JPH05297565A - 投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法 - Google Patents
投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05297565A JPH05297565A JP10269592A JP10269592A JPH05297565A JP H05297565 A JPH05297565 A JP H05297565A JP 10269592 A JP10269592 A JP 10269592A JP 10269592 A JP10269592 A JP 10269592A JP H05297565 A JPH05297565 A JP H05297565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- film
- resist
- substrate
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 遮光膜を半透明膜または透明膜で再加工する
ことにより、遮光パターンと半透明パターンまたは透明
膜パターンとの位置合わせを精度良く行う。 【構成】 遮光膜を後の露光のアライメント精度相当分
だけ大きめに形成し、この上に遮光部、半透明部または
透明部のすべてのパターンを含むように、半透明膜また
は透明膜パターンを形成する。更にこの半透明膜パター
ンまたは透明膜パターンをマスクに遮光膜の突出部の除
去を行う。 【効果】 遮光膜、透明膜、半透明膜が混在する位相シ
フトマスクにおいて各パターンの位置合わせ精度が向上
する。
ことにより、遮光パターンと半透明パターンまたは透明
膜パターンとの位置合わせを精度良く行う。 【構成】 遮光膜を後の露光のアライメント精度相当分
だけ大きめに形成し、この上に遮光部、半透明部または
透明部のすべてのパターンを含むように、半透明膜また
は透明膜パターンを形成する。更にこの半透明膜パター
ンまたは透明膜パターンをマスクに遮光膜の突出部の除
去を行う。 【効果】 遮光膜、透明膜、半透明膜が混在する位相シ
フトマスクにおいて各パターンの位置合わせ精度が向上
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のリソグラ
フィー工程に用いられる投影露光用基板の製造方法とこ
の投影露光用基板を用いたパターン形成方法に係わる。
フィー工程に用いられる投影露光用基板の製造方法とこ
の投影露光用基板を用いたパターン形成方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術の進歩と共に半導体装置ひい
ては半導体素子の高速化、高集積化が進められている。
それに伴いパターンの微細化の必要性は益々高くなり、
パターン寸法も微細化、高精度化が要求されるようにな
っている。この要求を満たす目的で、露光光源に遠紫外
光など短波長の光が用いられるようになってきた。しか
し次世代の露光光源に用いられようとしているＫｒＦエ
キシマレーザの２４８ｎｍの発振線を用いたプロセス
は、レジスト材料として化学増幅型レジストが開発され
つつあるものの研究段階にあり現時点での実用化はまだ
困難である。この様に露光光源の波長を変えた場合、材
料開発から必要となるため、実用化にいたるまでかなり
の期間を要することになる。
ては半導体素子の高速化、高集積化が進められている。
それに伴いパターンの微細化の必要性は益々高くなり、
パターン寸法も微細化、高精度化が要求されるようにな
っている。この要求を満たす目的で、露光光源に遠紫外
光など短波長の光が用いられるようになってきた。しか
し次世代の露光光源に用いられようとしているＫｒＦエ
キシマレーザの２４８ｎｍの発振線を用いたプロセス
は、レジスト材料として化学増幅型レジストが開発され
つつあるものの研究段階にあり現時点での実用化はまだ
困難である。この様に露光光源の波長を変えた場合、材
料開発から必要となるため、実用化にいたるまでかなり
の期間を要することになる。
【０００３】近年、露光光源（ステッパー）は変えず
に、パターンの微細化を行う試みが成されてきている。
その一つの手法として位相シフト法がある。この手法
は、光透過部に部分的に位相反転層を設け、隣接するパ
ターンからの光の回折の影響を除去し、パターン精度の
向上を図るものである。この位相シフト法にも幾つか種
類があり、隣接する２つの光透過部の位相差を交互に１
８０°設けた構造のレベンソン型が特に知られている。
しかしこの手法ではパターンが３つ以上隣接する場合効
果を発揮することが難しい。即ち２つのパターンの光位
相差を１８０°とした場合、残りの１つのパターンは先
の２つのパターンのうち、どちらか一方と同位相とな
り、その結果、位相差１８０°のパターン同志は解像す
るが、位相差０°のパターン同志は解像しないという問
題点がある。この問題を解決するためには、デバイス設
計を根本から見直す必要があり、直ちに実用化するのに
かなりの困難を要する。そこで、より実用的な位相シフ
ト法として、ハーフトーン型、シフタエッジ型といった
位相シフトマスクが考案された。
に、パターンの微細化を行う試みが成されてきている。
その一つの手法として位相シフト法がある。この手法
は、光透過部に部分的に位相反転層を設け、隣接するパ
ターンからの光の回折の影響を除去し、パターン精度の
向上を図るものである。この位相シフト法にも幾つか種
類があり、隣接する２つの光透過部の位相差を交互に１
８０°設けた構造のレベンソン型が特に知られている。
しかしこの手法ではパターンが３つ以上隣接する場合効
果を発揮することが難しい。即ち２つのパターンの光位
相差を１８０°とした場合、残りの１つのパターンは先
の２つのパターンのうち、どちらか一方と同位相とな
り、その結果、位相差１８０°のパターン同志は解像す
るが、位相差０°のパターン同志は解像しないという問
題点がある。この問題を解決するためには、デバイス設
計を根本から見直す必要があり、直ちに実用化するのに
かなりの困難を要する。そこで、より実用的な位相シフ
ト法として、ハーフトーン型、シフタエッジ型といった
位相シフトマスクが考案された。
【０００４】ハーフトーン型位相シフトマスクは、比較
的大きいパターンを遮光膜で形成し、微細パターンにつ
いては基板に対し位相が１８０°異なる半透明膜を配置
するものである。
的大きいパターンを遮光膜で形成し、微細パターンにつ
いては基板に対し位相が１８０°異なる半透明膜を配置
するものである。
【０００５】また、シフタエッジ型位相シフトマスク
は、比較的大きいパターンを遮光膜で形成し、微細パタ
ーンについては基板に対し透過する光の位相が１８０°
異なる透過率１００％の透明膜を配置するものである。
は、比較的大きいパターンを遮光膜で形成し、微細パタ
ーンについては基板に対し透過する光の位相が１８０°
異なる透過率１００％の透明膜を配置するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一つの
マスクに、遮光膜、半透明膜、透過膜を形成しようとす
る場合、従来独立の露光によりこれらの部分を形成して
いたため、相互間の位置合わせ精度が低下するという問
題が生じていた。
マスクに、遮光膜、半透明膜、透過膜を形成しようとす
る場合、従来独立の露光によりこれらの部分を形成して
いたため、相互間の位置合わせ精度が低下するという問
題が生じていた。
【０００７】本発明は上記課題に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、パターン相互の位置合
わせ精度が良い投影露光用基板の製造方法とこの基板を
用いたパターン形成方法を提供することにある。
あり、その目的とするところは、パターン相互の位置合
わせ精度が良い投影露光用基板の製造方法とこの基板を
用いたパターン形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第一の発明は、透明基板
上に第１の膜及び第２の膜より成る所望パターンを形成
する際に、前記透明基板上に前記所望パターンより大き
めに前記第１の膜を形成する工程と、前記透明基板上及
び前記第１の膜上に前記第１の膜より高い強度透過率を
有する前記第２の膜を形成する工程と、前記第２の膜上
に前記所望パターンに対応してレジストパターンを形成
する工程と、このレジストパターンをマスクに前記第２
の膜続いて前記第１の膜を除去する工程と、前記レジス
トパターンを除去する工程とを含む投影露光用基板の製
造方法を提供することを特徴とする。
上に第１の膜及び第２の膜より成る所望パターンを形成
する際に、前記透明基板上に前記所望パターンより大き
めに前記第１の膜を形成する工程と、前記透明基板上及
び前記第１の膜上に前記第１の膜より高い強度透過率を
有する前記第２の膜を形成する工程と、前記第２の膜上
に前記所望パターンに対応してレジストパターンを形成
する工程と、このレジストパターンをマスクに前記第２
の膜続いて前記第１の膜を除去する工程と、前記レジス
トパターンを除去する工程とを含む投影露光用基板の製
造方法を提供することを特徴とする。
【０００９】第二の発明は透明基板上に第１の膜及び第
２の膜より成る所望パターンを形成する際に、前記透明
基板上に前記所望パターンより大きめに前記第１の膜を
形成する工程と、前記透明基板上にレジスト層を形成し
た後、前記所望パターンに対応する部分のレジスト層を
除去し溝を形成する工程と、この溝に前記第１の膜より
高い強度透過率を有する前記第２の膜を形成する工程
と、前記レジスト層を除去する工程と、前記第２の膜を
マスクに前記第１の膜を除去する工程とを含む投影露光
用基板の製造方法を提供することを特徴とする。
２の膜より成る所望パターンを形成する際に、前記透明
基板上に前記所望パターンより大きめに前記第１の膜を
形成する工程と、前記透明基板上にレジスト層を形成し
た後、前記所望パターンに対応する部分のレジスト層を
除去し溝を形成する工程と、この溝に前記第１の膜より
高い強度透過率を有する前記第２の膜を形成する工程
と、前記レジスト層を除去する工程と、前記第２の膜を
マスクに前記第１の膜を除去する工程とを含む投影露光
用基板の製造方法を提供することを特徴とする。
【００１０】第三の発明は透明基板上に第１の膜及び第
２の膜より成る所望パターンを形成する際に、前記透明
基板上に前記所望パターンより大きめに前記第１の膜を
形成する工程と、前記透明基板上にレジスト層を形成す
る工程と、前記第２の膜より成る所望パターンに対応す
る部分より大きめにレジスト層を除去し溝を形成する工
程と、この溝に第２の膜を形成する工程と、前記レジス
ト層を除去する工程と、前記透明基板上に前記所望パタ
ーンに対応してレジストパターンを形成する工程と、こ
のレジストパターンをマスクに前記第２の膜続いて前記
第１の膜を除去する工程と、前記レジストパターンを除
去する工程とを含む投影露光用基板の製造方法を提供す
ることを特徴とする。
２の膜より成る所望パターンを形成する際に、前記透明
基板上に前記所望パターンより大きめに前記第１の膜を
形成する工程と、前記透明基板上にレジスト層を形成す
る工程と、前記第２の膜より成る所望パターンに対応す
る部分より大きめにレジスト層を除去し溝を形成する工
程と、この溝に第２の膜を形成する工程と、前記レジス
ト層を除去する工程と、前記透明基板上に前記所望パタ
ーンに対応してレジストパターンを形成する工程と、こ
のレジストパターンをマスクに前記第２の膜続いて前記
第１の膜を除去する工程と、前記レジストパターンを除
去する工程とを含む投影露光用基板の製造方法を提供す
ることを特徴とする。
【００１１】
【作用】初めに、透明基板上に所望寸法より大きめの遮
光膜または半透明膜パターン（第一のパターン）を形成
し、この上に、遮光部、半透明部、透過部からなるすべ
ての所望寸法通りのパターンを含むように半透明膜又は
透過膜パターン（第二のパターン）を形成し、この第二
のパターンをマスクに第一のパターンの突出部を除去す
ることにより、パターン相互間の位置合わせ精度が良
い、投影露光用基板の製造が可能となる。
光膜または半透明膜パターン（第一のパターン）を形成
し、この上に、遮光部、半透明部、透過部からなるすべ
ての所望寸法通りのパターンを含むように半透明膜又は
透過膜パターン（第二のパターン）を形成し、この第二
のパターンをマスクに第一のパターンの突出部を除去す
ることにより、パターン相互間の位置合わせ精度が良
い、投影露光用基板の製造が可能となる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。 （実施例１）
詳細に説明する。 （実施例１）
【００１３】第１の実施例はｇ線用のハーフトーン型投
影露光用基板作成に関するものである。図１は所望のパ
ターン図であり、図１上のパターン10は、投影露光用装
置または加工基板とのアライメントに必要とされるアラ
イメントマークである。また、図２〜図８はこのパター
ンの製造工程図である。
影露光用基板作成に関するものである。図１は所望のパ
ターン図であり、図１上のパターン10は、投影露光用装
置または加工基板とのアライメントに必要とされるアラ
イメントマークである。また、図２〜図８はこのパター
ンの製造工程図である。
【００１４】ここで、図中（ａ）はいずれも平面図、
（ｂ）はＡ−Ａ´での断面図である。まず、Ｓｉ基板10
0 上に、スパッタリングによりＣｒを７００オングスト
ローム、続いてＣｒＯｘを３００オングストロームの厚
さに蒸着する。
（ｂ）はＡ−Ａ´での断面図である。まず、Ｓｉ基板10
0 上に、スパッタリングによりＣｒを７００オングスト
ローム、続いてＣｒＯｘを３００オングストロームの厚
さに蒸着する。
【００１５】次に、ＥＢ用レジスト（東レ製ＥＢＲ−
９）を０．５μｍの厚さに塗布し、次いで電子線による
第一の描画を行った後、現像を施しレジストパターンを
形成する。
９）を０．５μｍの厚さに塗布し、次いで電子線による
第一の描画を行った後、現像を施しレジストパターンを
形成する。
【００１６】次に、このレジストパターンをマスクと
し、硝酸セリウム第二アンモニウム溶液によりウエット
エッチングを行い、Ｃｒ／ＣｒＯｘパターン101 を形成
する。この時形成されたＣｒパターン101 は所望の寸法
に対し、後の第二の描画によりパターンを形成する際の
アライメント精度相当分、例えば０．２μｍだけ大きめ
に形成する（図２）。
し、硝酸セリウム第二アンモニウム溶液によりウエット
エッチングを行い、Ｃｒ／ＣｒＯｘパターン101 を形成
する。この時形成されたＣｒパターン101 は所望の寸法
に対し、後の第二の描画によりパターンを形成する際の
アライメント精度相当分、例えば０．２μｍだけ大きめ
に形成する（図２）。
【００１７】次いで基板全面に、Ｓｉ膜102 を膜厚６１
０オングストロームに制御してスパッタにより蒸着す
る。この時のＳｉ膜102 の膜厚は、Ｓｉ膜102 の透過光
がＳｉ基板100 の透過光に対し、位相差が１８０°とな
るように、（２ｋ＋１）λ／（ｎ−１）（λ：露光光の
波長、ｎ：屈折率、ｋ：整数）の式に従って設定する。
Ｓｉ膜102 の水銀ランプのｇ線（λ＝４３６ｎｍ）に対
する屈折率はｎ＝４．５７、消衰係数はａ＝２．８０×
１０-3（Ａ-1）であり、上述の式に、この消衰係数の項
を加えることにより、位相差１８０°を生じる、より厳
密な膜厚を算出することも可能である。尚、ここで形成
されたＳｉ膜のｇ線に対する強度透過率は１５％であっ
た（図３）。
０オングストロームに制御してスパッタにより蒸着す
る。この時のＳｉ膜102 の膜厚は、Ｓｉ膜102 の透過光
がＳｉ基板100 の透過光に対し、位相差が１８０°とな
るように、（２ｋ＋１）λ／（ｎ−１）（λ：露光光の
波長、ｎ：屈折率、ｋ：整数）の式に従って設定する。
Ｓｉ膜102 の水銀ランプのｇ線（λ＝４３６ｎｍ）に対
する屈折率はｎ＝４．５７、消衰係数はａ＝２．８０×
１０-3（Ａ-1）であり、上述の式に、この消衰係数の項
を加えることにより、位相差１８０°を生じる、より厳
密な膜厚を算出することも可能である。尚、ここで形成
されたＳｉ膜のｇ線に対する強度透過率は１５％であっ
た（図３）。
【００１８】次に、この基板上にシプレー社製電子線用
レジスト（ＳＡＬ−６０１）103 を０．５μｍの厚さに
形成した後、更にその上に、電子線描画の際のチャージ
アップ防止のための導電性膜104 を０．２μｍの厚さに
形成する（図４）。次に、この導電性膜104 及び電子線
用レジスト103 に電子線により照射量３μＪ／ｃｍ2 で
第二の描画を行なう。次に現像を行ってレジストパター
ン105 を形成する。この時形成されたパターンは遮光
部、半透明部のすべての部分を含むようにする（図
５）。
レジスト（ＳＡＬ−６０１）103 を０．５μｍの厚さに
形成した後、更にその上に、電子線描画の際のチャージ
アップ防止のための導電性膜104 を０．２μｍの厚さに
形成する（図４）。次に、この導電性膜104 及び電子線
用レジスト103 に電子線により照射量３μＪ／ｃｍ2 で
第二の描画を行なう。次に現像を行ってレジストパター
ン105 を形成する。この時形成されたパターンは遮光
部、半透明部のすべての部分を含むようにする（図
５）。
【００１９】次に、形成されたレジストパターン105 を
マスクとし、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスによるリアクティ
ブイオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジストの開孔
部のＳｉ膜106 を除去する（図６）。更にＣｌ2 とＯ2
の混合ガスによるＲＩＥにより、レジストの開孔部のＣ
ｒＯｘ／Ｃｒ膜107 を除去する（図７）。
マスクとし、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスによるリアクティ
ブイオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジストの開孔
部のＳｉ膜106 を除去する（図６）。更にＣｌ2 とＯ2
の混合ガスによるＲＩＥにより、レジストの開孔部のＣ
ｒＯｘ／Ｃｒ膜107 を除去する（図７）。
【００２０】次いでレジストを除去し、所望のパターン
108 及び半透明膜パターン102 を形成する。この半透明
膜パターン102 は前述したように、このパターンの透過
光が基板の透過光に対し位相差が１８０°となるように
膜厚制御されているので、逆位相の光振幅が足し合わさ
れることにより、シフタのエッジ部において光強度が零
となり、従来より微細なパターンの形成が可能となる
（図８）。
108 及び半透明膜パターン102 を形成する。この半透明
膜パターン102 は前述したように、このパターンの透過
光が基板の透過光に対し位相差が１８０°となるように
膜厚制御されているので、逆位相の光振幅が足し合わさ
れることにより、シフタのエッジ部において光強度が零
となり、従来より微細なパターンの形成が可能となる
（図８）。
【００２１】本手法において、位相シフタとなるＳｉ膜
の形成をＣＶＤ等により行っても良い。また基板との位
相差が解像度向上効果をもたらす範囲内ならば、Ｓｉ膜
厚を変化させても良い。
の形成をＣＶＤ等により行っても良い。また基板との位
相差が解像度向上効果をもたらす範囲内ならば、Ｓｉ膜
厚を変化させても良い。
【００２２】なお、本発明で微細パターンのみからなる
マスクパターンを形成する場合、ＣｒＯｘ／Ｃｒ膜の代
わりに厚さが６１０オングストロームの半透過膜Ｓｉを
用いることでも良好な結果を得られる。また、Ｓｉの代
わりにＳｉと透過率、屈折率等比較的膜質が似かよって
いるＳｉＮ、Ｇｅ等の材料を用いることも可能である。
マスクパターンを形成する場合、ＣｒＯｘ／Ｃｒ膜の代
わりに厚さが６１０オングストロームの半透過膜Ｓｉを
用いることでも良好な結果を得られる。また、Ｓｉの代
わりにＳｉと透過率、屈折率等比較的膜質が似かよって
いるＳｉＮ、Ｇｅ等の材料を用いることも可能である。
【００２３】本マスクを用いて、ポジ型レジストＰＦＲ
−ＧＸ２５０（日本合成ゴム社製）を１．３μｍの厚さ
に塗布したウエハーに、ＮＡ＝０．５４，σ＝０．５の
ｇ線ステッパーで、縮小投影露光を行った。この際に、
本マスク上のアライメントマーク10は投影露光用装置ま
たは加工基板とのアライメントに用いた。この結果、従
来では、フォーカスマージン０．２μｍの、０．４５μ
ｍのパターンにおいて、フォーカスマージンが１．０μ
ｍまで向上した。
−ＧＸ２５０（日本合成ゴム社製）を１．３μｍの厚さ
に塗布したウエハーに、ＮＡ＝０．５４，σ＝０．５の
ｇ線ステッパーで、縮小投影露光を行った。この際に、
本マスク上のアライメントマーク10は投影露光用装置ま
たは加工基板とのアライメントに用いた。この結果、従
来では、フォーカスマージン０．２μｍの、０．４５μ
ｍのパターンにおいて、フォーカスマージンが１．０μ
ｍまで向上した。
【００２４】また、従来、比較的広い遮光パターンにお
いては、サイドローブの影響により、パターン中央部に
光強度の増加が見られ、これがレジストパターンにも影
響し、ポジ型レジストを使用する場合は、レジストパタ
ーン中央部に窪みが生じるという現象がみられていた
が、本マスクを使用した場合、１．２μｍパターンも、
パターン中央部の窪みが生じること無く形成することが
出来た。
いては、サイドローブの影響により、パターン中央部に
光強度の増加が見られ、これがレジストパターンにも影
響し、ポジ型レジストを使用する場合は、レジストパタ
ーン中央部に窪みが生じるという現象がみられていた
が、本マスクを使用した場合、１．２μｍパターンも、
パターン中央部の窪みが生じること無く形成することが
出来た。
【００２５】また、この時の遮光膜、半透明膜で形成さ
れたパターンの位置ずれは、本手法を用いない場合、投
影基板上で０．１５μｍ（転写基板上０．０３μｍ）で
あったが、本手法では測定限界以下であった。 （実施例２）
れたパターンの位置ずれは、本手法を用いない場合、投
影基板上で０．１５μｍ（転写基板上０．０３μｍ）で
あったが、本手法では測定限界以下であった。 （実施例２）
【００２６】第２の実施例は、ｇ線用のシフタエッジ型
投影露光用基板作成に関するものである。図１は所望の
パターン図を示し、図１上のパターン10は、投影露光用
装置または加工基板とのアライメントに必要とされるア
ライメントマークである。また、図９〜図１２はこのパ
ターンの製造工程図であり、ここで、図中（ａ）はいず
れも平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ´での断面図である。ま
ず、Ｓｉ基板200 上にＣｒを７００オングストローム、
続いてＣｒＯｘを３００オングストロームの厚さに形成
する。
投影露光用基板作成に関するものである。図１は所望の
パターン図を示し、図１上のパターン10は、投影露光用
装置または加工基板とのアライメントに必要とされるア
ライメントマークである。また、図９〜図１２はこのパ
ターンの製造工程図であり、ここで、図中（ａ）はいず
れも平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ´での断面図である。ま
ず、Ｓｉ基板200 上にＣｒを７００オングストローム、
続いてＣｒＯｘを３００オングストロームの厚さに形成
する。
【００２７】次にＥＢ用レジスト（東レ製ＥＢＲ−９）
を０．５μｍの厚さに形成し、次いで電子線による第一
の描画を行った後、現像を施しレジストパターンを形成
する。
を０．５μｍの厚さに形成し、次いで電子線による第一
の描画を行った後、現像を施しレジストパターンを形成
する。
【００２８】このレジストパターンをマスクとし、硝酸
セリウム第二アンモニウム溶液によりウエットエッチン
グを行いＣｒ／ＣｒＯｘパターン201 を形成する。この
時形成したＣｒパターンは所望の寸法に対し、後の第二
の描画によりパターンを形成する際のアライメント精度
相当分、例えば０．２μｍ大きめに形成する（図９）。
セリウム第二アンモニウム溶液によりウエットエッチン
グを行いＣｒ／ＣｒＯｘパターン201 を形成する。この
時形成したＣｒパターンは所望の寸法に対し、後の第二
の描画によりパターンを形成する際のアライメント精度
相当分、例えば０．２μｍ大きめに形成する（図９）。
【００２９】次いでｉ線用レジストを０．８μｍの厚さ
に塗布し、光露光装置により露光を行い、現像を行っ
て、形成すべき所望パターン以外の部分にレジストパタ
ーン205 を設ける。
に塗布し、光露光装置により露光を行い、現像を行っ
て、形成すべき所望パターン以外の部分にレジストパタ
ーン205 を設ける。
【００３０】次いでレジストパターン開孔部にＳｉＯ2
膜202 をスパッタ法により、６１０オングストロームの
厚さに堆積させる。ここで形成されたＳｉＯ2 膜202 の
ｇ線に対する強度透過率はほぼ１００％であった（図１
０）。
膜202 をスパッタ法により、６１０オングストロームの
厚さに堆積させる。ここで形成されたＳｉＯ2 膜202 の
ｇ線に対する強度透過率はほぼ１００％であった（図１
０）。
【００３１】次にレジスト上のＳｉＯ2 膜及びレジスト
205 を除去する。この時形成したＳｉＯ2 パターン202
は遮光部、半透明部のすべての部分を含むようにした
（図１１）。
205 を除去する。この時形成したＳｉＯ2 パターン202
は遮光部、半透明部のすべての部分を含むようにした
（図１１）。
【００３２】次いでＣｌ2 とＯ2 の混合ガスによるＲＩ
Ｅにより、ＳｉＯ2 の開孔部のＣｒＯｘ／Ｃｒ膜207 を
除去し、所望のパターン208 及び透明膜パターン202 を
形成する。この透明膜パターン202 は前述したように、
このパターンの透過光が基板の透過光に対し位相差が１
８０°となるように膜厚制御されているので、逆位相の
光振幅が足し合わされることにより、基板との境界部に
おいて光強度が零となり、従来より微細なパターンの形
成が可能となる（図１２）。本手法において、ＳｉＯ2
シフタ膜の形成をＣＶＤ等により行っても良い。またＳ
ｉＯ2 膜の厚さを、本発明の趣旨を逸脱しない範囲にお
いて変化させてもよい。また、ＳｉＯ2 の代わりにＳｉ
Ｏ2 と透過率、屈折率等比較的膜質が似かよっているＭ
ｇＦ2 、ＣａＦ2 等を用いても良い。
Ｅにより、ＳｉＯ2 の開孔部のＣｒＯｘ／Ｃｒ膜207 を
除去し、所望のパターン208 及び透明膜パターン202 を
形成する。この透明膜パターン202 は前述したように、
このパターンの透過光が基板の透過光に対し位相差が１
８０°となるように膜厚制御されているので、逆位相の
光振幅が足し合わされることにより、基板との境界部に
おいて光強度が零となり、従来より微細なパターンの形
成が可能となる（図１２）。本手法において、ＳｉＯ2
シフタ膜の形成をＣＶＤ等により行っても良い。またＳ
ｉＯ2 膜の厚さを、本発明の趣旨を逸脱しない範囲にお
いて変化させてもよい。また、ＳｉＯ2 の代わりにＳｉ
Ｏ2 と透過率、屈折率等比較的膜質が似かよっているＭ
ｇＦ2 、ＣａＦ2 等を用いても良い。
【００３３】本マスクを用いて、ポジ型レジストＰＦＲ
−ＧＸ２５０（日本合成ゴム社製）を１．３μｍの厚さ
に塗布したウエハーに、ＮＡ＝０．５４，σ＝０．５の
ｇ線ステッパーで、投影露光を行った。この際に、本マ
スク上のアライメントマーク10は投影露光用装置または
加工基板とのアライメントに用いた。この結果、従来で
は、フォーカスマージン０．２μｍの、０．４５μｍの
パターンにおいて、フォーカスマージンが１．０μｍま
で向上した。
−ＧＸ２５０（日本合成ゴム社製）を１．３μｍの厚さ
に塗布したウエハーに、ＮＡ＝０．５４，σ＝０．５の
ｇ線ステッパーで、投影露光を行った。この際に、本マ
スク上のアライメントマーク10は投影露光用装置または
加工基板とのアライメントに用いた。この結果、従来で
は、フォーカスマージン０．２μｍの、０．４５μｍの
パターンにおいて、フォーカスマージンが１．０μｍま
で向上した。
【００３４】また、従来、比較的広い遮光パターンにお
いては、サイドローブの影響により、パターン中央部に
光強度の増加が見られ、これがレジストパターンにも影
響し、ポジ型レジストを使用する場合は、レジストパタ
ーン中央部に窪みが生じるという現象がみられていた
が、本マスクを使用した場合、１．２μｍパターンも、
パターン中央部の窪みが生じること無く形成することが
出来た。
いては、サイドローブの影響により、パターン中央部に
光強度の増加が見られ、これがレジストパターンにも影
響し、ポジ型レジストを使用する場合は、レジストパタ
ーン中央部に窪みが生じるという現象がみられていた
が、本マスクを使用した場合、１．２μｍパターンも、
パターン中央部の窪みが生じること無く形成することが
出来た。
【００３５】また、この時の遮光膜、半透明膜で形成さ
れたパターンの位置ずれは、本手法を用いない場合、投
影基板上で０．１５μｍ（転写基板上０．０３μｍ）で
あったが、本手法では測定限界以下であった。 （実施例３）
れたパターンの位置ずれは、本手法を用いない場合、投
影基板上で０．１５μｍ（転写基板上０．０３μｍ）で
あったが、本手法では測定限界以下であった。 （実施例３）
【００３６】第３の実施例はｉ線用のハーフトーン型投
影露光用基板作成に関するものである。図１は所望のパ
ターンの図であり、図１上のパターン10は、投影露光用
装置または加工基板とのアライメントに必要とされるア
ライメントマークである。また、図１３〜図１９はこの
パターンの製造工程図である。ここで、図中（ａ）はい
ずれも平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ´での断面図である。ま
ず、Ｓｉ基板300 上にＣｒを７００オングストローム、
続いてＣｒＯｘを３００オングストロームの厚さに形成
する。
影露光用基板作成に関するものである。図１は所望のパ
ターンの図であり、図１上のパターン10は、投影露光用
装置または加工基板とのアライメントに必要とされるア
ライメントマークである。また、図１３〜図１９はこの
パターンの製造工程図である。ここで、図中（ａ）はい
ずれも平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ´での断面図である。ま
ず、Ｓｉ基板300 上にＣｒを７００オングストローム、
続いてＣｒＯｘを３００オングストロームの厚さに形成
する。
【００３７】次に、東レ製ＥＢＲ−９レジストを膜厚
０．５μｍで形成し、次いで電子線による第一の描画を
行った後、現像を施しレジストパターンを形成する。こ
のレジストパターンをマスクとし硝酸セリウム第二アン
モニウム溶液によりウエットエッチングを行い、Ｃｒ／
ＣｒＯｘパターン301 を形成する。この時形成したＣｒ
パターンは所望の寸法に対し、後の第二の描画によりパ
ターンを形成する際のアライメント精度相当分、例えば
０．２μｍだけ大きめに形成する（図１３）。次いで、
Ｓｉ膜302 を例えば、ｉ線に対する振幅透過率が１６％
になるように、膜厚を３７０オングストロームに制御し
て形成する。
０．５μｍで形成し、次いで電子線による第一の描画を
行った後、現像を施しレジストパターンを形成する。こ
のレジストパターンをマスクとし硝酸セリウム第二アン
モニウム溶液によりウエットエッチングを行い、Ｃｒ／
ＣｒＯｘパターン301 を形成する。この時形成したＣｒ
パターンは所望の寸法に対し、後の第二の描画によりパ
ターンを形成する際のアライメント精度相当分、例えば
０．２μｍだけ大きめに形成する（図１３）。次いで、
Ｓｉ膜302 を例えば、ｉ線に対する振幅透過率が１６％
になるように、膜厚を３７０オングストロームに制御し
て形成する。
【００３８】更にこの上にＳｉＯ2 膜303 を１５００オ
ングストロームの厚さに形成する。このとき形成された
ＳｉとＳｉＯ2 の積層膜は、水銀ランプのｉ線に対し、
位相差１８０°、強度透過率１．５％を示した（図１
４）。
ングストロームの厚さに形成する。このとき形成された
ＳｉとＳｉＯ2 の積層膜は、水銀ランプのｉ線に対し、
位相差１８０°、強度透過率１．５％を示した（図１
４）。
【００３９】次に、この基板上にシプレー社製電子線用
レジストＳＡＬ−６０１ 304を０．５μｍの厚さに形成
し、更にその上にＥＢ描画の際のチャージアップを防止
するために導電性膜305 を０．２μｍの厚さに形成する
（図１５）。
レジストＳＡＬ−６０１ 304を０．５μｍの厚さに形成
し、更にその上にＥＢ描画の際のチャージアップを防止
するために導電性膜305 を０．２μｍの厚さに形成する
（図１５）。
【００４０】次に、導電性膜305 及び電子線用レジスト
304 に電子線により照射量３μＪ／ｃｍ2 で第二の描画
を行う。更に現像を行ってレジストパターン306 を得る
（図１６）。
304 に電子線により照射量３μＪ／ｃｍ2 で第二の描画
を行う。更に現像を行ってレジストパターン306 を得る
（図１６）。
【００４１】次に、この形成されたレジストパターン30
6 をマスクとし、ＣＦ4 ガスによるリアクティブイオン
エッチング（ＲＩＥ）により、レジストの開孔部のＳｉ
Ｏ2307 を除去し、更にＣＦ4 とＯ2 の混合ガスによる
ＲＩＥにより、レジストの開孔部のＳｉ308 を除去する
（図１７）。次にＣｌ2 とＯ2 の混合ガスによるＲＩＥ
により、レジストの開孔部のＣｒＯｘ／Ｃｒ膜309 を除
去する（図１８）。
6 をマスクとし、ＣＦ4 ガスによるリアクティブイオン
エッチング（ＲＩＥ）により、レジストの開孔部のＳｉ
Ｏ2307 を除去し、更にＣＦ4 とＯ2 の混合ガスによる
ＲＩＥにより、レジストの開孔部のＳｉ308 を除去する
（図１７）。次にＣｌ2 とＯ2 の混合ガスによるＲＩＥ
により、レジストの開孔部のＣｒＯｘ／Ｃｒ膜309 を除
去する（図１８）。
【００４２】次いでレジスト306 を除去し、所望のパタ
ーン310 及び半透明膜パターン311を形成する。この半
透明膜パターン311 は前述したように、このパターンの
透過光が基板の透過光に対し位相差が１８０°となるよ
うに膜厚制御されているので、逆位相の光振幅が足し合
わされることにより、基板との境界部において光強度が
零となり、従来より微細なパターンの形成が可能となる
（図１９）。
ーン310 及び半透明膜パターン311を形成する。この半
透明膜パターン311 は前述したように、このパターンの
透過光が基板の透過光に対し位相差が１８０°となるよ
うに膜厚制御されているので、逆位相の光振幅が足し合
わされることにより、基板との境界部において光強度が
零となり、従来より微細なパターンの形成が可能となる
（図１９）。
【００４３】本手法において、ＳｉとＳｉＯ2 の積層膜
から成るシフタ膜の形成をＣＶＤ等により行っても良
い。またＳｉ膜、ＳｉＯ2 膜の厚さを、本発明の趣旨を
逸脱しない範囲において変化させても良い。
から成るシフタ膜の形成をＣＶＤ等により行っても良
い。またＳｉ膜、ＳｉＯ2 膜の厚さを、本発明の趣旨を
逸脱しない範囲において変化させても良い。
【００４４】また、Ｓｉの代わりにＳｉと透過率、屈折
率等比較的膜質が似かよっているＳｉＮ、Ｇｅ等の材料
を用いることも可能である。また、ＳｉＯ2 の代わりに
ＳｉＯ2 と透過率、屈折率等比較的膜質が似かよってい
るＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等も用いることも可能である。
率等比較的膜質が似かよっているＳｉＮ、Ｇｅ等の材料
を用いることも可能である。また、ＳｉＯ2 の代わりに
ＳｉＯ2 と透過率、屈折率等比較的膜質が似かよってい
るＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等も用いることも可能である。
【００４５】本マスクを用いて、ポジ型レジストＰＦＲ
−ｉＸ５００（日本合成ゴム社製）を１．３μｍの厚さ
に塗布したウエハーに、ＮＡ＝０．５，σ＝０．５のｉ
線ステッパーで、投影露光を行った。この際に、本マス
ク上のアライメントマーク10は投影露光用装置または加
工基板とのアライメントに用いた。この結果、従来で
は、フォーカスマージン０．２μｍの、０．３５μｍの
パターンにおいて、フォーカスマージンが１．０μｍま
で向上した。
−ｉＸ５００（日本合成ゴム社製）を１．３μｍの厚さ
に塗布したウエハーに、ＮＡ＝０．５，σ＝０．５のｉ
線ステッパーで、投影露光を行った。この際に、本マス
ク上のアライメントマーク10は投影露光用装置または加
工基板とのアライメントに用いた。この結果、従来で
は、フォーカスマージン０．２μｍの、０．３５μｍの
パターンにおいて、フォーカスマージンが１．０μｍま
で向上した。
【００４６】また、従来、比較的広い遮光パターンにお
いては、サイドローブの影響により、パターン中央部に
光強度の増加が見られ、これがレジストパターンにも影
響し、ポジ型レジストを使用する場合は、レジストパタ
ーン中央部に窪みが生じるという現象がみられていた
が、本マスクを使用した場合、１．２μｍパターンも、
パターン中央部の窪みが生じること無く形成することが
出来た。また、この時の遮光膜、半透明膜で形成された
パターンの位置ずれは、本手法を用いない場合投影基板
上で０．１５μｍ（転写基板上０．０３μｍ）であった
が、本手法では測定限界以下であった。 （実施例４）
いては、サイドローブの影響により、パターン中央部に
光強度の増加が見られ、これがレジストパターンにも影
響し、ポジ型レジストを使用する場合は、レジストパタ
ーン中央部に窪みが生じるという現象がみられていた
が、本マスクを使用した場合、１．２μｍパターンも、
パターン中央部の窪みが生じること無く形成することが
出来た。また、この時の遮光膜、半透明膜で形成された
パターンの位置ずれは、本手法を用いない場合投影基板
上で０．１５μｍ（転写基板上０．０３μｍ）であった
が、本手法では測定限界以下であった。 （実施例４）
【００４７】第４の実施例は、ｇ線用のシフタエッジ型
投影露光用基板作成に関するものである。図１は所望の
パターンの構成図であり、図１上のパターン10は、投影
露光用装置または加工基板とのアライメントに必要とさ
れるアライメントマークである。また、図２０〜図２６
はこのパターンの製造工程図である。ここで、図中
（ａ）はいずれも平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ´での断面図
である。まず、Ｓｉ基板400 上にＣｒを７００オングス
トローム、続いてＣｒＯｘを３００オングストロームの
厚さに形成する。
投影露光用基板作成に関するものである。図１は所望の
パターンの構成図であり、図１上のパターン10は、投影
露光用装置または加工基板とのアライメントに必要とさ
れるアライメントマークである。また、図２０〜図２６
はこのパターンの製造工程図である。ここで、図中
（ａ）はいずれも平面図、（ｂ）はＤ−Ｄ´での断面図
である。まず、Ｓｉ基板400 上にＣｒを７００オングス
トローム、続いてＣｒＯｘを３００オングストロームの
厚さに形成する。
【００４８】次に、この上に東レ製ＥＢＲ−９レジスト
を０．５μｍの厚さに形成し、次いで電子線による第一
の描画を行った後、現像を施しレジストパターンを形成
する。
を０．５μｍの厚さに形成し、次いで電子線による第一
の描画を行った後、現像を施しレジストパターンを形成
する。
【００４９】次にこのレジストパターンをマスクとし硝
酸セリウム第二アンモニウム溶液によりウエットエッチ
ングを行いＣｒ／ＣｒＯｘパターン401 を形成する。こ
の時形成したＣｒパターン401 は所望の寸法に対し、後
の第三の露光によりパターンを形成する際のアライメン
ト精度相当分、例えば０．２μｍだけ大きめに形成する
（図２０）。次いでｉ線用レジストを０．８μｍの厚さ
に塗布し、光露光装置により露光を行い、レジストパタ
ーン402 を形成する（図２１）。
酸セリウム第二アンモニウム溶液によりウエットエッチ
ングを行いＣｒ／ＣｒＯｘパターン401 を形成する。こ
の時形成したＣｒパターン401 は所望の寸法に対し、後
の第三の露光によりパターンを形成する際のアライメン
ト精度相当分、例えば０．２μｍだけ大きめに形成する
（図２０）。次いでｉ線用レジストを０．８μｍの厚さ
に塗布し、光露光装置により露光を行い、レジストパタ
ーン402 を形成する（図２１）。
【００５０】次いでレジストパターン開孔部にＳｉＯ2
403 を液相成長法により６１０オングストロームの厚さ
に堆積させ（図２２）、さらにレジストパターン402 を
除去する。この時形成されたＳｉＯ2 パターン403 はｇ
線に対する強度透過率が１００％、基板に対する位相差
が１８０°であった。またこのＳｉＯ2 パターン403は
所望の寸法に対し、後の第三の露光によりパターンを形
成する際のアライメント精度相当分だけ、例えば０．２
μｍだけ大きめに形成する（図２３）。次いでｉ線用レ
ジストを０．８μｍの厚さに塗布し、光露光装置により
第三の露光を行い、現像を行って、レジストパターン40
4 を形成する（図２４）。
403 を液相成長法により６１０オングストロームの厚さ
に堆積させ（図２２）、さらにレジストパターン402 を
除去する。この時形成されたＳｉＯ2 パターン403 はｇ
線に対する強度透過率が１００％、基板に対する位相差
が１８０°であった。またこのＳｉＯ2 パターン403は
所望の寸法に対し、後の第三の露光によりパターンを形
成する際のアライメント精度相当分だけ、例えば０．２
μｍだけ大きめに形成する（図２３）。次いでｉ線用レ
ジストを０．８μｍの厚さに塗布し、光露光装置により
第三の露光を行い、現像を行って、レジストパターン40
4 を形成する（図２４）。
【００５１】次に、Ｃｌ2 を用いたリアクティブイオン
エッチングにより第三の露光で形成したレジストパター
ンより突出しているＣｒＯｘ／Ｃｒ405 及びＳｉＯ2 40
6 を除去する（図２５）。
エッチングにより第三の露光で形成したレジストパター
ンより突出しているＣｒＯｘ／Ｃｒ405 及びＳｉＯ2 40
6 を除去する（図２５）。
【００５２】さらにレジストを剥離して所望のマスクパ
ターン401 及び透明膜パターン408を得る。この半透明
膜パターン408 は前述したように、このパターンの透過
光が基板の透過光に対し位相差が１８０°となるように
膜厚制御されているので、逆位相の光振幅が足し合わさ
れることにより、基板との境界部において光強度が零と
なり、従来より微細なパターンの形成が可能となる（図
２６）。
ターン401 及び透明膜パターン408を得る。この半透明
膜パターン408 は前述したように、このパターンの透過
光が基板の透過光に対し位相差が１８０°となるように
膜厚制御されているので、逆位相の光振幅が足し合わさ
れることにより、基板との境界部において光強度が零と
なり、従来より微細なパターンの形成が可能となる（図
２６）。
【００５３】本手法において、ＳｉＯ2 によるシフタ膜
の形成をＣＶＤ等により行っても良い。またＳｉＯ2 膜
の厚さを、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において変化
させても良い。また、ＳｉＯ2 の代わりにＳｉＯ2 と透
過率、屈折率等比較的膜質が似かよっているＭｇＦ2 、
ＣａＦ2 等の材料を用いることも可能である。
の形成をＣＶＤ等により行っても良い。またＳｉＯ2 膜
の厚さを、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において変化
させても良い。また、ＳｉＯ2 の代わりにＳｉＯ2 と透
過率、屈折率等比較的膜質が似かよっているＭｇＦ2 、
ＣａＦ2 等の材料を用いることも可能である。
【００５４】本マスクを用いて、ポジ型レジストＰＦＲ
−ＧＸ２５０（日本合成ゴム社製）を１．３μｍの厚さ
に塗布したウエハーに、ＮＡ＝０．５４，σ＝０．５の
ｇ線ステッパーで、投影露光を行った。この際に、本マ
スク上のアライメントマーク10は投影露光用装置または
加工基板とのアライメントに用いた。この結果、従来で
は、フォーカスマージン０．２μｍの、０．４５μｍの
パターンにおいて、フォーカスマージンが１．０μｍま
で向上した。
−ＧＸ２５０（日本合成ゴム社製）を１．３μｍの厚さ
に塗布したウエハーに、ＮＡ＝０．５４，σ＝０．５の
ｇ線ステッパーで、投影露光を行った。この際に、本マ
スク上のアライメントマーク10は投影露光用装置または
加工基板とのアライメントに用いた。この結果、従来で
は、フォーカスマージン０．２μｍの、０．４５μｍの
パターンにおいて、フォーカスマージンが１．０μｍま
で向上した。
【００５５】また、従来、比較的広い遮光パターンにお
いては、サイドローブの影響により、パターン中央部に
光強度の増加が見られ、これがレジストパターンにも影
響し、ポジ型レジストを使用する場合は、レジストパタ
ーン中央部に窪みが生じるという現象がみられていた
が、本マスクを使用した場合、１．２μｍパターンも、
パターン中央部の窪みが生じること無く形成することが
出来た。また、この時の遮光膜、半透明膜で形成された
パターンの位置ずれは、本手法を用いない場合投影基板
上で０．１５μｍ（転写基板上０．０３μｍ）であった
が、本手法では測定限界以下であった。
いては、サイドローブの影響により、パターン中央部に
光強度の増加が見られ、これがレジストパターンにも影
響し、ポジ型レジストを使用する場合は、レジストパタ
ーン中央部に窪みが生じるという現象がみられていた
が、本マスクを使用した場合、１．２μｍパターンも、
パターン中央部の窪みが生じること無く形成することが
出来た。また、この時の遮光膜、半透明膜で形成された
パターンの位置ずれは、本手法を用いない場合投影基板
上で０．１５μｍ（転写基板上０．０３μｍ）であった
が、本手法では測定限界以下であった。
【００５６】尚、実験より、本実施例において透明基板
の露光波長における強度透過率は６０％以上であり、透
過部の透明基板に対する強度透過率は９０％以上である
ことが望ましいことがわかっている。また、遮光部の透
明基板に対する強度透過率は１％以下であることが望ま
しい。さらに、半透明部の透明基板に対する強度透過率
は１％以上１５％以下であることが望ましい。
の露光波長における強度透過率は６０％以上であり、透
過部の透明基板に対する強度透過率は９０％以上である
ことが望ましいことがわかっている。また、遮光部の透
明基板に対する強度透過率は１％以下であることが望ま
しい。さらに、半透明部の透明基板に対する強度透過率
は１％以上１５％以下であることが望ましい。
【００５７】また、透明膜または半透明膜で形成された
位相シフタを透過する露光光の位相が、透明基板を透過
する露光光の位相に対し、１８０°×（２ｎ＋１）±１
０°（ｎ：整数）の関係をみたす場合に、位相シフトに
よる解像度向上効果またはフォーカスマージン拡大効果
が良好であることが分かっている。
位相シフタを透過する露光光の位相が、透明基板を透過
する露光光の位相に対し、１８０°×（２ｎ＋１）±１
０°（ｎ：整数）の関係をみたす場合に、位相シフトに
よる解像度向上効果またはフォーカスマージン拡大効果
が良好であることが分かっている。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、第一の膜から成る
パターンを、所望の寸法に対し後の露光のアライメント
精度相当分だけ大きめに形成し、次いで、第二の膜から
成る所望寸法通りのパターンを形成し、このパターンを
マスクに、第一の膜の突出部を除去することにより、第
一のパターンと第二のパターンとの位置合わせ精度の良
い投影露光用基板を形成することが可能である。
パターンを、所望の寸法に対し後の露光のアライメント
精度相当分だけ大きめに形成し、次いで、第二の膜から
成る所望寸法通りのパターンを形成し、このパターンを
マスクに、第一の膜の突出部を除去することにより、第
一のパターンと第二のパターンとの位置合わせ精度の良
い投影露光用基板を形成することが可能である。
【図１】 所望のマスクパターン。
【図２】 実施例１に記載した投影露光用基板の製造工
程図。
程図。
【図３】 実施例１に記載した投影露光用基板の製造工
程図。
程図。
【図４】 実施例１に記載した投影露光用基板の製造工
程図。
程図。
【図５】 実施例１に記載した投影露光用基板の製造工
程図。
程図。
【図６】 実施例１に記載した投影露光用基板の製造工
程図。
程図。
【図７】 実施例１に記載した投影露光用基板の製造工
程図。
程図。
【図８】 実施例１に記載した投影露光用基板の製造工
程図。
程図。
【図９】 実施例２に記載した投影露光用基板の製造工
程図。
程図。
【図１０】 実施例２に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１１】 実施例２に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１２】 実施例２に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１３】 実施例３に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１４】 実施例３に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１５】 実施例３に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１６】 実施例３に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１７】 実施例３に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１８】 実施例３に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図１９】 実施例３に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図２０】 実施例４に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図２１】 実施例４に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図２２】 実施例４に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図２３】 実施例４に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図２４】 実施例４に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図２５】 実施例４に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
【図２６】 実施例４に記載した投影露光用基板の製造
工程図。
工程図。
１０……アライメントマーク １００，２００，３０
０，４００……透明基板 １０１，２０１，３０１，４０１……Ｃｒ／ＣｒＯｘパ
ターン １０２，３０２……Ｓｉ膜 １０３，１０５，
２０５，３０４，３０６，４０２，４０４……レジスト
パターン １０４，３０５……導電性膜 １０６，３０
８……除去されたレジスト開孔部のＳｉ膜 １０７，３
０９，４０５……除去されたレジスト開孔部のＣｒＯｘ
／Ｃｒ膜 １０８……所望のパターン（Ｃｒ／ＣｒＯｘ
＋Ｓｉ膜） ２０２，３０３，４０８……ＳｉＯ2 膜 ２０７……除
去されたＳｉＯ2 開孔部のＣｒＯｘ／Ｃｒ膜 ２０８…
…所望のパターン（Ｃｒ／ＣｒＯｘ＋ＳｉＯ2膜）３０
７，４０６……除去されたレジスト開孔部のＳｉＯ2 膜
３１０……所望のパターン（ＣｒＯｘ／Ｃｒ＋Ｓｉ膜
＋ＳｉＯ2 膜） ３１１……半透明膜パターン（Ｓｉ膜
＋ＳｉＯ2 膜） ４０３……ＬＰＤによるＳｉＯ2 膜
４０７……所望のパターン（ＣｒＯｘ／Ｃｒ膜）。
０，４００……透明基板 １０１，２０１，３０１，４０１……Ｃｒ／ＣｒＯｘパ
ターン １０２，３０２……Ｓｉ膜 １０３，１０５，
２０５，３０４，３０６，４０２，４０４……レジスト
パターン １０４，３０５……導電性膜 １０６，３０
８……除去されたレジスト開孔部のＳｉ膜 １０７，３
０９，４０５……除去されたレジスト開孔部のＣｒＯｘ
／Ｃｒ膜 １０８……所望のパターン（Ｃｒ／ＣｒＯｘ
＋Ｓｉ膜） ２０２，３０３，４０８……ＳｉＯ2 膜 ２０７……除
去されたＳｉＯ2 開孔部のＣｒＯｘ／Ｃｒ膜 ２０８…
…所望のパターン（Ｃｒ／ＣｒＯｘ＋ＳｉＯ2膜）３０
７，４０６……除去されたレジスト開孔部のＳｉＯ2 膜
３１０……所望のパターン（ＣｒＯｘ／Ｃｒ＋Ｓｉ膜
＋ＳｉＯ2 膜） ３１１……半透明膜パターン（Ｓｉ膜
＋ＳｉＯ2 膜） ４０３……ＬＰＤによるＳｉＯ2 膜
４０７……所望のパターン（ＣｒＯｘ／Ｃｒ膜）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に第１の膜及び第２の膜より
成る所望パターンを形成する際に、前記透明基板上に前
記所望パターンより大きめに前記第１の膜を形成する工
程と、前記透明基板上及び前記第１の膜上に前記第１の
膜より高い強度透過率を有する前記第２の膜を形成する
工程と、前記第２の膜上に前記所望パターンに対応して
レジストパターンを形成する工程と、このレジストパタ
ーンをマスクに前記第２の膜続いて前記第１の膜を除去
する工程と、前記レジストパターンを除去する工程とを
含むことを特徴とする投影露光用基板の製造方法。 - 【請求項２】 透明基板上に第１の膜及び第２の膜より
成る所望パターンを形成する際に、前記透明基板上に前
記所望パターンより大きめに前記第１の膜を形成する工
程と、前記透明基板上にレジスト層を形成した後、前記
所望パターンに対応する部分のレジスト層を除去し溝を
形成する工程と、この溝に前記第１の膜より高い強度透
過率を有する前記第２の膜を形成する工程と、前記レジ
スト層を除去する工程と、前記第２の膜をマスクに前記
第１の膜を除去する工程とを含むことを特徴とする投影
露光用基板の製造方法。 - 【請求項３】 透明基板上に第１の膜及び第２の膜より
成る所望パターンを形成する際に、前記透明基板上に前
記所望パターンより大きめに前記第１の膜を形成する工
程と、前記透明基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記第２の膜より成る所望パターンに対応する部分より
大きめにレジスト層を除去し溝を形成する工程と、この
溝に第２の膜を形成する工程と、前記レジスト層を除去
する工程と、前記透明基板上に前記所望パターンに対応
してレジストパターンを形成する工程と、このレジスト
パターンをマスクに前記第２の膜続いて前記第１の膜を
除去する工程と、前記レジストパターンを除去する工程
とを含むことを特徴とする投影露光用基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記第２の膜は単一層あるいは複層であ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の投影露
光用基板の製造方法。 - 【請求項５】 投影露光用装置により、請求項１乃至３
記載の投影露光用基板を用いて感光体に所望のパターン
を転写するパターン形成方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至３記載の投影露光用基板に
近接して感光体を配置し、投影露光用装置により、感光
体に所望のパターンを転写するパターン形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10269592A JP3110855B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法 |
| US08/049,788 US5547787A (en) | 1992-04-22 | 1993-04-21 | Exposure mask, exposure mask substrate, method for fabricating the same, and method for forming pattern based on exposure mask |
| KR93006698A KR0131192B1 (en) | 1992-04-22 | 1993-04-21 | Exposed mask, fabrication method of exposed mask substrate and patterning method based on exposed mask |
| US08/471,782 US5620815A (en) | 1992-04-22 | 1995-06-06 | Exposure mask, exposure mask substrate, method for fabricating the same, and method for forming pattern based on exposure mask |
| US08/757,957 US5679484A (en) | 1992-04-22 | 1996-11-25 | Exposure mask, exposure mask substrate, method for fabricating the same, and method for forming pattern based on exposure mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10269592A JP3110855B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05297565A true JPH05297565A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3110855B2 JP3110855B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=14334398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10269592A Expired - Lifetime JP3110855B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3110855B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997046914A1 (fr) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif a circuit integre a semiconducteur, photomasque et procedes de fabrication d'un photomasque |
| US7060395B2 (en) | 2001-05-01 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method for forming the same,and method for designing mask pattern |
| WO2007102337A1 (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フォトマスク、その作成方法、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法 |
| KR101036438B1 (ko) * | 2005-02-18 | 2011-05-23 | 호야 가부시키가이샤 | 그레이톤 마스크의 제조 방법 및 그레이톤 마스크 |
| JP2017072842A (ja) * | 2016-11-09 | 2017-04-13 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10269592A patent/JP3110855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997046914A1 (fr) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif a circuit integre a semiconducteur, photomasque et procedes de fabrication d'un photomasque |
| US7060395B2 (en) | 2001-05-01 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method for forming the same,and method for designing mask pattern |
| US7361436B2 (en) | 2001-05-01 | 2008-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
| US7364822B2 (en) | 2001-05-01 | 2008-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method for forming the same, and method for forming pattern using the photomask |
| KR101036438B1 (ko) * | 2005-02-18 | 2011-05-23 | 호야 가부시키가이샤 | 그레이톤 마스크의 제조 방법 및 그레이톤 마스크 |
| WO2007102337A1 (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フォトマスク、その作成方法、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法 |
| US7897298B2 (en) | 2006-03-06 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Photomask, photomask fabrication method, pattern formation method using the photomask and mask data creation method |
| JP2017072842A (ja) * | 2016-11-09 | 2017-04-13 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3110855B2 (ja) | 2000-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5234780A (en) | Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same | |
| US5595844A (en) | Method of exposing light in a method of fabricating a reticle | |
| JPH08272071A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法、ならびにマスクブランク | |
| JPH075675A (ja) | マスク及びその製造方法 | |
| JPH0683034A (ja) | 露光用マスク、露光マスク用基板及びその製造方法 | |
| JP3478067B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク | |
| JP3351485B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH0973166A (ja) | 露光用フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH06289589A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法そしてそれに用いるブランク | |
| US5478679A (en) | Half-tone self-aligning phase shifting mask | |
| JP3110855B2 (ja) | 投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法 | |
| JP3438426B2 (ja) | 位相シフト露光マスク | |
| JPH08123008A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH06250376A (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH10198017A (ja) | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランク | |
| US5468576A (en) | Method for manufacturing exposure mask | |
| US5660956A (en) | Reticle and method of fabricating reticle | |
| JPH0720624A (ja) | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその作製方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPH08106151A (ja) | 位相シフト・マスクおよびその製造方法 | |
| JPH05257264A (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPH0378747A (ja) | マスク及びマスク製造方法 | |
| JPH0961990A (ja) | 位相シフト・マスクおよびその製造方法ならびにこれを用いた露光方法 | |
| JP3469570B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| TWI838928B (zh) | 光罩坯料的製造方法以及光罩的製造方法 | |
| JP3422054B2 (ja) | 光学マスクおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070914 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |