JPH05327617A - 光送信モジュール - Google Patents
光送信モジュールInfo
- Publication number
- JPH05327617A JPH05327617A JP4131089A JP13108992A JPH05327617A JP H05327617 A JPH05327617 A JP H05327617A JP 4131089 A JP4131089 A JP 4131089A JP 13108992 A JP13108992 A JP 13108992A JP H05327617 A JPH05327617 A JP H05327617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- impedance
- resistor
- optical
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｇｂ／ｓを越える伝送速度において、低い符号
誤り率で通信を行なうことのできる光送信器を提供す
る。 【構成】半導体レーザ８とインピーダンス整合素子１２
とを有する半導体モジュール７と、前記半導体レーザ８
を駆動して光信号を出射させる駆動回路１と、前記光信
号を伝送する光ファイバ１６とを有し、前記インピーダ
ンス整合素子１２は、前記半導体レーザモジュール７の
インピーダンスを前記駆動回路１のインピーダンスに一
致させる光送信モジュールにおいて、前記光信号の立ち
下がり時間を低減するために、前記駆動回路１からみた
前記半導体レーザモジュール７の入力インピーダンスを
低減させるインピーダンス素子１４を有する光送信モジ
ュール。
誤り率で通信を行なうことのできる光送信器を提供す
る。 【構成】半導体レーザ８とインピーダンス整合素子１２
とを有する半導体モジュール７と、前記半導体レーザ８
を駆動して光信号を出射させる駆動回路１と、前記光信
号を伝送する光ファイバ１６とを有し、前記インピーダ
ンス整合素子１２は、前記半導体レーザモジュール７の
インピーダンスを前記駆動回路１のインピーダンスに一
致させる光送信モジュールにおいて、前記光信号の立ち
下がり時間を低減するために、前記駆動回路１からみた
前記半導体レーザモジュール７の入力インピーダンスを
低減させるインピーダンス素子１４を有する光送信モジ
ュール。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザモジュー
ルに係り、特に、光ファイバ通信などに好適な光送信モ
ジュ−ルに関する。
ルに係り、特に、光ファイバ通信などに好適な光送信モ
ジュ−ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レ−ザの出射光を直接強度変調し
て、光ファイバによって伝送する光通信システムにおい
て、伝送速度Ｇｂ／ｓ帯での超高速動作を可能にし、か
つ、無中継で伝送可能な距離を延ばすために、受信感度
の高感度化が求められている。光ファイバで伝送中の光
信号は、信号波形の劣化などにより、信号間の干渉等を
引き起こし、それが受信感度劣化の大きな原因となって
いる。
て、光ファイバによって伝送する光通信システムにおい
て、伝送速度Ｇｂ／ｓ帯での超高速動作を可能にし、か
つ、無中継で伝送可能な距離を延ばすために、受信感度
の高感度化が求められている。光ファイバで伝送中の光
信号は、信号波形の劣化などにより、信号間の干渉等を
引き起こし、それが受信感度劣化の大きな原因となって
いる。
【０００３】従来、このような受信感度の劣化を低減す
るためには、単一モ−ド性の優れた狭スペクトル線幅の
半導体レ−ザが使用されている。また、１９８９年電子
情報通信学会春季全国大会予稿集４−１００頁によれ
ば、半導体レ−ザと、半導体レーザを駆動する半導体レ
−ザ駆動回路との間に、半導体レーザに直列にインピ−
ダンス整合回路を配置することにより、半導体レーザと
駆動回路との間の寄生リアクタンス成分を抑圧して、イ
ンピ−ダンス不整合によるジッタを低減し、伝送品質を
向上させようとする提案がされている。
るためには、単一モ−ド性の優れた狭スペクトル線幅の
半導体レ−ザが使用されている。また、１９８９年電子
情報通信学会春季全国大会予稿集４−１００頁によれ
ば、半導体レ−ザと、半導体レーザを駆動する半導体レ
−ザ駆動回路との間に、半導体レーザに直列にインピ−
ダンス整合回路を配置することにより、半導体レーザと
駆動回路との間の寄生リアクタンス成分を抑圧して、イ
ンピ−ダンス不整合によるジッタを低減し、伝送品質を
向上させようとする提案がされている。
【０００４】図２は、従来のインピーダンス整合回路を
備えた光送信器の構成を示すブロック図である。半導体
レーザ８と、これを駆動する半導体レ−ザ駆動回路１と
の間に、インピ−ダンス整合回路１００を配置してい
る。半導体レーザ駆動回路には、信号を入力するための
入力端子が接続されている。また、半導体レーザ８の温
度を測定する温度検出器４と、半導体レーザ８を冷却す
る熱電子冷却素子３と、これらを用いて半導体レーザ８
の温度を制御する半導体レ−ザ温度安定化回路２が配置
されている。半導体レーザ８の出射光を検出するモニタ
フォトダイオ−ド９と、この検出結果を用いて、出射光
強度をフィードバック制御する光出力安定化回路６とが
配置されている。
備えた光送信器の構成を示すブロック図である。半導体
レーザ８と、これを駆動する半導体レ−ザ駆動回路１と
の間に、インピ−ダンス整合回路１００を配置してい
る。半導体レーザ駆動回路には、信号を入力するための
入力端子が接続されている。また、半導体レーザ８の温
度を測定する温度検出器４と、半導体レーザ８を冷却す
る熱電子冷却素子３と、これらを用いて半導体レーザ８
の温度を制御する半導体レ−ザ温度安定化回路２が配置
されている。半導体レーザ８の出射光を検出するモニタ
フォトダイオ−ド９と、この検出結果を用いて、出射光
強度をフィードバック制御する光出力安定化回路６とが
配置されている。
【０００５】図２において、入力信号端子５からの入力
信号ａは、半導体レ−ザ駆動回路１に供給され、光変調
信号電流ｉmとなる。かかる光変調信号電流ｉmに直流バ
イアス電流ＩBが重畳され、インピ−ダンス整合回路１
００を介して半導体レ−ザダイオ−ドモジュ−ル７に収
納されている半導体レ−ザ８に供給される。これによっ
て半導体レ−ザ８は発光し、その前方出力光は、図示し
ない光ファイバに導かれるが、後方出力光は、モニタフ
ォトダイオ−ド９に入射する。モニタフォトダイオ−ド
９は、この入射光に応じて電流を出力し、この電流は抵
抗１１で電圧に変換されて光出力安定化回路６に供給さ
れる。この光出力安定化回路６は抵抗１１からの電圧に
応じて半導体レ−ザ駆動回路１を制御し、モニタフォト
ダイオ−ド９の出力電流を一定にするように、光変調信
号電流ｉmや直流バイアス電流ＩBの強度を設定する。こ
れにより、光ファイバに送出される光信号電力を一定に
する。
信号ａは、半導体レ−ザ駆動回路１に供給され、光変調
信号電流ｉmとなる。かかる光変調信号電流ｉmに直流バ
イアス電流ＩBが重畳され、インピ−ダンス整合回路１
００を介して半導体レ−ザダイオ−ドモジュ−ル７に収
納されている半導体レ−ザ８に供給される。これによっ
て半導体レ−ザ８は発光し、その前方出力光は、図示し
ない光ファイバに導かれるが、後方出力光は、モニタフ
ォトダイオ−ド９に入射する。モニタフォトダイオ−ド
９は、この入射光に応じて電流を出力し、この電流は抵
抗１１で電圧に変換されて光出力安定化回路６に供給さ
れる。この光出力安定化回路６は抵抗１１からの電圧に
応じて半導体レ−ザ駆動回路１を制御し、モニタフォト
ダイオ−ド９の出力電流を一定にするように、光変調信
号電流ｉmや直流バイアス電流ＩBの強度を設定する。こ
れにより、光ファイバに送出される光信号電力を一定に
する。
【０００６】一方、半導体レ−ザ８の温度は、温度検出
器４によって検出され、その検出出力に応じて半導体レ
−ザ温度安定化回路２が熱電子冷却素子３を制御して、
半導体レ−ザ８の温度を一定に保持する。
器４によって検出され、その検出出力に応じて半導体レ
−ザ温度安定化回路２が熱電子冷却素子３を制御して、
半導体レ−ザ８の温度を一定に保持する。
【０００７】また、このような従来の技術においては、
高周波数の信号で半導体レーザの駆動を行なうため、イ
ンピーダンス整合回路の寄生インダクタンスを小さくす
る必要がある。そのために、インピーダンス整合回路と
して、セラミック等の基板上に抵抗体を印刷により形成
したいわゆる印刷抵抗が用いられていた。
高周波数の信号で半導体レーザの駆動を行なうため、イ
ンピーダンス整合回路の寄生インダクタンスを小さくす
る必要がある。そのために、インピーダンス整合回路と
して、セラミック等の基板上に抵抗体を印刷により形成
したいわゆる印刷抵抗が用いられていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の１００Ｍｂ／ｓ
程度の低伝送速度においては、信号波形の形状は、特に
問題となっていなかった。しかし、近年、伝送速度がＧ
ｂ／ｓを越える超高速動作対応の光送信器の開発が進む
につれ、一定の信号波形を出力可能な光送信器を用いる
ことが、低い符号誤り率で通信を行なうために、特に重
要であることがわかってきた。しかしながら、上述の従
来のインピーダンス整合回路を備えた光送信器は、光信
号のジッタの低減が図られているが、信号波形を制御す
ることに関しては、考慮されていなかった。
程度の低伝送速度においては、信号波形の形状は、特に
問題となっていなかった。しかし、近年、伝送速度がＧ
ｂ／ｓを越える超高速動作対応の光送信器の開発が進む
につれ、一定の信号波形を出力可能な光送信器を用いる
ことが、低い符号誤り率で通信を行なうために、特に重
要であることがわかってきた。しかしながら、上述の従
来のインピーダンス整合回路を備えた光送信器は、光信
号のジッタの低減が図られているが、信号波形を制御す
ることに関しては、考慮されていなかった。
【０００９】また、上述の従来の光送信器にインピーダ
ンス整合回路として用いられる印刷抵抗は、同じ構造
で、かつ、同じ製造工程で製造されたものであっても、
その抵抗値に±１０％程度の誤差を有している。また、
光送信器に一般的に用いられる半導体レーザも、また、
共振器長やドープする不純物量の誤差によって、抵抗値
のバラツキが非常に大きく、±４０％程度の抵抗値のバ
ラツキを有している。印刷抵抗および半導体レーザの抵
抗値に、このような、大きなバラツキが存在する場合、
同規格品として入荷された印刷抵抗と半導体レーザを、
そのまま、用いて上述の光送信器を製造した場合には、
製品によって、半導体レーザとインピーダンス整合回路
のインピーダンスに大きなバラツキが生じてしまう。
ンス整合回路として用いられる印刷抵抗は、同じ構造
で、かつ、同じ製造工程で製造されたものであっても、
その抵抗値に±１０％程度の誤差を有している。また、
光送信器に一般的に用いられる半導体レーザも、また、
共振器長やドープする不純物量の誤差によって、抵抗値
のバラツキが非常に大きく、±４０％程度の抵抗値のバ
ラツキを有している。印刷抵抗および半導体レーザの抵
抗値に、このような、大きなバラツキが存在する場合、
同規格品として入荷された印刷抵抗と半導体レーザを、
そのまま、用いて上述の光送信器を製造した場合には、
製品によって、半導体レーザとインピーダンス整合回路
のインピーダンスに大きなバラツキが生じてしまう。
【００１０】このため、インピーダンス整合回路とし
て、印刷抵抗を配置しているにもかかわらず、実際に
は、半導体レーザと、半導体レーザ駆動回路との間のイ
ンピーダンスの不整合が生じてしまう。また、製品によ
って、半導体レーザのインピーダンスのバラツキがある
ということは、製品によって、出力する光信号の波形に
バラツキがあるということを意味する。
て、印刷抵抗を配置しているにもかかわらず、実際に
は、半導体レーザと、半導体レーザ駆動回路との間のイ
ンピーダンスの不整合が生じてしまう。また、製品によ
って、半導体レーザのインピーダンスのバラツキがある
ということは、製品によって、出力する光信号の波形に
バラツキがあるということを意味する。
【００１１】このように半導体レーザや印刷抵抗のイン
ピーダンスにバラツキがある場合、インピーダンスの整
合をとるためには、印刷抵抗および半導体レーザの抵抗
値を一つずつ測定し、設計値と一致するものを選択して
使用するしかなかった。この様に選択すると、印刷抵抗
および半導体レーザの歩留まりが、極端に低くなり、光
送信器の製造コストを上昇させる。
ピーダンスにバラツキがある場合、インピーダンスの整
合をとるためには、印刷抵抗および半導体レーザの抵抗
値を一つずつ測定し、設計値と一致するものを選択して
使用するしかなかった。この様に選択すると、印刷抵抗
および半導体レーザの歩留まりが、極端に低くなり、光
送信器の製造コストを上昇させる。
【００１２】本発明の第１の目的は、Ｇｂ／ｓを越える
伝送速度において、低い符号誤り率で通信を行なうこと
のできる光送信器を提供することを目的とする。
伝送速度において、低い符号誤り率で通信を行なうこと
のできる光送信器を提供することを目的とする。
【００１３】また、本発明の第２の目的は、ジッタの低
減を図りつつ、低コストで製造可能な光送信器を提供す
ることを目的とする。
減を図りつつ、低コストで製造可能な光送信器を提供す
ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様によれば、半導体レーザとイン
ピーダンス整合素子とを有する半導体モジュールと、前
記半導体レーザを駆動して光信号を出射させる駆動回路
と、前記光信号を伝送する光ファイバとを有し、前記イ
ンピーダンス整合素子は、前記半導体レーザモジュール
のインピーダンスを前記駆動回路のインピーダンスに一
致させる光送信モジュールにおいて、前記光信号の立ち
下がり時間を低減するために、前記駆動回路からみた前
記半導体レーザモジュールの入力インピーダンスを低減
させるインピーダンス素子を有することを特徴とする光
送信モジュールが提供される。
に、本発明の第１の態様によれば、半導体レーザとイン
ピーダンス整合素子とを有する半導体モジュールと、前
記半導体レーザを駆動して光信号を出射させる駆動回路
と、前記光信号を伝送する光ファイバとを有し、前記イ
ンピーダンス整合素子は、前記半導体レーザモジュール
のインピーダンスを前記駆動回路のインピーダンスに一
致させる光送信モジュールにおいて、前記光信号の立ち
下がり時間を低減するために、前記駆動回路からみた前
記半導体レーザモジュールの入力インピーダンスを低減
させるインピーダンス素子を有することを特徴とする光
送信モジュールが提供される。
【００１５】また、本発明の第２の態様によれば、半導
体レーザと、前記半導体レーザを駆動して光信号を出射
させる駆動回路と、前記半導体レーザの出射光を伝送す
る光ファイバと、前記半導体レーザと前記駆動回路との
間のインピーダンスの整合をとるための第１のインピー
ダンス整合手段と、前記半導体レーザおよび前記第１の
インピーダンス整合手段の少なくともいずれかが有する
インピーダンスの誤差によって前記駆動回路との間に生
じるインピーダンスの不整合を補正する第２のインピー
ダンス整合手段とを有することを特徴とする光送信モジ
ュールが提供される。
体レーザと、前記半導体レーザを駆動して光信号を出射
させる駆動回路と、前記半導体レーザの出射光を伝送す
る光ファイバと、前記半導体レーザと前記駆動回路との
間のインピーダンスの整合をとるための第１のインピー
ダンス整合手段と、前記半導体レーザおよび前記第１の
インピーダンス整合手段の少なくともいずれかが有する
インピーダンスの誤差によって前記駆動回路との間に生
じるインピーダンスの不整合を補正する第２のインピー
ダンス整合手段とを有することを特徴とする光送信モジ
ュールが提供される。
【００１６】前記インピーダンス素子は、前記半導体レ
ーザモジュールに並列に配置された抵抗Ｒ１であること
ができる。
ーザモジュールに並列に配置された抵抗Ｒ１であること
ができる。
【００１７】前記第１のインピーダンス整合手段とし
て、前記半導体レーザと駆動回路との間に、前記半導体
レーザに対して直列に配置された抵抗Ｒｉと、前記第２
のインピーダンス整合手段手段として、前記半導体レー
ザに対して並列に配置された抵抗Ｒ１、および、直列に
配置された抵抗Ｒ２のうち少なくともいずれかとを有す
ることができる。
て、前記半導体レーザと駆動回路との間に、前記半導体
レーザに対して直列に配置された抵抗Ｒｉと、前記第２
のインピーダンス整合手段手段として、前記半導体レー
ザに対して並列に配置された抵抗Ｒ１、および、直列に
配置された抵抗Ｒ２のうち少なくともいずれかとを有す
ることができる。
【００１８】
【作用】本発明の第１の態様の光送信モジュールにおい
て、前記インピーダンス素子は、前記半導体レーザの出
射光の信号波形の立ち下がり時間を低減することによ
り、符号誤り率を低下させる。図６は光波形の立ち下が
り時間ｔf1を変えた場合の符号誤り率特性であり、光波
形の立ち下がり時間ｔf1が小さい方が受信感度の劣化量
が少ないことがわかる。この時、光出力波形の立上り時
間は、半導体レ−ザの持つ緩和振動に起因するオ−バ−
シュ−トのため十分高速であり、光波形の立ち下がり時
間ｔf1により受信感度特性が大きく支配される。
て、前記インピーダンス素子は、前記半導体レーザの出
射光の信号波形の立ち下がり時間を低減することによ
り、符号誤り率を低下させる。図６は光波形の立ち下が
り時間ｔf1を変えた場合の符号誤り率特性であり、光波
形の立ち下がり時間ｔf1が小さい方が受信感度の劣化量
が少ないことがわかる。この時、光出力波形の立上り時
間は、半導体レ−ザの持つ緩和振動に起因するオ−バ−
シュ−トのため十分高速であり、光波形の立ち下がり時
間ｔf1により受信感度特性が大きく支配される。
【００１９】立ち下がり時間の低減は、半導体レーザ駆
動回路から見た半導体レーザの入力インピーダンスを低
減することにより達成することができる。インピーダン
ス素子として、例えば、半導体レーザに対して並列に抵
抗Ｒ１を配置することにより、半導体レーザの入力イン
ピーダンスを低減できる。
動回路から見た半導体レーザの入力インピーダンスを低
減することにより達成することができる。インピーダン
ス素子として、例えば、半導体レーザに対して並列に抵
抗Ｒ１を配置することにより、半導体レーザの入力イン
ピーダンスを低減できる。
【００２０】また、本発明の第２の態様の光送信モジュ
ールは、半導体レーザと駆動回路との間のインピーダン
ス整合をとる第１のインピーダンス整合手段の他に、さ
らに、第２のインピーダンス整合手段を備えている。第
２のインピーダンス整合手段は、前記半導体レーザおよ
び前記第１のインピーダンス整合手段の少なくともいず
れかが有するインピーダンスの誤差によって前記駆動回
路との間に生じるインピーダンスの不整合を補正するも
のである。これによって、半導体レーザや、第１のイン
ピーダンス整合手段の抵抗値のバラツキを、補正するこ
とができるので、半導体レーザや第１のインピーダンス
整合手段の歩留まりを高くすることができる。したがっ
て、低コストな光送信モジュールを得ることができる。
ールは、半導体レーザと駆動回路との間のインピーダン
ス整合をとる第１のインピーダンス整合手段の他に、さ
らに、第２のインピーダンス整合手段を備えている。第
２のインピーダンス整合手段は、前記半導体レーザおよ
び前記第１のインピーダンス整合手段の少なくともいず
れかが有するインピーダンスの誤差によって前記駆動回
路との間に生じるインピーダンスの不整合を補正するも
のである。これによって、半導体レーザや、第１のイン
ピーダンス整合手段の抵抗値のバラツキを、補正するこ
とができるので、半導体レーザや第１のインピーダンス
整合手段の歩留まりを高くすることができる。したがっ
て、低コストな光送信モジュールを得ることができる。
【００２１】例えば、第１のインピーダンス整合手段と
して、前記半導体レーザと駆動回路との間に、前記半導
体レーザに対して直列に配置された抵抗Ｒｉと、前記第
２のインピーダンス整合手段として、前記半導体レーザ
に対して並列に配置された抵抗Ｒ１、および、直列に配
置された抵抗Ｒ２のうち少なくともいずれかとを有する
ことができる。
して、前記半導体レーザと駆動回路との間に、前記半導
体レーザに対して直列に配置された抵抗Ｒｉと、前記第
２のインピーダンス整合手段として、前記半導体レーザ
に対して並列に配置された抵抗Ｒ１、および、直列に配
置された抵抗Ｒ２のうち少なくともいずれかとを有する
ことができる。
【００２２】
【実施例】本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
【００２３】（実施例１）本発明の第１の実施例の光送
信モジュール１８は、２．４Ｇｂ／ｓの高速伝送に対応
可能な光送信モジュールである。本実施例の光送信モジ
ュール１８は、図１に示すように、半導体レーザ８と、
半導体レーザ８に接続されて、半導体レーザ８を駆動す
る半導体レーザ駆動回路１とを備えている。半導体レー
ザ８の半導体レーザ駆動回路１側には、半導体レーザ８
と半導体レーザ駆動回路１とのインピーダンスの整合を
とるためのインピーダンス整合素子１２が、半導体レー
ザ８と直列に配置されている。また、半導体レーザ８
は、反射を防止するインピーダンス整合回路１０によっ
て、半導体レーザ駆動回路１と接続されている。さら
に、インピーダンス整合素子１２および半導体レーザ８
に並列に、半導体レーザ８の出射する光信号の立ち下が
り時間を調節するための、立ち下がり時間調節抵抗素子
１４が配置されている。本実施例では、立ち下がり時間
調節抵抗素子１４は、半導体レーザ８およびインピーダ
ンス整合素子１２の少なくともいずれかが有するインピ
ーダンスの誤差によって、半導体レーザ駆動回路１との
間に生じるインピーダンスの不整合を補正する手段を兼
用している。
信モジュール１８は、２．４Ｇｂ／ｓの高速伝送に対応
可能な光送信モジュールである。本実施例の光送信モジ
ュール１８は、図１に示すように、半導体レーザ８と、
半導体レーザ８に接続されて、半導体レーザ８を駆動す
る半導体レーザ駆動回路１とを備えている。半導体レー
ザ８の半導体レーザ駆動回路１側には、半導体レーザ８
と半導体レーザ駆動回路１とのインピーダンスの整合を
とるためのインピーダンス整合素子１２が、半導体レー
ザ８と直列に配置されている。また、半導体レーザ８
は、反射を防止するインピーダンス整合回路１０によっ
て、半導体レーザ駆動回路１と接続されている。さら
に、インピーダンス整合素子１２および半導体レーザ８
に並列に、半導体レーザ８の出射する光信号の立ち下が
り時間を調節するための、立ち下がり時間調節抵抗素子
１４が配置されている。本実施例では、立ち下がり時間
調節抵抗素子１４は、半導体レーザ８およびインピーダ
ンス整合素子１２の少なくともいずれかが有するインピ
ーダンスの誤差によって、半導体レーザ駆動回路１との
間に生じるインピーダンスの不整合を補正する手段を兼
用している。
【００２４】半導体レーザ８の前方の出射端には、出射
光を集光する光結合レンズ系１５と、光結合レンズ系１
５の集光した光を伝送する光ファイバ１６が配置されて
いる。また、半導体レーザ８の後方の出射端には、半導
体レーザ８の出射光強度を検出するモニタフォトダイオ
−ド９が配置されている。モニタフォトダイオード９に
は、出射光強度に応じた電流を電圧に変換するための抵
抗１１と、検出結果を用いて、半導体レーザ８の出射光
強度をフィードバック制御する信号を半導体レーザ駆動
回路１に出力する光出力安定化回路６と、電源１７が接
続されている。また、半導体レーザの近辺には、半導体
レーザ８の温度を測定する温度検出器４と、半導体レー
ザ８を冷却する熱電子冷却素子３と、これらを用いて半
導体レーザ８の温度を制御する半導体レ−ザ温度安定化
回路２が配置されている。
光を集光する光結合レンズ系１５と、光結合レンズ系１
５の集光した光を伝送する光ファイバ１６が配置されて
いる。また、半導体レーザ８の後方の出射端には、半導
体レーザ８の出射光強度を検出するモニタフォトダイオ
−ド９が配置されている。モニタフォトダイオード９に
は、出射光強度に応じた電流を電圧に変換するための抵
抗１１と、検出結果を用いて、半導体レーザ８の出射光
強度をフィードバック制御する信号を半導体レーザ駆動
回路１に出力する光出力安定化回路６と、電源１７が接
続されている。また、半導体レーザの近辺には、半導体
レーザ８の温度を測定する温度検出器４と、半導体レー
ザ８を冷却する熱電子冷却素子３と、これらを用いて半
導体レーザ８の温度を制御する半導体レ−ザ温度安定化
回路２が配置されている。
【００２５】これらの要素のうち、半導体レーザ８と、
インピーダンス整合素子１２と、光結合レンズ系１５
と、光ファイバ１６の一端と、モニタフォトダイオード
９と温度検出器４と、熱電子冷却素子３とは、半導体レ
ーザモジュール７内に配置されている。半導体レーザモ
ジュール７と、他の要素とは、光送信モジュール１８内
に配置されている。光ファイバ１６に他端は、光送信モ
ジュール１８から外部に引き出される。また、光送信モ
ジュール１８には、半導体レーザ駆動回路１に送信すべ
き信号を入力するための入力端子５が配置されている。
インピーダンス整合素子１２と、光結合レンズ系１５
と、光ファイバ１６の一端と、モニタフォトダイオード
９と温度検出器４と、熱電子冷却素子３とは、半導体レ
ーザモジュール７内に配置されている。半導体レーザモ
ジュール７と、他の要素とは、光送信モジュール１８内
に配置されている。光ファイバ１６に他端は、光送信モ
ジュール１８から外部に引き出される。また、光送信モ
ジュール１８には、半導体レーザ駆動回路１に送信すべ
き信号を入力するための入力端子５が配置されている。
【００２６】本実施例では、インピーダンス２５Ωの半
導体レーザ駆動回路１と、設計時の内部インピーダンス
ＲLDが７Ωの半導体レーザ８を用いた。インピーダンス
整合素子１２は、半導体レーザ駆動回路１と半導体レー
ザ８のインピーダンスの整合をとるために設計時の抵抗
値約１８Ωの印刷抵抗Ｒｉを用いた。印刷抵抗Ｒｉは、
アルミナ基板上に抵抗体として窒化タンタル膜を印刷に
よって形成したものを用いた。ここで、インピーダンス
整合素子１２として、印刷抵抗を用いたのは、本実施例
の光送信モジュールは、高周波数で駆動時の寄生リアク
タンスを小さくするためである。また、反射防止のイン
ピーダンス整合回路１０は、抵抗値２５Ωのマイクロス
トリップ線路を用いた。
導体レーザ駆動回路１と、設計時の内部インピーダンス
ＲLDが７Ωの半導体レーザ８を用いた。インピーダンス
整合素子１２は、半導体レーザ駆動回路１と半導体レー
ザ８のインピーダンスの整合をとるために設計時の抵抗
値約１８Ωの印刷抵抗Ｒｉを用いた。印刷抵抗Ｒｉは、
アルミナ基板上に抵抗体として窒化タンタル膜を印刷に
よって形成したものを用いた。ここで、インピーダンス
整合素子１２として、印刷抵抗を用いたのは、本実施例
の光送信モジュールは、高周波数で駆動時の寄生リアク
タンスを小さくするためである。また、反射防止のイン
ピーダンス整合回路１０は、抵抗値２５Ωのマイクロス
トリップ線路を用いた。
【００２７】また、立ち下がり時間調節抵抗素子１４と
して、本実施例では、抵抗体部分の外形が１．２５ｍｍ
×２．００ｍｍの炭素被膜型表面実装抵抗Ｒ１を用い
た。表面実装抵抗Ｒ１の寄生インダクタンスは、約１ｎ
Ｈであった。表面実装抵抗Ｒ１の抵抗値については、後
述する。
して、本実施例では、抵抗体部分の外形が１．２５ｍｍ
×２．００ｍｍの炭素被膜型表面実装抵抗Ｒ１を用い
た。表面実装抵抗Ｒ１の寄生インダクタンスは、約１ｎ
Ｈであった。表面実装抵抗Ｒ１の抵抗値については、後
述する。
【００２８】本実施例の光送信モジュール１８におい
て、入力信号端子５からの入力信号ａは、半導体レ−ザ
駆動回路１に供給され、光変調信号電流となる。かかる
光変調信号電流に直流バイアス電流が重畳され、インピ
−ダンス整合回路１０およびインピーダンス整合素子１
２を介して、半導体レ−ザ８に供給される。これによっ
て半導体レ−ザ８は発光し、その前方出射光は、光結合
レンズ系１５によって、光ファイバ１６に導かれる。後
方出力光は、モニタフォトダイオ−ド９に入射する。モ
ニタフォトダイオ−ド９は、この入射光に応じて電流を
出力し、この電流は抵抗１１で電圧に変換されて光出力
安定化回路６に供給される。この光出力安定化回路６は
抵抗１１からの電圧に応じて半導体レ−ザ駆動回路１を
制御し、モニタフォトダイオ−ド９の出力電流を一定に
するように、光変調信号電流ｉmや直流バイアス電流ＩB
の強度を設定する。これにより、光ファイバに送出され
る光信号電力を一定にする。
て、入力信号端子５からの入力信号ａは、半導体レ−ザ
駆動回路１に供給され、光変調信号電流となる。かかる
光変調信号電流に直流バイアス電流が重畳され、インピ
−ダンス整合回路１０およびインピーダンス整合素子１
２を介して、半導体レ−ザ８に供給される。これによっ
て半導体レ−ザ８は発光し、その前方出射光は、光結合
レンズ系１５によって、光ファイバ１６に導かれる。後
方出力光は、モニタフォトダイオ−ド９に入射する。モ
ニタフォトダイオ−ド９は、この入射光に応じて電流を
出力し、この電流は抵抗１１で電圧に変換されて光出力
安定化回路６に供給される。この光出力安定化回路６は
抵抗１１からの電圧に応じて半導体レ−ザ駆動回路１を
制御し、モニタフォトダイオ−ド９の出力電流を一定に
するように、光変調信号電流ｉmや直流バイアス電流ＩB
の強度を設定する。これにより、光ファイバに送出され
る光信号電力を一定にする。
【００２９】一方、半導体レ−ザ８の温度は、温度検出
器４によって検出され、その検出出力に応じて半導体レ
−ザ温度安定化回路２が熱電子冷却素子３を制御して、
半導体レ−ザ８の温度を一定に保持する。
器４によって検出され、その検出出力に応じて半導体レ
−ザ温度安定化回路２が熱電子冷却素子３を制御して、
半導体レ−ザ８の温度を一定に保持する。
【００３０】半導体レ−ザ駆動回路１に、マ−ク率が５
０％のＮＲＺ（Ｎｏｎ Ｒｅｔｕｒｎ ｔｏ Ｚｅｒ
ｏ）擬似ランダムパタ−ン信号を、入力信号ａとして供
給した場合の、半導体レ−ザ８の光出力波形を図５に示
す。この光波形の立ち下がり時間ｔf1は、図５中に示す
式１で表される。この式において、ＣＲは半導体レ−ザ
８に寄生する容量及び抵抗成分のＣＲ時定数，ｆrは半
導体レ−ザ８の持つ緩和振動周波数，ｔficは半導体レ
−ザ駆動回路１から半導体レ−ザ８に送出される信号の
立ち下がり時間，ｆcは光波形を検出する図示しない光
受信器の高域遮断周波数である。
０％のＮＲＺ（Ｎｏｎ Ｒｅｔｕｒｎ ｔｏ Ｚｅｒ
ｏ）擬似ランダムパタ−ン信号を、入力信号ａとして供
給した場合の、半導体レ−ザ８の光出力波形を図５に示
す。この光波形の立ち下がり時間ｔf1は、図５中に示す
式１で表される。この式において、ＣＲは半導体レ−ザ
８に寄生する容量及び抵抗成分のＣＲ時定数，ｆrは半
導体レ−ザ８の持つ緩和振動周波数，ｔficは半導体レ
−ザ駆動回路１から半導体レ−ザ８に送出される信号の
立ち下がり時間，ｆcは光波形を検出する図示しない光
受信器の高域遮断周波数である。
【００３１】この式１より、光波形の立ち下がり時間ｔ
f1は、半導体レ−ザ８や半導体レ−ザ駆動回路１の性能
に大きく依存することが明白である。図６は、光波形の
立ち下がり時間ｔf1を変えた場合の符号誤り率特性であ
り、光波形の立ち下がり時間ｔf1が小さい方が受信感度
の劣化量が少ない。この時、光出力波形の立上り時間
は、半導体レ−ザ８の持つ緩和振動に起因するオ−バ−
シュ−トのため十分高速であり、光波形の立ち下がり時
間ｔf1により受信感度特性が大きく支配されている。
f1は、半導体レ−ザ８や半導体レ−ザ駆動回路１の性能
に大きく依存することが明白である。図６は、光波形の
立ち下がり時間ｔf1を変えた場合の符号誤り率特性であ
り、光波形の立ち下がり時間ｔf1が小さい方が受信感度
の劣化量が少ない。この時、光出力波形の立上り時間
は、半導体レ−ザ８の持つ緩和振動に起因するオ−バ−
シュ−トのため十分高速であり、光波形の立ち下がり時
間ｔf1により受信感度特性が大きく支配されている。
【００３２】ここで、式１のＲは、半導体レ−ザモジュ
−ル７の入力インピ−ダンスＺLDMと等価である。した
がって、半導体レ−ザモジュ−ル７の入力インピ−ダン
スので、ＺLDMを小さくすることにより式１のＣＲ時定
数を小さくでき、結果、光波形の立ち下がり時間を高速
化することが出来る。
−ル７の入力インピ−ダンスＺLDMと等価である。した
がって、半導体レ−ザモジュ−ル７の入力インピ−ダン
スので、ＺLDMを小さくすることにより式１のＣＲ時定
数を小さくでき、結果、光波形の立ち下がり時間を高速
化することが出来る。
【００３３】本実施例の光送信モジュールにおいて、入
力端子５から半導体レーザ８までの回路を抜き出したも
のを図４に示す。半導体レ−ザモジュ−ル７の内部イン
ピ−ダンスＲLDMは、インピ−ダンス整合素子１２と半
導体レ−ザ８の内部インピーダンスＲLDとを加えたもの
である。本実施例の光送信モジュール１８内の半導体レ
ーザモジュールの入力インピ−ダンスＺLDMは、図４か
らわかるように、並列の構成の半導体レ−ザモジュ−ル
７の内部インピ−ダンスＲLDMと、立上り時間調節素子
１４である抵抗Ｒ１の和ＺLDM＝ＲLDM//Ｒ１ となる。
したがって、立上り時間調節素子１４の抵抗Ｒ１を配置
したことにより、ＺLDM＜ＲLDM となり、半導体レーザ
モジュール７の入力インピーダンスＺLDMを低下させる
ことができ、立ち下がり時間を高速化することができ
る。
力端子５から半導体レーザ８までの回路を抜き出したも
のを図４に示す。半導体レ−ザモジュ−ル７の内部イン
ピ−ダンスＲLDMは、インピ−ダンス整合素子１２と半
導体レ−ザ８の内部インピーダンスＲLDとを加えたもの
である。本実施例の光送信モジュール１８内の半導体レ
ーザモジュールの入力インピ−ダンスＺLDMは、図４か
らわかるように、並列の構成の半導体レ−ザモジュ−ル
７の内部インピ−ダンスＲLDMと、立上り時間調節素子
１４である抵抗Ｒ１の和ＺLDM＝ＲLDM//Ｒ１ となる。
したがって、立上り時間調節素子１４の抵抗Ｒ１を配置
したことにより、ＺLDM＜ＲLDM となり、半導体レーザ
モジュール７の入力インピーダンスＺLDMを低下させる
ことができ、立ち下がり時間を高速化することができ
る。
【００３４】ここで、立ち下がり時間調節抵抗素子１４
である抵抗Ｒ１の抵抗値であるが、本実施例では、以下
のようにして定めた。
である抵抗Ｒ１の抵抗値であるが、本実施例では、以下
のようにして定めた。
【００３５】本実施例の光送信モジュールは、２．４Ｇ
ｂ／ｓ対応であるので、４００ｐｓ／ｂである。このう
ち、符号誤り率が十分小さく、実用化可能な立ち下がり
時間として許容できるのは、２００ｐｓ以下である。こ
の２００ｐｓに測定誤差２０ｐｓを見込んで、本実施例
では、立ち下がり時間の許容範囲として、１８０ｐｓ以
下を達成するような、立ち下がり時間調節抵抗素子１４
の抵抗Ｒ１の値を求めることとした。また、立ち下がり
時間を短くするために、半導体レーザモジュールの入力
インピーダンスＺLDMを低減し過ぎると、半導体レーザ
駆動回路１とのインピーダンス整合がとれなくなり、信
号の立上りでのパターン効果ジッタが増加してしまう。
そこで、ジッタの許容範囲として、８０ｐｓ以下と定
め、これを達成する抵抗Ｒ１を求めることとした。
ｂ／ｓ対応であるので、４００ｐｓ／ｂである。このう
ち、符号誤り率が十分小さく、実用化可能な立ち下がり
時間として許容できるのは、２００ｐｓ以下である。こ
の２００ｐｓに測定誤差２０ｐｓを見込んで、本実施例
では、立ち下がり時間の許容範囲として、１８０ｐｓ以
下を達成するような、立ち下がり時間調節抵抗素子１４
の抵抗Ｒ１の値を求めることとした。また、立ち下がり
時間を短くするために、半導体レーザモジュールの入力
インピーダンスＺLDMを低減し過ぎると、半導体レーザ
駆動回路１とのインピーダンス整合がとれなくなり、信
号の立上りでのパターン効果ジッタが増加してしまう。
そこで、ジッタの許容範囲として、８０ｐｓ以下と定
め、これを達成する抵抗Ｒ１を求めることとした。
【００３６】そこで、本実施例は、抵抗Ｒ１として、抵
抗値２０Ωから４００Ωの複数種類の抵抗を用意して、
実際に図４のような回路を組立て、半導体レ−ザ駆動回
路１に、マ−ク率が５０％のＮＲＺ（Ｎｏｎ Ｒｅｔｕ
ｒｎ ｔｏ Ｚｅｒｏ）擬似ランダムパタ−ン信号を、
入力信号ａとして供給して、図５のように、半導体レ−
ザ８の光出力波形を得た。そして、得られた波形から、
図５のように、立ち上り時の波形が、１つ前のパターン
の立ち下がり波形と交差する点の間隔をジッタＷ、ま
た、立ち下がり時に出力が９０％から１０％に低下する
時間を立ち下がり時間ｔf1として実測した。その結果を
図３に示す。図３のように、立ち下がり時間調節抵抗素
子１４の抵抗Ｒ１が、１００Ωから３００Ωの範囲の時
に、立ち下がり時間１８０ｐｓ以下で、かつ、ジッタ８
０ｐｓ以下が、達成することができた。
抗値２０Ωから４００Ωの複数種類の抵抗を用意して、
実際に図４のような回路を組立て、半導体レ−ザ駆動回
路１に、マ−ク率が５０％のＮＲＺ（Ｎｏｎ Ｒｅｔｕ
ｒｎ ｔｏ Ｚｅｒｏ）擬似ランダムパタ−ン信号を、
入力信号ａとして供給して、図５のように、半導体レ−
ザ８の光出力波形を得た。そして、得られた波形から、
図５のように、立ち上り時の波形が、１つ前のパターン
の立ち下がり波形と交差する点の間隔をジッタＷ、ま
た、立ち下がり時に出力が９０％から１０％に低下する
時間を立ち下がり時間ｔf1として実測した。その結果を
図３に示す。図３のように、立ち下がり時間調節抵抗素
子１４の抵抗Ｒ１が、１００Ωから３００Ωの範囲の時
に、立ち下がり時間１８０ｐｓ以下で、かつ、ジッタ８
０ｐｓ以下が、達成することができた。
【００３７】１００Ωから３００Ωの抵抗Ｒ１を配置し
た時の、Ｒ１／／ＲLDMは、２０Ωから２３Ωとなり、
従来のインピーダンス整合のみを考慮した場合の２５Ω
より若干小さめの値となる。
た時の、Ｒ１／／ＲLDMは、２０Ωから２３Ωとなり、
従来のインピーダンス整合のみを考慮した場合の２５Ω
より若干小さめの値となる。
【００３８】また、本実施例では、半導体レーザ８の両
端を、リボン状のリード（寄生インダクタンス０．８ｎ
Ｈ）および４本のボンディングワイヤ（寄生インダクタ
ンス０．４ｎＨ）を用いて、接続している。また、イン
ピーダンス接合素子１２の印刷抵抗Ｒｉの寄生インダク
タンスは、約０．２ｎＨであった。従って、半導体レー
ザモジュール７の寄生インダクタンスは、２（０．８＋
０．４）＋０．２＝２．６ｎＨである。本実施例は、立
ち下がり時間調節抵抗素子１４として、寄生インダクタ
ンスが１ｎＨと比較的高い表面実装抵抗Ｒ１を用いてい
るので、これを並列に配置する本実施例の回路では、寄
生インダクタンスを０．７ｎＨまで低減することができ
る。
端を、リボン状のリード（寄生インダクタンス０．８ｎ
Ｈ）および４本のボンディングワイヤ（寄生インダクタ
ンス０．４ｎＨ）を用いて、接続している。また、イン
ピーダンス接合素子１２の印刷抵抗Ｒｉの寄生インダク
タンスは、約０．２ｎＨであった。従って、半導体レー
ザモジュール７の寄生インダクタンスは、２（０．８＋
０．４）＋０．２＝２．６ｎＨである。本実施例は、立
ち下がり時間調節抵抗素子１４として、寄生インダクタ
ンスが１ｎＨと比較的高い表面実装抵抗Ｒ１を用いてい
るので、これを並列に配置する本実施例の回路では、寄
生インダクタンスを０．７ｎＨまで低減することができ
る。
【００３９】また、本実施例では、半導体レーザ８およ
びインピーダンス整合素子１２の少なくともいずれかが
有するインピーダンスの誤差によって、半導体レーザ駆
動回路１との間に生じるインピーダンスの不整合を、立
ち下がり時間調節抵抗素子１４が、補正する。上述のよ
うに、本実施例の半導体レーザ８の設計時の内部インピ
ーダンスＲLDは７Ω、インピーダンス整合素子１２であ
る印刷抵抗Ｒｉの設計時の抵抗値は、１８Ωである。し
かしながら、通常、半導体レーザ８は、±４０％前後の
抵抗値のバラツキを有している。また、印刷抵抗もまた
±１０％前後の抵抗値のバラツキを有している。そのた
め、本実施例の半導体レーザ８の場合には、４〜１０Ω
の半導体レーザと、１６〜２０Ωの印刷抵抗が存在して
いた。
びインピーダンス整合素子１２の少なくともいずれかが
有するインピーダンスの誤差によって、半導体レーザ駆
動回路１との間に生じるインピーダンスの不整合を、立
ち下がり時間調節抵抗素子１４が、補正する。上述のよ
うに、本実施例の半導体レーザ８の設計時の内部インピ
ーダンスＲLDは７Ω、インピーダンス整合素子１２であ
る印刷抵抗Ｒｉの設計時の抵抗値は、１８Ωである。し
かしながら、通常、半導体レーザ８は、±４０％前後の
抵抗値のバラツキを有している。また、印刷抵抗もまた
±１０％前後の抵抗値のバラツキを有している。そのた
め、本実施例の半導体レーザ８の場合には、４〜１０Ω
の半導体レーザと、１６〜２０Ωの印刷抵抗が存在して
いた。
【００４０】従って、半導体レーザ８と印刷抵抗Ｒｉを
入荷したまま用いると、インピーダンスの整合がとれな
くなり、光送信モジュールのジッタが大きくなってしま
う。従来は、設計値にあうものを選択して使用してい
た。本実施例の光送信モジュールは、立ち下がり時間調
節抵抗素子１４を配置することにより、半導体レーザモ
ジュールのインピーダンスを低下させる補正を行なうこ
とができる。これにより、半導体レーザ８と抵抗Ｒｉを
接続したときに、２０Ωより大きくなるものであれば、
立ち下がり時間調節抵抗素子１４の抵抗Ｒ１の大きさで
補正することができ、使用可能となる。このため、半導
体レーザ８と、印刷抵抗Ｒｉの歩留まりを向上せること
ができる。
入荷したまま用いると、インピーダンスの整合がとれな
くなり、光送信モジュールのジッタが大きくなってしま
う。従来は、設計値にあうものを選択して使用してい
た。本実施例の光送信モジュールは、立ち下がり時間調
節抵抗素子１４を配置することにより、半導体レーザモ
ジュールのインピーダンスを低下させる補正を行なうこ
とができる。これにより、半導体レーザ８と抵抗Ｒｉを
接続したときに、２０Ωより大きくなるものであれば、
立ち下がり時間調節抵抗素子１４の抵抗Ｒ１の大きさで
補正することができ、使用可能となる。このため、半導
体レーザ８と、印刷抵抗Ｒｉの歩留まりを向上せること
ができる。
【００４１】このように本実施例によれば、立ち上りの
パターン効果ジッタが８０ｐｓ以下で、かつ、立ち下が
り時間が１８０ｐｓ以下の、２．４Ｇｂ／ｓ対応の光送
信モジュールを得ることができる。また、半導体レーザ
モジュール７の寄生リアクタンスを従来より低くするこ
とができる。さらに、半導体レーザ８と、インピーダン
ス整合素子１４の歩留まりを向上させることができる。
パターン効果ジッタが８０ｐｓ以下で、かつ、立ち下が
り時間が１８０ｐｓ以下の、２．４Ｇｂ／ｓ対応の光送
信モジュールを得ることができる。また、半導体レーザ
モジュール７の寄生リアクタンスを従来より低くするこ
とができる。さらに、半導体レーザ８と、インピーダン
ス整合素子１４の歩留まりを向上させることができる。
【００４２】（実施例２）本発明の第２の実施例の１０
０Ｍｂ／ｓ対応の光送信モジュールについて説明する。
本実施例の光送信モジュールは、図７に示すように、半
導体レーザ８と、半導体レーザ８に接続されて、半導体
レーザ８を駆動する半導体レーザ駆動回路１とを備えて
いる。半導体レーザ８の半導体レーザ駆動回路１側に
は、半導体レーザ８と半導体レーザ駆動回路１とのイン
ピーダンスの整合をとるためのインピーダンス整合素子
１２が、半導体レーザ８と直列に配置されている。さら
に、半導体レーザ８およびインピーダンス整合素子１２
の少なくともいずれかが有するインピーダンスの誤差に
よって、半導体レーザ駆動回路１との間に生じるインピ
ーダンスの不整合を補正する第２のインピーダンス整合
素子２１が配置されている。また、半導体レーザ８は、
反射を防止するインピーダンス整合回路１０によって、
半導体レーザ駆動回路１と接続されている。
０Ｍｂ／ｓ対応の光送信モジュールについて説明する。
本実施例の光送信モジュールは、図７に示すように、半
導体レーザ８と、半導体レーザ８に接続されて、半導体
レーザ８を駆動する半導体レーザ駆動回路１とを備えて
いる。半導体レーザ８の半導体レーザ駆動回路１側に
は、半導体レーザ８と半導体レーザ駆動回路１とのイン
ピーダンスの整合をとるためのインピーダンス整合素子
１２が、半導体レーザ８と直列に配置されている。さら
に、半導体レーザ８およびインピーダンス整合素子１２
の少なくともいずれかが有するインピーダンスの誤差に
よって、半導体レーザ駆動回路１との間に生じるインピ
ーダンスの不整合を補正する第２のインピーダンス整合
素子２１が配置されている。また、半導体レーザ８は、
反射を防止するインピーダンス整合回路１０によって、
半導体レーザ駆動回路１と接続されている。
【００４３】また、図７には示していないが、光結合レ
ンズ系１５と、光ファイバ１６と、モニタフォトダイオ
−ド９と、抵抗１１と、光出力安定化回路６と、電源１
７と、温度検出器４と、熱電子冷却素子３と、半導体レ
−ザ温度安定化回路２とを有している。これらの回路構
成は、実施例１と同様であるので説明を省略する。
ンズ系１５と、光ファイバ１６と、モニタフォトダイオ
−ド９と、抵抗１１と、光出力安定化回路６と、電源１
７と、温度検出器４と、熱電子冷却素子３と、半導体レ
−ザ温度安定化回路２とを有している。これらの回路構
成は、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００４４】本実施例では、インピーダンス２５Ωの半
導体レーザ駆動回路１と、設計時の内部インピーダンス
ＲLDが７Ωの半導体レーザ８を用いた。インピーダンス
整合素子１２は、半導体レーザ駆動回路１と半導体レー
ザ８のインピーダンスの整合をとるために設計時の抵抗
値約１８Ωの印刷抵抗Ｒｉを用いた。印刷抵抗Ｒｉは、
アルミナ基板上に抵抗体として窒化タンタル膜を印刷に
よって形成したものを用いた。ここで、インピーダンス
整合素子１２として、印刷抵抗を用いたのは、高周波数
駆動時の寄生リアクタンスを小さくするためである。ま
た、反射防止のインピーダンス整合回路１０は、抵抗値
２５Ωのマイクロストリップ線路を用いた。また、第２
のインピーダンス整合素子２１は、炭素被膜型表面実装
抵抗Ｒ２を用いた。
導体レーザ駆動回路１と、設計時の内部インピーダンス
ＲLDが７Ωの半導体レーザ８を用いた。インピーダンス
整合素子１２は、半導体レーザ駆動回路１と半導体レー
ザ８のインピーダンスの整合をとるために設計時の抵抗
値約１８Ωの印刷抵抗Ｒｉを用いた。印刷抵抗Ｒｉは、
アルミナ基板上に抵抗体として窒化タンタル膜を印刷に
よって形成したものを用いた。ここで、インピーダンス
整合素子１２として、印刷抵抗を用いたのは、高周波数
駆動時の寄生リアクタンスを小さくするためである。ま
た、反射防止のインピーダンス整合回路１０は、抵抗値
２５Ωのマイクロストリップ線路を用いた。また、第２
のインピーダンス整合素子２１は、炭素被膜型表面実装
抵抗Ｒ２を用いた。
【００４５】このように、本実施例の半導体レーザ８の
設計時の内部インピーダンスＲLDは７Ω、インピーダン
ス整合素子１２である印刷抵抗Ｒｉの設計時の抵抗値
は、１８Ωである。しかしながら、通常、半導体レーザ
８は、±４０％前後の抵抗値のバラツキを有している。
また、印刷抵抗もまた±１０％前後の抵抗値のバラツキ
を有している。従って、本実施例の半導体レーザ８の場
合には、４〜１０Ωの半導体レーザと、１６〜２０Ωの
印刷抵抗が存在していた。
設計時の内部インピーダンスＲLDは７Ω、インピーダン
ス整合素子１２である印刷抵抗Ｒｉの設計時の抵抗値
は、１８Ωである。しかしながら、通常、半導体レーザ
８は、±４０％前後の抵抗値のバラツキを有している。
また、印刷抵抗もまた±１０％前後の抵抗値のバラツキ
を有している。従って、本実施例の半導体レーザ８の場
合には、４〜１０Ωの半導体レーザと、１６〜２０Ωの
印刷抵抗が存在していた。
【００４６】従って、半導体レーザ８と印刷抵抗Ｒｉを
入荷したまま用いると、インピーダンスの整合がとれな
くなって、光送信モジュールのジッタが大きくなってし
まう。従来は、設計値にあうものを選択して使用してい
た。本実施例の光送信モジュールは、第２のインピーダ
ンス整合素子２１を配置することにより、半導体レーザ
モジュールのインピーダンスを大きくさせる補正を行な
うことができる。これにより、半導体レーザ８と抵抗Ｒ
ｉを接続したときに、２５Ωより小さくなるものであれ
ば、第２のインピーダンス整合素子２１の抵抗Ｒ２の大
きさで補正することができ、使用可能となる。このた
め、半導体レーザ８と、印刷抵抗Ｒｉの歩留まりを向上
せることができる。
入荷したまま用いると、インピーダンスの整合がとれな
くなって、光送信モジュールのジッタが大きくなってし
まう。従来は、設計値にあうものを選択して使用してい
た。本実施例の光送信モジュールは、第２のインピーダ
ンス整合素子２１を配置することにより、半導体レーザ
モジュールのインピーダンスを大きくさせる補正を行な
うことができる。これにより、半導体レーザ８と抵抗Ｒ
ｉを接続したときに、２５Ωより小さくなるものであれ
ば、第２のインピーダンス整合素子２１の抵抗Ｒ２の大
きさで補正することができ、使用可能となる。このた
め、半導体レーザ８と、印刷抵抗Ｒｉの歩留まりを向上
せることができる。
【００４７】第２のインピーダンス整合素子２１の抵抗
Ｒ２を大きさの求める方法として、本実施例では、抵抗
Ｒ２として、複数種類の抵抗を用意して、実際に図７の
ような回路を組立て、半導体レ−ザ駆動回路１に、マ−
ク率が５０％のＮＲＺ（Ｎｏｎ Ｒｅｔｕｒｎ ｔｏ
Ｚｅｒｏ）擬似ランダムパタ−ン信号を、入力信号ａと
して供給して、図５のように、半導体レ−ザ８の光出力
波形を得た。そして、得られた波形から、図５のよう
に、立ち上り時の波形が、１つ前のパターンの立ち下が
り波形と交差する点の間隔をジッタＷとして測定した。
ジッタの許容範囲として、８０ｐｓ以下と定め、ジッタ
が許容範囲に入る場合、インピーダンス整合がとれてい
るとして、その時のＲ２の大きさを定めた。
Ｒ２を大きさの求める方法として、本実施例では、抵抗
Ｒ２として、複数種類の抵抗を用意して、実際に図７の
ような回路を組立て、半導体レ−ザ駆動回路１に、マ−
ク率が５０％のＮＲＺ（Ｎｏｎ Ｒｅｔｕｒｎ ｔｏ
Ｚｅｒｏ）擬似ランダムパタ−ン信号を、入力信号ａと
して供給して、図５のように、半導体レ−ザ８の光出力
波形を得た。そして、得られた波形から、図５のよう
に、立ち上り時の波形が、１つ前のパターンの立ち下が
り波形と交差する点の間隔をジッタＷとして測定した。
ジッタの許容範囲として、８０ｐｓ以下と定め、ジッタ
が許容範囲に入る場合、インピーダンス整合がとれてい
るとして、その時のＲ２の大きさを定めた。
【００４８】この方法を用いることにより、半導体レー
ザ８とインピーダンス整合素子１２の抵抗値のバラツキ
を１つずつ測定すること無く、第２のインピーダンス整
合素子２１の抵抗Ｒ２の大きさを定めることができる。
ザ８とインピーダンス整合素子１２の抵抗値のバラツキ
を１つずつ測定すること無く、第２のインピーダンス整
合素子２１の抵抗Ｒ２の大きさを定めることができる。
【００４９】このように、本実施例によれば、立ち上り
パターン効果ジッタを低く押さえたまま、半導体レーザ
８および印刷抵抗１２の歩留まりを向上させることがで
きる。（実施例３）本発明の第２の実施例の１００Ｍｂ
／ｓ対応の光送信モジュールについて説明する。本実施
例の光送信モジュールは、図８に示すように、半導体レ
ーザ８と、半導体レーザ駆動回路１と、インピーダンス
整合素子１２と、インピーダンス整合回路１０とを有し
ている。さらに、半導体レーザ８およびインピーダンス
整合素子１２の少なくともいずれかが有するインピーダ
ンスの誤差によって、半導体レーザ駆動回路１との間に
生じるインピーダンスの不整合を補正するための、第２
のインピーダンス整合素子２１が配置されている。ま
た、半導体レーザ８およびインピーダンス整合素子１２
に並列に、第３のインピーダンス整合素子２２が配置さ
れている。
パターン効果ジッタを低く押さえたまま、半導体レーザ
８および印刷抵抗１２の歩留まりを向上させることがで
きる。（実施例３）本発明の第２の実施例の１００Ｍｂ
／ｓ対応の光送信モジュールについて説明する。本実施
例の光送信モジュールは、図８に示すように、半導体レ
ーザ８と、半導体レーザ駆動回路１と、インピーダンス
整合素子１２と、インピーダンス整合回路１０とを有し
ている。さらに、半導体レーザ８およびインピーダンス
整合素子１２の少なくともいずれかが有するインピーダ
ンスの誤差によって、半導体レーザ駆動回路１との間に
生じるインピーダンスの不整合を補正するための、第２
のインピーダンス整合素子２１が配置されている。ま
た、半導体レーザ８およびインピーダンス整合素子１２
に並列に、第３のインピーダンス整合素子２２が配置さ
れている。
【００５０】また、図８には示していないが、光結合レ
ンズ系１５と、光ファイバ１６と、モニタフォトダイオ
−ド９と、抵抗１１と、光出力安定化回路６と、電源１
７と、温度検出器４と、熱電子冷却素子３と、半導体レ
−ザ温度安定化回路２とを有している。これらの回路構
成は、実施例１と同様であるので説明を省略する。
ンズ系１５と、光ファイバ１６と、モニタフォトダイオ
−ド９と、抵抗１１と、光出力安定化回路６と、電源１
７と、温度検出器４と、熱電子冷却素子３と、半導体レ
−ザ温度安定化回路２とを有している。これらの回路構
成は、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００５１】本実施例では、インピーダンス２５Ωの半
導体レーザ駆動回路１と、設計時の内部インピーダンス
ＲLDが７Ωの半導体レーザ８を用いた。インピーダンス
整合素子１２は、半導体レーザ駆動回路１と半導体レー
ザ８のインピーダンスの整合をとるために設計時の抵抗
値約１８Ωの印刷抵抗Ｒｉを用いた。印刷抵抗Ｒｉは、
アルミナ基板上に抵抗体として窒化タンタル膜を印刷に
よって形成したものを用いた。ここで、インピーダンス
整合素子１２として、印刷抵抗を用いたのは、高周波数
駆動時の寄生リアクタンスを小さくするためである。ま
た、反射防止のインピーダンス整合回路１０は、抵抗値
２５Ωのマイクロストリップ線路を用いた。また、第２
のインピーダンス整合素子２１および第３のインピーダ
ンス整合素子２２は、炭素被膜型表面実装抵抗Ｒ２およ
びＲ３を用いた。
導体レーザ駆動回路１と、設計時の内部インピーダンス
ＲLDが７Ωの半導体レーザ８を用いた。インピーダンス
整合素子１２は、半導体レーザ駆動回路１と半導体レー
ザ８のインピーダンスの整合をとるために設計時の抵抗
値約１８Ωの印刷抵抗Ｒｉを用いた。印刷抵抗Ｒｉは、
アルミナ基板上に抵抗体として窒化タンタル膜を印刷に
よって形成したものを用いた。ここで、インピーダンス
整合素子１２として、印刷抵抗を用いたのは、高周波数
駆動時の寄生リアクタンスを小さくするためである。ま
た、反射防止のインピーダンス整合回路１０は、抵抗値
２５Ωのマイクロストリップ線路を用いた。また、第２
のインピーダンス整合素子２１および第３のインピーダ
ンス整合素子２２は、炭素被膜型表面実装抵抗Ｒ２およ
びＲ３を用いた。
【００５２】このように、本実施例の半導体レーザ８の
設計時の内部インピーダンスＲLDは７Ω、インピーダン
ス整合素子１２である印刷抵抗Ｒｉの設計時の抵抗値
は、１８Ωである。しかしながら、通常、半導体レーザ
８は、±４０％前後の抵抗値のバラツキを有している。
また、印刷抵抗もまた±１０％前後の抵抗値のバラツキ
を有している。このため、本実施例の半導体レーザ８の
場合には、４〜１０Ωの半導体レーザと、１６〜２０Ω
の印刷抵抗が存在していた。
設計時の内部インピーダンスＲLDは７Ω、インピーダン
ス整合素子１２である印刷抵抗Ｒｉの設計時の抵抗値
は、１８Ωである。しかしながら、通常、半導体レーザ
８は、±４０％前後の抵抗値のバラツキを有している。
また、印刷抵抗もまた±１０％前後の抵抗値のバラツキ
を有している。このため、本実施例の半導体レーザ８の
場合には、４〜１０Ωの半導体レーザと、１６〜２０Ω
の印刷抵抗が存在していた。
【００５３】従って、半導体レーザ８と印刷抵抗Ｒｉを
入荷したまま用いると、インピーダンスの整合がとれな
くなって、光送信モジュールのジッタが大きくなってし
まう。従来は、設計値にあうものを選択して使用してい
た。本実施例の光送信モジュールは、第２のインピーダ
ンス整合素子２１と第３のインピーダンス整合素子２２
を配置することにより、半導体レーザモジュール７のイ
ンピーダンスを大きく、または小さくする補正を行なう
ことができる。これにより、半導体レーザ８と抵抗Ｒｉ
を接続したときに、２５Ωからずれているものであって
も、第２のインピーダンス整合素子２１の抵抗Ｒ２と第
３のインピーダンス整合素子２２の大きさで高精度に補
正することができ、使用可能となる。このため、半導体
レーザ８と、印刷抵抗Ｒｉの歩留まりを向上せることが
できる。
入荷したまま用いると、インピーダンスの整合がとれな
くなって、光送信モジュールのジッタが大きくなってし
まう。従来は、設計値にあうものを選択して使用してい
た。本実施例の光送信モジュールは、第２のインピーダ
ンス整合素子２１と第３のインピーダンス整合素子２２
を配置することにより、半導体レーザモジュール７のイ
ンピーダンスを大きく、または小さくする補正を行なう
ことができる。これにより、半導体レーザ８と抵抗Ｒｉ
を接続したときに、２５Ωからずれているものであって
も、第２のインピーダンス整合素子２１の抵抗Ｒ２と第
３のインピーダンス整合素子２２の大きさで高精度に補
正することができ、使用可能となる。このため、半導体
レーザ８と、印刷抵抗Ｒｉの歩留まりを向上せることが
できる。
【００５４】第２のインピーダンス整合素子２１の抵抗
Ｒ２と、第３のインピーダンス整合素子２２の抵抗Ｒ３
を大きさの求める方法を説明する。本実施例では、ま
ず、抵抗Ｒ３として、複数種類の抵抗を用意して、図７
の回路から抵抗Ｒ２を除いた回路を組立て、半導体レ−
ザ駆動回路１に、マ−ク率が５０％のＮＲＺ（ＮｏｎＲ
ｅｔｕｒｎ ｔｏ Ｚｅｒｏ）擬似ランダムパタ−ン信
号を、入力信号ａとして供給して、図５のように、半導
体レ−ザ８の光出力波形を得た。そして、得られた波形
から、図５のように、立ち上り時の波形が、１つ前のパ
ターンの立ち下がり波形と交差する点の間隔をジッタＷ
として測定した。ジッタの許容範囲として、８０ｐｓ以
下と定め、ジッタが許容範囲に入る場合、インピーダン
ス整合がとれているとして、その時のＲ３の大きさを定
めた。
Ｒ２と、第３のインピーダンス整合素子２２の抵抗Ｒ３
を大きさの求める方法を説明する。本実施例では、ま
ず、抵抗Ｒ３として、複数種類の抵抗を用意して、図７
の回路から抵抗Ｒ２を除いた回路を組立て、半導体レ−
ザ駆動回路１に、マ−ク率が５０％のＮＲＺ（ＮｏｎＲ
ｅｔｕｒｎ ｔｏ Ｚｅｒｏ）擬似ランダムパタ−ン信
号を、入力信号ａとして供給して、図５のように、半導
体レ−ザ８の光出力波形を得た。そして、得られた波形
から、図５のように、立ち上り時の波形が、１つ前のパ
ターンの立ち下がり波形と交差する点の間隔をジッタＷ
として測定した。ジッタの許容範囲として、８０ｐｓ以
下と定め、ジッタが許容範囲に入る場合、インピーダン
ス整合がとれているとして、その時のＲ３の大きさを定
めた。
【００５５】さらに、この時のＲ３／／ＲLDMの大きさ
を測定により求める。そして、２５Ω−（Ｒ３／／Ｒ
LDM）を計算で求めて、これを第２のインピーダンス整
合素子Ｒ２の抵抗値とする。
を測定により求める。そして、２５Ω−（Ｒ３／／Ｒ
LDM）を計算で求めて、これを第２のインピーダンス整
合素子Ｒ２の抵抗値とする。
【００５６】表面実装抵抗Ｒ２およびＲ３は、市販の物
を用いているので、限られた抵抗値の物しか入手できな
いが、実施例３の回路構成では、並列の抵抗Ｒ３と、直
列の抵抗Ｒ２を組み合わせることができるので、市販の
抵抗値にはない抵抗値を作ることができる。これによ
り、半導体レーザモジュール７のインピーダンスを、半
導体レーザ駆動回路１のインピーダンスに高精度で一致
させることができる。
を用いているので、限られた抵抗値の物しか入手できな
いが、実施例３の回路構成では、並列の抵抗Ｒ３と、直
列の抵抗Ｒ２を組み合わせることができるので、市販の
抵抗値にはない抵抗値を作ることができる。これによ
り、半導体レーザモジュール７のインピーダンスを、半
導体レーザ駆動回路１のインピーダンスに高精度で一致
させることができる。
【００５７】この方法を用いることにより、半導体レー
ザ８とインピーダンス整合素子１２の抵抗値のバラツキ
を１つずつ測定すること無く、第２のインピーダンス整
合素子２１の抵抗Ｒ２の大きさと、第３のインピーダン
ス整合素子２２の大きさを定めることができる。
ザ８とインピーダンス整合素子１２の抵抗値のバラツキ
を１つずつ測定すること無く、第２のインピーダンス整
合素子２１の抵抗Ｒ２の大きさと、第３のインピーダン
ス整合素子２２の大きさを定めることができる。
【００５８】このように、本実施例によれば、立ち上り
パターン効果ジッタを低く押さえたまま、半導体レーザ
８および印刷抵抗１２の歩留まりを向上させることがで
きる。 また、実施例２、３では、ジッタを測定して第
２のインピーダンス整合手段２１の抵抗値を定めたが、
これに限らず、半導体レーザ８およびインピーダンス整
合素子１２の抵抗値を一つずつ測定し、半導体レーザ駆
動回路１の２５オームと整合がとれるように、計算によ
り、第２のインピーダンス整合素子２１の抵抗値を定め
ることももちろん可能である。
パターン効果ジッタを低く押さえたまま、半導体レーザ
８および印刷抵抗１２の歩留まりを向上させることがで
きる。 また、実施例２、３では、ジッタを測定して第
２のインピーダンス整合手段２１の抵抗値を定めたが、
これに限らず、半導体レーザ８およびインピーダンス整
合素子１２の抵抗値を一つずつ測定し、半導体レーザ駆
動回路１の２５オームと整合がとれるように、計算によ
り、第２のインピーダンス整合素子２１の抵抗値を定め
ることももちろん可能である。
【００５９】上述の実施例１、２、３では、インピーダ
ンス整合回路としてマイクロストリップ線路を用いた
が、ブランデッドコプレナー線路等他の線路を用いるこ
ともできる。また、立ち下がり時間調節抵抗素子１４
と、第２のインピーダンス整合素子２１、第３のインピ
ーダンス整合素子２２として、炭素被膜型表面実装抵抗
を用いたが、金属被膜型表面実装抵抗等の他の実装抵抗
を用いることもできる。
ンス整合回路としてマイクロストリップ線路を用いた
が、ブランデッドコプレナー線路等他の線路を用いるこ
ともできる。また、立ち下がり時間調節抵抗素子１４
と、第２のインピーダンス整合素子２１、第３のインピ
ーダンス整合素子２２として、炭素被膜型表面実装抵抗
を用いたが、金属被膜型表面実装抵抗等の他の実装抵抗
を用いることもできる。
【００６０】また、実施例１、２、３では、半導体レー
ザ８の一端を接地したが、電源に接続しても良い。電源
に接続した場合でも、電源は低電圧であるので、半導体
レーザ８と、立ち下がり時間調節素子１４や第３のイン
ピーダンス整合素子２２とは、並列であるとみなすこと
ができる。
ザ８の一端を接地したが、電源に接続しても良い。電源
に接続した場合でも、電源は低電圧であるので、半導体
レーザ８と、立ち下がり時間調節素子１４や第３のイン
ピーダンス整合素子２２とは、並列であるとみなすこと
ができる。
【００６１】
【発明の効果】本発明のように、信号波形の立ち下がり
時間を低減する手段を配置することにより、低い符号誤
り率でＧｂ／ｓを越える伝送速度の通信を行なうことの
できる光送信器を得ることができる。
時間を低減する手段を配置することにより、低い符号誤
り率でＧｂ／ｓを越える伝送速度の通信を行なうことの
できる光送信器を得ることができる。
【００６２】また、本発明の別の態様によれば、インピ
ーダンスの補正を行なう第２のインピーダンス整合手段
を配置することにより、ジッタの低減を図りつつ、低コ
ストで製造可能な光送信器を得ることができる。
ーダンスの補正を行なう第２のインピーダンス整合手段
を配置することにより、ジッタの低減を図りつつ、低コ
ストで製造可能な光送信器を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の光送信モジュールの構
成を示すブロック図。
成を示すブロック図。
【図２】従来の光送信モジュールの構成を示すブロック
図。
図。
【図３】本発明の第１の実施例の光送信モジュールにお
いて、立ち下がり時間制御手段の抵抗値を変えた場合
の、波形変化を示すグラフ。
いて、立ち下がり時間制御手段の抵抗値を変えた場合
の、波形変化を示すグラフ。
【図４】本発明の第１の実施例の光送信モジュールの一
部の構成を示すブロック図。
部の構成を示すブロック図。
【図５】光送信モジュールの信号波形の例を示す説明
図。
図。
【図６】信号の立ち下がり時間と、符号誤り率の関係を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図７】本発明の第２の実施例の光送信モジュールの一
部の構成を示すブロック図。
部の構成を示すブロック図。
【図８】本発明の第３の実施例の光送信モジュールの一
部の構成を示すブロック図。
部の構成を示すブロック図。
１…半導体レ−ザ駆動回路、２…半導体レ−ザ温度安定
化回路、３…熱電子冷却素子、４…温度検出器、５…入
力端子、６…光出力安定化回路、７…半導体レ−ザダイ
オ−ドモジュ−ル、８…半導体レ−ザ、９…モニタフォ
トダイオ−ド、１０、１００…インピ−ダンス整合回
路、１１…抵抗、１２…インピ−ダンス整合素子、１３
…半導体レ−ザモジュ−ル７の内部インピ−ダンス、１
４…立ち下がり時間調節抵抗素子、１５…光結合レンズ
系、１６…光ファイバ、２１…第２のインピーダンス整
合素子、２２…第３のインピーダンス整合素子。
化回路、３…熱電子冷却素子、４…温度検出器、５…入
力端子、６…光出力安定化回路、７…半導体レ−ザダイ
オ−ドモジュ−ル、８…半導体レ−ザ、９…モニタフォ
トダイオ−ド、１０、１００…インピ−ダンス整合回
路、１１…抵抗、１２…インピ−ダンス整合素子、１３
…半導体レ−ザモジュ−ル７の内部インピ−ダンス、１
４…立ち下がり時間調節抵抗素子、１５…光結合レンズ
系、１６…光ファイバ、２１…第２のインピーダンス整
合素子、２２…第３のインピーダンス整合素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 雄紀 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町180番地 日 立通信システム株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】半導体レーザとインピーダンス整合素子と
を有する半導体モジュールと、前記半導体レーザを駆動
して光信号を出射させる駆動回路と、前記光信号を伝送
する光ファイバとを有し、前記インピーダンス整合素子
は、前記半導体レーザモジュールのインピーダンスを前
記駆動回路のインピーダンスに一致させる光送信モジュ
ールにおいて、 前記光信号の立ち下がり時間を低減するために、前記駆
動回路からみた前記半導体レーザモジュールの入力イン
ピーダンスを低減させるインピーダンス素子を有するこ
とを特徴とする光送信モジュール。 - 【請求項２】請求項１において、前記インピーダンス素
子は、前記半導体レーザモジュールに並列に配置された
抵抗Ｒ１であることを特徴とする光送信モジュール。 - 【請求項３】半導体レーザと、前記半導体レーザを駆動
して光信号を出射させる駆動回路と、前記半導体レーザ
の出射光を伝送する光ファイバと、 前記半導体レーザと前記駆動回路との間のインピーダン
スの整合をとるための第１のインピーダンス整合手段
と、前記半導体レーザおよび前記第１のインピーダンス
整合手段の少なくともいずれかが有するインピーダンス
の誤差によって前記駆動回路との間に生じるインピーダ
ンスの不整合を補正する第２のインピーダンス整合手段
とを有することを特徴とする光送信モジュール。 - 【請求項４】請求項３において、前記第１のインピーダ
ンス整合手段として、前記半導体レーザと駆動回路との
間に、前記半導体レーザに対して直列に配置された抵抗
Ｒｉと、前記第２のインピーダンス整合手段として、前
記半導体レーザに対して並列に配置された抵抗Ｒ１、お
よび、直列に配置された抵抗Ｒ２のうち少なくともいず
れかとを有することを特徴とする光送信モジュール。 - 【請求項５】請求項４において、前記半導体レーザに対
して並列に配置された抵抗Ｒ１は、前記信号の立ち下が
り時間を低減するために、前記駆動回路からみた前記半
導体レーザモジュールの入力インピーダンスを低減させ
るインピーダンス素子を兼ねていることを特徴とする光
送信モジュール。 - 【請求項６】請求項２または５において、前記抵抗Ｒ１
は、表面実装抵抗であることを特徴とする光送信モジュ
ール。 - 【請求項７】請求項４において、前記抵抗Ｒ２は、基板
と、前記基板上に印刷により形成された抵抗体とを有す
る印刷抵抗であることを特徴とする光送信モジュール。 - 【請求項８】請求項６または７において、前記抵抗Ｒｉ
は、基板と、前記基板上に印刷により形成された抵抗体
とを有する印刷抵抗であることを特徴とする光送信モジ
ュール。 - 【請求項９】請求項１または５において、前記駆動回路
は、前記半導体レーザを２．４Ｇｂ／ｓで変調可能であ
り、前記インピーダンス素子は、前記立ち下がり時間を
２００ｐｓ以下にすることを特徴とする光送信モジュー
ル。 - 【請求項１０】駆動手段に接続されて光信号を出射する
半導体レーザと、前記駆動手段とのインピーダンスの整
合をとるためのインピーダンス整合素子とを有する半導
体モジュールにおいて、 前記光信号の立ち下がり時間を低減するために、前記駆
動回路からみた前記半導体レーザモジュールの入力イン
ピーダンスを低減させるインピーダンス素子を有するこ
とを特徴とする半導体モジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131089A JP2954422B2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光送信モジュール |
| US08/026,816 US5371755A (en) | 1992-05-22 | 1993-03-05 | Optical transmission module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131089A JP2954422B2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光送信モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327617A true JPH05327617A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2954422B2 JP2954422B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=15049725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4131089A Expired - Lifetime JP2954422B2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光送信モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5371755A (ja) |
| JP (1) | JP2954422B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7171127B2 (en) | 2002-11-18 | 2007-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical transmission controller |
| WO2009034836A1 (ja) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Omron Corporation | 送信装置、受信装置、送受信装置、送信制御方法、受信制御方法、光伝送モジュール、電子機器 |
| US7512165B2 (en) | 2003-11-13 | 2009-03-31 | Hitachi Cable, Ltd. | Photoelectric conversion module and optical transceiver using the same |
| JP2015206596A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 日置電機株式会社 | 電流センサおよび測定装置 |
| EP4033620A4 (en) * | 2019-09-17 | 2023-05-31 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | SEMICONDUCTOR LASER DRIVE DEVICE, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LASER DRIVE DEVICE |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5579328A (en) * | 1995-08-10 | 1996-11-26 | Northern Telecom Limited | Digital control of laser diode power levels |
| US5706303A (en) * | 1996-04-09 | 1998-01-06 | Lawrence; Zachary Andrew | Laser diode coupling and bias circuit and method |
| US5982793A (en) * | 1996-05-20 | 1999-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser module with internal matching circuit |
| KR20000034841A (ko) * | 1998-11-10 | 2000-06-26 | 윤종용 | 광통신 모듈의 초고주파 입력장치 |
| JP4290314B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2009-07-01 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 高周波回路及びそれを実装したモジュール、通信機 |
| US6728280B1 (en) * | 2001-03-12 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Apparatus and method providing a balancing load to a laser differential drive circuit |
| DE60101308T2 (de) | 2001-03-30 | 2004-08-26 | Agilent Technologies, Inc. (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Palo Alto | Laserdiodenanpassungsschaltung und Impedanzanpassungsverfahren dafür |
| US6667661B1 (en) * | 2001-05-04 | 2003-12-23 | Euvis, Inc. | Laser diode driver with high power efficiency |
| US7049759B2 (en) * | 2001-12-06 | 2006-05-23 | Linear Technology Corporation | Circuitry and methods for improving the performance of a light emitting element |
| JP4046564B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2008-02-13 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
| US6990412B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-01-24 | Intel Corporation | Techniques to manufacture optical signal transmitters |
| US20050105574A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Wu Xin M. | Laser driver for optical communication network |
| TWI314328B (en) * | 2005-02-25 | 2009-09-01 | Delta Electronics Inc | System of adjusting optical character by trimmable resistor and adjusting method thereof |
| JP2007005904A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Fujitsu Ltd | 光通信装置 |
| JP5338665B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2013-11-13 | 日本電気株式会社 | 量子暗号鍵配付システム |
| WO2016175301A1 (ja) * | 2015-04-30 | 2016-11-03 | 株式会社トプコン | 発光装置および距離測定装置 |
| JP6853477B2 (ja) | 2017-03-31 | 2021-03-31 | ミツミ電機株式会社 | 表示装置 |
| US11650436B2 (en) | 2019-09-06 | 2023-05-16 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Optical communication device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2459496C3 (de) * | 1974-12-17 | 1979-04-26 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Schaltungsanordnung zur Verstärkung von impulsförmigen Signalen |
| US4995044A (en) * | 1990-03-23 | 1991-02-19 | Tektronix, Inc. | Laser diode impulse circuit |
| US5111065A (en) * | 1990-03-23 | 1992-05-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Diode driver circuit utilizing discrete-value DC current source |
| US5224111A (en) * | 1991-07-15 | 1993-06-29 | International Business Machines Corporation | Dual fiber drive system |
| US5123024A (en) * | 1991-08-06 | 1992-06-16 | General Scanning, Inc. | Apparatus and method for controlling the light intensity of a laser diode |
| US5241552A (en) * | 1991-10-22 | 1993-08-31 | At&T Bell Laboratories | Compensated laser structure for analog communication applications |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP4131089A patent/JP2954422B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-03-05 US US08/026,816 patent/US5371755A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7171127B2 (en) | 2002-11-18 | 2007-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical transmission controller |
| US7512165B2 (en) | 2003-11-13 | 2009-03-31 | Hitachi Cable, Ltd. | Photoelectric conversion module and optical transceiver using the same |
| WO2009034836A1 (ja) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Omron Corporation | 送信装置、受信装置、送受信装置、送信制御方法、受信制御方法、光伝送モジュール、電子機器 |
| JP2009071458A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Omron Corp | 送信装置、受信装置、送受信装置、送信制御方法、受信制御方法、光伝送モジュール、電子機器 |
| KR101146823B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2012-05-21 | 오무론 가부시키가이샤 | 송신 장치, 수신 장치, 송수신 장치, 송신 제어 방법, 수신 제어 방법, 광전송 모듈, 전자 기기 |
| US8391722B2 (en) | 2007-09-11 | 2013-03-05 | Omron Corporation | Transmitter, receiver, transceiver, transmission control method, reception control method, optical transmission module and electronic device |
| JP2015206596A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 日置電機株式会社 | 電流センサおよび測定装置 |
| EP4033620A4 (en) * | 2019-09-17 | 2023-05-31 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | SEMICONDUCTOR LASER DRIVE DEVICE, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LASER DRIVE DEVICE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2954422B2 (ja) | 1999-09-27 |
| US5371755A (en) | 1994-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2954422B2 (ja) | 光送信モジュール | |
| US7215891B1 (en) | Integrated driving, receiving, controlling, and monitoring for optical transceivers | |
| US7424228B1 (en) | High dynamic range radio frequency to optical link | |
| US5760939A (en) | Optical transmission link capable of high temperature operation without cooling with an optical receiver module having temperature independent sensitivity performance and optical transmitter module with laser diode source | |
| JP2002511658A (ja) | レーザダイオードの温度補償 | |
| US20060045437A1 (en) | Laser package with digital electronic interface | |
| JPH0591047A (ja) | 光平衡伝送装置 | |
| JPH05335674A (ja) | レーザ発振器 | |
| EP0661838B1 (en) | Method, circuit and apparatus for mitigating effects of wavelength-dependent atmospheric transmission characteristics on atmospheric optical telecommunication | |
| US20020191263A1 (en) | Method and apparatus for optical data signaling using dark photodiode | |
| JPH09252164A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| KR20020042322A (ko) | 광송신기의 비선형 왜곡 제거장치 및 방법 | |
| GB2200796A (en) | An integrated optoelectronic circuit | |
| US4791632A (en) | Compensated laser diode transmitter | |
| JP2006115524A (ja) | 光送信機についての歪み制御のための方法及び装置 | |
| TWI299226B (en) | Laser driver circuit and system | |
| JP4032531B2 (ja) | 光受信器 | |
| JP2842399B2 (ja) | 受光素子および半導体光装置 | |
| JP2694803B2 (ja) | 光半導体レーザ装置の波長安定化方式 | |
| EP1042875B1 (en) | An optical transmitter | |
| US7412174B2 (en) | Method and apparatus for distortion control for optical transmitters | |
| US7449706B2 (en) | Photocoupler with compensation circuit | |
| JPH11223802A (ja) | 光変調素子駆動回路および光伝送装置 | |
| US20050180711A1 (en) | Dual loop automatic power control of optical transmitters | |
| JP2830794B2 (ja) | 光送信回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |