JPH02188564A - 揮発性フッ素化β―ケトイミンリガンドの製造方法 - Google Patents
揮発性フッ素化β―ケトイミンリガンドの製造方法Info
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- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 title claims description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- WYCFMUUVADBLQW-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-4-(2,2,2-trifluoroethylimino)pentan-2-one Chemical compound FC(F)(F)CN=C(C(F)(F)F)CC(=O)C(F)(F)F WYCFMUUVADBLQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- -1 silyl enol ether Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- BDAWXSQJJCIFIK-UHFFFAOYSA-N potassium methoxide Chemical compound [K+].[O-]C BDAWXSQJJCIFIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004209 (C1-C8) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- QARLZRKHYULCER-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,6,6,6-octafluoro-5-(2,2,2-trifluoroethylimino)hexan-3-one Chemical compound FC(F)(F)CN=C(C(F)(F)F)CC(=O)C(F)(F)C(F)(F)F QARLZRKHYULCER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 2
- BCNZYOJHNLTNEZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyldimethylsilyl chloride Chemical group CC(C)(C)[Si](C)(C)Cl BCNZYOJHNLTNEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 101000837845 Homo sapiens Transcription factor E3 Proteins 0.000 description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 102100028507 Transcription factor E3 Human genes 0.000 description 4
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N potassium hydride Chemical compound [KH] NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000105 potassium hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- ODWXUNBKCRECNW-UHFFFAOYSA-M bromocopper(1+) Chemical compound Br[Cu+] ODWXUNBKCRECNW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002084 enol ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 2
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGKBKOFWQWACLM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,5,5,6,6,6-octafluorohexane-2,4-dione Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)C(F)(F)F MGKBKOFWQWACLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIPSRYDSZQRPEA-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethanamine Chemical compound NCC(F)(F)F KIPSRYDSZQRPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930194542 Keto Natural products 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 241000282330 Procyon lotor Species 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 1
- 239000012230 colorless oil Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 150000002085 enols Chemical class 0.000 description 1
- TZMFJUDUGYTVRY-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl diketone Natural products CCC(=O)C(C)=O TZMFJUDUGYTVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 125000006341 heptafluoro n-propyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001509 metal bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019645 odor Nutrition 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005588 protonation Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- UMFCIIBZHQXRCJ-NSCUHMNNSA-N trans-anol Chemical compound C\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 UMFCIIBZHQXRCJ-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical compound [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
- C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
- C07C251/04—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
- C07C251/06—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of a saturated carbon skeleton
- C07C251/08—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of a saturated carbon skeleton being acyclic
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明はフッ素化有機リガンド(配位体)および該リガ
ンドから生成した揮発性金属錯体に関するものである。
ンドから生成した揮発性金属錯体に関するものである。
(従来の技術)
エレクトロニクス産業においては金属膜、金属酸化物膜
、金属ケイ化物膜等の化学的蒸着に際して用いられる種
々の揮発性金属材料に対する需要が増大している。この
ような金属材料に対する重要な要求特性はその金属材料
が容易に蒸発または昇華して金属を含む蒸気またはガス
となり、成る条件下で分解してターゲットとなる基板上
に被膜を形成し得ることて゛ある。
、金属ケイ化物膜等の化学的蒸着に際して用いられる種
々の揮発性金属材料に対する需要が増大している。この
ような金属材料に対する重要な要求特性はその金属材料
が容易に蒸発または昇華して金属を含む蒸気またはガス
となり、成る条件下で分解してターゲットとなる基板上
に被膜を形成し得ることて゛ある。
マイクロ・エレクトロニクス産業において、プリント配
線や半導体デバイスとして一般的に用いられる錯体を含
む金属材料の1−例としては、83 S i CO (
CO )4錯木が挙げられるが、この錯体は670−7
70°にの気相において熱分解してCOS iおよびジ
メ千ル亜49(1,4ジオキサン)を生成し、これが2
50−550℃においてセレン化水素と反応しZn5e
を生成するのである。
線や半導体デバイスとして一般的に用いられる錯体を含
む金属材料の1−例としては、83 S i CO (
CO )4錯木が挙げられるが、この錯体は670−7
70°にの気相において熱分解してCOS iおよびジ
メ千ル亜49(1,4ジオキサン)を生成し、これが2
50−550℃においてセレン化水素と反応しZn5e
を生成するのである。
上記したCVD法についてはB、 J、 Aylett
らによるVacuum、 35 p 435−439
(1958)およびP、J。
らによるVacuum、 35 p 435−439
(1958)およびP、J。
WrightちによるJ、of crystal Gr
outll、 London(1986)受理論文等の
参考文献中にそれぞれ記載されている。
outll、 London(1986)受理論文等の
参考文献中にそれぞれ記載されている。
化学的に安定し、容易に気相に蒸発気化する既知のフッ
素化金属錯体は親βジケトン先駆体リガンドに基づいて
配位された過フッ素化β−ジケトン金属配位化合物であ
る。これらの関係については次式で示される。
素化金属錯体は親βジケトン先駆体リガンドに基づいて
配位された過フッ素化β−ジケトン金属配位化合物であ
る。これらの関係については次式で示される。
リガンド 金属配位化合物
ここで、R1はアルキルまたはフッ素化アルキル、R2
はフッ素化アルキル、またMは配位化合物を形成し得る
金属である。これらの化合物は揮発性と気相安定性を有
するので、種々の金属のガスクロマトグラフィーによる
分離、ウラニウムの精製および特殊ガラスの製造等に利
用されている。
はフッ素化アルキル、またMは配位化合物を形成し得る
金属である。これらの化合物は揮発性と気相安定性を有
するので、種々の金属のガスクロマトグラフィーによる
分離、ウラニウムの精製および特殊ガラスの製造等に利
用されている。
金属薄膜の析出のための気相中での水素との反応による
金属錯体の分解については米国特許第3356527号
に開示されている。
金属錯体の分解については米国特許第3356527号
に開示されている。
過去にもアミンまたは初級ジアミンを上記した構造のリ
ガンドに似た構造を有するリガンドで濃縮する試みがな
されている。
ガンドに似た構造を有するリガンドで濃縮する試みがな
されている。
例えばR1およびR2が両方ともフッ素化炭素でないも
のにおいて適当なβ−ジケトンとアミン間で直接シ1ニ
フ基凝縮によってアミンから酸素原子を窒素原子により
置換し得ることが報告されている。さらに、対応する金
属錯体が金属イオンのキレート化によって合成し得るこ
とについて、^、E。
のにおいて適当なβ−ジケトンとアミン間で直接シ1ニ
フ基凝縮によってアミンから酸素原子を窒素原子により
置換し得ることが報告されている。さらに、対応する金
属錯体が金属イオンのキレート化によって合成し得るこ
とについて、^、E。
Hartell、らによるJ、 Inorg、Nucl
、Chem、Vol、 5pl)170−181 (1
958)に記載されている。
、Chem、Vol、 5pl)170−181 (1
958)に記載されている。
また、5ievers 9によってJ、 Inorg、
Nuc 1. Chem。
Nuc 1. Chem。
Vol、32 pp 1895−1906 (1970
)において報告されているようにR1およびR2がとも
に過フッ素化アルキルであり、そして酸素がアミンに置
き換えられるようなリガンドは得ちれていない9 その方法は過フッ素化β−ジケトンは酸性度が高いので
反応に使われるアミンが陽子化し、所望のリガンドが得
られずにアミンとβ−ジケトンとの塩を形成してしまう
ためにこの方法は成功しなかったと信じられている。
)において報告されているようにR1およびR2がとも
に過フッ素化アルキルであり、そして酸素がアミンに置
き換えられるようなリガンドは得ちれていない9 その方法は過フッ素化β−ジケトンは酸性度が高いので
反応に使われるアミンが陽子化し、所望のリガンドが得
られずにアミンとβ−ジケトンとの塩を形成してしまう
ためにこの方法は成功しなかったと信じられている。
5ieversらは次の構造を有するリガンドの合成に
ついて報告している。
ついて報告している。
ここで、R1およびR2はCF3であり、R3は−CI
−12CI+2−である。
−12CI+2−である。
このリガンドは[(Cr3C(0)CHC(0)CF3
)I2[NH3−Cl、2CH2−CH3] +2塩の
昇華によって合成されたと報じちれている。またこのリ
ガンドは化学的に不安定であり、従って分離することは
不可能であるとも報じられている。
)I2[NH3−Cl、2CH2−CH3] +2塩の
昇華によって合成されたと報じちれている。またこのリ
ガンドは化学的に不安定であり、従って分離することは
不可能であるとも報じられている。
chargesは米国特許第3594216号において
基板を加熱し、且つ揮発した金属−有機物β−ケトアミ
ンキレートと接触さぜることによって基板上に金属膜を
蒸着させる方法について開示している。
基板を加熱し、且つ揮発した金属−有機物β−ケトアミ
ンキレートと接触さぜることによって基板上に金属膜を
蒸着させる方法について開示している。
金属−有機物β−ケI・アミンは従来の合成技術によっ
て得られる。種々の金属キレート化合物にっいて広く明
らかにされる一方におい′〔、特に過フッ素化された金
属キレート化合物の例やこれを用いた合成技術について
は全く知られていない。
て得られる。種々の金属キレート化合物にっいて広く明
らかにされる一方におい′〔、特に過フッ素化された金
属キレート化合物の例やこれを用いた合成技術について
は全く知られていない。
まなさちにJOhnSOnらはJournal of
FluorineChemistry、 27 pp
371−378 <1985>において、R1およびR
2が過フッ素化アルキルであり、酸素がアンモニアによ
って窒素と置換したリガンドについて報告している。C
u+2錯体もまた作りだされ、揮発性であることが報告
されている。
FluorineChemistry、 27 pp
371−378 <1985>において、R1およびR
2が過フッ素化アルキルであり、酸素がアンモニアによ
って窒素と置換したリガンドについて報告している。C
u+2錯体もまた作りだされ、揮発性であることが報告
されている。
(発明が解決しようとする課題)
エレクトロニクス産業においては金属膜、金属酸化物膜
、金属ケイ化物膜等の化学的蒸着に際して用いられる種
々の揮発性金属材料に対する需要が増大しているにも拘
らず、従来技術においてはこのような金属材料に対する
重要な要求特性、即ち容易に蒸発または昇華して金属を
含む蒸気またはガスとなり、特定の条件下で分解してタ
ーゲットとなる基板上で均一で完璧な金属薄膜を形成し
得るような金属材料を作るに適した化学的に安定したリ
ガンドは得られていない。
、金属ケイ化物膜等の化学的蒸着に際して用いられる種
々の揮発性金属材料に対する需要が増大しているにも拘
らず、従来技術においてはこのような金属材料に対する
重要な要求特性、即ち容易に蒸発または昇華して金属を
含む蒸気またはガスとなり、特定の条件下で分解してタ
ーゲットとなる基板上で均一で完璧な金属薄膜を形成し
得るような金属材料を作るに適した化学的に安定したリ
ガンドは得られていない。
本発明は上記したような要望に応え、このような要求特
性を十分に満足し得る高度の揮発性を持った金属錯体が
得られるような化学的に安定した新規なリガンドおよび
これにより誘導される金属錯体並びにこれらの化合物の
製造法を提供することを目自勺とするものて゛ある。
性を十分に満足し得る高度の揮発性を持った金属錯体が
得られるような化学的に安定した新規なリガンドおよび
これにより誘導される金属錯体並びにこれらの化合物の
製造法を提供することを目自勺とするものて゛ある。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記の目的達成のために完成されたものであり
、新規なβ−ケトイミンリガンドおよび該リガンドの揮
発性金属錯体並びにこれらの製造法に係るものである。
、新規なβ−ケトイミンリガンドおよび該リガンドの揮
発性金属錯体並びにこれらの製造法に係るものである。
本発明のβ−ケトイミンリガンドは基本的には次に示す
ような一般構造式を有する。
ような一般構造式を有する。
但し、R1およびR2はそれぞれ直鎖型または分岐鎖型
の過フッ素化C1〜C8アルキル基群、フェニール基群
またはヒドロキシアルキル基群であり、これらの一部ま
たは全部がフッ素化されたものである。
の過フッ素化C1〜C8アルキル基群、フェニール基群
またはヒドロキシアルキル基群であり、これらの一部ま
たは全部がフッ素化されたものである。
また、これちのリガンドから合成される金属錯体は高い
揮発性を有するβ−ケトイミナート金属錯体であり、そ
の化学的に示すような構造式を有する。
揮発性を有するβ−ケトイミナート金属錯体であり、そ
の化学的に示すような構造式を有する。
但し、R7、隅およびR3は上記したものと同様であり
、Mは金属でn=1.2または3である。
、Mは金属でn=1.2または3である。
本発明はまた上記したβ−ケトイミンおよび金属錯体の
製造法についてのものである。
製造法についてのものである。
即ち、本発明のリガンドはフッ素化されたβ−ケトイミ
ンをシリルエノールエーテルが生成されるようにシリル
化し、次いで得られたシリルエノールエーテルを所望の
リガンドが形成されるように初級アミンと反応させるこ
とによって合成される。
ンをシリルエノールエーテルが生成されるようにシリル
化し、次いで得られたシリルエノールエーテルを所望の
リガンドが形成されるように初級アミンと反応させるこ
とによって合成される。
また、これらのリガンドに対応する金属錯体は得られた
リガンドをカリウムメトキサイドで処理し、次いで所望
の金属材料の錯体が得られるようにその金属のハロゲン
塩で処理することによって得られる。
リガンドをカリウムメトキサイドで処理し、次いで所望
の金属材料の錯体が得られるようにその金属のハロゲン
塩で処理することによって得られる。
(作用)
次に本発明の詳細およびその作用についてより具体的に
述べる。
述べる。
本発明はフッ素化されなβ−ケトイミンと加熱により揮
発し得るβ−ケトイミナート金属錯体に関するものであ
るが、このリガンドは、高度にフッ素化されていること
およびこれに対応する金属錯体を形成するために中枢金
属原子に対して酸素と窒素を供給するための供与原子(
ドナー)を含むことが特徴となっている。また、このリ
ガンドはこれによって作られる金属錯体も同様であるが
化学的に安定であり容易に揮発してガス相を形成する。
発し得るβ−ケトイミナート金属錯体に関するものであ
るが、このリガンドは、高度にフッ素化されていること
およびこれに対応する金属錯体を形成するために中枢金
属原子に対して酸素と窒素を供給するための供与原子(
ドナー)を含むことが特徴となっている。また、このリ
ガンドはこれによって作られる金属錯体も同様であるが
化学的に安定であり容易に揮発してガス相を形成する。
金属錯体における高度のフッ素含有率は個々の分子間の
ファンデルワールス力を減少させこれによって錯体の沸
点や昇華温度を降下させる作用を有するものと考えられ
る。本発明における高度にフ・ン素化されたβ−ケトイ
ミンリガンドは下記の構造式を有している。
ファンデルワールス力を減少させこれによって錯体の沸
点や昇華温度を降下させる作用を有するものと考えられ
る。本発明における高度にフ・ン素化されたβ−ケトイ
ミンリガンドは下記の構造式を有している。
R。
ここで、R1およびR2はそれぞれが直鎖型または分岐
鎖型の過フッ素化されたC1〜C8アルキル基群であり
、R3はC1〜C8アルキル基、フェニール基またはヒ
ドロキシアルキル基のような任意の有機官能基であり、
これへはその一部または全部がフッ素化されている。
鎖型の過フッ素化されたC1〜C8アルキル基群であり
、R3はC1〜C8アルキル基、フェニール基またはヒ
ドロキシアルキル基のような任意の有機官能基であり、
これへはその一部または全部がフッ素化されている。
また、これらのリガンドから合成される金属錯体は下記
の構造式を有する。
の構造式を有する。
ここで、R1、R2およびR3は上記リガンドと同様で
あり、またMは金属を意味しn=1.2または3である
。
あり、またMは金属を意味しn=1.2または3である
。
この揮発性の金属錯体は、例えば金属フィルムや金属酸
化物フィルムの基板上I\の析出のため一般的に行なわ
れるCvDプロセスのような蒸着技術における金属原料
として、十分なポテンシャルを持っている。
化物フィルムの基板上I\の析出のため一般的に行なわ
れるCvDプロセスのような蒸着技術における金属原料
として、十分なポテンシャルを持っている。
(I)式で示されるリガンドは次のようにして合成され
る。即ち先ず、式R1COCH2C0R2で示されるフ
ッ素化β−ジケトンを無水状態で水素化カリウムで処理
することによって式1?、COClICORで示される
合成物を作り、次いでそのR,COClICOR合成物
をt−ブチルジメチルクロライドのようなシリルクロラ
イドに反応させて、下記に示す構造式を有するシリルエ
ノールエーテルを得る。
る。即ち先ず、式R1COCH2C0R2で示されるフ
ッ素化β−ジケトンを無水状態で水素化カリウムで処理
することによって式1?、COClICORで示される
合成物を作り、次いでそのR,COClICOR合成物
をt−ブチルジメチルクロライドのようなシリルクロラ
イドに反応させて、下記に示す構造式を有するシリルエ
ノールエーテルを得る。
5i(Rs)3
ここでR1、R2およびR3は前(I)式と同様であり
、R5はアルキル基群である。
、R5はアルキル基群である。
上記の如くして得られたシリルエノールエーテルをR3
聞2 (R3は前(1)式と同様)の如き初級モノアミ
ンで処理することによって構造式(■)、即ちfhcO
ct12cN (R3)R2に示されるような所望のβ
−ケトイミンリガンドを得ることができる。
聞2 (R3は前(1)式と同様)の如き初級モノアミ
ンで処理することによって構造式(■)、即ちfhcO
ct12cN (R3)R2に示されるような所望のβ
−ケトイミンリガンドを得ることができる。
上記の如くして得られたβ−ケトイミンから金属錯体を
形成するにはリガンドを先ずメトキシドカリウムで処理
してRI C0CtlCN (R3)R2−に千成で示
される合成物を得る。そして次にこの合成物をH”’(
X)T1−式(ここでXはハロゲン、n=1.2または
3である)にて示されるハロゲン化金属で処理すること
によって前記(II)式にて示された所望の金属錯体を
得ることができる。
形成するにはリガンドを先ずメトキシドカリウムで処理
してRI C0CtlCN (R3)R2−に千成で示
される合成物を得る。そして次にこの合成物をH”’(
X)T1−式(ここでXはハロゲン、n=1.2または
3である)にて示されるハロゲン化金属で処理すること
によって前記(II)式にて示された所望の金属錯体を
得ることができる。
この発明によって得られたリガンドはエノール型とケ1
〜型の二つの互変異性体が存在する。しかして、−殻内
には前記(1)式で示されなケト型で代表される、 本発明によって得られる好ましいリガンドおよび金属錯
体を次に示す。
〜型の二つの互変異性体が存在する。しかして、−殻内
には前記(1)式で示されなケト型で代表される、 本発明によって得られる好ましいリガンドおよび金属錯
体を次に示す。
臥j乞上
=R2=CF:+ 、 R3=CH2CF3、=CF2
CF3、R2=CF3 、R3=CH2CF3=CF2
CF2CF3 、R2=cr3、R3=CH2CF3=
112 = CF 3 、R3= pheny”R2
=CF3 、 h−”CH2CH□011金属錯体 ここて’R1=82=CF3 、R3=CH2CF3、
H”=cu+2R1=82=CF3 、R3=CH2C
)3、P=CO+2R1=CF2CF3、R2=CF3
、R3:CH2CF3、H十口=Cu+2 R1=:CF2CF2CF3 、R2=CF3 、R3
=CH2CF3、H+o=CB+2 R3=C2CF3、R3=CH2CH20H1H十a=
01+2 次に本発明の実施例について述べる。
CF3、R2=CF3 、R3=CH2CF3=CF2
CF2CF3 、R2=cr3、R3=CH2CF3=
112 = CF 3 、R3= pheny”R2
=CF3 、 h−”CH2CH□011金属錯体 ここて’R1=82=CF3 、R3=CH2CF3、
H”=cu+2R1=82=CF3 、R3=CH2C
)3、P=CO+2R1=CF2CF3、R2=CF3
、R3:CH2CF3、H十口=Cu+2 R1=:CF2CF2CF3 、R2=CF3 、R3
=CH2CF3、H+o=CB+2 R3=C2CF3、R3=CH2CH20H1H十a=
01+2 次に本発明の実施例について述べる。
以下の実施例においては温度は摂氏に補正されていない
。また断りのない限り全部分とノく−センテイジは重量
を表わしている。
。また断りのない限り全部分とノく−センテイジは重量
を表わしている。
使用薬品中1.1,1,5,5.5−ヘキサフルオロ−
2,4−ペンタンジオン、t−ブチルジメチルシリルク
ロライド、水素化カリウム、2,2.2−トリフルオロ
エチルアミン、エチレンジアミン、エタノールアミン、
1,3−プロパンジアミン、1,3−ジアミノ−2−1
0パノールおよびアナリンはアルドリッヒ化学社(Al
drich Chemical CO、 ; 940
West St、Paul Ave Milwauke
e Wis、 532331製のものを使用した。
2,4−ペンタンジオン、t−ブチルジメチルシリルク
ロライド、水素化カリウム、2,2.2−トリフルオロ
エチルアミン、エチレンジアミン、エタノールアミン、
1,3−プロパンジアミン、1,3−ジアミノ−2−1
0パノールおよびアナリンはアルドリッヒ化学社(Al
drich Chemical CO、 ; 940
West St、Paul Ave Milwauke
e Wis、 532331製のものを使用した。
また、1.1.1.2.2.6.6.6−オクタフルオ
ロ−3,5−ヘキサンジオンおよび1,1,1,2,2
,3,3,7,7゜7−ゾカフルオロー71.6−へブ
タンジオンはフェアフィールド化学社(Fairfie
ld Chemical COm−pany Inc、
: P、0.Box 20 Blythewood、
SC2901)製のものを使用した。使用溶剤はHP
LC級のものである。
ロ−3,5−ヘキサンジオンおよび1,1,1,2,2
,3,3,7,7゜7−ゾカフルオロー71.6−へブ
タンジオンはフェアフィールド化学社(Fairfie
ld Chemical COm−pany Inc、
: P、0.Box 20 Blythewood、
SC2901)製のものを使用した。使用溶剤はHP
LC級のものである。
テトロヒト四フラン(T11F)は窒素雰囲気下で水素
化カルシウムから蒸留され、メタノールは窒素雰囲気下
で金属+gから蒸留された。リガンドおよびその対応金
属錯体の製造に際しての一切の操作はり、 F、 5h
river著による「空気敏感化合物の取扱法J (
”Tbe Manipulation of Air
SensitiveCOmpaunds :HCG
raw−11i11Pub!1stl+11(ICO,
)に述べられている標準ジュレンクライン技法を用いて
行なった。
化カルシウムから蒸留され、メタノールは窒素雰囲気下
で金属+gから蒸留された。リガンドおよびその対応金
属錯体の製造に際しての一切の操作はり、 F、 5h
river著による「空気敏感化合物の取扱法J (
”Tbe Manipulation of Air
SensitiveCOmpaunds :HCG
raw−11i11Pub!1stl+11(ICO,
)に述べられている標準ジュレンクライン技法を用いて
行なった。
微量分析はシュワルズコフ微量分析実験(SCh−wa
rzkopf Microanalytical La
boratory、WoodsideN、Y、>Iまた
は研究サービス(Reserch 5ervice。
rzkopf Microanalytical La
boratory、WoodsideN、Y、>Iまた
は研究サービス(Reserch 5ervice。
Air Products and Chemical
s、 Inc、 )により行なった。
s、 Inc、 )により行なった。
’H,19pおよび13cスペクトルはアイ・ビー・エ
ム5Y−200およびブルーカーWH−200スペクト
ロメーターを使用して記録した。
ム5Y−200およびブルーカーWH−200スペクト
ロメーターを使用して記録した。
また以下の実施例において化学構造は国際純正および応
用化学連合(ItlPAC)と合成されたリガンドの両
方とともに下記の如く示される。
用化学連合(ItlPAC)と合成されたリガンドの両
方とともに下記の如く示される。
対応する金属錯体はその金属によって置換される(H)
と似た構造を有する。(■式参照)金属錯体の電荷は中
性のままである。即ち、若しリガンドがプロトン化分離
するときは、例えばCu+2の如き2価金属原子が1個
必要となる。
と似た構造を有する。(■式参照)金属錯体の電荷は中
性のままである。即ち、若しリガンドがプロトン化分離
するときは、例えばCu+2の如き2価金属原子が1個
必要となる。
4− (2,2,2−トリフルオロエチル)イミノ−1
,1,1,5,5,5−へキサフルオロ−2−ペンタン
オ(旧N0NA−F[TFEAJ 5− (2,2,2−トリフルオロエチル)イミノ−1
、1,1,2,2,6,6,6−オクタフルオロ−3−
ヘキサンオン (H)υNDECA−F[TFEAJ 6− (2,2,2−l〜リフルオロエチル)イミノ−
1,1,1,2,2,3,3,7,7,7−ゾカフルオ
ロー4−へブタンオン (旧TRIDECA−F[丁FEAI 〈実施例) 実施例1 4−(2−ヒドロキシエチル)イミノ−i、 Ll。
,1,1,5,5,5−へキサフルオロ−2−ペンタン
オ(旧N0NA−F[TFEAJ 5− (2,2,2−トリフルオロエチル)イミノ−1
、1,1,2,2,6,6,6−オクタフルオロ−3−
ヘキサンオン (H)υNDECA−F[TFEAJ 6− (2,2,2−l〜リフルオロエチル)イミノ−
1,1,1,2,2,3,3,7,7,7−ゾカフルオ
ロー4−へブタンオン (旧TRIDECA−F[丁FEAI 〈実施例) 実施例1 4−(2−ヒドロキシエチル)イミノ−i、 Ll。
5.5.5−ヘキサフルオロ−2−ペンタノン(H)H
EXA−F[EOAl 4−(フェニール)イミノ−Ll、1,5,5.5−/
\キザフル第1コー2−ペンタノン 川)HEXA−F[ANl 次に下記に示すものを製造するための一般的な合成法を
示す。
EXA−F[EOAl 4−(フェニール)イミノ−Ll、1,5,5.5−/
\キザフル第1コー2−ペンタノン 川)HEXA−F[ANl 次に下記に示すものを製造するための一般的な合成法を
示す。
(1) Ll、1,5,5.5−へキサフルオロ−2
,4−ペンタンジアンからの4−(t−ブチルジメチル
シロキシ)−1,1,1,5,5,5−へキサフルオロ
−3−ペンタン−2−オンの合成。
,4−ペンタンジアンからの4−(t−ブチルジメチル
シロキシ)−1,1,1,5,5,5−へキサフルオロ
−3−ペンタン−2−オンの合成。
(2) 1,1.1,5,5,6,6.6−オクタフ
ルオロ−2,4−へキサンジオンかへの4− (t−)
゛チルジメチルシロキシ −3−ヘキサン−2−オン(およびその異性体2−(1
−ブチルジメチルシロキシ) −1. 1,1,5,5
。
ルオロ−2,4−へキサンジオンかへの4− (t−)
゛チルジメチルシロキシ −3−ヘキサン−2−オン(およびその異性体2−(1
−ブチルジメチルシロキシ) −1. 1,1,5,5
。
6、 6. 6−オクタフルオロ−ヘキサン−4−オン
)の合成。
)の合成。
(3) 1.1,1,5,5,6,6,7,7、7−
ゾカフルオロー2−へブタン−4−オンからの4−(t
−ブチルジメチルシロキシ)−1.1,1,5,5,6
,6,7,7.7−ゾカフルオロー3−へブタン−2−
オン(およびその異性体2− (t−ブチルジメチルシ
ロキシ)−1.1。
ゾカフルオロー2−へブタン−4−オンからの4−(t
−ブチルジメチルシロキシ)−1.1,1,5,5,6
,6,7,7.7−ゾカフルオロー3−へブタン−2−
オン(およびその異性体2− (t−ブチルジメチルシ
ロキシ)−1.1。
1、 5, 5. 6, 6, 7, 7. 7−ゾカ
フルオロー2−へブタン−4−オン)の合成。
フルオロー2−へブタン−4−オン)の合成。
水素化カリウム(20.0g、0.5モル)を追加添加
用漏斗からゴム隔膜を施して注入孔を窒素で覆った磁気
撹拌棒付きの反応用フラスコ内に入れた。
用漏斗からゴム隔膜を施して注入孔を窒素で覆った磁気
撹拌棒付きの反応用フラスコ内に入れた。
次に乾燥窒素雰囲気下でTHE (500m.Q)を
フラスコ中に入れ、次いでこれを一78℃に冷却した。
フラスコ中に入れ、次いでこれを一78℃に冷却した。
さらにパーフルオロβ−フケj・ン(0.5モル)をス
ポイi・により撹拌を加えながら約0.5ml /’分
の割合でTHEに添加し、一方において水素化カリウム
を反応用フラスコ内において過剰に蓄積されないように
消費に見合った量宛をゆっくりと添加した。
ポイi・により撹拌を加えながら約0.5ml /’分
の割合でTHEに添加し、一方において水素化カリウム
を反応用フラスコ内において過剰に蓄積されないように
消費に見合った量宛をゆっくりと添加した。
−切の薬剤を投入後室温にて撹拌を加えながら全ての水
化物が消費尽くされるまで反応をさせたく18時間)。
化物が消費尽くされるまで反応をさせたく18時間)。
次にt−ブチルジメチルシロキシ(75.36 g,
0.5モル)を入れた還流コンデンサーおよび添加用漏
斗を反応フラスコに設置し15〇−のTHEを添加用漏
斗から注入して塩化シリルを溶解した。この溶液を30
分間滴温和、撹拌しながら混合物を反応さぜな後、18
時間に亘り還流冷却した。この間に塩化カリウムの厚い
白色析出物を生成した。次に混合物を窒素下で濾過し、
青褐色乃至は黄色の沈殿物を得な。
0.5モル)を入れた還流コンデンサーおよび添加用漏
斗を反応フラスコに設置し15〇−のTHEを添加用漏
斗から注入して塩化シリルを溶解した。この溶液を30
分間滴温和、撹拌しながら混合物を反応さぜな後、18
時間に亘り還流冷却した。この間に塩化カリウムの厚い
白色析出物を生成した。次に混合物を窒素下で濾過し、
青褐色乃至は黄色の沈殿物を得な。
かくして約500−のTIIFが窒素下で蒸留され得ち
れた濃縮されたシリルエノールエーテル溶液が冷却され
、これにより塩化カリウムが析出した。
れた濃縮されたシリルエノールエーテル溶液が冷却され
、これにより塩化カリウムが析出した。
この溶液は前述のように沖過され、次いで窒素下で蒸留
され、揮発性の青黄色のシリルエノールエーテル液が得
られた。
され、揮発性の青黄色のシリルエノールエーテル液が得
られた。
注:蒸留用フラスコは乾燥状態になるまで加熱してはな
ちない。蒸留用フラスコ内に残留する褐色液が30−以
下になると分解前に急速に濃黄灰色の蒸気が発生し始め
装置内の圧力が変動する。
ちない。蒸留用フラスコ内に残留する褐色液が30−以
下になると分解前に急速に濃黄灰色の蒸気が発生し始め
装置内の圧力が変動する。
非対称過フッ化βージケトン(即ち、1,1,1,2。
2、6,6.6−オクタフルオロ−3,5−へキサフル
オロおよび1,1,1,2,2,3,3,7,7.7ー
テ“カフルオロー4、6−へブタンジオン)から出発す
ると2種の異性体を生成する。しかし蒸留段階では分離
されないで二つの異性体の混合組成溜分として捕集され
、つまり各エノーIレエーテルはBP丁の165−18
0℃における一つの主溜分として捕集される。
オロおよび1,1,1,2,2,3,3,7,7.7ー
テ“カフルオロー4、6−へブタンジオン)から出発す
ると2種の異性体を生成する。しかし蒸留段階では分離
されないで二つの異性体の混合組成溜分として捕集され
、つまり各エノーIレエーテルはBP丁の165−18
0℃における一つの主溜分として捕集される。
収率および分析データを第1表に示した。
」止シ辷」控止上−
1,1,1,5,5,5−へキサ
フルオロ−2,4−ベン
タンジオン
1、1.1,5,5,6,6.6−オ
クタフルオロ−2,4
ペンタンジオン
ペンタンジオン
第
表
生1シリルエノールエーテル
4−(し−ブチルジメチルシ
ロキシ)−1,1,1,5,5,5−へキサフルオロ−
3−ペンタ シー2−オン 4−(し−ブチルジメチルシ ロキシ) −1,1,1,5,5,6,6,6−オクタ
フルオロ−2−ヘキ サン−4−オン 7.7−ゾカフルオロー3−ヘ プテン−2−オンおよび2− (1,−ブチルジメチルシロキ シ) −1,1,1,5,5,6,(i、7,7.7−
2−へ1テン−4−オン 立醍↓ 沸 点 核磁気共鳴 “HCDCHa δ0.32(S、 611)
;δ0.99(S、 911) ; δ6.27(S、 IH) 13c CDCN3 δ−4,34S、 2Cδ1
9.2O3IC δ25.51 S 3C δ99.33S 1C δ116.OQ IC δ120.OQ 1C δ156.I Q IC δ178.OQ IC 19、CDCβ3 δ−76,55,3F ;δ−
70,283F ’HCD2Cj!2 δ0.35(S、 911)
;δ1.0(S、 6H) ; δ6.4(S、 IH) (主要異性体のみ掲示) ’HCD2C1z δ0.35(S、狸);δ1.0
(S、 6N) ; δ6.4(S、 6N) (主要異性体のみ掲示) 実施例2 上記の金属錯体は1,1.1−1〜リフルオロエチルア
ミンと実施例1において合成された過フッ化β−ジケト
ンとを反応させ、次いで臭化銅によって処理することに
よって得られた。即ち、窒素雰囲気中で1.1.1−ト
リフルオロエチルアミン(12,4J、0.16モル)
に正味0.16モルのシリルエノールエーテルを加えて
一78℃にて5分間保持した。この混合物を室温まで温
めて1時間撹拌した後、0.16モルのメトキサイドカ
リウムを含む4()O−のメタノール中に注入し10分
間撹拌した。これによって生じた明黄色の溶液に臭化銅
(17,1g、0.08モル)を加え、この混合物を1
時間撹拌した。沈殿した臭化カリウムをi濾過除去し、
溶媒分離を行−なって得られた固体を真空下で2回揮発
させて、針状濃緑色の斜体製品を得た。
3−ペンタ シー2−オン 4−(し−ブチルジメチルシ ロキシ) −1,1,1,5,5,6,6,6−オクタ
フルオロ−2−ヘキ サン−4−オン 7.7−ゾカフルオロー3−ヘ プテン−2−オンおよび2− (1,−ブチルジメチルシロキ シ) −1,1,1,5,5,6,(i、7,7.7−
2−へ1テン−4−オン 立醍↓ 沸 点 核磁気共鳴 “HCDCHa δ0.32(S、 611)
;δ0.99(S、 911) ; δ6.27(S、 IH) 13c CDCN3 δ−4,34S、 2Cδ1
9.2O3IC δ25.51 S 3C δ99.33S 1C δ116.OQ IC δ120.OQ 1C δ156.I Q IC δ178.OQ IC 19、CDCβ3 δ−76,55,3F ;δ−
70,283F ’HCD2Cj!2 δ0.35(S、 911)
;δ1.0(S、 6H) ; δ6.4(S、 IH) (主要異性体のみ掲示) ’HCD2C1z δ0.35(S、狸);δ1.0
(S、 6N) ; δ6.4(S、 6N) (主要異性体のみ掲示) 実施例2 上記の金属錯体は1,1.1−1〜リフルオロエチルア
ミンと実施例1において合成された過フッ化β−ジケト
ンとを反応させ、次いで臭化銅によって処理することに
よって得られた。即ち、窒素雰囲気中で1.1.1−ト
リフルオロエチルアミン(12,4J、0.16モル)
に正味0.16モルのシリルエノールエーテルを加えて
一78℃にて5分間保持した。この混合物を室温まで温
めて1時間撹拌した後、0.16モルのメトキサイドカ
リウムを含む4()O−のメタノール中に注入し10分
間撹拌した。これによって生じた明黄色の溶液に臭化銅
(17,1g、0.08モル)を加え、この混合物を1
時間撹拌した。沈殿した臭化カリウムをi濾過除去し、
溶媒分離を行−なって得られた固体を真空下で2回揮発
させて、針状濃緑色の斜体製品を得た。
生産率および分析結果を第2表に示す。
第
表
CIJ+2(TRTDEC八−[[F[八++
2の収
<″(−二)
質量スペクトル
Ca、0 63F3.9438
Found 638.946
一−−−元生分析 〜
CaJ7 % G 26.2f3 : u (1,9
5:N 4.38 、05.00 。
5:N 4.38 、05.00 。
F 53.46 ; Cu 9.93
Found%C26,12;HO,78;N3.81
;O−。
;O−。
F 50.40 ; Cu 10.10Cal 73
8.9374 Ca、O% C25,98: HO
,82;Found 73f3.939 N
3.79 ; 04.33 :F 56.50 ;
Cu 8.59 FOUnt’1%C25,53、110,66;N3.
95 ;o −; F 54.60 ; Cu 8.56 Ca、fl 838.9310 FO聞d 838.930 Ca、ll % Found% C2G、97 :110.75 ; N 3.49 ; 03.99 ; F 56.a7 ; C+17.93C25,57、
tl O,55; N3.49 ;o −。
8.9374 Ca、O% C25,98: HO
,82;Found 73f3.939 N
3.79 ; 04.33 :F 56.50 ;
Cu 8.59 FOUnt’1%C25,53、110,66;N3.
95 ;o −; F 54.60 ; Cu 8.56 Ca、fl 838.9310 FO聞d 838.930 Ca、ll % Found% C2G、97 :110.75 ; N 3.49 ; 03.99 ; F 56.a7 ; C+17.93C25,57、
tl O,55; N3.49 ;o −。
F 55.30 ; CIJ 7.47実施例3
実施例2によって得られた適宜の銅錯体のジエチルエー
テル中への飽和溶液を作り、50/’50以上の濃M)
IcJ) /1120で洗浄した。次にエーテル層を抽
出してから緑色が完全に消えるまで十分な酸で処理した
。次に有機層をブラインで洗浄し無水硫酸ソーダで乾燥
した後蒸留した。その結果80−90%の収率で無色の
純粋なリガンドを分離することができた。
テル中への飽和溶液を作り、50/’50以上の濃M)
IcJ) /1120で洗浄した。次にエーテル層を抽
出してから緑色が完全に消えるまで十分な酸で処理した
。次に有機層をブラインで洗浄し無水硫酸ソーダで乾燥
した後蒸留した。その結果80−90%の収率で無色の
純粋なリガンドを分離することができた。
分析結果を第3表に示す。
〈実施例4)
咄里■配■皿MΩ製遠
窒素雰囲気で被覆した還流凝縮器、添加用漏斗■よび磁
気撹拌棒付きの100m、l!反応用フラスコにヘキサ
フルオロ−2,4−ペンタジオーネ(9,66g、3人
102モル)のt−フ゛チルジメチIレシリルエノール
・エーテルを装入した。
気撹拌棒付きの100m、l!反応用フラスコにヘキサ
フルオロ−2,4−ペンタジオーネ(9,66g、3人
102モル)のt−フ゛チルジメチIレシリルエノール
・エーテルを装入した。
添加用漏斗に5JTHF中にエタノールアミン(EOA
) (1,83g、3.0 xlO−’)を?容解した
ものを千ヤーギし、この溶液にエノールエーテルを5分
間以上撹拌しながら加えた後、反応混合物を1.5時間
還流させた3次いで反応混合物を過剰のメタノール性酢
酸銅溶液中に注入し′ζ全混合物を塩化メチレン(3人
100m、Q )で抽出した。付着した有機質溜分を水
(3人100mρ)で洗浄後、無水硫酸ソーダで乾燥し
な。
) (1,83g、3.0 xlO−’)を?容解した
ものを千ヤーギし、この溶液にエノールエーテルを5分
間以上撹拌しながら加えた後、反応混合物を1.5時間
還流させた3次いで反応混合物を過剰のメタノール性酢
酸銅溶液中に注入し′ζ全混合物を塩化メチレン(3人
100m、Q )で抽出した。付着した有機質溜分を水
(3人100mρ)で洗浄後、無水硫酸ソーダで乾燥し
な。
溶媒の分離により青色油を得、これをクロマ]〜D:/
装置(Hal’1SOn Re5earch、 840
Hoana courtPalo Aluto、 C
a1fornia )を使用してにiese1ge60
(PF254 、およびCH2Cj’2溶離剤)を用
いてクロマトグラフィ的に精製することによって、青色
の結晶(即ち、CLI”(HEXA−F[EOAl)2
、溶融点232℃)を得た。
装置(Hal’1SOn Re5earch、 840
Hoana courtPalo Aluto、 C
a1fornia )を使用してにiese1ge60
(PF254 、およびCH2Cj’2溶離剤)を用
いてクロマトグラフィ的に精製することによって、青色
の結晶(即ち、CLI”(HEXA−F[EOAl)2
、溶融点232℃)を得た。
これを1101で処理しく1)HEXA−F[EOAl
を無色の油として得た。
を無色の油として得た。
分析データを第4表に示す。
第
表
1^−「EOAの 析データ
ガント
F[[0^]
MR
’II CDCジ3 δ2.22(bs、鉗):δ3
.62(Q、 21+) ;δ3.85(t、 2H
) :δ5.83(S、 1ll) ;δ10.8
(bs、鉗)t9r CDCb δ−77,7(S)
;δ−67,7(S)13、、 CDCb δ46
.43(Q) ;δ90.12(S)δ108(t、
hx) ;δ109.01(tt) :δ117.63
(Qt) ;δ118.92(Q) ;δ112.8
7(Q) ;δ152.9(Q) ;51g2.9(
t) 実施例5 IJ ’ンI: 11)HEXA−F AN ノ’−
1q窒素下で還流凝縮器付きの50−フラスコにヘキサ
フルオロ−2,4−ベンタンジオン(9,66g、3人
10−2モル)のシリルエノールエーテルニリン(2.
79g、3人10−2モル)を添加した。混合物を35
分間還流させて真空中で蒸留を行ない140℃、10t
Orl’において8.0gの(旧HEXA−F[AN]
の黄色液を得た。
.62(Q、 21+) ;δ3.85(t、 2H
) :δ5.83(S、 1ll) ;δ10.8
(bs、鉗)t9r CDCb δ−77,7(S)
;δ−67,7(S)13、、 CDCb δ46
.43(Q) ;δ90.12(S)δ108(t、
hx) ;δ109.01(tt) :δ117.63
(Qt) ;δ118.92(Q) ;δ112.8
7(Q) ;δ152.9(Q) ;51g2.9(
t) 実施例5 IJ ’ンI: 11)HEXA−F AN ノ’−
1q窒素下で還流凝縮器付きの50−フラスコにヘキサ
フルオロ−2,4−ベンタンジオン(9,66g、3人
10−2モル)のシリルエノールエーテルニリン(2.
79g、3人10−2モル)を添加した。混合物を35
分間還流させて真空中で蒸留を行ない140℃、10t
Orl’において8.0gの(旧HEXA−F[AN]
の黄色液を得た。
収−坐=94%。
核凪入共恩工朋肛
’tl CDCb δ6.05 (S,1N>
:δ7.25 (m,2H) :δ7.40 (m,3
11) ;δ11.90(bs, IH) ;19p
CD(43 δ−77、8(S) :δ−64.1
(S):13c neat δ88.0(S)
:δ117.21(Q) ;δ119.82 Q)
:δ126.5&(S) :δ128.68S)
;δ129.45(S) :δ136.85 S
) :δ153.25(Q) :δ180.51
0) 元素分析 Ca.Q for C7H6NO2F6 (%)
C 33、61 、H 2.42:N 5.60:0
12.79 。
:δ7.25 (m,2H) :δ7.40 (m,3
11) ;δ11.90(bs, IH) ;19p
CD(43 δ−77、8(S) :δ−64.1
(S):13c neat δ88.0(S)
:δ117.21(Q) ;δ119.82 Q)
:δ126.5&(S) :δ128.68S)
;δ129.45(S) :δ136.85 S
) :δ153.25(Q) :δ180.51
0) 元素分析 Ca.Q for C7H6NO2F6 (%)
C 33、61 、H 2.42:N 5.60:0
12.79 。
F 45、57
Found (%)
C 49.31 、 H 3.63. N 4.15
、 F 31.0(実施例6) 旧NONA−F TFEA の 1 の ゛告窒素
下において、150m.l!の乾燥メタノール中にメト
キシドカリウム(1.75g. 0.025モルを溶解
し、これに0.025モルのβ−イミノケトンリガンド
を添加した。この混合物を15分間撹拌して明黄色の清
澄液を得た。
、 F 31.0(実施例6) 旧NONA−F TFEA の 1 の ゛告窒素
下において、150m.l!の乾燥メタノール中にメト
キシドカリウム(1.75g. 0.025モルを溶解
し、これに0.025モルのβ−イミノケトンリガンド
を添加した。この混合物を15分間撹拌して明黄色の清
澄液を得た。
これに固体の金属2臭化物(0.025モル)を加え混
合物を更に1時間撹拌した。この混合物を濾過し、r液
からメタノールを蒸発除去した後得らr液を蒸発固化し
、更に真空中で気化させて錯体製品を得た。
合物を更に1時間撹拌した。この混合物を濾過し、r液
からメタノールを蒸発除去した後得らr液を蒸発固化し
、更に真空中で気化させて錯体製品を得た。
分析データは次の通りである。
金属臭化物: COBr2
形成された錯体: CO”(NONA−F[TFEA]
)2収率:83% 溶融点ニア6−77℃ 九人分析 Can for C14H6N202F1sCO:
(%)C 26.48 、N O.95:N 4.41
.0 5.04:F 53.84 。
)2収率:83% 溶融点ニア6−77℃ 九人分析 Can for C14H6N202F1sCO:
(%)C 26.48 、N O.95:N 4.41
.0 5.04:F 53.84 。
CO9.28
Found : (%)
C 25.99 : H O.52:N 4.35:
F 45.0:CO 9.51(実施例7) フ・・ノ ーゲ1〜イミナート の のと
定 モデルNQ9900の調整器に接続したデュポン社製モ
デルNo.951重量分析装置を使用し、100cc
/’分の窒素流下で試料的50■を10℃/′分の温度
上昇率で加熱することにより各金属錯体の標準加熱重量
減試験を行なった。
F 45.0:CO 9.51(実施例7) フ・・ノ ーゲ1〜イミナート の のと
定 モデルNQ9900の調整器に接続したデュポン社製モ
デルNo.951重量分析装置を使用し、100cc
/’分の窒素流下で試料的50■を10℃/′分の温度
上昇率で加熱することにより各金属錯体の標準加熱重量
減試験を行なった。
第5表に示すように全金属錯体が揮発性を示し蒸発サイ
クルの終了時点で最小0.34%の残査を生じた。デー
タはこれらの錯体の蒸発、即ち固体からガス相I\の移
行は均−且つ漸進的であり、極めてスムースに行なわれ
たことを示している。
クルの終了時点で最小0.34%の残査を生じた。デー
タはこれらの錯体の蒸発、即ち固体からガス相I\の移
行は均−且つ漸進的であり、極めてスムースに行なわれ
たことを示している。
第 5 表
CIJ+2(TRIDECA−F[TFEA] )2
162 0. 342CLI+2(UN
DECA−F[TFEA] )2 157
0. 652Cu+2(NONA−F[丁FEAI)
2 150 1.8
1(発明の効果) 以上述べたように本発明は化学的に安定した新規なフッ
素化されたβ−ケトイミンとこれより誘導された揮発性
の金属錯体およびこれらの化合物の製造法を提供したも
のであり、エレクトロニクス産業における半導体デバイ
ス或いはプリント基板用のCVDフィルムその他の金属
薄膜析出用金属材料等としてきわめて有用なものである
といえる。
162 0. 342CLI+2(UN
DECA−F[TFEA] )2 157
0. 652Cu+2(NONA−F[丁FEAI)
2 150 1.8
1(発明の効果) 以上述べたように本発明は化学的に安定した新規なフッ
素化されたβ−ケトイミンとこれより誘導された揮発性
の金属錯体およびこれらの化合物の製造法を提供したも
のであり、エレクトロニクス産業における半導体デバイ
ス或いはプリント基板用のCVDフィルムその他の金属
薄膜析出用金属材料等としてきわめて有用なものである
といえる。
Claims (21)
- (1)次の構造式を有する化学的に安定なβ−ケトイミ
ンのリガンド。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、R_1及びR_2はそれぞれが直鎖型または分岐
鎖型の過フッ素化されたC_1〜C_8アルキル基群で
あり、またR_3は有機官能基である。 - (2)R_3がC_1〜C_8のアルキル基群、フェニ
ール基群またはヒドロキシアルキル基群である請求項1
記載のリガンド。 - (3)R_3がC_1〜C_8のアルキル基群、フェニ
ール基群またはヒドロキシアルキル基群であり、これら
が少なくとも部分的にフッ素化されたものである請求項
1記載のリガンド。 - (4)R_1およびR_2が何れもCF_3である請求
項1記載のリガンド。 - (5)R_1およびR_2がそれぞれ過フッ素化された
メチル基群、エチル基群またはプロピル基群である請求
項1記載のリガンド。 - (6)R_3がCH_2CF_3である請求項1記載の
リガンド。 - (7)リガンドが4−(2、2、2−トリフルオロエチ
ル)イミノ−1、1、1、5、5、5−ヘキサフルオロ
−2−ペンタンオンである請求項1記載のリガンド。 - (8)リガンドが5−(2、2、2−トリフルオロエチ
ル)イミノ−1、1、1、2、2、6、6、6−オクタ
フルオロ−3−ヘキサンオンである請求項1記載のリガ
ンド。 - (9)リガンドが6−(2、2、2−トリフルオロエチ
ル)イミノ−1、1、1、2、2、3、3、7、7、7
−デカフルオロ−3−ヘキサンオンである請求項1記載
のリガンド。 - (10)次の構造式を有し、熱的に易揮発性なβ−ケト
イミナートの金属錯体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、R_1およびR_2はそれぞれが直鎖型または分
岐鎖型の過フッ素化されたC_1〜C_8のアルキル基
群であり、R_3は有機官能基であり、Mは金属であり
、またn=1、2または3である。 - (11)R_3がC_1〜C_8のアルキル基群、フェ
ニール基群またはヒドロキシアルキル群である請求項1
0記載の金属錯体。 - (12)R_3がC_1〜C_8のアルキル基群、フェ
ニール基群またはヒドロキシアルキル基群であり、少な
くともその一部がフッ素化されたものである請求項10
記載の金属錯体。 - (13)R_1およびR_2がCF_3である請求項1
0記載の金属錯体。 - (14)R_1およびR_2がそれぞれ過フッ素化され
たメチル基群、エチル基群またはプロピル基群である請
求項10記載の金属錯体、 - (15)R_3がCH_2CF_3である請求項10記
載の金属錯体。 - (16)M^+^■がCu^+^2である請求項10記
載の金属錯体。 - (17)M^+^■がCO^+^2である請求項10記
載の金属錯体。 - (18)次の構造式を有する安定したβ−ケトイミンリ
ガンドを製造するに際し、 ▲数式、化学式、表等があります▼ a)式R_1COCH_2COR_2を有するβ−ジケ
トンを無水状態で処理して式R_1COCHCOR_2
^−K^+を有する化合物を生成させ、 b)次いで得られたR_1COCHCOR_2^−K^
+を式(R_5)_3SiClを有する塩化シリルで処
理して、式R_1COCHCOR_2 Si(R_5)_3を有するシリルエノールエーテルを
生成させ、 c)次いで得られたシリルエノールエーテルを式R_3
NH_2を有する初級モノアミンで処理することによっ
て所望のβ−ケトイミンリガンドを得るものであり、且
つ、上記した各式中の記号R_1およびR_2はそれぞ
れ直鎖型または分岐鎖型の過フッ素化されたC_1〜C
_8のアルキル基群であり、R_3は有機官能基であり
、各R_5はそれぞれアルキル基群であることを特徴と
するβ−ケトイミンリガンドの製造方法。 - (19)塩化シリルがt−ブチルジメチル塩化シリルで
ある請求項18記載のβ−ケトイミンリガンドの製造方
法。 - (20)R_3がC_1〜C_8のアルキル基群、フェ
ニール基群またはヒドロキシル基群である請求項18記
載のβ−ケトイミンリガンドの製造方法。 - (21)c)工程における処理がメトキシドカリウムに
よって行なわれ式R_1COCHCN(R_3)R_2
^−K^+を有する化合物が生成され、さらに得られた
生成物を式M^+^n(X)_nを有するハロゲン化金
属によつて処理することによってβ−ケトイミナート金
属錯体を得るものであり、且つn=1、2または3であ
り、Xがハロゲンである請求項18記載のβ−ケトイミ
ンリガンドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US270,719 | 1988-11-14 | ||
| US07/270,719 US4950790A (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Volatile fluorinated β-ketoimines and associated metal complexes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188564A true JPH02188564A (ja) | 1990-07-24 |
| JPH0585540B2 JPH0585540B2 (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=23032508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1295985A Granted JPH02188564A (ja) | 1988-11-14 | 1989-11-14 | 揮発性フッ素化β―ケトイミンリガンドの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4950790A (ja) |
| EP (1) | EP0369297B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02188564A (ja) |
| KR (1) | KR930001340B1 (ja) |
| CA (1) | CA1330803C (ja) |
| DE (1) | DE68908090T2 (ja) |
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| US8617305B2 (en) | 2011-01-25 | 2013-12-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal complexes for metal-containing film deposition |
| US9079923B2 (en) | 2010-08-05 | 2015-07-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Multidentate ketoimine ligands for metal complexes |
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- 1988-11-14 US US07/270,719 patent/US4950790A/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 1989-09-29 CA CA000615128A patent/CA1330803C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-07 DE DE89120616T patent/DE68908090T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-07 EP EP89120616A patent/EP0369297B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-13 KR KR1019890016462A patent/KR930001340B1/ko not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| EP0369297A1 (en) | 1990-05-23 |
| KR900007789A (ko) | 1990-06-02 |
| JPH0585540B2 (ja) | 1993-12-07 |
| KR930001340B1 (ko) | 1993-02-26 |
| DE68908090T2 (de) | 1993-11-18 |
| EP0369297B1 (en) | 1993-08-04 |
| US4950790A (en) | 1990-08-21 |
| DE68908090D1 (de) | 1993-09-09 |
| CA1330803C (en) | 1994-07-19 |
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