JP2817554B2 - 金膜形成用有機金錯体 - Google Patents
金膜形成用有機金錯体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子工学分野で必要な
金膜形成用の有機金化合物材料に関する。金の薄膜はそ
の電気特性、光学特性、熱安定性、化学安定性、基材と
の親和性等に優れているため、半導体素子の電極形成、
回路形成、配線の修正、故障解析、フォトマスクのパタ
ーン形成、光学素子のミラー形成等に用いられている。
金膜形成用の有機金化合物材料に関する。金の薄膜はそ
の電気特性、光学特性、熱安定性、化学安定性、基材と
の親和性等に優れているため、半導体素子の電極形成、
回路形成、配線の修正、故障解析、フォトマスクのパタ
ーン形成、光学素子のミラー形成等に用いられている。
【０００２】
【従来技術とその問題点】従来金膜は、代表的にはジメ
チル（アセチルアセトナート)金(III)、ジメチル(トリ
フルオロアセチルアセトナート)金(III)、ジメチル(ヘ
キサフルオロアセチルアセトナート)金(III)等のβ−ジ
ケトン錯体等のレーザーＣＶＤによって金パターン膜に
形成されていた。しかし、形成パターンの精度に対する
要求が高度化するにつれ、レーザー照射による基板加熱
の影響によって形成パターンのにじみが問題になってき
た。
チル（アセチルアセトナート)金(III)、ジメチル(トリ
フルオロアセチルアセトナート)金(III)、ジメチル(ヘ
キサフルオロアセチルアセトナート)金(III)等のβ−ジ
ケトン錯体等のレーザーＣＶＤによって金パターン膜に
形成されていた。しかし、形成パターンの精度に対する
要求が高度化するにつれ、レーザー照射による基板加熱
の影響によって形成パターンのにじみが問題になってき
た。
【０００３】
【問題解決の手段】上記の問題は、ジメチル金（III)β
−ジケトン錯体の熱分解温度が相対的に低いことに原因
があることに着目し、それより熱分解温度の高いイミノ
ケトン錯体の採用によって改良できることを知見した。
−ジケトン錯体の熱分解温度が相対的に低いことに原因
があることに着目し、それより熱分解温度の高いイミノ
ケトン錯体の採用によって改良できることを知見した。
【０００４】
【発明の構成】 本発明は一般式（１）で表わされ、Ａ
が−ＣＦ３または低級アルキル基である金錯体からなる
金膜形成用材料を提供する。この化合物の具体例は
が−ＣＦ３または低級アルキル基である金錯体からなる
金膜形成用材料を提供する。この化合物の具体例は
【０００５】
【化２】
【０００６】
【化３】
【０００７】
【化４】 で表わされる （１）：ジメチル（１,１,１−トリフルオロ−４−アミ
ノペンテン−２−オナート）金(III)（以下Ｍｅ2Ａｕ
（ＴＦＡＰ）と記す） （２）：ジメチル(１,１,１−トリフルオロ−５,５−ジ
メチル−４−アミノヘキセン−２−オナート）金(III)
（以下Ｍｅ2Ａｕ（ＴＤＡＨ）と記す） （３）：ジメチル（１,１,１−５,５,５−ヘキサフルオ
ロ−４−アミノペンテン−２−オナート）金(III)（以
下Ｍｅ2Ａｕ（ＨＦＡＰ）と記す） である。（１）、（２）は既知物質であるが、（３）は
発明者らが初めて合成した新規物質である。
ノペンテン−２−オナート）金(III)（以下Ｍｅ2Ａｕ
（ＴＦＡＰ）と記す） （２）：ジメチル(１,１,１−トリフルオロ−５,５−ジ
メチル−４−アミノヘキセン−２−オナート）金(III)
（以下Ｍｅ2Ａｕ（ＴＤＡＨ）と記す） （３）：ジメチル（１,１,１−５,５,５−ヘキサフルオ
ロ−４−アミノペンテン−２−オナート）金(III)（以
下Ｍｅ2Ａｕ（ＨＦＡＰ）と記す） である。（１）、（２）は既知物質であるが、（３）は
発明者らが初めて合成した新規物質である。
【０００８】
【発明の具体的開示】以下の実施例により、本発明を具
体的に開示する。各実施例においては、各金錯体につい
て、（１）配位子の合成、（２）金錯体の合成、（３）
熱ＣＶＤによる金薄膜の形成、及び（４）レーザＣＶＤ
による金薄膜の形成、を開示する。
体的に開示する。各実施例においては、各金錯体につい
て、（１）配位子の合成、（２）金錯体の合成、（３）
熱ＣＶＤによる金薄膜の形成、及び（４）レーザＣＶＤ
による金薄膜の形成、を開示する。
【実施例１】（１）配位子 １,１,１−トリフルオロ−
４−アミノペンテン−２−オン（以下ＨＴＦＡＰと記
す）の合成 １０ｇのトリフルオロアセチルアセトン（以下ＴＦＡと
記す；同仁化学研究所製）に濃アンモニア水５０ｍｌを
加え、３ｈｒ加熱還流した。反応後、ロータリーエバポ
レーターにより溶媒を留去すると黄緑色の溶液が残り、
室温で結晶化し、ＨＴＦＡＰを得た。
４−アミノペンテン−２−オン（以下ＨＴＦＡＰと記
す）の合成 １０ｇのトリフルオロアセチルアセトン（以下ＴＦＡと
記す；同仁化学研究所製）に濃アンモニア水５０ｍｌを
加え、３ｈｒ加熱還流した。反応後、ロータリーエバポ
レーターにより溶媒を留去すると黄緑色の溶液が残り、
室温で結晶化し、ＨＴＦＡＰを得た。
【０００９】（２）金錯体 Ｍｅ2Ａｕ（ＴＦＡＰ）の
合成 ジ−μ−ヨードテトラメチル二金(III)［（ＣＨ3）2Ａ
ｕＩ]2 ５.００ｇを１５０ｍｌのｎ-ペンタン中に溶解
させ、３.１８ｇのＡｇＮＯ3を含む０.００１ＮのＨＮ
Ｏ3水溶液を１滴づつ滴下し反応させた。 激しく撹拌し
ながら有機層を除去し、生成した沃化銀の沈澱をろ過に
より除いた。ろ液に１１ｇのＮａＯＨを添加して ３０
分激しく撹拌し、生成した酸化銀を除去した後、ジメチ
ル金(III)ヒドロキシ錯体の水溶液を作製した。この水
溶液に（１）のＨＴＦＡＰ ３.００ｇを含む水溶液１０
ｍｌを加えると沈澱が形成された。ろ過により沈澱を取
り出しデシケータ中で一晩乾燥後、昇華により精製を行
った（１３０℃／０.０３５torr）。融点９８.６℃。分
解温度２３９.８℃。 1Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣＬ３)：δ０.
９３ｐｐｍ(singlet ３Ｈ)、０.９８(singlet ３Ｈ)、
２.１８(singlet ３Ｈ)、４.９８(doublet １Ｈ)、６.
５５(singlet １Ｈ)。
合成 ジ−μ−ヨードテトラメチル二金(III)［（ＣＨ3）2Ａ
ｕＩ]2 ５.００ｇを１５０ｍｌのｎ-ペンタン中に溶解
させ、３.１８ｇのＡｇＮＯ3を含む０.００１ＮのＨＮ
Ｏ3水溶液を１滴づつ滴下し反応させた。 激しく撹拌し
ながら有機層を除去し、生成した沃化銀の沈澱をろ過に
より除いた。ろ液に１１ｇのＮａＯＨを添加して ３０
分激しく撹拌し、生成した酸化銀を除去した後、ジメチ
ル金(III)ヒドロキシ錯体の水溶液を作製した。この水
溶液に（１）のＨＴＦＡＰ ３.００ｇを含む水溶液１０
ｍｌを加えると沈澱が形成された。ろ過により沈澱を取
り出しデシケータ中で一晩乾燥後、昇華により精製を行
った（１３０℃／０.０３５torr）。融点９８.６℃。分
解温度２３９.８℃。 1Ｈ−ＮＭＲ(ＣＤＣＬ３)：δ０.
９３ｐｐｍ(singlet ３Ｈ)、０.９８(singlet ３Ｈ)、
２.１８(singlet ３Ｈ)、４.９８(doublet １Ｈ)、６.
５５(singlet １Ｈ)。
【００１０】（３）熱ＣＶＤによる金薄膜の形成 （２）で合成したＭｅ2Ａｕ(ＴＦＡＰ）を用いて、熱Ｃ
ＶＤにより金薄膜の形成を行った。石英製の加熱手段を
有する真空容器にシリコン基板を入れ、表１に示す気化
温度で、圧力２torrの減圧下、流量１０sccmのＡｒをキ
ャリアーガスとして上記反応容器内に導入した。基板を
表１に記した温度に保ち錯体を熱分解させ、基板上に金
を析出させた。この際の成膜時間は３０分間であった。
実験条件および形成された膜の純度（ＥＰＭＡによる）
を表１に示す。
ＶＤにより金薄膜の形成を行った。石英製の加熱手段を
有する真空容器にシリコン基板を入れ、表１に示す気化
温度で、圧力２torrの減圧下、流量１０sccmのＡｒをキ
ャリアーガスとして上記反応容器内に導入した。基板を
表１に記した温度に保ち錯体を熱分解させ、基板上に金
を析出させた。この際の成膜時間は３０分間であった。
実験条件および形成された膜の純度（ＥＰＭＡによる）
を表１に示す。
【表１】 No. 気化温度（℃） 基板温度（℃） Ａｕ含有量（ｗｔ％） １ １４０ ２５０ ９７.３ ２ １４０ ３００ ９７.５
【００１１】（４）レーザーＣＶＤによる金薄膜の形成 （２）で合成したＭｅ2Ａｕ(ＴＦＡＰ）を用いて、レー
ザーＣＶＤで金薄膜の形成を行った。石英製の窓および
加熱手段を有する真空容器にシリコン基板を入れ、気化
温度１４０℃で、圧力２torrの減圧下、流量１０sccmの
Ａｒをキャリアーガスとして上記反応容器内に導入し
た。基板温度を８０〜１５０℃のある温度に保ち、エキ
シマレーザー光を２０Ｈｚの繰り返し数で石英窓より基
板に対して垂直に照射して錯体を光分解させ、基板上に
金を析出させた。この際の成膜時間は３０分間であっ
た。レーザーの照射条件および形成された膜の純度（Ｅ
ＰＭＡによる）を表２に示す。
ザーＣＶＤで金薄膜の形成を行った。石英製の窓および
加熱手段を有する真空容器にシリコン基板を入れ、気化
温度１４０℃で、圧力２torrの減圧下、流量１０sccmの
Ａｒをキャリアーガスとして上記反応容器内に導入し
た。基板温度を８０〜１５０℃のある温度に保ち、エキ
シマレーザー光を２０Ｈｚの繰り返し数で石英窓より基
板に対して垂直に照射して錯体を光分解させ、基板上に
金を析出させた。この際の成膜時間は３０分間であっ
た。レーザーの照射条件および形成された膜の純度（Ｅ
ＰＭＡによる）を表２に示す。
【表２】 気化温度 基板温度 レーザー レーサ゛ーハ゜ワー密度 Ａu含有量 No． (℃) (℃) (Ｗ／cm2) (wt％) １ 140 80 XeCl 1.3 98 ２ 140 150 XeCl 1.3 97 ３ 140 200 XeCl 1.3 98 なお、（１）のＨＨＦＡＰの合成に関しては、D. A. Jo
hnson, A. b. Waugh,T. W. Hambley and J. C. Taylor.
J. Fluorine Chem., 27 (1985) 371-378. に、また
（２）で使用したジメチル金(III)ヒドロキシ錯体の合
成については、M.G. Miles, G. E. Glass and R. S. To
bias, J. Am. Chem. Soc., 88, 5738-5744(1966). に、
（２）で合成したＭｅ2Ａｕ（ＴＦＡＰ）の物性値につ
いては(合成は記載されていない）Ser. Khim. Nauk.,
(5), 145 (1988) にそれぞれ記載されている。
hnson, A. b. Waugh,T. W. Hambley and J. C. Taylor.
J. Fluorine Chem., 27 (1985) 371-378. に、また
（２）で使用したジメチル金(III)ヒドロキシ錯体の合
成については、M.G. Miles, G. E. Glass and R. S. To
bias, J. Am. Chem. Soc., 88, 5738-5744(1966). に、
（２）で合成したＭｅ2Ａｕ（ＴＦＡＰ）の物性値につ
いては(合成は記載されていない）Ser. Khim. Nauk.,
(5), 145 (1988) にそれぞれ記載されている。
【００１２】
【実施例２】（１）配位子 １,１,１−トリフルオロ−
５，５−ジメチル−４−アミノヘキセン−２−オン（以
下ＨＴＤＡＨと記す）の合成 １０ｇのピバロイルトリフルオロアセトン（同仁化学研
究所製）に濃アンモニア水５０ｍｌを加え一晩加熱還流
した。反応後、冷却すると白色結晶が析出した。ろ過に
よりＨＴＤＡＨの粗生成物を得た。
５，５−ジメチル−４−アミノヘキセン−２−オン（以
下ＨＴＤＡＨと記す）の合成 １０ｇのピバロイルトリフルオロアセトン（同仁化学研
究所製）に濃アンモニア水５０ｍｌを加え一晩加熱還流
した。反応後、冷却すると白色結晶が析出した。ろ過に
よりＨＴＤＡＨの粗生成物を得た。
【００１３】（２）金錯体Ｍｅ2Ａｕ（ＴＤＡＨ）の合
成 Ｍｅ2Ａｕ（ＴＤＡＨ）は、実施例１のＭｅ2Ａｕ（ＴＦ
ＡＰ）と同様の手法により合成した。ジメチル金(III)
ヒドロキシ錯体の水溶液に（１）のＨＴＤＡＨ５.８０
ｇを含むエタノール溶液１０ｍｌを加えると沈澱が形成
された。ろ過により沈澱を取り出しデシケータ中で一晩
乾燥後、昇華により精製を行った(１００℃／０.０３５
torr)。融点５８.６℃ 分解温度２８９.７℃ 1Ｈ−Ｎ
ＭＲ(ＣＤＣＬ３)；δ０.９１ｐｐｍ(singlet ３Ｈ)、
０.９６(singlet ３Ｈ)、１.２６(singlet ９Ｈ)、４.
８７(doublet １Ｈ)、６.４９(singlet １Ｈ)。
成 Ｍｅ2Ａｕ（ＴＤＡＨ）は、実施例１のＭｅ2Ａｕ（ＴＦ
ＡＰ）と同様の手法により合成した。ジメチル金(III)
ヒドロキシ錯体の水溶液に（１）のＨＴＤＡＨ５.８０
ｇを含むエタノール溶液１０ｍｌを加えると沈澱が形成
された。ろ過により沈澱を取り出しデシケータ中で一晩
乾燥後、昇華により精製を行った(１００℃／０.０３５
torr)。融点５８.６℃ 分解温度２８９.７℃ 1Ｈ−Ｎ
ＭＲ(ＣＤＣＬ３)；δ０.９１ｐｐｍ(singlet ３Ｈ)、
０.９６(singlet ３Ｈ)、１.２６(singlet ９Ｈ)、４.
８７(doublet １Ｈ)、６.４９(singlet １Ｈ)。
【００１４】（３）熱ＣＶＤによる金薄膜の形成 （２）で合成したＭｅ2Ａｕ(ＴＤＡＨ）を用いて、実施
例１と同様の手法により実験を行った。実験条件と形成
された膜の純度を表３に示す。
例１と同様の手法により実験を行った。実験条件と形成
された膜の純度を表３に示す。
【表３】 No． 気化温度（℃） 基板温度（℃） Ａｕ含有量（ｗｔ％） １ １２０ ３００ ９８.２ ２ １２０ ３２０ ９７.５
【００１５】（４）レーザーＣＶＤによる金薄膜の形成 （２）で合成したＭｅ2Ａｕ(ＴＤＡＨ）を用いて、レー
ザＣＶＤで金薄膜の形成を行った。石英製の窓および加
熱手段を有する真空容器にシリコン基板を入れ、気化温
度１２０℃で、圧力２torrの減圧下、流量１０sccmのＡ
ｒをキャリアーガスとして上記反応容器内に導入した。
基板温度を８０〜１５０℃のある温度に保ち、エキシマ
レーザ光を２０Ｈｚの繰り返し数で石英窓より基板に対
して垂直に照射して錯体を光分解させ、基板上に金を析
出させた。この際の成膜時間は３０分間であった。レー
ザの照射条件および形成された膜の純度（ＥＰＭＡによ
る）を表４に示す。
ザＣＶＤで金薄膜の形成を行った。石英製の窓および加
熱手段を有する真空容器にシリコン基板を入れ、気化温
度１２０℃で、圧力２torrの減圧下、流量１０sccmのＡ
ｒをキャリアーガスとして上記反応容器内に導入した。
基板温度を８０〜１５０℃のある温度に保ち、エキシマ
レーザ光を２０Ｈｚの繰り返し数で石英窓より基板に対
して垂直に照射して錯体を光分解させ、基板上に金を析
出させた。この際の成膜時間は３０分間であった。レー
ザの照射条件および形成された膜の純度（ＥＰＭＡによ
る）を表４に示す。
【表４】 気化温度 基板温度 レーザー レーサ゛ーハ゜ワー密度 Ａｕ含有量 No． （℃） （℃） （Ｗ／cm2） （wt％） １ 120 80 XeCl 1.3 98 ２ 120 150 XeCl 1.3 97 ３ 120 200 XeCl 1.3 96 なお、（２）で合成したＭｅ2Ａｕ(ＴＤＡＨ）の物性値
については（合成は記載されていない）Ser. Khim. Nau
k, (5), 145 (1988)に記載されている。
については（合成は記載されていない）Ser. Khim. Nau
k, (5), 145 (1988)に記載されている。
【００１６】
【実施例３】（１）配位子 １,１,１,５,５,５−ヘキサ
フルオロ−４−アミノペンテン−２−オン（以下ＨＨＦ
ＡＰと記す）の合成 ５０ｇのヘキサフルオロアセチルアセトン（以下ＨＦＡ
と記す；東京化成製）を１００ｍｌのエタノール中溶解
し、液体アンモニアボンベよりアンモニアガスを１ｌ／
ｍｉｎの流量で約３０分間程度バブリングした。この際
反応系は発熱するため、必要に応じ氷浴により冷却し
た。真空ポンプにより室温減圧下で、溶媒を蒸発乾固す
ると白色結晶が得られた。この白色結晶をシュレンク管
中に封入し、１torr程度の減圧下で、１７０℃で３０分
間加熱した。反応終了後、室温で放冷後徐々に生成物の
ＨＨＦＡＰが白色綿状物質となり生成した。精製は室温
で昇華により行なった。
フルオロ−４−アミノペンテン−２−オン（以下ＨＨＦ
ＡＰと記す）の合成 ５０ｇのヘキサフルオロアセチルアセトン（以下ＨＦＡ
と記す；東京化成製）を１００ｍｌのエタノール中溶解
し、液体アンモニアボンベよりアンモニアガスを１ｌ／
ｍｉｎの流量で約３０分間程度バブリングした。この際
反応系は発熱するため、必要に応じ氷浴により冷却し
た。真空ポンプにより室温減圧下で、溶媒を蒸発乾固す
ると白色結晶が得られた。この白色結晶をシュレンク管
中に封入し、１torr程度の減圧下で、１７０℃で３０分
間加熱した。反応終了後、室温で放冷後徐々に生成物の
ＨＨＦＡＰが白色綿状物質となり生成した。精製は室温
で昇華により行なった。
【００１７】（２）金錯体 Ｍｅ2Ａｕ（ＨＦＡＰ）の
合成 Ｍｅ2Ａｕ(ＨＦＡＰ)は、実施例１のＭｅ2Ａｕ（ＴＦＡ
Ｐ）と同様の手法により合成した。ジメチル金(III)ヒ
ドロキシ錯体の水溶液に合成例２の ＨＨＦＡＰ２.９２
ｇを含むエタノール溶液 １０ｍｌを加え、この溶液に
酢酸を添加し中和すると、黄色の油状液体が形成され
た。デカンテーションにより水溶液層を除去した後に、
塩化メチレンにより黄色液体を抽出した。無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、室温で真空ポンプにより溶媒を除去し
た後に、黄色の油状物質を減圧蒸留（沸点：６３〜６４
℃／３.２torr)により精製して、淡黄色の液体(沸点：
１２４.１℃）を得た。1 Ｈ-ＮＭＲ(ＣＤＣＬ3)：δ１.１８４ｐｐｍ(ｓ，３
Ｈ)，１.２００(ｓ，３Ｈ)，５.６８７(ｄ，１Ｈ，Ｊ
(ＨＨ)２.５４)，７.７７７(ｓ，１Ｈ) ＭＳ：４３３、４０３、３３４、３０６、２６４、２３
９、２２５、２１１、１９７ ＩＲスペクトル（液膜法）： 図１ ＵＶ吸収スペクトル：λｍａｘ＝３２８.４ｎｍ、εｍ
ａｘ＝５９４３.５５
合成 Ｍｅ2Ａｕ(ＨＦＡＰ)は、実施例１のＭｅ2Ａｕ（ＴＦＡ
Ｐ）と同様の手法により合成した。ジメチル金(III)ヒ
ドロキシ錯体の水溶液に合成例２の ＨＨＦＡＰ２.９２
ｇを含むエタノール溶液 １０ｍｌを加え、この溶液に
酢酸を添加し中和すると、黄色の油状液体が形成され
た。デカンテーションにより水溶液層を除去した後に、
塩化メチレンにより黄色液体を抽出した。無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、室温で真空ポンプにより溶媒を除去し
た後に、黄色の油状物質を減圧蒸留（沸点：６３〜６４
℃／３.２torr)により精製して、淡黄色の液体(沸点：
１２４.１℃）を得た。1 Ｈ-ＮＭＲ(ＣＤＣＬ3)：δ１.１８４ｐｐｍ(ｓ，３
Ｈ)，１.２００(ｓ，３Ｈ)，５.６８７(ｄ，１Ｈ，Ｊ
(ＨＨ)２.５４)，７.７７７(ｓ，１Ｈ) ＭＳ：４３３、４０３、３３４、３０６、２６４、２３
９、２２５、２１１、１９７ ＩＲスペクトル（液膜法）： 図１ ＵＶ吸収スペクトル：λｍａｘ＝３２８.４ｎｍ、εｍ
ａｘ＝５９４３.５５
【００１８】（３）熱ＣＶＤによる金薄膜の形成 （２）で合成したＭｅ2Ａｕ(ＴＦＡＰ）を用いて、実施
例１と同様の手法により実験を行った。実験条件と形成
された膜の純度を表５に示す。
例１と同様の手法により実験を行った。実験条件と形成
された膜の純度を表５に示す。
【表５】 No． 気化温度（℃） 基板温度（℃） Ａｕ含有量（ｗｔ％） １ 30 200 98.1 ２ 40 200 98.3 ３ 40 300 98.2
【００１９】（４）レーザーＣＶＤによる金薄膜の形成 （２）で合成したＭｅ2Ａｕ(ＨＦＡＰ）を用いて、レー
ザーＣＶＤで金薄膜の形成を行った。石英製の窓および
加熱手段を有する真空容器にシリコン基板を入れ、気化
温度４０〜５０℃で、圧力２torrの減圧下、流量１０sc
cmのＡｒをキャリアーガスとして上記反応容器内に導入
した。基板温度を５０℃に保ち、エキシマレーザ光を２
０Ｈｚの繰り返し数で石英窓より基板に対して垂直に照
射して錯体を光分解させ、基板上に金を析出させた。こ
の際の成膜時間は３０分間であった。レーザーの照射条
件および形成された膜の純度（ＥＰＭＡによる）を表６
に示す。
ザーＣＶＤで金薄膜の形成を行った。石英製の窓および
加熱手段を有する真空容器にシリコン基板を入れ、気化
温度４０〜５０℃で、圧力２torrの減圧下、流量１０sc
cmのＡｒをキャリアーガスとして上記反応容器内に導入
した。基板温度を５０℃に保ち、エキシマレーザ光を２
０Ｈｚの繰り返し数で石英窓より基板に対して垂直に照
射して錯体を光分解させ、基板上に金を析出させた。こ
の際の成膜時間は３０分間であった。レーザーの照射条
件および形成された膜の純度（ＥＰＭＡによる）を表６
に示す。
【表６】 気化温度 基板温度 レーザー レーサ゛ーハ゜ワー密度 Ａu含有量 No． （℃） （℃） （Ｗ／cm2） （wt％） １ 40 50 KrF 1.3 98 ２ 40 50 XeCl 1.3 97 ３ 40 50 XeCl 1.3 97
【００２０】
【発明の効果】本発明の有機金錯体は、従来のＭｅ2Ａ
ｕ（ＡｃＡｃ）、Ｍｅ2Ａｕ（ＴＦＡ）、Ｍｅ2Ａｕ(Ｈ
ＦＡ）等のジメチル金β−ジケトン錯体に比べ熱的に安
定しており、かつＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシ
マレーザー光による良好な分解特性をもつため、レーザ
による高精度な成膜形成が可能となる。
ｕ（ＡｃＡｃ）、Ｍｅ2Ａｕ（ＴＦＡ）、Ｍｅ2Ａｕ(Ｈ
ＦＡ）等のジメチル金β−ジケトン錯体に比べ熱的に安
定しており、かつＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシ
マレーザー光による良好な分解特性をもつため、レーザ
による高精度な成膜形成が可能となる。
【図１】実施例で合成した金錯体の液膜法ＩＲスペクト
ル図である。
ル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 Ｉｚｖ．Ｓｉｂ．Ｏｔｄ．Ａｋａｄ. Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ，Ｓｅｒ．Ｋｈｉ ｍ．Ｎａｕｋ，1989，（５），57−64 Ｋｏｏｒｄ．Ｋｈｉｍ．，1988，14 （10），1362−1367 Ｍｅｔａｌｌｏｒｇ．Ｋｈｉｍ．, 1988，１（５），1105−1112 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07F 1/12 C23C 14/14 ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 式 【化１】 で表わされ、ＡがＣＦ３または低級アルキルである金錯
体からなる金膜形成用材料。 - 【請求項２】 式 【化１】 で表わされ、ＡがＣＦ３である金錯体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331255A JP2817554B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 金膜形成用有機金錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331255A JP2817554B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 金膜形成用有機金錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06157546A JPH06157546A (ja) | 1994-06-03 |
| JP2817554B2 true JP2817554B2 (ja) | 1998-10-30 |
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ID=18241644
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4331255A Expired - Fee Related JP2817554B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 金膜形成用有機金錯体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2817554B2 (ja) |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP4331255A patent/JP2817554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｉｚｖ．Ｓｉｂ．Ｏｔｄ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ，Ｓｅｒ．Ｋｈｉｍ．Ｎａｕｋ，１９８９，（５），５７−６４ |
| Ｋｏｏｒｄ．Ｋｈｉｍ．，１９８８，１４（１０），１３６２−１３６７ |
| Ｍｅｔａｌｌｏｒｇ．Ｋｈｉｍ．，１９８８，１（５），１１０５−１１１２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06157546A (ja) | 1994-06-03 |
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