JPH05299419A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH05299419A JPH05299419A JP8431392A JP8431392A JPH05299419A JP H05299419 A JPH05299419 A JP H05299419A JP 8431392 A JP8431392 A JP 8431392A JP 8431392 A JP8431392 A JP 8431392A JP H05299419 A JPH05299419 A JP H05299419A
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- JP
- Japan
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- electrode wiring
- width
- film
- 15mum
- insulating film
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップにかかる封止樹脂による応力を緩
和することによってカバー絶縁膜のクラック等の発生を
防ぐ。 【構成】１５μｍ以上の幅が必要な電極配線を１５μｍ
以下の幅の金属膜３−１，…に分割し、さらに２００μ
ｍごとの間隔をもって金属膜間ごとにずらされた連結部
３０−１１，…をもつという構成になっている。
和することによってカバー絶縁膜のクラック等の発生を
防ぐ。 【構成】１５μｍ以上の幅が必要な電極配線を１５μｍ
以下の幅の金属膜３−１，…に分割し、さらに２００μ
ｍごとの間隔をもって金属膜間ごとにずらされた連結部
３０−１１，…をもつという構成になっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特に樹脂封止型半導体装置における電極配線の構
成に関するものである。
関し、特に樹脂封止型半導体装置における電極配線の構
成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置では、図２
に示す様にシリコン基板１上の最上層の電極配線にＡｌ
膜３のような金属膜（Ａｌ系合金膜などの合金膜を含め
ていう。以下同様）を用い、その上を窒化シリコンなど
のカバー絶縁膜４で覆い、封止樹脂５でモールドすると
いう構造を有している。ところで、シリコン基板１、Ａ
ｌ膜３（本例では層間絶縁膜２に被着されている）、窒
化シリコン膜（４）、封止樹脂５はそれぞれ表１に示す
様な熱膨張係数をもっており、半導体装置の試験の１つ
である温度サイクルテスト（例えば表２に示す温度サイ
クルを１０回以上繰返す）を行うと以下に示す様な不良
を発生することがある。
に示す様にシリコン基板１上の最上層の電極配線にＡｌ
膜３のような金属膜（Ａｌ系合金膜などの合金膜を含め
ていう。以下同様）を用い、その上を窒化シリコンなど
のカバー絶縁膜４で覆い、封止樹脂５でモールドすると
いう構造を有している。ところで、シリコン基板１、Ａ
ｌ膜３（本例では層間絶縁膜２に被着されている）、窒
化シリコン膜（４）、封止樹脂５はそれぞれ表１に示す
様な熱膨張係数をもっており、半導体装置の試験の１つ
である温度サイクルテスト（例えば表２に示す温度サイ
クルを１０回以上繰返す）を行うと以下に示す様な不良
を発生することがある。
【０００３】
【表１】
【０００４】
【表２】
【０００５】すなわち表１からわかる様に封止樹脂は温
度サイクルテストの際、膨張，収縮を大きく繰り返す
が、シリコン基板は膨張，収縮が小さく封止樹脂とシリ
コン基板の間にずれ動きが起り、図２に示す段差部Ｃ
１，Ｃ２でカバー絶縁膜に応力が加わる。
度サイクルテストの際、膨張，収縮を大きく繰り返す
が、シリコン基板は膨張，収縮が小さく封止樹脂とシリ
コン基板の間にずれ動きが起り、図２に示す段差部Ｃ
１，Ｃ２でカバー絶縁膜に応力が加わる。
【０００６】この応力はチップセンターからの距離に比
例して大きくなり、図４に示す様に半導体チップのコー
ナー部において半径２００μｍ以内で急激に増大する。
これと同時にこの応力は金属膜の幅が太くなることによ
っても図５に示す様に増大する。
例して大きくなり、図４に示す様に半導体チップのコー
ナー部において半径２００μｍ以内で急激に増大する。
これと同時にこの応力は金属膜の幅が太くなることによ
っても図５に示す様に増大する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の樹脂封止型半導
体装置では、このような応力によるクラックを防ぐた
め、図５に示すように、半導体チップ１００のコーナー
部を迂回して電極配線２００−１，…を設けたり、コー
ナー部のみにスリットＳ１，Ｓ２，…をいれている。ま
たスリットが存在している場合においてもスリット間の
連結部３０ａ，…は電極配線の走向方向と直交する線上
に集中している。このため発生する応力を十分に緩和す
ることができないで、スリット端や連結部においてクラ
ックが発生しやすい。
体装置では、このような応力によるクラックを防ぐた
め、図５に示すように、半導体チップ１００のコーナー
部を迂回して電極配線２００−１，…を設けたり、コー
ナー部のみにスリットＳ１，Ｓ２，…をいれている。ま
たスリットが存在している場合においてもスリット間の
連結部３０ａ，…は電極配線の走向方向と直交する線上
に集中している。このため発生する応力を十分に緩和す
ることができないで、スリット端や連結部においてクラ
ックが発生しやすい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体チップの素子が形成された側の面に絶
縁膜を介して選択的に被着された金属膜からなる電極配
線と、前記電極配線を被うカバー絶縁膜とを有し、前記
電極配線の少なくとも一つが、所定の間隔で互いに平行
に配置され所定のピッチで相互に連結された複数の所定
幅の金属膜で構成されているというものである。
体装置は、半導体チップの素子が形成された側の面に絶
縁膜を介して選択的に被着された金属膜からなる電極配
線と、前記電極配線を被うカバー絶縁膜とを有し、前記
電極配線の少なくとも一つが、所定の間隔で互いに平行
に配置され所定のピッチで相互に連結された複数の所定
幅の金属膜で構成されているというものである。
【０００９】また、電極配線が少なくとも３つの金属膜
からなり互いに隣接する２つの前記金属膜を結ぶ連結部
と前記２つの金属膜のいずれか一方ともう一つの前記金
属膜とを結ぶ連結部とがずれて配置されている。
からなり互いに隣接する２つの前記金属膜を結ぶ連結部
と前記２つの金属膜のいずれか一方ともう一つの前記金
属膜とを結ぶ連結部とがずれて配置されている。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１１】図１（ａ）は本発明の一実施例を示す平面
図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部拡大図である。
図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部拡大図である。
【００１２】電極配線は、幅が１５μｍ以下、例えば１
０μｍの、互いに平行して配置された４本のＡｌ膜３−
１〜３−４に分割されている。Ａｌ膜同志を等電位に保
つための連結部３０−１１，３０−２１，３０−３１，
…は応力が集中しない様に配線間毎に間隔にずらされて
いる。
０μｍの、互いに平行して配置された４本のＡｌ膜３−
１〜３−４に分割されている。Ａｌ膜同志を等電位に保
つための連結部３０−１１，３０−２１，３０−３１，
…は応力が集中しない様に配線間毎に間隔にずらされて
いる。
【００１３】電極配線の走行方向にある連結部間の距離
（例えば３０−１１と３０−１２との管の寸法）は少な
くとも２００μｍ、Ａｌ膜間の間隔は約２μｍである。
また、カバー絶縁膜は従来例と同様に窒化シリコン膜で
ある。
（例えば３０−１１と３０−１２との管の寸法）は少な
くとも２００μｍ、Ａｌ膜間の間隔は約２μｍである。
また、カバー絶縁膜は従来例と同様に窒化シリコン膜で
ある。
【００１４】Ａｌ膜の幅が１５μｍ以下となっているこ
と、連結部が分散して設けられていることにより、従来
例に比較してカバー絶縁膜のクラックが発生して設けら
れていることにより、従来例に比較してカバー絶縁膜の
クラックが発生し難い。また、半導体チップのコーナー
部を迂回して設ける必要もなく、チップの有効利用が図
れる。
と、連結部が分散して設けられていることにより、従来
例に比較してカバー絶縁膜のクラックが発生して設けら
れていることにより、従来例に比較してカバー絶縁膜の
クラックが発生し難い。また、半導体チップのコーナー
部を迂回して設ける必要もなく、チップの有効利用が図
れる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップの全周において１５μｍ以上の幅をもつ電極配線を
１５μｍ以下の金属膜に分割することによって、熱ショ
ック等によって発生する応力に対し、クラックや配線ず
れなどの電極配線のパターンくずれの発生を抑止する効
果がある。またこの分割された金属膜を等電位に保つた
めの連結部を金属膜間ごとにずらして配置することによ
って連結部に対する応力の集中を防止し、連結部におけ
るクラック等を回避することができる。
ップの全周において１５μｍ以上の幅をもつ電極配線を
１５μｍ以下の金属膜に分割することによって、熱ショ
ック等によって発生する応力に対し、クラックや配線ず
れなどの電極配線のパターンくずれの発生を抑止する効
果がある。またこの分割された金属膜を等電位に保つた
めの連結部を金属膜間ごとにずらして配置することによ
って連結部に対する応力の集中を防止し、連結部におけ
るクラック等を回避することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体チップ全体の平
面図（図１（ａ））およびＡ部拡大平面図（図１
（ｂ））である。
面図（図１（ａ））およびＡ部拡大平面図（図１
（ｂ））である。
【図２】本発明の説明に使用する断面図である。
【図３】最大応力と位置の関係を示すグラフである。
【図４】電極配線の幅と最大応力との関係を示すグラフ
である。
である。
【図５】従来例を示す半導体チップ全体の平面図（図５
（ａ））およびＡ部拡大平面図（図５（ｂ））である。
（ａ））およびＡ部拡大平面図（図５（ｂ））である。
１ シリコン基板 ２ 層間絶縁膜 ３，３−１〜３−４ Ａｌ膜 ３０ａ，３０ｂ，３０−１１〜３０−３１ 連結部 ４ カバー絶縁膜 ５ 封止樹脂 １００ 半動態チップ ２００−１，２００−１Ａ，２００−２，２００−２Ａ
電極配線
電極配線
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップの素子が形成された側の面
に絶縁膜を介して選択的に被着された金属膜からなる電
極配線と、前記電極配線を被うカバー絶縁膜とを有し、
前記電極配線の少なくとも一つが、所定の間隔で互いに
平行に配置され所定のピッチで相互に連結された複数の
所定幅の金属膜で構成されていることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項２】 電極配線が少なくとも３つの金属膜から
なり互いに隣接する２つの前記金属膜を結ぶ連結部と前
記２つの金属膜のいずれか一方ともう一つの前記金属膜
とを結ぶ連結部とがずれて配置されている請求項１記載
の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8431392A JPH05299419A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8431392A JPH05299419A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299419A true JPH05299419A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=13827022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8431392A Pending JPH05299419A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299419A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650010B2 (en) | 2002-02-15 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Unique feature design enabling structural integrity for advanced low K semiconductor chips |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02208939A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP8431392A patent/JPH05299419A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02208939A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650010B2 (en) | 2002-02-15 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Unique feature design enabling structural integrity for advanced low K semiconductor chips |
| US6815346B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-11-09 | International Business Machines Corporation | Unique feature design enabling structural integrity for advanced low k semiconductor chips |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980818 |