JPH05331176A - Ｃｖｄ用有機金錯体およびこれを用いた金薄膜の製造方法 - Google Patents
Ｃｖｄ用有機金錯体およびこれを用いた金薄膜の製造方法Info
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- JPH05331176A JPH05331176A JP4274967A JP27496792A JPH05331176A JP H05331176 A JPH05331176 A JP H05331176A JP 4274967 A JP4274967 A JP 4274967A JP 27496792 A JP27496792 A JP 27496792A JP H05331176 A JPH05331176 A JP H05331176A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 以下の式で表わされるＣＶＤ用有機金錯体：
【化１】
【効果】 本発明の化合物は、高い蒸気圧を有するた
め、ＣＶＤ法による金薄膜の形成に使用するＡｕ源とし
て有用である。特に、エキシマレーザの波長領域で大き
なＵＶ吸収を有するため、光ＣＶＤにおけるＡｕ源とし
ての有用性が大きい。
め、ＣＶＤ法による金薄膜の形成に使用するＡｕ源とし
て有用である。特に、エキシマレーザの波長領域で大き
なＵＶ吸収を有するため、光ＣＶＤにおけるＡｕ源とし
ての有用性が大きい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ用の原料ガス化
合物として有用な高蒸気圧有機金錯体に関する。
合物として有用な高蒸気圧有機金錯体に関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】金の薄膜は、電気的特性、光
学特性、熱的安定性、化学的安定性、基板との密着性等
に優れているため、半導体素子の電極材料、フォトマス
クのパターン、光学素子のミラー用材料等に用いられて
いる。このような金薄膜の形成方法として、揮発性の金
化合物を使用した熱ＣＶＤ法が行われており、その蒸気
圧の高さから、Ｍｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ）、Ｍｅ2Ａｕ(ＨＦ
Ａ）あるいはＭｅ2Ａｕ(ＴＦＡ）のようなジメチル金β
−ジケトン錯体（ここで、ＡｃＡｃ、ＨＦＡ、ＴＦＡ
は、それぞれ、アセチルアセトナト、１,１,１−トリフ
ルオロ−２,４−ペンタンジオナト、１,１,１−５,５,
５− ヘキサフルオロ−２,４−ペンタンジオナトを表わ
す)をＣＶＤソースとして使用することが提案されてい
る。また、半導体素子の高集積化にともない、光ＣＶＤ
の手法による金属薄膜の形成技術が注目されている。こ
れは、金属元素を含有するガス状の原料化合物を基板上
に流し、紫外線レーザビーム等を照射して上記化合物を
基板上で分解し、基板上に微細な金属線を形成するもの
であり、回路形成、配線の修正、故障解析等に用いるこ
とができる。しかし、従来の有機金錯体は、上記光ＣＶ
Ｄ法で使用されるエキシマレーザの波長領域である２５
０〜３５０ｎｍの吸収が小さく、充分な光分解性が得ら
れていない。たとえば、Ｍｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ）は、Ｘｅ
Ｆレーザ(波長：３５１ｎｍ)光を吸収せず、したがっ
て、光分解も生じない。
学特性、熱的安定性、化学的安定性、基板との密着性等
に優れているため、半導体素子の電極材料、フォトマス
クのパターン、光学素子のミラー用材料等に用いられて
いる。このような金薄膜の形成方法として、揮発性の金
化合物を使用した熱ＣＶＤ法が行われており、その蒸気
圧の高さから、Ｍｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ）、Ｍｅ2Ａｕ(ＨＦ
Ａ）あるいはＭｅ2Ａｕ(ＴＦＡ）のようなジメチル金β
−ジケトン錯体（ここで、ＡｃＡｃ、ＨＦＡ、ＴＦＡ
は、それぞれ、アセチルアセトナト、１,１,１−トリフ
ルオロ−２,４−ペンタンジオナト、１,１,１−５,５,
５− ヘキサフルオロ−２,４−ペンタンジオナトを表わ
す)をＣＶＤソースとして使用することが提案されてい
る。また、半導体素子の高集積化にともない、光ＣＶＤ
の手法による金属薄膜の形成技術が注目されている。こ
れは、金属元素を含有するガス状の原料化合物を基板上
に流し、紫外線レーザビーム等を照射して上記化合物を
基板上で分解し、基板上に微細な金属線を形成するもの
であり、回路形成、配線の修正、故障解析等に用いるこ
とができる。しかし、従来の有機金錯体は、上記光ＣＶ
Ｄ法で使用されるエキシマレーザの波長領域である２５
０〜３５０ｎｍの吸収が小さく、充分な光分解性が得ら
れていない。たとえば、Ｍｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ）は、Ｘｅ
Ｆレーザ(波長：３５１ｎｍ)光を吸収せず、したがっ
て、光分解も生じない。
【０００３】
【発明の目的】本発明は、ＣＶＤ法の適用に適した高い
蒸気圧を有し、かつ２５０〜３５０ｎｍに大きなＵＶ吸
収を有し、ＵＶ照射により効率的に分解して金を析出す
る有機金錯体を提供することを目的とする。
蒸気圧を有し、かつ２５０〜３５０ｎｍに大きなＵＶ吸
収を有し、ＵＶ照射により効率的に分解して金を析出す
る有機金錯体を提供することを目的とする。
【０００４】
【問題解決に至る知見】本発明者らは、上記の目的を達
成するため、ジメチル金β−ジケトン錯体分子における
電子分布について検討した。そして、トリフルオロ基を
有し、フェニル基がジケトン骨格と共役した位置にある
４,４,４−トリフルオロ−１−（２−フェニル)−１,３
−ブタンジオンに着目し、これを使用して得られたジメ
チル金錯体がＣＶＤ法、特に光ＣＶＤ法の原料化合物と
して優れた特長を有することを見出し、本発明を完成す
るに至った。
成するため、ジメチル金β−ジケトン錯体分子における
電子分布について検討した。そして、トリフルオロ基を
有し、フェニル基がジケトン骨格と共役した位置にある
４,４,４−トリフルオロ−１−（２−フェニル)−１,３
−ブタンジオンに着目し、これを使用して得られたジメ
チル金錯体がＣＶＤ法、特に光ＣＶＤ法の原料化合物と
して優れた特長を有することを見出し、本発明を完成す
るに至った。
【０００５】
【発明の構成】本発明は、以下の式で表わされるＣＶＤ
用有機金錯体：
用有機金錯体：
【化２】 を提供する。本発明のジメチル金β−ジケトン錯体は、
たとえば、Ｍ．Ｇ．Ｍｉlｅｓ，Ｇ．Ｅ．Ｇlａｓｓ ａ
ｎｄ Ｒ．Ｓ．Ｔｏｂiａｓ, Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ.，８８, ５７３８−５７４４（1966）に記載の方
法に従って製造したジメチル金ヒドロキシ錯体の水溶液
に、過剰のβ−ジケトンを滴下後、溶液のｐＨを４〜７
に調整して沈殿を生成させ、これを昇華精製することに
より得られる。β−ジケトンは、市販品によるかまたは
既知の方法にしたがって製造したものを使用することが
可能である。
たとえば、Ｍ．Ｇ．Ｍｉlｅｓ，Ｇ．Ｅ．Ｇlａｓｓ ａ
ｎｄ Ｒ．Ｓ．Ｔｏｂiａｓ, Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ.，８８, ５７３８−５７４４（1966）に記載の方
法に従って製造したジメチル金ヒドロキシ錯体の水溶液
に、過剰のβ−ジケトンを滴下後、溶液のｐＨを４〜７
に調整して沈殿を生成させ、これを昇華精製することに
より得られる。β−ジケトンは、市販品によるかまたは
既知の方法にしたがって製造したものを使用することが
可能である。
【０００６】本発明の有機金錯体を用いて基板上に金を
析出させるには、熱、光、プラズマ等のＣＶＤ法のいず
れをも用いることができる。気化条件としては、気化温
度３０〜１６０℃が好ましい。３０℃未満では成膜速度
が遅く、１６０℃を超えると気化時の錯体の分解が問題
になる。気化圧力は、錯体の蒸気圧の面から２torr以下
が好ましい。キャリアーガスには、アルゴン、ヘリウ
ム、窒素、水素ガス等を単成分または混合ガスとして流
量１〜５０sccmで用いることができる。熱ＣＶＤにおい
ては、基板温度を１７５℃以上に加熱する。光、プラズ
マ等を用いるＣＶＤではより低温の基板温度での金の析
出が可能となる。光ＣＶＤでは通常用いられるエキシマ
レーザを使用することができる。本発明の有機金錯体は
熱分解過程によらずに金を析出させることができるの
で、照射角などに特に制限はなく、純粋な光分解過程に
使用することも可能である。使用する装置その他の条件
は、従来法にしたがって適宜選択すればよい。本発明の
有機金錯体では、現在市販されているエキシマレーザの
全ての波長を使用することができる。従来から使用され
ているＭｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ）等では、ＸｅＦレーザの発
振波長３５１ｎｍにおける錯体の吸収が弱く、この波長
のレーザを成膜に使用することは困難であった。本発明
の有機金錯体においては、このＸｅＦレーザを使用する
ことが可能である。この波長の光はＡｒイオンレーザや
ＹＡＧレーザ等に比べ熱的作用が小さく、またＡｒＦや
ＫｒＦレーザ等の遠紫外線が持つような有機物の分解作
用も小さい。そのため本発明の有機金錯体を用いてＸｅ
Ｆレーザ等の光を作用させることにより、紫外線や熱に
弱いため従来は作製が困難であった各種の樹脂等の表面
への金膜の作製を提供する。
析出させるには、熱、光、プラズマ等のＣＶＤ法のいず
れをも用いることができる。気化条件としては、気化温
度３０〜１６０℃が好ましい。３０℃未満では成膜速度
が遅く、１６０℃を超えると気化時の錯体の分解が問題
になる。気化圧力は、錯体の蒸気圧の面から２torr以下
が好ましい。キャリアーガスには、アルゴン、ヘリウ
ム、窒素、水素ガス等を単成分または混合ガスとして流
量１〜５０sccmで用いることができる。熱ＣＶＤにおい
ては、基板温度を１７５℃以上に加熱する。光、プラズ
マ等を用いるＣＶＤではより低温の基板温度での金の析
出が可能となる。光ＣＶＤでは通常用いられるエキシマ
レーザを使用することができる。本発明の有機金錯体は
熱分解過程によらずに金を析出させることができるの
で、照射角などに特に制限はなく、純粋な光分解過程に
使用することも可能である。使用する装置その他の条件
は、従来法にしたがって適宜選択すればよい。本発明の
有機金錯体では、現在市販されているエキシマレーザの
全ての波長を使用することができる。従来から使用され
ているＭｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ）等では、ＸｅＦレーザの発
振波長３５１ｎｍにおける錯体の吸収が弱く、この波長
のレーザを成膜に使用することは困難であった。本発明
の有機金錯体においては、このＸｅＦレーザを使用する
ことが可能である。この波長の光はＡｒイオンレーザや
ＹＡＧレーザ等に比べ熱的作用が小さく、またＡｒＦや
ＫｒＦレーザ等の遠紫外線が持つような有機物の分解作
用も小さい。そのため本発明の有機金錯体を用いてＸｅ
Ｆレーザ等の光を作用させることにより、紫外線や熱に
弱いため従来は作製が困難であった各種の樹脂等の表面
への金膜の作製を提供する。
【０００７】
【参考例１】 ［ジメチル金ヒドロキシ錯体の製造］Ｍｅ2ＡｕＩ５ｇ
を１３０ｍｌのｎ−ペンタンに溶解濃縮し、これに硝酸
銀３.１６ｇを含有する ０.００１Ｎ硝酸溶液１００ｍ
ｌを滴下した。充分に攪拌した後有機層を除き、析出し
たヨウ化銀を濾過分離し、水酸化ナトリウム１１ｇを添
加、攪拌することによりジメチル金ヒドロキシ錯体水溶
液を調製した。
を１３０ｍｌのｎ−ペンタンに溶解濃縮し、これに硝酸
銀３.１６ｇを含有する ０.００１Ｎ硝酸溶液１００ｍ
ｌを滴下した。充分に攪拌した後有機層を除き、析出し
たヨウ化銀を濾過分離し、水酸化ナトリウム１１ｇを添
加、攪拌することによりジメチル金ヒドロキシ錯体水溶
液を調製した。
【０００８】
【実施例１】このようにして得られたジメチル金ヒドロ
キシ錯体を用いて、以下のβ−ジケトン錯体を合成し
た。
キシ錯体を用いて、以下のβ−ジケトン錯体を合成し
た。
【化３】 参考例１のジメチル金ヒドロキシ錯体水溶液に４,４,４
−トリフルオロ−１−フェニル−１,３−ブタンジオン
(ＢＦＡ)３.０５ｇを滴下し、２Ｎ硝酸水溶液で中和し
錯体の沈澱を得た。この沈澱を濾過分離し、乾燥後、減
圧下に昇華精製することにより上記化合物を得た。得ら
れた錯体の同定は、1Ｈ−ＮＭＲ、ＭＳ、ＩＲ および元
素分析により行なった：1 Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ3中２５℃；δ／ｐｐｍ(ＴＭ
Ｓ)）：１.３５(ｓ，３Ｈ)、１.４０(ｓ，３Ｈ)、６.４
１(ｓ，１Ｈ)、７.４〜８.０(ｍ，５Ｈ) ＩＲの結果は図１に示すとおりである。この錯体につい
て、ＴＧ−ＤＴＡにより熱的特性を、また ＣＨ3ＣＮ溶
液中でＵＶ吸収を測定した。結果は表１に示すとおりで
あり、室温から１５０℃程度で安定的に気化させること
が可能であり、エキシマレーザ領域での吸収が大きいこ
とがわかる。
−トリフルオロ−１−フェニル−１,３−ブタンジオン
(ＢＦＡ)３.０５ｇを滴下し、２Ｎ硝酸水溶液で中和し
錯体の沈澱を得た。この沈澱を濾過分離し、乾燥後、減
圧下に昇華精製することにより上記化合物を得た。得ら
れた錯体の同定は、1Ｈ−ＮＭＲ、ＭＳ、ＩＲ および元
素分析により行なった：1 Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣｌ3中２５℃；δ／ｐｐｍ(ＴＭ
Ｓ)）：１.３５(ｓ，３Ｈ)、１.４０(ｓ，３Ｈ)、６.４
１(ｓ，１Ｈ)、７.４〜８.０(ｍ，５Ｈ) ＩＲの結果は図１に示すとおりである。この錯体につい
て、ＴＧ−ＤＴＡにより熱的特性を、また ＣＨ3ＣＮ溶
液中でＵＶ吸収を測定した。結果は表１に示すとおりで
あり、室温から１５０℃程度で安定的に気化させること
が可能であり、エキシマレーザ領域での吸収が大きいこ
とがわかる。
【０００９】
【表１】 融点 分解温度 昇華温度 λmax logε 58℃ 178℃ 100℃（0.4torr) 360ｎｍ 4.19
【００１０】
【比較例１】本発明の錯体の効果に対する比較例とし
て、Ｍｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ）を用いて、熱ＣＶＤおよびレ
ーザＣＶＤで金薄膜の形成を行った。石英製の窓および
加熱手段を有する真空容器にシリコン基板を入れ、Ｍｅ
2Ａｕ(ＡｃＡｃ）を気化温度６０℃、圧力２torrの減圧
下、流量１０sccmのＡｒをキャリアーガスとして上記反
応容器に導入した。基板を６０℃〜４００℃のある温度
に保ち、エキシマレーザ光を２０Ｈｚの繰り返し数で石
英窓より基板に対して垂直に照射し、あるいは照射しな
いことにより、基板上に金を析出させた。レーザの照射
条件、形成された膜の純度(ＥＰＭＡによる）等を表２
に示す。ＸｅＦレーザを照射した場合、０.４〜２０Ｗ
／ｃｍ2では基板に何等の変化も見られなかった。６０
Ｗ／ｃｍ2ではシリコン基板がアブレーションを受けて
損傷したが、金の膜の形成は認められなかった。なおＮ
o.８においては基板を１５０℃に加熱したため基板全面
に薄い熱ＣＶＤによる金膜が形成されたが、レーザ照射
部分とその周囲との間に何等の違いも見られなかった。
て、Ｍｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ）を用いて、熱ＣＶＤおよびレ
ーザＣＶＤで金薄膜の形成を行った。石英製の窓および
加熱手段を有する真空容器にシリコン基板を入れ、Ｍｅ
2Ａｕ(ＡｃＡｃ）を気化温度６０℃、圧力２torrの減圧
下、流量１０sccmのＡｒをキャリアーガスとして上記反
応容器に導入した。基板を６０℃〜４００℃のある温度
に保ち、エキシマレーザ光を２０Ｈｚの繰り返し数で石
英窓より基板に対して垂直に照射し、あるいは照射しな
いことにより、基板上に金を析出させた。レーザの照射
条件、形成された膜の純度(ＥＰＭＡによる）等を表２
に示す。ＸｅＦレーザを照射した場合、０.４〜２０Ｗ
／ｃｍ2では基板に何等の変化も見られなかった。６０
Ｗ／ｃｍ2ではシリコン基板がアブレーションを受けて
損傷したが、金の膜の形成は認められなかった。なおＮ
o.８においては基板を１５０℃に加熱したため基板全面
に薄い熱ＣＶＤによる金膜が形成されたが、レーザ照射
部分とその周囲との間に何等の違いも見られなかった。
【００１１】
【表２】 Ｍｅ2Ａｕ(ＡｃＡｃ)の熱およびレーザＣＶ
Ｄ試験結果 No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 60℃ 150℃ なし ＞98 ２ 60℃ 200℃ なし ＞98 ３ 60℃ 250℃ なし 97 ４ 60℃ 300℃ なし 97 ５ 60℃ 350℃ なし 98 ６ 60℃ 400℃ なし 97 ７ 60℃ 60℃ ＸeＦ 0.4Ｗ／cｍ2 成膜せず ８ 60℃ 150℃ ＸeＦ 0.4Ｗ／cｍ2 熱分解膜のみ生成 ９ 60℃ 60℃ ＸeＦ 20Ｗ／cｍ2 成膜せず 10 60℃ 60℃ ＸeＦ 60Ｗ／cｍ2 基板に損
Ｄ試験結果 No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 60℃ 150℃ なし ＞98 ２ 60℃ 200℃ なし ＞98 ３ 60℃ 250℃ なし 97 ４ 60℃ 300℃ なし 97 ５ 60℃ 350℃ なし 98 ６ 60℃ 400℃ なし 97 ７ 60℃ 60℃ ＸeＦ 0.4Ｗ／cｍ2 成膜せず ８ 60℃ 150℃ ＸeＦ 0.4Ｗ／cｍ2 熱分解膜のみ生成 ９ 60℃ 60℃ ＸeＦ 20Ｗ／cｍ2 成膜せず 10 60℃ 60℃ ＸeＦ 60Ｗ／cｍ2 基板に損
【００１２】
【実施例２】本発明の錯体を用いて、熱ＣＶＤで金薄膜
の形成を行った。石英製の窓および加熱手段を有する真
空容器にシリコン基板を入れ、該錯体を気化温度９０℃
〜１１０℃、２torrの減圧下、流量１０sccmのＡｒキャ
リアーガスとして上記反応容器に導入した。基板を１５
０℃〜３５０℃のある温度に保つことにより錯体を熱分
解させ、基板上に金を析出させた。実験条件および形成
された膜の純度（ＥＰＭＡによる）を表３に示す。
の形成を行った。石英製の窓および加熱手段を有する真
空容器にシリコン基板を入れ、該錯体を気化温度９０℃
〜１１０℃、２torrの減圧下、流量１０sccmのＡｒキャ
リアーガスとして上記反応容器に導入した。基板を１５
０℃〜３５０℃のある温度に保つことにより錯体を熱分
解させ、基板上に金を析出させた。実験条件および形成
された膜の純度（ＥＰＭＡによる）を表３に示す。
【００１３】
【実施例３】該錯体を用いて、レーザＣＶＤで金薄膜薄
膜の形成を行った。石英製の窓および加熱手段を有する
真空容器にシリコン基板を入れ、該錯体を気化温度１０
０℃〜１１０℃、圧力２torrの減圧下、流量１０sccmの
Ａｒをキャリアーガスとして上記反応容器に導入した。
基板を１００〜２００℃のある温度に保ち、エキシマレ
ーザ光を２０Ｈｚの繰り返し数で石英窓より基板に対し
て垂直に照射して錯体を光分解させ、基板上に金を析出
させた。レーザの照射条件、形成させた膜の純度（ＥＰ
ＭＡによる）等を表４〜表６に示す。ＡｒＦ、ＫｒＦあ
るいはＸｅＦのいずれのレーザによっても金膜が形成さ
れた。
膜の形成を行った。石英製の窓および加熱手段を有する
真空容器にシリコン基板を入れ、該錯体を気化温度１０
０℃〜１１０℃、圧力２torrの減圧下、流量１０sccmの
Ａｒをキャリアーガスとして上記反応容器に導入した。
基板を１００〜２００℃のある温度に保ち、エキシマレ
ーザ光を２０Ｈｚの繰り返し数で石英窓より基板に対し
て垂直に照射して錯体を光分解させ、基板上に金を析出
させた。レーザの照射条件、形成させた膜の純度（ＥＰ
ＭＡによる）等を表４〜表６に示す。ＡｒＦ、ＫｒＦあ
るいはＸｅＦのいずれのレーザによっても金膜が形成さ
れた。
【００１４】
【表３】該錯体の熱ＣＶＤ試験結果 No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 90℃ 150℃ なし ＞98 ２ 90℃ 200℃ なし ＞98 ３ 100℃ 150℃ なし ＞98 ４ 100℃ 175℃ なし ＞98 ５ 100℃ 200℃ なし 97 ６ 100℃ 225℃ なし ＞98 ７ 100℃ 250℃ なし ＞98 ８ 100℃ 300℃ なし 97 ９ 110℃ 200℃ なし ＞98 10 110℃ 250℃ なし ＞98 11 110℃ 300℃ なし 95 12 110℃ 350℃ なし 97
【００１５】
【表４】 該錯体のレーザＣＶＤ試験結果(ＡｒＦレー
ザ １９３ｎｍ) No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 100℃ 100℃ ＡｒＦ 1.9Ｗ／cｍ2 96 ２ 100℃ 150℃ ＡｒＦ 2.0Ｗ／cｍ2 96 ３ 100℃ 200℃ ＡｒＦ 2.0Ｗ／cｍ2 96
ザ １９３ｎｍ) No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 100℃ 100℃ ＡｒＦ 1.9Ｗ／cｍ2 96 ２ 100℃ 150℃ ＡｒＦ 2.0Ｗ／cｍ2 96 ３ 100℃ 200℃ ＡｒＦ 2.0Ｗ／cｍ2 96
【００１６】
【表５】 該錯体のレーザＣＶＤ試験結果(ＫｒＦレー
ザ ２４８ｎｍ) No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 100℃ 100℃ ＫｒＦ 1.9Ｗ／cｍ2 94 ２ 100℃ 150℃ ＫｒＦ 1.9Ｗ／cｍ2 95 ３ 100℃ 200℃ ＫｒＦ 1.9Ｗ／cｍ2 91
ザ ２４８ｎｍ) No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 100℃ 100℃ ＫｒＦ 1.9Ｗ／cｍ2 94 ２ 100℃ 150℃ ＫｒＦ 1.9Ｗ／cｍ2 95 ３ 100℃ 200℃ ＫｒＦ 1.9Ｗ／cｍ2 91
【００１７】
【表６】 該錯体のレーザＣＶＤ試験結果(ＸｒＦレー
ザ ３５１ｎｍ) No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 110℃ 110℃ ＸｅＦ 0.4Ｗ／cｍ2 97 ２ 110℃ 150℃ ＸｅＦ 0.4Ｗ／cｍ2 96 ３ 110℃ 200℃ ＸｅＦ 0.4Ｗ／cｍ2 95
ザ ３５１ｎｍ) No. 気化条件 基板温度 レーザ レーザパワー密度 Au含有量(wt%) １ 110℃ 110℃ ＸｅＦ 0.4Ｗ／cｍ2 97 ２ 110℃ 150℃ ＸｅＦ 0.4Ｗ／cｍ2 96 ３ 110℃ 200℃ ＸｅＦ 0.4Ｗ／cｍ2 95
【００１８】
【実施例４】該錯体の蒸気圧を気体流通法により測定し
た。キャリアーガスには窒素を用いた。結果は表６に示
す。
た。キャリアーガスには窒素を用いた。結果は表６に示
す。
【００１９】
【表７】 該錯体の蒸気圧
【００２０】
【発明の効果】本発明の化合物は、高い蒸気圧を有する
ため、ＣＶＤ法による金薄膜の形成に使用するＡｕ源と
して有用である。特にエキシマレーザの全波長領域で大
きなＵＶ吸収を有するため、光ＣＶＤにおけるＡｕ源と
しての有用性が大きい。
ため、ＣＶＤ法による金薄膜の形成に使用するＡｕ源と
して有用である。特にエキシマレーザの全波長領域で大
きなＵＶ吸収を有するため、光ＣＶＤにおけるＡｕ源と
しての有用性が大きい。
【図１】 Ｍｅ2Ａｕ(ＢＦＡ)のＩＲスペクトル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 手計 昌之 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 以下の式で表わされるＣＶＤ用有機金錯
体： 【化１】 - 【請求項２】 請求項１のＣＶＤ用有機金錯体にレーザ
を照射し金を析出させることからなる金薄膜の製造方
法。 - 【請求項３】 該レーザがエキシマレーザであることを
特徴とする請求項２に記載の金薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274967A JPH05331176A (ja) | 1992-02-07 | 1992-09-18 | Ｃｖｄ用有機金錯体およびこれを用いた金薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-56790 | 1992-02-07 | ||
| JP5679092 | 1992-02-07 | ||
| JP4274967A JPH05331176A (ja) | 1992-02-07 | 1992-09-18 | Ｃｖｄ用有機金錯体およびこれを用いた金薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05331176A true JPH05331176A (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=13037212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4274967A Pending JPH05331176A (ja) | 1992-02-07 | 1992-09-18 | Ｃｖｄ用有機金錯体およびこれを用いた金薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05331176A (ja) |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4274967A patent/JPH05331176A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| KOORD KHIM=1980 * |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980324 |