JPH05298760A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05298760A JPH05298760A JP10317992A JP10317992A JPH05298760A JP H05298760 A JPH05298760 A JP H05298760A JP 10317992 A JP10317992 A JP 10317992A JP 10317992 A JP10317992 A JP 10317992A JP H05298760 A JPH05298760 A JP H05298760A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小さな外部印加磁界のもとでも良好な記録再
生特性の得られる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 プラスチック基板１上に誘電体膜２として窒
化ケイ素膜を約５００Å、熱伝導膜３として窒化ケイ素
膜に比べて熱伝導率が良いケイ素膜を３００Å、希土類
−鉄族合金膜４としてキュリー温度約３００℃のＧｄＦ
ｅＣｏ膜を１００Å、希土類−鉄族合金膜５としてキュ
リー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、誘電
体膜６として窒化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜７を
約５００Å順次積層する。
生特性の得られる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 プラスチック基板１上に誘電体膜２として窒
化ケイ素膜を約５００Å、熱伝導膜３として窒化ケイ素
膜に比べて熱伝導率が良いケイ素膜を３００Å、希土類
−鉄族合金膜４としてキュリー温度約３００℃のＧｄＦ
ｅＣｏ膜を１００Å、希土類−鉄族合金膜５としてキュ
リー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、誘電
体膜６として窒化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜７を
約５００Å順次積層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に誘電体膜と希
土類−鉄族合金の交換結合多層膜とを有する光磁気記録
媒体に関する。
土類−鉄族合金の交換結合多層膜とを有する光磁気記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体の記録方式には、直流外
部磁界を印加し、信号に応じてレーザー光量を変調する
光変調記録方式と、常時一定強度のレーザー光を照射し
信号に応じて外部磁界を反転させる磁界変調記録方式と
がある。近年、装置構成は比較的複雑になるものの、オ
ーバーライトが可能でハードディスクに匹敵する高速記
録が可能な磁界変調記録方式が注目されている。
部磁界を印加し、信号に応じてレーザー光量を変調する
光変調記録方式と、常時一定強度のレーザー光を照射し
信号に応じて外部磁界を反転させる磁界変調記録方式と
がある。近年、装置構成は比較的複雑になるものの、オ
ーバーライトが可能でハードディスクに匹敵する高速記
録が可能な磁界変調記録方式が注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、磁界変調記
録方式により高速記録を実現するためには、外部磁界を
極めて高速に反転させることが可能な高周波マグネット
が用いられるが、この高周波マグネットにより大きな外
部磁界を発生させることは大変困難である。しかも、高
速化すればするほど発生可能な磁界は小さくなってしま
う。したがって、従来光変調用に開発されてきた光磁気
記録媒体をそのまま磁界変調用に用いようとしても、磁
界感度の点で十分な記録再生特性が得られなかった。つ
まり、磁界変調記録方式において高速記録を実現するた
めには、小さな外部磁界によって磁化反転する磁界感度
の良い光磁気記録媒体が不可決である。
録方式により高速記録を実現するためには、外部磁界を
極めて高速に反転させることが可能な高周波マグネット
が用いられるが、この高周波マグネットにより大きな外
部磁界を発生させることは大変困難である。しかも、高
速化すればするほど発生可能な磁界は小さくなってしま
う。したがって、従来光変調用に開発されてきた光磁気
記録媒体をそのまま磁界変調用に用いようとしても、磁
界感度の点で十分な記録再生特性が得られなかった。つ
まり、磁界変調記録方式において高速記録を実現するた
めには、小さな外部磁界によって磁化反転する磁界感度
の良い光磁気記録媒体が不可決である。
【０００４】本発明は、小さな外部印加磁界のもとでの
良好な記録再生特性の得られる磁界変調記録方式用の光
磁気記録媒体の提供を目的とする。
良好な記録再生特性の得られる磁界変調記録方式用の光
磁気記録媒体の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、誘電体膜と、記
録層としての基土類−鉄族合金の交換結合多層膜とを有
する光磁気記録媒体において、２層以上ある記録層のう
ちキュリー温度の高い方の層である第１の層と低い方の
層である第２の層が接触しており、前記第２の層の側に
は第３の層を設け、前記第１の層の側には前記第３の層
より熱伝導の良い第４の層を直接設けたことを特徴とす
る。
本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、誘電体膜と、記
録層としての基土類−鉄族合金の交換結合多層膜とを有
する光磁気記録媒体において、２層以上ある記録層のう
ちキュリー温度の高い方の層である第１の層と低い方の
層である第２の層が接触しており、前記第２の層の側に
は第３の層を設け、前記第１の層の側には前記第３の層
より熱伝導の良い第４の層を直接設けたことを特徴とす
る。
【０００６】また、本発明の光磁気記録媒体は、基板上
に、誘電体膜と、記録層としての希土類−鉄族合金の交
換結合多層膜とを有する光磁気記録媒体において、２層
以上ある記録層のうちキュリー温度の高い方の層である
第１の層と低い方の層である第２の層が接触しており、
前記第２の層の中で、前記第１の層から遠い部分のキュ
リー温度が前記第１の層から近い部分のキュリー温度よ
り高くならないように、前記第２の層が成膜されている
ことを特徴とする。
に、誘電体膜と、記録層としての希土類−鉄族合金の交
換結合多層膜とを有する光磁気記録媒体において、２層
以上ある記録層のうちキュリー温度の高い方の層である
第１の層と低い方の層である第２の層が接触しており、
前記第２の層の中で、前記第１の層から遠い部分のキュ
リー温度が前記第１の層から近い部分のキュリー温度よ
り高くならないように、前記第２の層が成膜されている
ことを特徴とする。
【０００７】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、基板
上に、記録層としての希土類−鉄族合金の交換結合多層
膜とを有する光磁気記録媒体において、２層以上ある記
録層のうちキュリー温度の高い方の層である第１の層と
低い方の層である第２の層が接触しており、前記第２の
層の側には第３の層を設け、前記第１の層の側には前記
第３の層より熱伝導の良い第４の層を直接設け、かつ、
前記第２の層の中で、前記第１の層から遠い部分のキュ
リー温度が前記第１の層から近い部分のキュリー温度よ
り高くならないように前記第２の層が成膜されているこ
とを特徴とする。
上に、記録層としての希土類−鉄族合金の交換結合多層
膜とを有する光磁気記録媒体において、２層以上ある記
録層のうちキュリー温度の高い方の層である第１の層と
低い方の層である第２の層が接触しており、前記第２の
層の側には第３の層を設け、前記第１の層の側には前記
第３の層より熱伝導の良い第４の層を直接設け、かつ、
前記第２の層の中で、前記第１の層から遠い部分のキュ
リー温度が前記第１の層から近い部分のキュリー温度よ
り高くならないように前記第２の層が成膜されているこ
とを特徴とする。
【０００８】
【作用】交換結合多層膜において、磁界感度を向上させ
るためには記録プロセスの基本となるキュリー温度の高
い層から低い層への記録ビットの転写をスムースに行わ
せることが必要である。記録ビットの転写は、記録時の
レーザー照射により昇温して磁化が消失したキュリー温
度の低い層が冷却する過程で現われてくる磁化の状態に
より左右される。小さな印加磁界で記録するためにはキ
ュリー温度の低い層において冷却時にキュリー温度の高
い層に近い側から磁化が現れて交換結合力により徐々に
記録ビットの転写を行う方が良いことが実験によりわか
った。
るためには記録プロセスの基本となるキュリー温度の高
い層から低い層への記録ビットの転写をスムースに行わ
せることが必要である。記録ビットの転写は、記録時の
レーザー照射により昇温して磁化が消失したキュリー温
度の低い層が冷却する過程で現われてくる磁化の状態に
より左右される。小さな印加磁界で記録するためにはキ
ュリー温度の低い層において冷却時にキュリー温度の高
い層に近い側から磁化が現れて交換結合力により徐々に
記録ビットの転写を行う方が良いことが実験によりわか
った。
【０００９】したがって、キュリー温度の高い方の層に
直接熱伝導の良い層を設けることにより冷却過程におい
てキュリー温度の低い層のキュリー温度の高い層に近い
部分に比べ遠い部分の温度をより速く下げることが可能
となり、前述のような記録ビットの転写を実現して、よ
り小さな印加磁界のもとでも良好な記録再生特性の磁界
感度の良い磁界変調用光磁気記録媒体を得ることができ
るのである。
直接熱伝導の良い層を設けることにより冷却過程におい
てキュリー温度の低い層のキュリー温度の高い層に近い
部分に比べ遠い部分の温度をより速く下げることが可能
となり、前述のような記録ビットの転写を実現して、よ
り小さな印加磁界のもとでも良好な記録再生特性の磁界
感度の良い磁界変調用光磁気記録媒体を得ることができ
るのである。
【００１０】また、キュリー温度の低い層においてキュ
リー温度の高い層に近い部分に比べ遠い部分のキュリー
温度が高くしないことにより小さな印加磁界のもとでも
良好な記録再生特性の得られる磁界感度の良い磁界変調
用光磁気記録媒体となるのである。
リー温度の高い層に近い部分に比べ遠い部分のキュリー
温度が高くしないことにより小さな印加磁界のもとでも
良好な記録再生特性の得られる磁界感度の良い磁界変調
用光磁気記録媒体となるのである。
【００１１】本発明の詳細については、以下の実施例を
用いて説明を行う。
用いて説明を行う。
【００１２】
実施例１ 通常のマグネトロンスパッタ法を用いて、図１に示すよ
うに、１３０ｍｍΦプラスチック基板１上に誘発体膜２
として窒化ケイ素膜を約５００Å、熱伝導膜３としてケ
イ素膜を３００Å、基土類−鉄族合金膜４としてキュリ
ー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、希土類
−鉄族合金膜５としてキュリー温度約１７０℃のＴｂＦ
ｅＣｏ膜を２００Å、誘電体膜６として窒化ケイ素膜を
３００Å、Ａｌ反射膜７を約５００Å順次積層した。ケ
イ素膜は窒化ケイ素膜に比べ熱伝導率が良い。この媒体
を、磁界変調方式で記録再生しＣＮ比が４９ｄＢとなる
磁界強度を測定した。測定結果は表１に示す通りであ
る。
うに、１３０ｍｍΦプラスチック基板１上に誘発体膜２
として窒化ケイ素膜を約５００Å、熱伝導膜３としてケ
イ素膜を３００Å、基土類−鉄族合金膜４としてキュリ
ー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、希土類
−鉄族合金膜５としてキュリー温度約１７０℃のＴｂＦ
ｅＣｏ膜を２００Å、誘電体膜６として窒化ケイ素膜を
３００Å、Ａｌ反射膜７を約５００Å順次積層した。ケ
イ素膜は窒化ケイ素膜に比べ熱伝導率が良い。この媒体
を、磁界変調方式で記録再生しＣＮ比が４９ｄＢとなる
磁界強度を測定した。測定結果は表１に示す通りであ
る。
【００１３】実施例２ 通常のマグネトロンスパッタ法を用いて、１３０ｍｍΦ
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約７００Å、キュ
リー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、キュ
リー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、Ａｌ
反射膜を約５００Å順次積層した。すなわち、本実施例
ではＡｌ反射膜を熱伝導膜として用いた。この媒体を、
磁界変調方式で記録再生しＣＮ比が４９ｄＢとなる磁界
強度を測定した。測定結果は表１に示す通りである。
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約７００Å、キュ
リー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、キュ
リー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、Ａｌ
反射膜を約５００Å順次積層した。すなわち、本実施例
ではＡｌ反射膜を熱伝導膜として用いた。この媒体を、
磁界変調方式で記録再生しＣＮ比が４９ｄＢとなる磁界
強度を測定した。測定結果は表１に示す通りである。
【００１４】比較例１ 通常のマグネトロンスパッタ法を用いて、１３０ｍｍΦ
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約１０００Å、キ
ュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、キ
ュリー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、窒
化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜を約５００Å順次積
層した。この媒体を、磁界変調方式で記録再生しＣＮ比
が４９ｄＢとなる磁界強度を測定した。測定結果は表１
に示す通りである。
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約１０００Å、キ
ュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、キ
ュリー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、窒
化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜を約５００Å順次積
層した。この媒体を、磁界変調方式で記録再生しＣＮ比
が４９ｄＢとなる磁界強度を測定した。測定結果は表１
に示す通りである。
【００１５】以上の実施例１，実施例２，比較例の測定
条件は、線速度９．０ｍ／ｓｅｃ記録周波数６．２ＭＨ
ｚ、記録レーザーパワー５．５ｍＷ、再生パワー１．０
ｍＷ、光学ヘッドのＮＡ０．５５、レーザー波長は、７
８０ｎｍであった。
条件は、線速度９．０ｍ／ｓｅｃ記録周波数６．２ＭＨ
ｚ、記録レーザーパワー５．５ｍＷ、再生パワー１．０
ｍＷ、光学ヘッドのＮＡ０．５５、レーザー波長は、７
８０ｎｍであった。
【００１６】
【表１】 実施例３ 通常のマグネトロンスパッタ法を用いて、１３０ｍｍΦ
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約１０００Å、キ
ュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、キ
ュリー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、窒
化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜を約５００Å順次積
層した。ここでのＴｂＦｅＣｏ膜は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ
の３つのターゲットを用いた３元同時スパッタにより成
膜した。そして、成膜初めに比べ終わりの方でキュリー
温度が高くならないように（一定となるように）Ｆｅと
Ｃｏの投入パワーの比率を成膜初めから終わりにかけて
補正した。この媒体を、磁界変調方式で記録再生しＣＮ
比が４９ｄＢとなる磁界強度を測定した。測定結果は表
２に示す通りである。
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約１０００Å、キ
ュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、キ
ュリー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、窒
化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜を約５００Å順次積
層した。ここでのＴｂＦｅＣｏ膜は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ
の３つのターゲットを用いた３元同時スパッタにより成
膜した。そして、成膜初めに比べ終わりの方でキュリー
温度が高くならないように（一定となるように）Ｆｅと
Ｃｏの投入パワーの比率を成膜初めから終わりにかけて
補正した。この媒体を、磁界変調方式で記録再生しＣＮ
比が４９ｄＢとなる磁界強度を測定した。測定結果は表
２に示す通りである。
【００１７】実施例４ 通常のマグネトロンスパッタ法を用いて、図２に示すよ
うに、１３０ｍｍΦプラスチック基板１上に誘電体膜１
２として窒化ケイ素膜を約１０００Å、希土類−鉄族合
金膜１３としてキュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ
膜を１００Å、希土類−鉄族合金膜１４，１５としてキ
ュリー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、誘
電体膜１６として窒化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜
１７を約５００Å順次積層した。ここでのＴｂＦｅＣｏ
膜は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３つのターゲットを用いた３
元同時スパッタにより成膜した。そして、ＴｂＦｅＣｏ
膜２００Åを１００Åずつ２層にしてＧｄＦｅＣｏ膜
（希土類−鉄族合金膜１３）に近い方の層（希土類−鉄
族合金膜１４）のキュリー温度を１７５℃、遠い方の層
（希土類−鉄族合金膜１５）のキュリー温度を１６５℃
になるように成膜した。この媒体を、磁界変調方式で記
録再生しＣＮ比が４９ｄＢとなる磁界強度を測定した。
測定結果は表２に示す通りである。
うに、１３０ｍｍΦプラスチック基板１上に誘電体膜１
２として窒化ケイ素膜を約１０００Å、希土類−鉄族合
金膜１３としてキュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ
膜を１００Å、希土類−鉄族合金膜１４，１５としてキ
ュリー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、誘
電体膜１６として窒化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜
１７を約５００Å順次積層した。ここでのＴｂＦｅＣｏ
膜は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの３つのターゲットを用いた３
元同時スパッタにより成膜した。そして、ＴｂＦｅＣｏ
膜２００Åを１００Åずつ２層にしてＧｄＦｅＣｏ膜
（希土類−鉄族合金膜１３）に近い方の層（希土類−鉄
族合金膜１４）のキュリー温度を１７５℃、遠い方の層
（希土類−鉄族合金膜１５）のキュリー温度を１６５℃
になるように成膜した。この媒体を、磁界変調方式で記
録再生しＣＮ比が４９ｄＢとなる磁界強度を測定した。
測定結果は表２に示す通りである。
【００１８】比較例２ 通常のマグネトロンスパッタ法を用いて、１３０ｍｍΦ
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約１０００Å、キ
ュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、キ
ュリー温度１６０〜１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００
Å、窒化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜を約５００Å
順次積層した。ここでのＴｂＦｅＣｏ膜は、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏの３つのターゲットを用いた３元同時スパッタ
により成膜した。そして、成膜初めに比べ終わりの方で
キュリー温度が高くなるようにＦｅとＣｏの投入パワー
の比率を成膜初めから終わりにかけて補正した。この媒
体を、磁界変調方式で記録再生しＣＮ比が４９ｄＢとな
る磁界強度を測定した。測定結果は表２に示す通りであ
る。
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約１０００Å、キ
ュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、キ
ュリー温度１６０〜１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００
Å、窒化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜を約５００Å
順次積層した。ここでのＴｂＦｅＣｏ膜は、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏの３つのターゲットを用いた３元同時スパッタ
により成膜した。そして、成膜初めに比べ終わりの方で
キュリー温度が高くなるようにＦｅとＣｏの投入パワー
の比率を成膜初めから終わりにかけて補正した。この媒
体を、磁界変調方式で記録再生しＣＮ比が４９ｄＢとな
る磁界強度を測定した。測定結果は表２に示す通りであ
る。
【００１９】比較例３ 通常のマグネトロンスパッタ法を用いて、１３０ｍｍΦ
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約１０００Å、キ
ュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、キ
ュリー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、窒
化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜を約５００Å順次積
層した。ここでのＴｂＦｅＣｏ膜は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ
の３つのターゲットを用いた３元同時スパッタにより成
膜した。そして、ＴｂＦｅＣｏ膜２００Åを１００Åず
つ２層にしてＧｄＦｅＣｏ膜に近い方の層のキュリー温
度を１６５℃、遠い方の層のキュリー温度を１７５℃に
なるように成膜した。この媒体を、磁界変調方式で記録
再生しＣＮ比が４９ｄＢとなる磁界強度を測定した。測
定結果は表２に示す通りである。
プラスチック基板上に窒化ケイ素膜を約１０００Å、キ
ュリー温度約３００℃のＧｄＦｅＣｏ膜を１００Å、キ
ュリー温度約１７０℃のＴｂＦｅＣｏ膜を２００Å、窒
化ケイ素膜を３００Å、Ａｌ反射膜を約５００Å順次積
層した。ここでのＴｂＦｅＣｏ膜は、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ
の３つのターゲットを用いた３元同時スパッタにより成
膜した。そして、ＴｂＦｅＣｏ膜２００Åを１００Åず
つ２層にしてＧｄＦｅＣｏ膜に近い方の層のキュリー温
度を１６５℃、遠い方の層のキュリー温度を１７５℃に
なるように成膜した。この媒体を、磁界変調方式で記録
再生しＣＮ比が４９ｄＢとなる磁界強度を測定した。測
定結果は表２に示す通りである。
【００２０】以上の実施例３，実施例４，比較例２，比
較例３の測定条件は、線速度９．０ｍ／ｓｅｃ記録周波
数６．２ＭＨｚ、記録レーザーパワー５．５ｍＷ、再生
パワー１．０ｍＷ、光学ヘッドのＮＡ０．５５、レーザ
ー波長は、７８０ｎｍであった。
較例３の測定条件は、線速度９．０ｍ／ｓｅｃ記録周波
数６．２ＭＨｚ、記録レーザーパワー５．５ｍＷ、再生
パワー１．０ｍＷ、光学ヘッドのＮＡ０．５５、レーザ
ー波長は、７８０ｎｍであった。
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかな様に、本発明に
よれば、基板上に誘電体膜と記録層として希土類−鉄族
合金の交換結合多層膜を有する光磁気記録媒体におい
て、キュリー温度の高い方の層に直接熱伝導の良い層を
設けることにより、小さな印加磁界のもとでも良好な記
録再生特性の得られる磁界感度の良い磁界変調用光磁気
記録媒体を得ることができる。
よれば、基板上に誘電体膜と記録層として希土類−鉄族
合金の交換結合多層膜を有する光磁気記録媒体におい
て、キュリー温度の高い方の層に直接熱伝導の良い層を
設けることにより、小さな印加磁界のもとでも良好な記
録再生特性の得られる磁界感度の良い磁界変調用光磁気
記録媒体を得ることができる。
【００２３】また、キュリー温度の低い方の第２の層の
なかでキュリー温度の高い第１の層から遠い部分のキュ
リー温度が第１の層に近い部分のキュリー温度より高く
しないことにより、同様に小さな印加磁界のもとでも良
好な記録再生特性の得られる磁界感度の良い磁界変調用
光磁気記録媒体を得ることができる。
なかでキュリー温度の高い第１の層から遠い部分のキュ
リー温度が第１の層に近い部分のキュリー温度より高く
しないことにより、同様に小さな印加磁界のもとでも良
好な記録再生特性の得られる磁界感度の良い磁界変調用
光磁気記録媒体を得ることができる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の実施例１の概略断面
図である。
図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の実施例４の概略断面
図である。
図である。
１，１１ プラスチック基板 ２，６，１２，１６ 誘電体膜 ３ 熱伝導膜 ４，５，１３，１４，１５ 希土類−鉄族合金膜 ７，１７ Ａｌ反射膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、誘電体層膜と、記録層として
の希土類−鉄族合金の交換結合多層膜とを有する光磁気
記録媒体において、 ２層以上ある記録層のうちキュリー温度の高い方の層で
ある第１の層と低い方の層である第２の層が接触してお
り、前記第２の層の側には第３の層を設け、前記第１の
層の側には前記第３の層より熱伝導の良い第４の層を直
接設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に、誘電体膜と、記録層としての
希土類−鉄族合金の交換結合多層膜とを有する光磁気記
録媒体において、 ２層以上ある記録層のうちキュリー温度の高い方の層で
ある第１の層と低い方の層である第２の層が接触してお
り、前記第２の層の中で、前記第１の層から遠い部分の
キュリー温度が前記第１の層から近い部分のキュリー温
度より高くならないように、前記第２の層が成膜されて
いることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に、記録層としての希土類−鉄
族合金の交換結合多層膜とを有する光磁気記録媒体にお
いて、 ２層以上ある記録層のうちキュリー温度の高い方の層で
ある第１の層と低い方の層である第２の層が接触してお
り、前記第２の層の側には第３の層を設け、前記第１の
層の側には前記第３の層より熱伝導の良い第４の層を直
接設け、かつ、前記第２の層の中で、前記第１の層から
遠い部分のキュリー温度が前記第１の層から近い部分の
キュリー温度より高くならないように前記第２の層が成
膜されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10317992A JPH05298760A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10317992A JPH05298760A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05298760A true JPH05298760A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14347290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10317992A Pending JPH05298760A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05298760A (ja) |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10317992A patent/JPH05298760A/ja active Pending
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