JPH05327082A - 半導体レーザ切替方法 - Google Patents
半導体レーザ切替方法Info
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- JPH05327082A JPH05327082A JP13258292A JP13258292A JPH05327082A JP H05327082 A JPH05327082 A JP H05327082A JP 13258292 A JP13258292 A JP 13258292A JP 13258292 A JP13258292 A JP 13258292A JP H05327082 A JPH05327082 A JP H05327082A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体レーザ切替方法に関し、半導
体レーザダイオードの特性のばらつきを意識せずに確実
に無瞬断切替えを実現することを目的とする。 【構成】駆動中の第１の半導体レーザダイオードに異常
が発生したときに、駆動を第２の半導体レーザダイオー
ドに切り換える半導体レーザ切替え方法に於いて、駆動
中の第１の半導体レーザダイオードに異常が発生した場
合第２の半導体レーザダイオードの駆動を開始し、該第
２の半導体レーザダイオードの出力光をトリガとして第
１の半導体レーザダイオードの駆動を停止することを特
徴とする半導体レーザ切替方法を用いた光送信機を構成
する。
体レーザダイオードの特性のばらつきを意識せずに確実
に無瞬断切替えを実現することを目的とする。 【構成】駆動中の第１の半導体レーザダイオードに異常
が発生したときに、駆動を第２の半導体レーザダイオー
ドに切り換える半導体レーザ切替え方法に於いて、駆動
中の第１の半導体レーザダイオードに異常が発生した場
合第２の半導体レーザダイオードの駆動を開始し、該第
２の半導体レーザダイオードの出力光をトリガとして第
１の半導体レーザダイオードの駆動を停止することを特
徴とする半導体レーザ切替方法を用いた光送信機を構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ切替方法
に関する。近年通信システムが果たす社会的役割が益々
重要になり、その伝達する情報に極めて高い信頼性が要
求されている。このため、装置に使用する重要なデバイ
スに予備のデバイスを用意して、該デバイスに異常が発
生した場合に直ちに予備のデバイスに切り換える所謂二
重化の処置が講じられているが、現用半導体レーザダイ
オードから予備レーザダイオードへの切り換え時の予備
レーザダイオードの立上り時間に起因して発生する瞬断
がなお存在する。
に関する。近年通信システムが果たす社会的役割が益々
重要になり、その伝達する情報に極めて高い信頼性が要
求されている。このため、装置に使用する重要なデバイ
スに予備のデバイスを用意して、該デバイスに異常が発
生した場合に直ちに予備のデバイスに切り換える所謂二
重化の処置が講じられているが、現用半導体レーザダイ
オードから予備レーザダイオードへの切り換え時の予備
レーザダイオードの立上り時間に起因して発生する瞬断
がなお存在する。
【０００２】このため、次の光中継器の受信部にてＡＧ
Ｃ回路が応答して、瞬断時間が増加する可能性がある。
このような場合、中継器数に比例して瞬断時間が累積
し、ある一定の時間以上の瞬断時間となると、システム
全体がダウンしてしまう可能性がある。かかる事態を回
避するために僅かな瞬断をも無くする必要がある。
Ｃ回路が応答して、瞬断時間が増加する可能性がある。
このような場合、中継器数に比例して瞬断時間が累積
し、ある一定の時間以上の瞬断時間となると、システム
全体がダウンしてしまう可能性がある。かかる事態を回
避するために僅かな瞬断をも無くする必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来のレーザダイオード切替えの無瞬断
化の方策として、現用レーザダイオードに異常が発生し
た際、該異常発生時点にトリガを発生し、該トリガで予
備レーザダイオードの駆動を開始するとともに、該トリ
ガに一定の遅延時間をあたえて、該遅延されたトリガに
よって現用レーザダイオードの駆動を停止する方策を講
じていた（特願昭５９−７２３９１参照。）。
化の方策として、現用レーザダイオードに異常が発生し
た際、該異常発生時点にトリガを発生し、該トリガで予
備レーザダイオードの駆動を開始するとともに、該トリ
ガに一定の遅延時間をあたえて、該遅延されたトリガに
よって現用レーザダイオードの駆動を停止する方策を講
じていた（特願昭５９−７２３９１参照。）。
【０００４】図８は従来の構成例で、１０及び２０は発
光駆動手段で、半導体レーザダイオード及び半導体レー
ザダイオードの駆動回路を含み、電気信号を光信号に変
換するもの、８は光カプラで発光駆動手段の出力光信号
を結合して光伝送路ロに送出するもの、６は遅延手段
で、切替え信号を一定時間遅延させるもの、５はＮＡＮ
Ｄ回路で、第１の発光駆動手段１０の切断のための制御
信号を第１の発光駆動手段１０に送出するものである。
光駆動手段で、半導体レーザダイオード及び半導体レー
ザダイオードの駆動回路を含み、電気信号を光信号に変
換するもの、８は光カプラで発光駆動手段の出力光信号
を結合して光伝送路ロに送出するもの、６は遅延手段
で、切替え信号を一定時間遅延させるもの、５はＮＡＮ
Ｄ回路で、第１の発光駆動手段１０の切断のための制御
信号を第１の発光駆動手段１０に送出するものである。
【０００５】第１の発光駆動手段１０は現用の発光駆動
手段で、その半導体レーザダイオードの劣化によりバイ
アス電流値が所定の電流値の範囲に維持できなくなった
際、切替え信号を印加する。この時点でＮＡＮＤ回路の
Ｂの入力はハイレベルになるが、Ａに入力は遅延手段６
の遅延時間（τ’秒とする。）遅れてハイレベルになる
ため、切り換え後τ’秒間は、ＮＡＮＤ回路出力はハイ
レベルのままであり、発光駆動部１０は引き続き動作を
継続し光出力を出力する。一方、切替え信号により予備
である第２の発光駆動手段２０の駆動回路が動作開始
し、駆動回路及び半導体レーザダイオード固有の遅延時
間（τ秒とする。）経過後、光出力が得られる。τ’＝
τに設定しておくと、切替え信号がハイレベルになった
時点からτ秒後に、ＮＡＮＤ回路入力Ｂがハイレベルに
なり、ＮＡＮＤ回路出力がローレベルに変わり、発光駆
動手段１０の駆動が停止し、光出力は発光駆動部２０の
半導体レーザダイオードによるもののみとなり切替えが
無瞬断で行われる。
手段で、その半導体レーザダイオードの劣化によりバイ
アス電流値が所定の電流値の範囲に維持できなくなった
際、切替え信号を印加する。この時点でＮＡＮＤ回路の
Ｂの入力はハイレベルになるが、Ａに入力は遅延手段６
の遅延時間（τ’秒とする。）遅れてハイレベルになる
ため、切り換え後τ’秒間は、ＮＡＮＤ回路出力はハイ
レベルのままであり、発光駆動部１０は引き続き動作を
継続し光出力を出力する。一方、切替え信号により予備
である第２の発光駆動手段２０の駆動回路が動作開始
し、駆動回路及び半導体レーザダイオード固有の遅延時
間（τ秒とする。）経過後、光出力が得られる。τ’＝
τに設定しておくと、切替え信号がハイレベルになった
時点からτ秒後に、ＮＡＮＤ回路入力Ｂがハイレベルに
なり、ＮＡＮＤ回路出力がローレベルに変わり、発光駆
動手段１０の駆動が停止し、光出力は発光駆動部２０の
半導体レーザダイオードによるもののみとなり切替えが
無瞬断で行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、駆動回路及び
半導体レーザダイオードの立上り時間に起因する瞬断時
間τは短時間であること並びに駆動回路及び半導体レー
ザダイオードの特性のばらつきの存在のため、遅延手段
６の遅延時間τ’を最適な値τに保つことは容易でな
い。
半導体レーザダイオードの立上り時間に起因する瞬断時
間τは短時間であること並びに駆動回路及び半導体レー
ザダイオードの特性のばらつきの存在のため、遅延手段
６の遅延時間τ’を最適な値τに保つことは容易でな
い。
【０００７】本発明は、駆動回路及び半導体レーザダイ
オードの特性のばらつきを意識する必要がなく、一層確
実に無瞬断切替えを実現することを目的とする。
オードの特性のばらつきを意識する必要がなく、一層確
実に無瞬断切替えを実現することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１に本発明の原理構成
図を示す。図中、１０及び２０は発光駆動手段で、半導
体レーザダイオード及び半導体レーザダイオードの駆動
回路を含み、電気信号を光信号に変換するもの、８は光
カプラで発光駆動手段の出力光信号を結合して光伝送路
に送出するもの、３は光検出手段で、第２の発光駆動手
段２０の半導体レーザダイオード出力光のレベルを検知
し電気出力を出力するもの、５はＮＡＮＤ回路で、第１
の発光駆動手段１０の切断のための制御信号を第１の発
光駆動手段１０に送出するものである。
図を示す。図中、１０及び２０は発光駆動手段で、半導
体レーザダイオード及び半導体レーザダイオードの駆動
回路を含み、電気信号を光信号に変換するもの、８は光
カプラで発光駆動手段の出力光信号を結合して光伝送路
に送出するもの、３は光検出手段で、第２の発光駆動手
段２０の半導体レーザダイオード出力光のレベルを検知
し電気出力を出力するもの、５はＮＡＮＤ回路で、第１
の発光駆動手段１０の切断のための制御信号を第１の発
光駆動手段１０に送出するものである。
【０００９】図２に本発明に関わるレーザダイオード切
替え方法のフローチャートを示す。第１の発光駆動手段
１中の半導体レーザダイオード（第１のレーザと言
う。）に異常が発生した場合、切替え信号を発生し、第
２の発光駆動手段２中の半導体レーザダイオード（第２
のレーザと言う。）の駆動を開始し、該第２のレーザが
正常に発光したことが確認できてから第１のレーザの駆
動を停止する。
替え方法のフローチャートを示す。第１の発光駆動手段
１中の半導体レーザダイオード（第１のレーザと言
う。）に異常が発生した場合、切替え信号を発生し、第
２の発光駆動手段２中の半導体レーザダイオード（第２
のレーザと言う。）の駆動を開始し、該第２のレーザが
正常に発光したことが確認できてから第１のレーザの駆
動を停止する。
【００１０】
【作用】第１のレーザの出力光の強度が所定の値以下に
低下したという情報が図に示していないモニタ回路出力
の変化によって得られた場合、手動又は自動的手段によ
って、切替え信号を発生しＮＡＮＤ回路５の入力Ｂをハ
イレベルにすると同時に第２の発光駆動手段の制御入力
をハイレベルにして第２のレーザの駆動を開始する。こ
の際半導体レーザダイオードの性質上、時間τだけ遅れ
て光出力が得られる。該光出力の一部を光検出手段３で
検出し所定のレベルに達していれば光検出手段３はハイ
レベルの信号をＮＡＮＤ回路５の入力Ａに送る。この時
点においてＮＡＮＤ回路５の出力はローレベルになり、
以下従来例と同様に第１のレーザの駆動を停止する。即
ち、半導体レーザダイオードの発光の遅延時間τに値に
よらず第２のレーザが発光した直後に第１のレーザの出
力が無くなるため、特別に遅延時間の調整をしないで好
ましい無瞬断切替えが行われる。
低下したという情報が図に示していないモニタ回路出力
の変化によって得られた場合、手動又は自動的手段によ
って、切替え信号を発生しＮＡＮＤ回路５の入力Ｂをハ
イレベルにすると同時に第２の発光駆動手段の制御入力
をハイレベルにして第２のレーザの駆動を開始する。こ
の際半導体レーザダイオードの性質上、時間τだけ遅れ
て光出力が得られる。該光出力の一部を光検出手段３で
検出し所定のレベルに達していれば光検出手段３はハイ
レベルの信号をＮＡＮＤ回路５の入力Ａに送る。この時
点においてＮＡＮＤ回路５の出力はローレベルになり、
以下従来例と同様に第１のレーザの駆動を停止する。即
ち、半導体レーザダイオードの発光の遅延時間τに値に
よらず第２のレーザが発光した直後に第１のレーザの出
力が無くなるため、特別に遅延時間の調整をしないで好
ましい無瞬断切替えが行われる。
【００１１】
【実施例】図３に本発明の第１の実施構成例を示す。図
中、７は切替え信号発生手段で、トリガ入力によって切
替え信号を発生するもの、１５はＯＲ回路で、２つの入
力が共にローレベルのとき出力がローレベルとなるも
の、１２及び２２は第１及び第２の半導体レーザダイオ
ード駆動回路で、半導体レーザダイオードを電気信号で
駆動するもの、１１及び２１は第１及び第２の半導体レ
ーザダイオードで、それぞれ現用及び予備の発光源とし
て電気信号を光信号に変換するもの、２３はＯＮモニタ
で、第２の半導体レーザ２１の光出力レベルを検出する
もの、２４はＮＯＴ回路で、入力レベルを反転して出力
するもの、８は光カプラで、２つの半導体レーザダイオ
ードの出力を合成するものである。図６は図３の第１の
実施例の切替えタイムチャートである。図中、丸で囲ん
だ数字の波形は、図３の同じ数字の箇所の波形を示す。
中、７は切替え信号発生手段で、トリガ入力によって切
替え信号を発生するもの、１５はＯＲ回路で、２つの入
力が共にローレベルのとき出力がローレベルとなるも
の、１２及び２２は第１及び第２の半導体レーザダイオ
ード駆動回路で、半導体レーザダイオードを電気信号で
駆動するもの、１１及び２１は第１及び第２の半導体レ
ーザダイオードで、それぞれ現用及び予備の発光源とし
て電気信号を光信号に変換するもの、２３はＯＮモニタ
で、第２の半導体レーザ２１の光出力レベルを検出する
もの、２４はＮＯＴ回路で、入力レベルを反転して出力
するもの、８は光カプラで、２つの半導体レーザダイオ
ードの出力を合成するものである。図６は図３の第１の
実施例の切替えタイムチャートである。図中、丸で囲ん
だ数字の波形は、図３の同じ数字の箇所の波形を示す。
【００１２】第１のレーザ１１の出力光の強度が所定の
値以下に低下したという情報が図に示していないモニタ
回路出力の変化によって得られた場合、手動又は自動的
手段によって、切替え信号を発生の為のトリガを切替え
信号発生手段（ＳＳＧ）７に印加して、ＳＳＧ７より切
替え信号（、）を発生し、ＯＲ回路１５の入力Ｂ
（）をローレベルにすると同時に第２の半導体レーザ
駆動回路２２の制御入力（）をハイレベルにして第２
のレーザ２１の駆動を開始する。この際半導体レーザダ
イオードの性質上、時間τだけ遅れて光出力（）が得
られる。該光出力（）の一部をＯＮモニタ２３で検出
し所定のレベルに達していればＯＮモニタ２３はＮＯＴ
回路２４の入力をハイレベルにする。この時点において
ＯＲ回路１５の出力（）はローレベルになり、第１の
半導体レーザ駆動回路１２の制御入力をハイレベルにし
て第１のレーザ１１の駆動を停止する。即ち、半導体レ
ーザダイオードの発光の遅延時間τに値によらず第２の
レーザが発光した直後に第１のレーザの出力が無くなる
ため、特別に遅延時間の調整をしないで好ましい無瞬断
切替えが行われる。図４は本発明の第２の実施構成例で
ある。図中、１９は電流モニタで、第１のレーザのバイ
アス電流の値を監視して、一定範囲を逸脱すると、レー
ザの劣化が発生したと判断して切替えトリガを発生す
る。該切替えトリガの作用は図３のＳＳＧ７に印加され
る切替えトリガと同様であり、以下自動的に無瞬断切替
えが実施される。図５は本発明の第３の実施構成例であ
る。図中、８は光カプラで第１及び第２のレーザ出力を
結合して光伝送路に送出するもの、１１及び２１は第１
及び第２の半導体レーザダイオードで、光信号を発生す
るもの、１２及び２２は第１及び第２の半導体レーザダ
イオードの駆動回路で、半導体レーザダイオードを駆動
するもの、１３及び２３は第１及び第２のＯＮモニタ
で、それぞれ第１及び第２の半導体レーザダイオードの
出力をモニタするもの、１４及び２４はそれぞれ第１及
び第２のＮＯＴ回路で、入力レベルを反転して出力する
もの、１５及び２５は第１及び第２のＮＡＮＤ回路で、
切替時間の調整を司るものである。図７は図５の第３の
実施例の切替えタイムチャートである。図中、丸で囲ん
だ数字の波形は、図５の同じ数字の箇所の波形を示す。
値以下に低下したという情報が図に示していないモニタ
回路出力の変化によって得られた場合、手動又は自動的
手段によって、切替え信号を発生の為のトリガを切替え
信号発生手段（ＳＳＧ）７に印加して、ＳＳＧ７より切
替え信号（、）を発生し、ＯＲ回路１５の入力Ｂ
（）をローレベルにすると同時に第２の半導体レーザ
駆動回路２２の制御入力（）をハイレベルにして第２
のレーザ２１の駆動を開始する。この際半導体レーザダ
イオードの性質上、時間τだけ遅れて光出力（）が得
られる。該光出力（）の一部をＯＮモニタ２３で検出
し所定のレベルに達していればＯＮモニタ２３はＮＯＴ
回路２４の入力をハイレベルにする。この時点において
ＯＲ回路１５の出力（）はローレベルになり、第１の
半導体レーザ駆動回路１２の制御入力をハイレベルにし
て第１のレーザ１１の駆動を停止する。即ち、半導体レ
ーザダイオードの発光の遅延時間τに値によらず第２の
レーザが発光した直後に第１のレーザの出力が無くなる
ため、特別に遅延時間の調整をしないで好ましい無瞬断
切替えが行われる。図４は本発明の第２の実施構成例で
ある。図中、１９は電流モニタで、第１のレーザのバイ
アス電流の値を監視して、一定範囲を逸脱すると、レー
ザの劣化が発生したと判断して切替えトリガを発生す
る。該切替えトリガの作用は図３のＳＳＧ７に印加され
る切替えトリガと同様であり、以下自動的に無瞬断切替
えが実施される。図５は本発明の第３の実施構成例であ
る。図中、８は光カプラで第１及び第２のレーザ出力を
結合して光伝送路に送出するもの、１１及び２１は第１
及び第２の半導体レーザダイオードで、光信号を発生す
るもの、１２及び２２は第１及び第２の半導体レーザダ
イオードの駆動回路で、半導体レーザダイオードを駆動
するもの、１３及び２３は第１及び第２のＯＮモニタ
で、それぞれ第１及び第２の半導体レーザダイオードの
出力をモニタするもの、１４及び２４はそれぞれ第１及
び第２のＮＯＴ回路で、入力レベルを反転して出力する
もの、１５及び２５は第１及び第２のＮＡＮＤ回路で、
切替時間の調整を司るものである。図７は図５の第３の
実施例の切替えタイムチャートである。図中、丸で囲ん
だ数字の波形は、図５の同じ数字の箇所の波形を示す。
【００１３】当初は第１のレーザに関わる回路（１１、
１２、１３、１４）が現用として動作しており、第２の
レーザに関わる回路（２１、２２、２３、２４）は予備
として待機している。ある時点から、第１のレーザの光
出力が所定の値を下回るようになったとすると、その事
実がＯＮモニタ１３の出力の低下と言う形で又は図中に
示していない光出力モニタによって認識することができ
る。この時点で第１の切替えトリガをＳＳＧ７に入力す
る。ＳＳＧ７は切替え信号を発生して、第１のＯＲ回路
の入力Ｂ１（）をローレベルに、第２のＯＲ回路の入
力Ｂ２（）をハイレベルにする。この時点では第１の
レーザ１の出力光信号（）は存在し、第１のＯＮモニ
タ１３は一定出力は第１のＮＯＴ回路で反転出力され、
第２のＯＲ回路２５の入力Ａ２（）は依然ローレベル
であるが、入力Ｂ２（）がハイレベルに切り替わって
いるので、第２のＯＲ回路２５の出力（）はハイレベ
ルに切り替わって、第２の半導体レーザダイオード駆動
回路２２は第２のレーザ２１の駆動を開始する。以下、
図３の場合と同様の経過を辿って、無瞬断でレーザの切
替えを完了する。切替えが完了した後は、第１のレーザ
に関わる部分の状態と、第２のレーザに関わる部分の状
態とは、切替えトリガ印加直前の状態で完全に入れ代わ
っている。従って、第２の切替えトリガをＳＳＧ７に印
加すれば、第１のレーザから第２のレーザへの切替えと
同様の経過を辿って、第２のレーザから第１のレーザへ
の切戻しが無瞬断で実施できる。
１２、１３、１４）が現用として動作しており、第２の
レーザに関わる回路（２１、２２、２３、２４）は予備
として待機している。ある時点から、第１のレーザの光
出力が所定の値を下回るようになったとすると、その事
実がＯＮモニタ１３の出力の低下と言う形で又は図中に
示していない光出力モニタによって認識することができ
る。この時点で第１の切替えトリガをＳＳＧ７に入力す
る。ＳＳＧ７は切替え信号を発生して、第１のＯＲ回路
の入力Ｂ１（）をローレベルに、第２のＯＲ回路の入
力Ｂ２（）をハイレベルにする。この時点では第１の
レーザ１の出力光信号（）は存在し、第１のＯＮモニ
タ１３は一定出力は第１のＮＯＴ回路で反転出力され、
第２のＯＲ回路２５の入力Ａ２（）は依然ローレベル
であるが、入力Ｂ２（）がハイレベルに切り替わって
いるので、第２のＯＲ回路２５の出力（）はハイレベ
ルに切り替わって、第２の半導体レーザダイオード駆動
回路２２は第２のレーザ２１の駆動を開始する。以下、
図３の場合と同様の経過を辿って、無瞬断でレーザの切
替えを完了する。切替えが完了した後は、第１のレーザ
に関わる部分の状態と、第２のレーザに関わる部分の状
態とは、切替えトリガ印加直前の状態で完全に入れ代わ
っている。従って、第２の切替えトリガをＳＳＧ７に印
加すれば、第１のレーザから第２のレーザへの切替えと
同様の経過を辿って、第２のレーザから第１のレーザへ
の切戻しが無瞬断で実施できる。
【００１４】以上においては、半導体レーザダイオード
駆動回路の制御信号の発生を、ＮＡＮＤ回路を使用した
例と、ＯＲ回路を使用した例とによって実現している
が、図２のフローチャートに従って、図６、図７の切替
えタイムチャートを実現する論理回路の構成が可能であ
る。切替え信号発生手段（ＳＳＧ）は、２安定マルチバ
イブレータ等によって構成することができる。
駆動回路の制御信号の発生を、ＮＡＮＤ回路を使用した
例と、ＯＲ回路を使用した例とによって実現している
が、図２のフローチャートに従って、図６、図７の切替
えタイムチャートを実現する論理回路の構成が可能であ
る。切替え信号発生手段（ＳＳＧ）は、２安定マルチバ
イブレータ等によって構成することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば現
用半導体レーザダイオードから予備半導体レーザダイオ
ードへの切替えに際して送信光の瞬断がなく、安定な切
替え動作方法を、使用する半導体レーザダイオードのば
らつきによるトリガの遅延時間の調整をすること無く確
実に実現できる。
用半導体レーザダイオードから予備半導体レーザダイオ
ードへの切替えに際して送信光の瞬断がなく、安定な切
替え動作方法を、使用する半導体レーザダイオードのば
らつきによるトリガの遅延時間の調整をすること無く確
実に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明に関わるレーザダイオード切替え方法の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図３】本発明の第１の実施構成例である。
【図４】本発明の第２の実施構成例である。
【図５】本発明の第３の実施構成例である。
【図６】本発明の第１の実施構成例の切替えタイムチャ
ートである。
ートである。
【図７】本発明の第３の実施構成例の切替えタイムチャ
ートである。
ートである。
【図８】従来の構成例である。
３ 光検出手段 ５ ＮＡＮＤ回路 ６ 遅延手段 ７ 切替え信号発生手段 ８ 光カプラ １１、２１ 半導体レーザダイオード １２、２２ 半導体レーザダイオード駆動回路 １３、２３ ＯＮモニタ １４、２４ ＮＯＴ回路 １５、２５ ＯＲ回路
Claims (4)
- 【請求項１】駆動中の第１の半導体レーザダイオードに
異常が発生したときに、第２の半導体レーザダイオード
を駆動させるように切り換える半導体レーザ切替方法に
於いて、駆動中の第１の半導体レーザダイオードに異常
発生が発生した場合第２の半導体レーザダイオードの駆
動を開始し、該第２の半導体レーザダイオードの出力光
をトリガとして第１の半導体レーザダイオードの駆動を
停止することを特徴とする半導体レーザ切替方法。 - 【請求項２】請求項１において、第１のレーザダイオー
ドの出力光の低下をトリガとして第２の半導体レーザダ
イオードの駆動を開始することを特徴とする半導体レー
ザ切替方法。 - 【請求項３】請求項１において、第１のレーザダイオー
ドのバイアス電流の増加をトリガとして第２の半導体レ
ーザダイオードの駆動を開始することを特徴とする半導
体レーザ切替方法。 - 【請求項４】それぞれ半導体レーザダイオードとその駆
動回路とを有する２つの発光駆動手段（１０、２０）
と、論理回路（５）と、光カプラ（８）とを備え、切替
え信号及び該切替え信号に対して一定時間遅延した信号
をそれぞれ論理回路（５）に入力して、第１の発光駆動
手段（１０）の動作停止時点を第２の発光駆動手段（２
０）の動作開始時点以後に設定し、２つの発光駆動手段
（１０、２０）の出力光信号を光カプラ（８）で結合す
る光送信機において、第２の発光駆動手段（２０）の光
出力を検出する光検出手段（３）を設け、該光検出手段
（３）の出力を、一定時間遅延した信号入力として論理
回路（５）に入力することを特徴とする光送信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13258292A JPH05327082A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 半導体レーザ切替方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13258292A JPH05327082A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 半導体レーザ切替方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327082A true JPH05327082A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15084708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13258292A Withdrawn JPH05327082A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 半導体レーザ切替方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327082A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007004257A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Fujitsu Limited | 光伝送ケーブルコネクタおよび光モジュール |
| WO2017004798A1 (en) * | 2015-07-08 | 2017-01-12 | Source Photonics (Chengdu) Co., Ltd. | A multifunctional laser diode driving circuit, a module comprising the same, and a method using the same |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP13258292A patent/JPH05327082A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007004257A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Fujitsu Limited | 光伝送ケーブルコネクタおよび光モジュール |
| JPWO2007004257A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2009-01-22 | 富士通株式会社 | 光通信装置および光モジュール |
| JP4653167B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-03-16 | 富士通株式会社 | 光通信装置および光モジュール |
| WO2017004798A1 (en) * | 2015-07-08 | 2017-01-12 | Source Photonics (Chengdu) Co., Ltd. | A multifunctional laser diode driving circuit, a module comprising the same, and a method using the same |
| US9843383B2 (en) | 2015-07-08 | 2017-12-12 | Source Photonics (Chengdu) Co., Ltd. | Multifunctional laser diode driving circuit, a module comprising the same, and a method using the same |
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