、LCD(液晶表示装置)等が存
在する。これらの中では、フルカラ−実現の容易性、L
SI(大規模集積回路)との整合性からLCDが最も有
望視されており、その技術進展は最も著しい。
【0006】LCDには単純マトリクス駆動型LCDと
アクティブマトリクス駆動型LCDとが存在する。単純
マトリクス駆動型LCDは、それぞれに形成したストラ
イプ状電極が互いに直交するように一対のガラス基板を
対向配置させてなるXYマトリクス型パネルに液晶を封
入した構造を持ち、液晶表示特性の急俊性を利用して表
示を行うものである。
【0007】一方、アクティブマトリクス駆動型LCD
は絵素に非線形素子を直接的に付加した構造を持ち、各
素子の非線形特性(スイッチング特性等)を積極的に利
用して表示を行うものである。従って、前者の単純マト
リクス駆動型LCDに比べ、液晶自身の表示特性への依
存度が少なく、高コントラストで且つ高速応答のデイス
プレイを実現できる。
【0008】この種の非線形素子には2端子型と3端子
型とがある。2端子型の非線形素子としてはMIM(金
属−絶縁体−金属)、ダイオ−ド等が存在し、一方、3
端子型の非線形素子としてはTFT(薄膜トランジス
タ)、Si−MOS(シリコン金属酸化膜半導体)、S
OS(シリコン−オン−サファイア)等が存在する。
【0009】ところで、LCDの市場用途からみれば、
今後、前述の単純マトリクス駆動型LCDやアクティブ
マトリクス駆動型LCDを搭載したラップトップパソコ
ンやパ−ムトップパソコンが市場の伸長を牽引する商品
として有望視されている。
【0010】これらの商品、特にパ−ムトップパソコン
のような携帯用情報端末機においては、情報の入力装置
が重要であり、キ−ボ−ドのスペ−スを省くため、手書
き入力の機能が強く要望されている。
【0011】この機能として、従来では、主として、タ
ブレットデジタイザを液晶パネルの外部に設置し、ペン
入力された位置をタブレットによって検出するものであ
る。このタブレットには、電磁誘導方式、電磁授受方
式、抵抗感圧方式、静電結合方式、音響方式、光学方式
等がある。
【0012】電磁誘導方式の一例を図8に示す。
【0013】この図のように導体パタ−ン1と励磁コイ
ル(カ−ソルコイル)2から構成されている。
【0014】X軸リングカウンタ3とY軸リングカウン
タ4によって順次ダイオ−ド5をオンすると共通端子M
にはそれに応じた電圧が出力される。これと同時にカ−
ソルコイル2に交流信号を印加すると、走査線上に誘導
電力が発生する。
【0015】この結果、共通端子Mにはオン電圧と誘導
起電力との合成波が現われる。この合成波をA/D変換
して最大値検出回路に加える。この回路は最大振幅値を
検出する機能と、これに対応する走査線に隣接する左右
の走査線上の起電力の大きい方を選択する機能をもつ。
これによりカ−ソル位置を検出することができる。
【0016】電磁授受方式の一例を図9に示す。
【0017】この方式は、タブレット6と、タブレット
6と接続されたアドレス9と、授受セレクタ10と、そ
れぞれコントロ−ラ13に連結されておりセレクタ10
によってアドレス9と選択的に接続されるセンサ11お
よびドライバ12とを含む。
【0018】タブレツト6上のマトリクス線に交流電流
を加え、指示器7内にある共振回路(コイル)8によっ
て誘導起電力を吸収し、次の瞬間にタブレット6のマト
リクス線がセンサとなり、指示器7内の共振回路(コイ
ル)8によって作られる電磁波を検出する。
【0019】抵抗感圧方式の一例を図10に示す。
【0020】連動スイッチ19が備えられており、電極
17、18を夫々備えた2枚の抵抗体を形成したシ−ト
14、15を空隙を設けて貼合わせ、シ−ト14、15
上から圧力を加えることにより接触させ、発生する電位
より座標を検出する。すなわち、X軸用の抵抗シ−ト1
5に直流電圧を印加し、圧力によってY軸用の抵抗シ−
ト14に発生した電圧を取り出してX座標を検出する。
時分割でX軸、Y軸に電圧を印加することにより交互に
X軸座標、Y軸座標を検出する。
【0021】静電結合方式の一例を図11に示す。
【0022】位相の異なる矩形波を電極21、22の両
端に印加し、スイッチ23で交互にX軸、Y軸の位置検
出を行う。アンプ25、フィルタ26を介して位相検出
回路27と結合されたペン24からITO膜28の位置
によってきまる位相を検出することによりX軸、Y軸の
座標を求める。
【0023】音響方式は、空気中を伝わる音波あるいは
タブレット表面を伝搬する表面波の伝搬時間や、反射波
の到達時間を検出することにより、位置を求めるもので
ある。
【0024】光学方式はX軸、Y軸の各一方に発光素子
を、他方には受光素子を設置し、光を遮った位置を検出
するものである。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】前述の各方式は次のよ
うな欠点を有する。
【0026】(1) 電磁誘導方式は、比較的高い分解能が
得られるものの、消費電力が大きく、且つ重量も重いこ
とや、磁界の影響を受けやすいという問題点を有する。
【0027】(2) 電磁授受方式においても比較的高い分
解能が得られる一方、消費電力が大きいというデメリッ
トがある。
【0028】(3) 抵抗感圧方式は、他の方式に比べてコ
スト的にはメリットがあるが、抵抗値の一様性に課題が
あり、分解能が悪く、かつシ−トにきずがつき易いこと
から耐久性も悪いという問題がある。
【0029】(4) 静電結合方式は、分解能は比較的高い
が、ペン24をワイヤレスにすることが難かしく、また
消費電力も比較的大きい。さらに静電気に対しても弱い
という問題点がある。
【0030】(5) 音響方式は、検出回路が複雑になるこ
とや、耐環境性に弱いという課題がある。
【0031】(6) 光学方式は分解能が悪いという欠点が
有る。
【0032】以上のようにいずれの方式においても十分
満足できるものではなく、かつ液晶パネルの上部もしく
は下部に併設するため、入力位置と表示位置とが視差に
よりずれるという問題があった。
【0033】本発明の目的は、前述の一般的な方式に見
られる欠点を解消し得る入力一体型表示装置を提供する
ことにある。
【0034】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶を表示媒
体として用いた表示パネルにおいて、所定の波長の光を
表示基板面とほぼ平行に導光させる光導波路をマトリク
ス状に一体形成したことを特徴とする。
【0035】
【作用】所定の波長の光を表示基板面とほぼ平行に導光
させる光導波路がマトリクス状に一体形成されているの
で、光ペンによる入力により位置検出ができる。またマ
トリクス状光導波路を表示絵素上、絵素間隔に形成で
き、表示の開口率を向上し得るものである。更に、手書
き位置検出回路、文字認識回路等の各種処理回路をガラ
ス基板上もしくはシリコン単結晶基板上に集積すること
により極めてコンパクトな表示装置を実現できる。
【0036】したがって、従来のような表示パネルにタ
ブレットを積層させる方式における装置の厚さ、重量、
消費電力、視差による表示の位置精度、ペンのノンワイ
ヤレス、磁場、静電場等の環境変化による表示への悪影
響等の問題が本発明により解決することができ、ラップ
トップパソコンやワ−プロ等コンピュ−タを用いる各種
OA機器に広く適用でき、特に、パ−ムトップコンピュ
−タ、電子手帳等の小型携帯端末機に極めておおきな威
力を発揮するものである。
【0037】
【実施例】本発明の実施例は、入力器(ペン)のワイヤ
レス化が可能であり、低消費電力で、且つ高分解能、耐
環境性を実現するために、液晶表示素子を構成する基板
上にX軸およびY軸方向に光導波路を形成する。更に光
導波路の端部には所定の光信号を感知する受光素子を設
け、入力器としてはレ−ザやLED等の発光素子で構成
される光ペンを利用する。
【0038】図5においては、Si単結晶基板30とガ
ラス基板31とを対向させてその間隙に液晶32が封入
されている。Si単結晶基板30には、液晶ドライバ部
33、後述する絵素電極部38の絵素電極の下に形成さ
れトランジスタを含む回路と電極とで構成された絵素、
すなわちアクティブ素子(図示しない)が形成されてお
り、ガラス基板31には一様に透明電極37が形成され
ており、この基板間で液晶にはアクティブマトリクス駆
動が行われる。
【0039】Si単結晶基板30上には、反射電極と共
用した絵素電極部38が形成されており、この絵素電極
部38間(絵素ヌキの部分)にX方向もしくはY方向に
光導波路36、X(Y)センサ部34、Y(X)センサ
部35が形成されている。
【0040】光導波路の材料としては、無機材料や有機
材料が用いられ、例えば前者ではSiO2 、Si
3 4 、GeO2 、TiO2 等の積層やガラスファイバ
の埋め込み構造、後者ではポリイミド、エポキシ樹脂、
ポリウレタン、PMMA等が使用される。
【0041】一方、該基板の対向となるガラス基板には
Si単結晶基板の光導波路と交叉し、且つ絵素ヌキの部
分に位置するように、すなわち、Y方向もしくはX方向
への光導波路を形成する。
【0042】光導波路の形成方法としては、CVD法
(化学気相蒸着法)や火炎たい積法、スパッタ法が無機
材料に用いられ、更に基板がガラスであれば熱や電界印
加によるイオン交換法も適用できる。この一般的な作製
法はK、Ag、Ti、Cs等のド−プ用イオンを含む無
機塩を溶融し、ガラス基板の中の例えば、Na、Fイオ
ンと交換させて高屈折率部を形成するものである。
【0043】この他には基板に機械的にあるいは光学的
に溝を形成した後、光ファイバを埋め込む構造も適用可
能である。
【0044】有機材料の場合には、スピンコ−ト法やデ
ィッピング法、ゾルゲル法等が適用できる。更に光導波
を行うためにコアとクラッドの形成は電場配向を行な
い、極性分子や側鎖極性基の中心対称性を崩して光非線
形性を発現させたり、配向の違いによる屈折率変化も利
用できる。その他の方法としてはLB膜を形成したり、
溶媒蒸発法や溶融法を用いた有機結晶も適用可能であ
る。
【0045】Si基板上におけるXおよびY各導波路の
端部にはホトセンサが形成されている。また、ガラス基
板上に形成されたY方向もしくはX方向の端部は光をS
i基板上へ漏洩させるために凹部もしくは凸部の加工が
施されており、Si基板上のホトセンサはこの漏れた光
を受光する位置に形成されている。
【0046】この作用は次のようになる。
【0047】レ−ザやLED等の発光素子を内蔵させた
光ペンを上部基板上に当てると、接触部より入射した光
のうち、導光条件にみあう入射角の光成分がガラス基板
上に形成した光導波路とこれに直交するようSi基板上
に形成された光導波路で導光され、端部のX位置、Y位
置にあるホトセンサにより、接触部のX座標、Y座標が
決定される。
【0048】ここで問題となるのは周囲光の影響を考慮
し、光ペンにより光出力の信号と周囲光との分離であ
る。
【0049】この対策としては、光ペンの光波長を周囲
光の主波長より分離したり、光ペンの光出力を特定の周
波数や強度で点滅させること、またホトセンサの感度を
十分に上げ、周囲光の影響を除去することにより前記分
離は可能となる。
【0050】光ペンの基本構造の1例(レ−ザ使用)を
図6に示す。
【0051】構成は、レンズ50、レ−ザ51、電圧制
御部52、電源部53、スイッチ54を含む。
【0052】光ペンが液晶パネルに触れたときにスイッ
チ54がオンとなりレ−ザ51より光が出射し、液晶パ
ネルの液晶層部に焦点を結ぶように光が入射する。つま
り細かい点状の光がパネルに入るため、X−Y方向へ導
光される導波路の数は少ない。これに付加機能として更
に強くペンを押すと焦点がぼけ、太い光スポットをパネ
ルへ入射させることも機構上可能である。この場合はX
−Y方向へ導光される導波路の数は上記の場合よりも多
い。
【0053】したがって、本入力器は従来困難であった
筆圧により文字の太さの制御が可能となる。
【0054】位置の検出が可能となればコンピュ−タと
組み合わせることにより、手書き文字を認識することの
できる手書き文字認識装置を実現することができる。
【0055】図7はこの手書き文字認識装置の構成の実
施例を示すブロック図である。
【0056】図7に示すように、この手書き文字認識装
置は表示パネル60を備えており、コンピュ−タ62に
は文字認識部64、ストロ−クデ−タ発生部63を含
む。光ペン位置検出部61は光ペンからの光に応じて表
示パネル60から送出される信号に基づいて、表示パネ
ル60上の位置を検出し、コンピュ−タ62は検出され
たデ−タに基づいて文字、図形、記号等を認識し、表示
制御部65を介して表示パネル60に認識した文字等を
表示する。尚、光ペン位置検出部61、コンピュ−タ6
2、ストロ−クデ−タ発生部63、文字認識部64はL
CDとして一体化できるが特に基板としてSi単結晶を
用いれば集積高密度実装できる点で望ましい。
【0057】本発明によれば、表示パネル内に光導波路
を形成することにより、光ペンの位置検出が可能とな
り、コンピュ−タと組み合わせることにより、手書き文
字等を認識することができる。従来の表示パネルにタブ
レットパネルを積層させる方式では、装置の厚さが厚く
なると、重量が重くなること、消費電力が大きいこと、
又、視差より位置精度に誤差が大きいこと等の問題点が
あったが、本発明では、このような問題がない。更に入
力用のペンもワイヤレスに構成できるため、入力操作も
簡便にすることができる上、筆圧により文字の大きさも
選択することができる。
【0058】なお、本実施例では光導波路をSi単結晶
基板とガラス基板上に形成したが、XY導波路をすべて
Si単結晶基板上に形成すること、すべてガラス基板上
に形成すること、また、液晶パネルとして1対のガラス
基板で構成した表示素子についても本実施例を適用でき
ることは言うまでもない。図3(a)(b)および図4(a)(b)
にこれらの具体的な構造を示す。70は基板、71は
Si基板、72はガラス基板、73は光導波路を示す。
【0059】図3(a) では基板(Si基板又はガラス基
板)70上に光導波路73(X,Y)が交差するように
配置され該光導波路73上にガラス基板72が配設され
ている。
【0060】図3(b) ではSi基板上のガラス基板72
に光導波路73(X,Y)が交差するように配置されて
いる。
【0061】図4(a) では基板(Si基板又はガラス基
板)70上に配設されたガラス基板72の基板(Si基
板又はガラス基板)70側に一つの光導波路73が他の
側に一つの光導波路73と交差するように他の光導波路
73が配置されている。
【0062】図4(b) では2つの対向するガラス基板7
2の夫々に光導波路73がb4xするように配設されて
いる。
【0063】表示駆動法の観点では、本実施例を前記の
単純マトリクス駆動法やアクティブマトリクス駆動法に
適用できるが、特に、表示品質の点より後者の方式に適
用するのが好ましい。
【0064】更に、液晶ドライバや各種メモリ回路、ホ
トセンサ等の各種機能回路が表示絵素のトランジスタと
ともに一体形成でき、その上CPU等の他のLSIも容
易に高密度実装できる点で、Si単結晶基板を用いるア
クテイブマトリクス型LCDに適用することが特に望ま
しい。
【0065】シリコン単結晶基板にMOS半導体プロセ
スを適用することにより反射型電極構造のスイッチング
素子を形成することができ、図2にその構造を示す。
【0066】この構造においては、書き込みから次の書
き込み期間までの間、絵素に注入された電化の保持を助
ける手段としてのストレ−ジキャパシタを絶縁膜を介し
たシリコン基板80とp−Si41との間に形成してい
る。
【0067】又、反射膜でもある絵素電極42はアルミ
ニウム(Al)を用いており、その凹凸はアルミニウム下の
絶縁層(SiNx)43上にレジストを塗布し、その表
面をホトリンによって凹凸を形成することで実現してい
る。
【0068】更に44はフィ−ルド酸化膜、45はソ−
スライン、46は共通電極、81はガラス基板、82は
液晶を夫々示している。絵素数は240x380、画面
サイズは3インチである。
【0069】光導波路47は次のように作成した。
【0070】スパッタでSiO2 層を形成して後、Si
2 −Ta2 5 層を成膜し、パタ−ン化したのち、再
度SiO2 膜をスパッタで形成およびパタ−ン化する。
【0071】上記の方法により絵素ヌキの場所にSi基
板にはX方向、ガラス基板にはY方向に形成する。又、
光導波路の端部にはSi基板上にホトセンサを形成して
おりSi基板上のX方向の導波路と光もれ部分を介して
結合している。
【0072】一方ガラス基板上のY方向の導波路の端部
にもエッチングにより光もれ部分が形成されており、そ
の下にSi基板上のホトセンサと対向している。全体の
構成を図1に示す。
【0073】なお、ここで使用した液晶はメルク社製Z
LI−2327であり、黒色の色素を含んだゲスト・ホ
スト型液晶である。また、カイラル物質を添加させ、d/
p=4(p:螺旋ピッチ、d:セル厚さ)に調整し、壁面配向
を垂直配向させたホワイトテイラ−型表示モ−ドを使用
している。
【0074】周辺装置として図7の構成のコンピュ−タ
を介してレ−ザを組み入れた光ペンで手書きを行ったと
ころ良好に機能が動作することを確認した。
【0075】
【発明の効果】所定の波長の光を表示基板面とほぼ平行
に導光させる光導波路がマトリクス状に一体形成されて
いるので、光ペンによる入力により位置検出ができる。
またマトリクス状光導波路を表示絵素上、絵素間隔に形
成でき、表示の開口率を向上し得るものである。更に、
手書き位置検出回路、文字認識回路等の各種処理回路を
ガラス基板上もしくはシリコン単結晶基板上に集積する
ことにより極めてコンパクトな表示装置を実現しでき
る。
【0076】したがって、従来のような表示パネルにタ
ブレットを積層させる方式における装置の厚さ、重量、
消費電力、視差による表示の位置精度、ペンのノンワイ
ヤレス、磁場、静電場等の環境変化による表示への悪影
響等の問題が本発明により解決することができ、ラップ
トップパソコンやワ−プロ等コンピュ−タを用いる各種
OA機器に広く適用でき、特に、パ−ムトップコンピュ
−タ、電子手帳等の小型携帯端末機に極めておおきな威
力を発揮できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の入力一体型表示装置の実施例を示す斜
視図である。
【図2】スイッチング素子を説明する図である。
【図3】液晶パネルを示す図である。
【図4】他の液晶パネルを示す図である。
【図5】本発明の入力一体型表示装置の他の実施例を示
す斜視図である。
【図6】ペンの基本構造の1例を示す図である。
【図7】手書き文字認識装置の1例を示す図である。
【図8】電磁誘導方式のタブレットを示す図である。
【図9】電磁授受方式のタブレットを示す図である。
【図10】抵抗感圧方式のタブレットを示す図である。
【図11】静電結合方式のタブレットを示す図である。
【符号の説明】
30、71、85 シリコン基板 31、72、88 ガラス基板 32 液晶 36、73 光導波路 60 表示パネル

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液晶を表示媒体として用いた表示パネル
    において、所定の波長の光を表示基板面とほぼ平行に導
    光させる光導波路をマトリクス状に一体形成したことを
    特徴とする入力一体型表示装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の表示パネルにおいて、
    光導波路が表示絵素間に形成されていることを特徴とす
    る入力一体型表示装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の表示パネルにお
    いて、1対の表示基板のうち、1枚がシリコン単結晶基
    板で構成されていることを特徴とする入力一体型表示装
    置。
  4. 【請求項4】 発光ダイオ−ド及びレ−ザのいずれか一
    方を組み入れた光入力器を具備したことを特徴とする請
    求項1から3のいずれか一項に記載の入力一体型表示装
    置。
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