JPH05299551A - リードフレームおよびこれを用いたパッケージの製法 - Google Patents

リードフレームおよびこれを用いたパッケージの製法

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JPH05299551A
JPH05299551A JP4099599A JP9959992A JPH05299551A JP H05299551 A JPH05299551 A JP H05299551A JP 4099599 A JP4099599 A JP 4099599A JP 9959992 A JP9959992 A JP 9959992A JP H05299551 A JPH05299551 A JP H05299551A
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JP
Japan
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dam bar
lead frame
package
molding
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JP4099599A
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Kenji Kuwahata
研二 桑畑
Junichi Yoshitake
順一 吉武
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Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体パッケージ成形時に、成形バリの発生
を効率的に抑制し、成形後のダムバー除去作業に際して
も、刃物に損傷を与えることなく、しかも、操作を誤っ
てパッケージに食い込みなどの製品不良をもたらすこと
なく、パッケージを製造する方法を提供する。 【構成】 半導体装置の樹脂製パッケージに用いる、電
気的導通を外部へ導く複数本の外部リードを有するリー
ドフレームにおいて、外部リード同士を連通するダムバ
ーを、その内端縁が樹脂封止領域の外側線に接するよう
に設けるとともに、該ダムバー上の外部リード予定側位
置の樹脂封止領域と反対側に溝あるいは切り込みを設け
たリードフレーム。前記構成のリードフレームを用いて
樹脂製パッケージを成形した後、樹脂封止領域に切断刃
が接触しない状態でダムバー部を切断する半導体装置の
樹脂製パッケージの製法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の樹脂製パ
ッケージに用いるリードフレームおよびこれを用いたパ
ッケージの製法に関するものであり、より詳しくは、リ
ードフレームの構成を、樹脂封止した際の成形バリの発
生を防止し、かつ、成形後のダムバー除去操作によって
樹脂封止部を傷つけたり、切断刃を損傷することなく樹
脂製パッケージを製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術及びその問題点】IC、LSIなどの半導
体素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細なゴ
ミやほこりに影響され、その特性が微妙に変化してしま
うことや、機械的振動や衝撃によって破損し易いことな
どの理由で半導体素子を封止したパッケージとして使用
に供されている。
【0003】パッケージ方式としては、大別して気密封
止方式と樹脂封止方式とに分けられるが、樹脂封止方式
の場合には、これに用いられるリードフレームには、樹
脂封止時に樹脂が外部リード間の間隙に押し出されない
ように、外部リード間を連結するダムバー(ダイバーと
もいう)を設けることが行われている。
【0004】図5は、従来のリードフレームの構成を示
したもので、外部リード21は樹脂本体40からやゝ離
れた位置でダムバー10によって連結されており、この
ダムバーは、樹脂封止後に刃物によって切断され、取り
除かれるのであるが、切断時に刃物が樹脂本体を誤って
傷つけたりしないように、通常は、樹脂本体の外側線か
ら0.3mmないし0.4mm程度離した位置に設けら
れている。しかしながら、このように、ダムバーを樹脂
本体から離して設けると、樹脂封止の際にその間隙に押
し出された樹脂が成形バリ11となって残存するため、
前記ダムバー切断時に、刃物がダムバー上に残存する成
形樹脂バリをも同時に切断しなければならなくなり、そ
の場合には、成形バリ中に混入されているセラミックや
ガラスなどによって刃物が損傷することがあり、装置の
寿命を著しく短くするという問題がある。
【0005】しかもそればかりでなく、ダムバー切断後
には上記樹脂バリを除去する仕上げ工程が必要となり、
工程が煩雑になるばかりでなく、本来外部リードの間に
樹脂が押し出されないように設けられるダムバーの機能
も減殺されることになる。さらに、中空型パッケージの
ように、成形後に半導体素子を実装する場合に、樹脂破
断面があると、そこからダストが発生し易く、半導体素
子の性能を害するおそれがある。
【0006】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、樹脂製パッケ
ージ成形時の樹脂バリの発生を有効に抑制し得るリード
フレームならびに樹脂バリ等ダストの発生を著しく抑制
したパッケージの製法を提供することにある。
【0007】
【問題点を解決するための手段】本発明は前記目的を達
成するために提案されたものであって、リードフレーム
を特定の形状に構成した点に特徴を有するものである。
すなわち、本発明によれば、半導体装置の樹脂製パッケ
ージに用いる、電気的導通を外部へ導く複数本の外部リ
ードを有するリードフレームにおいて、外部リード同士
を連通するダムバーを、その内端縁が樹脂封止領域の外
側線に接するように設けるとともに、該ダムバー上の外
部リード予定側位置の樹脂封止領域と反対側に溝あるい
は切り込みを設けたことを特徴とするリードフレームが
提供される。また、本発明によれば、前記リードフレー
ムを用いて樹脂製パッケージを成形した後、樹脂封止領
域に切断刃が接触しない状態でダムバー部を切断するこ
とを特徴とする半導体装置の樹脂製パッケージの製法が
提供される。
【0008】
【発明の具体的説明】本発明のリードフレームの好適な
構成の一例を平面図で示す図1において、リードフレー
ム(全体として2で示す)は、中央部にアイランド30
を有し、アイランドの周囲には内部リード22がアイラ
ンドと非接触状態で配置されている。内部リードは当然
樹脂封止領域(点線で示す)内に設けられるが、該樹脂
封止領域の外側端面にはダムバー23の内端縁が接する
ように構成され、このダムバーは内部リードと連通する
外部リード21とほぼ直角に連接され、外部リード間の
間隙に樹脂が押し出されないようにする作用を有する。
【0009】図1において円で示した部分、つまり、内
部リード22、外部リード21およびダムバー23の詳
細な配置関係を図2に示した。図2からも明らかなよう
に、外部リード21同士の間には、その間隙に成形バリ
が入り込まないように、ダムバー23が設けられてお
り、このダムバーの内端縁31は樹脂封止領域の外側線
41と同一線上に形成され、外部リードとダムバーの間
には、樹脂封止領域の外側線41に近接した部分まで溝
あるいは切り込み24が設けられている。
【0010】このリードフレームを用いて樹脂封止を行
うと、樹脂封止領域は41で示される外側線で停止して
成形バリは発生せず、しかも、ダムバーを刃物によって
切断する場合にも、ダムバーと外部リードの間には樹脂
封止領域の外側線に近接した位置まで溝または切込が設
けられているから、刃物によってダムバーは内端縁31
まで一気に切断されることになり、切断後は、図3に示
したように、樹脂封止領域の端面には成形バリが残存せ
ず、したがって、成形バリ除去工程を必要とせず、か
つ、端面が滑らかでダストの発生の心配のない樹脂パッ
ケージが得られることになる。
【0011】図4は、成形直後の中空パッケージ型の構
成を断面図で示したものであり、ダムバー23の内端縁
は中空パッケージの樹脂本体40の外側線41に接した
状態で設けられている。中空パッケージの中央部にはア
イランド30が設けられており、アイランド上には半導
体素子33が載置され、ボンディングワイヤー32を介
して半導体素子とリードフレームとが接続される。中空
パッケージ型の半導体装置を成形するに当たっては、予
め金型内の所定の位置にアイランド部を有するリードフ
レームをセットした後、合成樹脂を射出成形あるいはト
ランスファー成形することによって、アイランド部、リ
ード部および中空パッケージとを一体化した半導体装置
が成形される。
【0012】中空パッケージ40は、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂、または、液晶
ポリマー、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホ
ン樹脂などの耐熱性熱可塑性樹脂によって成形されるこ
とが好ましく、リードフレーム(アイランド部を含む)
は、銅、鉄、アルミニウム、またはこれらの合金からな
る群から選ばれたもの、なかんずく、42アロイ、また
は銅合金によって形成されていることが望ましい。ま
た、リードフレームには、必要に応じて、全面ないし部
分的に、金、銀、ニッケル、ハンダなどのメッキを施し
たりすることができ、とくに、アイランド部には放熱性
向上のために銅などの他の材料を接合しても良い。
【0013】中空パッケージのアイランド部に半導体素
子33を固着し、該素子とリードフレーム2をボンディ
ングワイヤ32で連結した後、蓋材(図示せず)をパッ
ケージの上方開口部に、エポキシ系、イミド系、あるい
はアクリル系などの接着剤で接着せしめ、気密封止す
る。
【0014】ボンディングワイヤーとしては、通常、金
やアルミニウムが使用され、また蓋材としては、ガラス
板、サファイヤ板、透明アルミナ板、透明プラスチック
板などの透明蓋材、着色ガラス板、セラミックス板、着
色プラスチック板などの半透明ないし不透明蓋材が使用
される。
【0015】
【実施例】以下、実施例によって本発明を説明する。図
1に示すリードフレームの内部リード部とアイランド部
に熱さ1.5μmの金メッキを施した42アロイ製のリ
ードフレームをトランスファー成形機の金型内の所定の
位置にインサートした。次いで、ノボラック型エポキシ
樹脂系成形材料を、温度175℃、圧力70kg/cm
2 、硬化時間2分の条件でインサート成形した後、温度
180℃で3時間の後硬化を行って、図4に示した樹脂
製中空パッケージを得た。さらに、トリム/フォーム金
型を用いてダムバー切断、外部リード曲げを行い、樹脂
封止領域の端面に成形バリが存在しないパッケージを得
た。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置に用いられ
るリードフレームの外部リード同士の間隙に、外部リー
ドと溝または切込を介して連接されたダムバーを設けた
ことにより、中空パッケージ成形時に成形バリを発生す
ることなく、かつ、成形後のダムバー切断の際にも、刃
物によるパッケージの食い込みや、刃物の損傷をもたら
すことなく、簡単な操作でダムバーの除去作業を実施す
ることができるリードフレームを提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のリードフレームの構成の好適な一例を
示す平面図である。
【図2】図1の部分拡大図である。
【図3】ダムバー切断後の外部リードと樹脂封止領域と
の配置関係を示す平面図である。
【図4】本発明のリードフレームを使用した中空パッケ
ージの断面図である。
【図5】従来のリードフレームの構成を示す平面図であ
る。
【符合の説明】
10 従来のリードフレームのダムバー 11 成形バリ 2 リードフレーム 21 外部リード 22 内部リード 23 ダムバー 24 切り込み(溝) 30 アイランド 31 ダムバーの内端縁 32 ボンディングワイヤー 33 半導体素子 40 パッケージ樹脂本体 41 樹脂封止領域外側線

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置の樹脂製パッケージに用い
    る、電気的導通を外部へ導く複数本の外部リードを有す
    るリードフレームにおいて、外部リード同士を連通する
    ダムバーを、その内端縁が樹脂封止領域の外側線に接す
    るように設けるとともに、該ダムバー上の外部リード予
    定側位置の樹脂封止領域と反対側に溝あるいは切り込み
    を設けたことを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のリードフレームを用いて
    樹脂製パッケージを成形した後、樹脂封止領域に切断刃
    が接触しない状態でダムバー部を切断することを特徴と
    する半導体装置の樹脂製パッケージの製法。
JP4099599A 1992-04-20 1992-04-20 リードフレームおよびこれを用いたパッケージの製法 Pending JPH05299551A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222679A (ja) * 1995-02-13 1996-08-30 Rohm Co Ltd 半導体装置用リードフレーム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222679A (ja) * 1995-02-13 1996-08-30 Rohm Co Ltd 半導体装置用リードフレーム

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990302