JPH05326Y2 - - Google Patents

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JPH05326Y2
JPH05326Y2 JP1987048742U JP4874287U JPH05326Y2 JP H05326 Y2 JPH05326 Y2 JP H05326Y2 JP 1987048742 U JP1987048742 U JP 1987048742U JP 4874287 U JP4874287 U JP 4874287U JP H05326 Y2 JPH05326 Y2 JP H05326Y2
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semiconductor wafer
adhesive sheet
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【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、スクライブされた半導体ウエハーを
ブレイクするために用いられる半導体ウエハーブ
レイク装置に関する。
〈考案の概要〉 本考案は、スクライブされた半導体ウエハーを
個々のチツプに分割する半導体ウエハーブレイク
装置において、上記装置本体に、スクライブされ
た半導体ウエハーを接着するシートを上記装置本
体との間で保持するフレーム部と、上記半導体ウ
エハーのスクライブ位置に対応した凹凸形状の当
接部と、上記半導体ウエハーを上記シートととも
に吸着する吸着手段とを設けることにより上記半
導体ウエハーの表面と非接触で個々のチツプを製
造できるようにしたものである。
〈従来の技術〉 従来、スクライブされた半導体ウエハーのブレ
イク作業の一例としては、第5図に示すような方
法が知られている。この方法は、先ず、例えばゴ
ム系等の材料により構成され弾力性を有してなる
ゴム板100上にスクライブされた半導体ウエハ
ー101を載置する。次に、この半導体ウエハー
101上に保護シート102を被せ、上記シート
102上に押圧するためのローラ103を走行さ
せる。すると、上記半導体ウエハー101のスク
ライブ位置104で上記ゴム板100が撓み、そ
れに応じて上記半導体ウエハー101がハーフカ
ツトされたスクライブ位置で分割されることとな
る。
〈考案が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上述のような従来のブレイク方
法では、上記半導体ウエハー101の表面を押圧
することで、個々のチツプにブレイクするもので
あることから、上記ウエハー101の表面101
aに損傷を与えたり、また、汚れを付けてしまう
等の危険性がある。
また、上記ローラ103による押圧操作は、例
えば作業者の押圧力により行うものであることか
ら、その押圧力の調整が困難であり、上記半導体
ウエハー101の表面101aに損傷を与えない
ようにブレイクすることは容易ではない。
したがつて上述のような方法により上記半導体
ウエハーをブレイクする場合は、品質ないしは歩
留を向上することができないという問題点を有し
ている。
そこで、本考案は、上記従来の技術が有してい
る問題点を解決し、半導体ウエハーの表面に全く
接触せずにブレイクでき、品質及び歩留の向上を
図ることができる半導体ウエハーブレイク装置を
提供することを目的とするものである。
〈問題点を解決するための手段〉 本考案に係る半導体ウエハーブレイク装置は、
上述したような目的を達成するため、装置本体
と、スクライブされた半導体ウエハーが接着され
る粘着シートを上記装置本体の上面側に保持する
フレーム部と、上記フレーム部に保持された粘着
シートに対向して装置本体内に配設されるととも
に、上記粘着シートに接着された半導体ウエハー
に形成されたハーフカツト溝にそれぞれ対応して
凸部及び凹部が形成され、上記凸部から凹部に至
る部分に上記半導体ウエハーを構成する1個のチ
ツプの長さに略対応する長さの傾斜面が形成され
た当接部材と、上記半導体ウエハーを上記粘着シ
ートとともに上記当接部材に吸着させる吸着手段
とを備えて構成したものである。
〈作用〉 本考案に係る半導体ウエハーブレイク装置は、
フレーム部により、半導体ウエハーを接着したシ
ートを上記装置本体の間で保持し、このとき、上
記半導体ウエハーに設けられているスクライブ位
置と凹凸形状を有する当接部とが対応するように
位置決めされる。
また、上記フレーム部によつて位置決めされた
半導体ウエハーは、吸着手段によりこのウエハー
に接着したシートとともに凹凸形状の当接部に吸
着され、上記凹凸形状の当接部に対応するスクラ
イブ位置では凹凸形状に沿つて力が加わり半導体
ウエハーが非接触でブレイクされることになる。
〈実施例〉 以下、本考案の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。
本実施例に係る半導体ウエハーブレイク装置1
は、第1図及び第2図に示すように、上面に大径
の円環状のフレーム部材2が取付けられた装置本
体3に凹凸状の当接部材4及び吸着手段5が設け
られている。
先ず、上記装置本体3の上面は、全体形状が略
正四角形状をなし、この装置本体3の上面中央部
には、第1図に示すように、後述する凹凸状の当
接部材4が嵌入される円形状の凹部6が設けら
れ、この凹部6の周部に上記凹部6よりも大径の
円環状のフレーム部材2が取付けられている。さ
らに、上記装置本体3上には、上記フレーム部材
2の保持及び位置決めを図るための突部9,1
0,11,12が4つ植立されている。上記突部
9,10は上記フレーム部材2に設けられ上記装
置本体3の一側辺3aと並行するように設けられ
た切欠き部2aに当接するものであり、半導体ウ
エハー13のスクライブ方向のうち上記装置本体
3の一側辺3aと並行するスクライブ方向の位置
決めを図るものである。また、他の突部11,1
2は上記フレーム部材2の周部に当接するもので
あり、上記スクライブ方向と直交する方向の位置
決めを図るものである。なお、この装置本体3の
下面には4つの脚部7がネジ8により固着されて
いる。
次に、上記装置本体3の上面に載置される上記
フレーム部材2の下面には、薄い粘着シート14
がこのフレーム部材2の大孔2b及び上記装置本
体3に設けられた凹部6を閉塞するように貼付さ
れており上記装置本体3とこのフレーム部材2と
によつて上記粘着シート14を保持している。こ
のフレーム部2は装置本体3と着脱自在とされウ
エハープロセスに用いられるリングをそのまま装
置本体に装着するものであつても良い。上記粘着
シート14は、多数の方形状チツプとなるように
スクライブされた円盤状の半導体ウエハー13を
接着するものであり、可撓性を有するものであれ
ば良い。なお、本実施例では合成樹脂シートを用
いている。
一方、上記装置本体3に設けられた円形状の凹
部6には、この凹部6内に嵌入される円盤状であ
つて上記ウエハー13をブレイクするために凹凸
状となされた当接部材4が配設されている。すな
わち、上記当接部材4の上面には、上記粘着シー
ト14上に載置される半導体ウエハー13のハー
フカツト溝13aに対応するように凹部4a及び
凸部4bが形成されている。上記凹部4aから凸
部4bに至る傾斜面4cの長さl1は、略上記半導
体ウエハー13のい一つのハーフカツト溝13a
から他方のハーフカツト溝13aに至る長さl2
すなわち上記半導体ウエハー13を構成する1個
のチツプの長さと略同じ長さになるように形成さ
れている。また、上記各々の凹部4a及び凸部4
bを構成している縦断面の角度は上記半導体ウエ
ハー13を上記スクライブ位置から折曲してブレ
イクするに足りる角度とされている。なお、当接
部材4は、上記装置本体3と一体に設けても良い
が、本実施例では別体に設けることによつてブレ
イク作業を行う半導体ウエハー13のハーフカツ
ト溝13aの位置が異なる場合(個々の半導体チ
ツプの大きさが異なる場合)でも対応できるよう
になされている。また、上記当接部材4の凹部4
aには、この凹部4aの上面から下面にかけて後
述するように吸着手段5の一部として機能する空
気挿通用の小孔16が複数穿設されている。本実
施例では、上記小孔16は、第2図に示すよう
に、上記凹部4a及び凸部4bが設けられている
方向と直交する方向に穿設されているが、本例に
限定されることなく他の位置に設けても良い。な
お、上記当接部材4は上記凹部6に対してネジ1
7により固着されている。
そして、上述のように構成された当接部材4の
下方には、第3図に示すように、空間部18が設
けられており、この空間部18は、上記装置本体
3の周壁3bから上記凹部6の径方向に設けられ
た空気孔19と連通しており、上記当接部材4に
設けられた小孔16、上記空間部18及びこの空
気孔19によつて吸着手段5を構成している。な
お、上記空気孔19には図示しない吸着機構が設
けられることとなる。また、本実施例では上記空
気孔19を上記装置本体3の周壁3bに設けたも
のを説明したが、本考案は、この実施例に限定さ
れることなく他の位置から上記空気孔19を設け
たものであつてもよい。
次に、上述のように構成さた半導体ウエハーブ
レイク装置1により、スクライブされた半導体ウ
エハー13をブレイクする方法について第3図及
び第4図を参照しながら説明する。なお、この第
3図及び第4図はそれぞれ前記第2図のA−A線
断面図に対応する。
先ず、第3図に示すように、ブレイク作業を行
う半導体ウエハー13に於ける一つのハーフカツ
ト溝13aと他のハーフカツト溝13aとの間隔
l2に応じて凹部4a及び凸部4bとが形成された
当接部材4を、上記装置本体3に設けられた凹部
6内に嵌挿し、ネジ17により固着する。次に、
粘着シート14が貼付されたフレーム部材2を上
記装置本体3上に載置し、さらに、上記粘着シー
ト14上にスクライブされた半導体ウエハー13
を載置する。このとき上記突部9,10,11,
12により半導体ウエハー13は上記当接部材4
に対応して位置決めされる。
そして、図示しない吸着機構によつて上記空気
孔19から上記装置本体3内の空気を吸引する。
すると、上記空気挿通孔19と上記当接部材4の
下面に設けられた空間部18と上記当接部材4に
形成された凹部4aの上面から下面に亘つて穿設
された小孔16とは各々連なつているとともに、
上記当接部4が嵌挿されている凹部6の上面には
粘着シート14がこの凹部6を閉塞しているの
で、上記装置本体3内には負圧がかかることとな
る。そして、この負圧により上記粘着シート14
は、この粘着シート14の上面に貼付されている
半導体ウエハー13とともに、上記当接部材4方
向(図中、下方向)に押圧される。すると、上記
半導体ウエハー13は、先ず、このウエハー13
のスクライブ位置に対応して設けられている上記
当接部材4の凸部4bに当接する。そして、さら
に、上記ウエハー13は、上記凸部4bと凸部4
bとの間の凹部4a方向に押圧され上記ハーフカ
ツト溝13aの部分では内部の歪が増大し円盤状
をなしていた半導体ウエハー13は上記当接部材
4の凹凸形状に沿つて、第4図に示すように、ス
クライブ位置からブレイクされる。
上述の方法により、縦横にスクライブされた半
導体ウエハー13は、一方向のスクライブ位置に
てブレイクされる。したがつて、上記方法と同一
の方法で他方向のスクライブ位置に対応させた当
接部材4を用いてブレイクすることによつて、上
記半導体ウエハー13は、粘着シート14上にお
いて一つ一つの半導体チツプに分割される。
なお、上述のように分割された一つ一つのチツ
プは全て上記粘着シート14上に貼付されている
ので、紛失することなく、また、上記各チツプの
表面を接触することなく容易に搬送することがで
きる。
上述の説明から明らかなように、上述半導体ブ
レイク装置1は、装置本体3内を負圧にすること
によつて半導体ウエハー13をブレイクするもの
であり、なんら半導体ウエハー10の表面上を接
触せずにブレイク作業を行うものであるので上記
ウエハー13の表面に傷や汚れが付着することな
く、品質及び歩留を向上させ信頼性の高い半導体
チツプを製造することができる。
また、本装置は作業者の力によるものではない
ことから、誰が実施しても同じ結果が得られ安定
した作業を行うことができる。
なお、上述の実施例では、吸着手段として空気
を吸着するものを示して説明したが、本考案は上
述の実施例に限定されることなく、例えば液体中
においてブレイク作業をするべき半導体ウエハー
をブレイクする場合にあつては液体を吸着する手
段を設け、その圧力により、上記ブレイク作業を
行うものであつても良い。このように液体の圧力
を利用して半導体ウエハーをブレイクしても、上
記実施例と同様の作用、効果を奏することができ
る。
〈考案の効果〉 本考案によれば、半導体ウエハーの表面に全く
接触することなくスクライブされた半導体ウエハ
ーのブレイク作業をすることができるので品質及
び歩留が向上し信頼性の高い半導体チツプを製造
することができる。
また、本考案によれば、ブレイク作業を行う者
の力に依存するものではないので、誰が行つても
同一の結果を生むことができ安定した作業を保証
することができる。
さらに、本考案に係る半導体ウエハーブレイク
装置は安価に製造することができ、またブレイク
作業の自動化を容易に行うことができる。
特に、スクライブされた半導体ウエハーが吸着
されることによりハーフカツト溝に沿つて上記半
導体ウエハーをブレイクする当接部材に、上記ハ
ーフカツト溝にそれぞれ対応して凸部及び凹部を
形成するとともに、記凸部から凹部に至る部分に
上記半導体ウエハーを構成する1個のチツプの長
さに略対応する長さの傾斜面を形成してなるの
で、上記半導体ウエハーをハーフカツト溝に沿つ
て確実にブレイクすることを可能となす。また、
ブレイクされた各チツプは、粘着シートに接着さ
れた状態が維持されるので、ブレイク後の取り扱
いも容易となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す平面図であ
り、第2図は第1図の斜視図であり、第3図は半
導体ウエハーを装置本体上に載置した状態を示す
模式図であり、第4図は半導体ウエハーをブレイ
クした後の状態を示す模式図である。第5図は従
来例を示す断面図である。 1……半導体ウエハーブレイク装置、2……フ
レーム部材、3……装置本体、4……当接部材、
5……吸着手段、13……半導体ウエハー、13
a……ハーフカツト溝。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 装置本体と、 スクライブされた半導体ウエハーが接着される
    粘着シートを上記装置本体の上面側に保持するフ
    レーム部と、 上記フレーム部に保持された粘着シートに対向
    して装置本体内に配設されるとともに、上記粘着
    シートに接着された半導体ウエハーに形成された
    ハーフカツト溝にそれぞれ対応して凸部及び凹部
    が形成され、上記凸部から凹部に至る部分に上記
    半導体ウエハーを構成する1個のチツプの長さに
    略対応する長さの傾斜面が形成された当接部材
    と、 上記半導体ウエハーを上記粘着シートとともに
    上記当接部材に吸着させる吸着手段とを備えてな
    る半導体ウエハーブレイク装置。
JP1987048742U 1987-03-31 1987-03-31 Expired - Lifetime JPH05326Y2 (ja)

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JP1987048742U JPH05326Y2 (ja) 1987-03-31 1987-03-31

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JPS63156709U JPS63156709U (ja) 1988-10-14
JPH05326Y2 true JPH05326Y2 (ja) 1993-01-07

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5028748A (ja) * 1973-07-13 1975-03-24
JPS5147565A (ja) * 1974-10-23 1976-04-23 Chukyo Electric Co Hariganechokusensochi
JPS5147564A (en) * 1974-10-23 1976-04-23 Daido Steel Co Ltd Kinzokufunmatsuno seizohoho

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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