JPH05323B2 - - Google Patents

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JPH05323B2
JPH05323B2 JP1297684A JP1297684A JPH05323B2 JP H05323 B2 JPH05323 B2 JP H05323B2 JP 1297684 A JP1297684 A JP 1297684A JP 1297684 A JP1297684 A JP 1297684A JP H05323 B2 JPH05323 B2 JP H05323B2
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JP
Japan
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ether
sncl
lialh
snh
temperature
Prior art date
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JP1297684A
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English (en)
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JPS60161306A (ja
Inventor
Noboru Suzuki
Shigeru Takayama
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Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は塩化第二スズと水素化リチウムアルミ
ニウムとを原料として、水素化スズを高収率で製
造する方法に関する。
水素化スズは近年アモルフアスシリコンを用い
た積層型太陽電池、或いは透明電導膜の原料とし
てその需要が高まつている。
従来、水素化スズ(以下SnH4と記す)の製法
として種々な方法が発表されているが、その大部
分は塩化第二スズ(以下SnCl4と記す)と水素化
リチウムアルミニウム(以下LiAlH4と記す)と
を原料とするものである。例えば、 (a) LiAlH4とジエチルエーテルの混合物を反応
器に入れ、−70〜−60℃に冷却し、別に調整し
たSnCl4とジエチルエーテルの混合物を、反応
器内温度を−70〜−60℃に保持しながら徐々に
添加、混合した後、反応温度を−20℃まで上昇
させる方法、(Inorg、Syn、11 170(1968))。
(b) SnCl4を液体窒素浴で間接冷却して固化さ
せ、これにLiAlH4のジエチルエーテル溶液を
加え、これを攪拌せずに−30℃まで昇温させる
方法、(J、A、C、S 69 2692(1947))。
(c) LiAlH4とジエチレングリコールジメチルエ
ーテルの混合物中にSnCl4のジエチレングリコ
ールジメチルエーテル溶液を加えて反応させる
際、反応温度を−10℃に保持する方法(J、
Phys、Chem、65 779(1965))。
等がある。
しかし、これらの方法においては、使用した
SnCl4に対するSnH4の収率は低く、いずれも20〜
40%の範囲で工業的に採用出来る方法とは言い難
い。
本発明者らは上記の事情に鑑み、従来法を追跡
して、その収率の低い原因を探求し次の現象を見
出した。すなわち、 (1) (a)および(b)の方法においては、LiAlH4、エ
ーテルおよびSnCl4を液体窒素の温度(−196
℃)、或いは−70〜−60℃の低温で混合するが、
これら低温の範囲ではいずれもSnH4はほとん
ど生成せず、併発する副反応又は分解反応によ
り当然発生が予想されるH2の発生も殆どなく、
実質的に反応が進行していない。
(2) 上記混合物の温度を徐々に上昇させ−60℃以
上となると、突然急激に発熱し温度の制御が困
難となるとともにSnH4およびSnH4の分解又は
副反応によると思はれる多量のH2ガスが発生
する。
(3) (c)については温度−10℃に保持したLiAlH4
とジエチレングリコールジメチルエーテルの混
合液中に、SnCl4とジエチレングリコールジメ
チルエーテルの混合物を滴下するとSnH4を発
生するが、この場合においても多量のH2ガス
が発生する。
以上の現象より (イ) 反応温度が−60℃より低温ではSnH4の生成
反応は殆ど起らないこと。
(ロ) −60℃以上の温度ではSnH4が生成するが、−
60℃より低温で混合した後徐々に温度を上げて
行く方法、或いは−10℃で混合させる方法で
は、分解又は副反応が激しく併発し、温度の制
御が困難となり、収率の低下を招いているこ
と。
が推定された。
本発明者らは、上記の推定に立脚して鋭意研究
を継続し、従来法と同じSnCl4およびLiAlH4を原
料としても、特定のエーテル溶媒に上記SnCl4
混合した後、これを特定の温度範囲で上記
LiAlH4と反応させることによりSnH4が効率よく
生成し、しかも分解又は副反応が少ないことを知
見した。
本発明は、上記の知見に基づいてなされたもの
で、その要旨は、SnCl4とLiAlH4とからSnH4
製造する方法において、一般式CmH2m+1
OCnH2n+1(ここで、mとnは、1≦m≦3,
1≦n≦3の整数である)で示されるエーテル、
メチルtert−ブチルエーテルおよびテトラヒドロ
フランから選ばれた少くとも1種のエーテルと、
上記SnCl4との混合物をつくり、次いで該混合物
と上記LiAlH4とを、−60℃ないし−40℃で反応さ
せることを特徴とするSnH4の製造方法にある。
以下、本発明を更に詳しく説明する。
本発明において、あらかじめSnCl4と混合する
エーテルは、一般式CmH2m+1OCnH2n+1(こ
こで、mとnは、1≦m≦3,1≦n≦3の整数
である)で示されるエーテル、メチルtertiary−
ブチルエーテル(tert−C4H9OCH3)およびテト
ラヒドロフランから選ばれた少くとも1種のエー
テルである必要がある。一般的には上記のエーテ
ルの1種類を使用するのが便利であるが、複数の
エーテルを使用してもさしつかえはない。通常、
これらのエーテルは−60℃〜−40℃の温度の少く
とも一部では液体であつて、SnCl4と混合する
と、白色又は白色を帯びた固体を生成する。
上記エーテルの例としては、ジメチルエーテ
ル、ジエチルエーテル、メチルtert−ブチルエー
テル、ジ−n−プロピルエーテル、ジ−iso−プ
ロピルエーテル、テトラヒドロフラン等を、一種
で又は二種以上を用いればよい。
一方、上記の特定のエーテル以外のエーテル、
例えばメチルn−ブチルエーテルを用いた場合に
は、SnCl4と混合しても白色固体を生成せず、こ
れとLiAlH4との反応においては、SnH4の収率は
極めて低い。
SnCl4とエーテルとの混合割合は、さらにエー
テルを追加しても白色固定の増加が認められなく
なるまでエーテルを加える必要があり、通常、エ
ーテルを若干過剰にしてスラリー状とするのが取
扱い易い。
また、SnCl4とLiAlH4との混合割合は、
LiAlH4が少ないとSnCl4が未反応で残り、逆に多
過ぎるとLiAlH4が未反応で残るので、SnCl41モ
ルに対しLiAlH41/4モル以上、好ましくは4〜5
モル用いる。
また、LiAlH4とSnCl4の混合物とを−60〜−40
℃で反応させる場合、LiAlH4は固体であるので
反応による部分的発熱、間接冷却による部分冷却
等により反応温度が不均一なる。したがつて、こ
れを避けるため十分な攪拌が必要であるが、さら
に温度の均一化をはかるため、LiAlH4をエーテ
ルに混合してスラリー化し、スラリー同士を混合
するのが好ましい。上記LiAlH4スラリーに用い
るエーテルは−60〜−40℃で液状であれば別に制
限はないが、通常、上記SnCl4に用いたエーテル
を用いるのが便利である。
LiAlH4又はLiAlH4のエーテルスラリーと
SnCl4のエーテルスラリーとの反応は、−60℃よ
り低温では殆ど進まず、−40℃を越えると分解又
は副反応と思はれる反応が激しく、SnH4の収率
が低下するため、反応温度を−60〜−40℃に保持
することは極めて重要である。
LiAlH4又はLiAlH4のエーテルスラリー(Aと
いう)をSnCl4のエーテルスラリー(Bという)
とを反応させるには、Aを−60〜−40℃に保持し
てこれにBを徐々に添加する方法、Bを−60〜−
40℃に保持してこれにAを添加する方法、−60〜
−40℃に保持した反応器にAおよびBを同時に
徐々に添加する方法があり、いずれを採用しても
よい。尚、−60〜−40℃の範囲内に融点のあるエ
ーテルを用いる場合には、融点から−40℃の温度
範囲で反応を行う必要がある。
また、反応圧力は、加圧、常圧、減圧のいずれ
でも良いが、圧力が高いと、生成したSnH4の系
外取出しが困難となるので、僅かの加圧、常圧或
いは減圧で操作する事が好ましく、He、N2等の
不活性ガス雰囲気下で操作を行なつてもよい。
尚、減圧下で操作する場合には、前記エーテル
の内、操作条件下で、気体として存在するエーテ
ルが使用できないことは、説明するまでもない。
次に実施例および比較例を示して本発明を具体
的に説明する。
使用した反応装置を第1図に示す。図中符号1
は冷媒1aによつて冷却される還流冷却器1bを
有する500mlのセパラブルルフラスコで攪拌機1
c、温度計1dが取付けられている。このフラス
コ1の上部には、SnCl4のエーテルスラリーをフ
ラスコ内に滴下するロート2が取付けられ、この
ロート2には攪拌機2aが設けられている。上記
フラスコ1の下部は冷媒浴3に浸漬されフラスコ
内部を−60〜−40℃に保持するようになつてい
る。また、フラスコ1より放出されるガス経路4
には−110℃に保持された第1トラツプ5、液体
窒素で冷却された第2トラツプ6が順次設けられ
真空系7に接続されている。上記ガス経路4には
圧力計4aが取付けられている。また上記フラス
コ1には系内にHe8を導入する導入管が設けら
れている。
実施例 上記装置を用いてSnH4を製造するには、先ず、
フラスコ1内をHeガス雰囲気とし、ジエチルエ
ーテル:280mlおよびLiAlH4:21.9g(0.576mol)
を仕込み攪拌し、LiAlH4スラリーを−50℃に冷
却保持した。
次いで冷蔵庫内で冷却したジエチルエーテル:
70mlとSnCl4:37.5gとをHeガス雰囲気で徐々に
混合した。この操作により溶液中にエーテル付加
物と思はれる白色体を含むスラリーが得られた。
このSnCl4スラリーの全量をロート2に移し攪拌
を継続した。
He8の供給を停止した後、真空系7によつて
系内を100〜150mmHgに保持し、ロート2内の
SnCl4スラリーを滴下して反応を開始した。この
滴下により、SnH4が発生するとともに若干の温
度上昇が認められたが、フラスコ1内の温度を−
60〜−40℃、圧力を100〜150mmHgに保持するよ
うに上記SnCl4スラリーの滴下速度を調節した。
この操作により発生するSnH4と同伴されるエー
テル、不活性ガスは、放出ガス経路に導かれ、エ
ーテルは第1トラツプ5に、SnH4は第2トラツ
プ6に捕集される。
ロート2内のスラリーの滴下終了後、さらに30
分間反応を継続した。その後第2トラツプ6を取
外し、液体窒素で冷却しながら十分真空として不
活性ガス、エーテル等を除去した後、捕集物をス
テンレス性ボンベに移した。この捕集物の蒸気圧
は−20℃で3.7気圧を示し、SnH4の物性と一致
し、その量は11gであつた。
次いで、ボンベ内の捕集物2gを導出し、これ
を100℃に加熱した内径1.5cm、長さ50cmのパイレ
ツクスガラス管に小量づつ供給し、熱分解させ、
管内に銀鏡が生成し、ガラス管出口ガスがH2
あることを確認した。分解反応終了後、上記ガラ
ス管を計量し、かつ銀鏡を分析し、生成した銀鏡
の重量が1.9gでSnであることを確認した。以上の
結果により上記第2トラツプの固形分はすべて
SnH4であり、SnCl4に対するSnH4の収率は63%
であることがわかる。
比較例 SnCl4:37.5gをロート2に入れて、フラスコ1
内に滴下した外は実施例と全く同じにしてSnH4
をつくつた。その結果、第2トラツプ6に捕集さ
れたSnH4の量は1gと極めて少なく、SnCl4に対
する収率は6%であつた。
以上述べたように本発明の方法は、従来の方法
に比して格段に容易かつ高収率でSnH4が得られ、
工業的に極めて優れた方法である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法を実施する装置の一例を
示す図である。
【特許請求の範囲】
1 苛性ソーダと塩素の反応により次亜塩素酸ソ
ーダ水溶液を製造するに際し、苛性ソーダを含む
反応液を反応器の壁面の任意の位置から、壁面全
面にわたつて流下する濡れ壁を形成する如く供給
し、塩素含有ガスを反応液供給位置より下部で開
口し、かつ壁面の濡れ壁とは独立したノズルから
供給し、更に反応液供給位置より上部から導入さ
れて流下する空気、窒素及び/又はその他不活性
ガス雰囲気下で苛性ソーダと塩素ガスとの反応が
行われることを特徴とする次亜塩素酸ソーダ水溶
液の製造法。
JP1297684A 1984-01-27 1984-01-27 水素化スズの製造方法 Granted JPS60161306A (ja)

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