JPH05297244A - 光導波路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 結合効率の高い直接結合用光導波路を容易に
得る。 【構成】 基板９上に設けたバッファ層１０と光導波層
１１とからなる光導波路部材における光の入射端面近傍
の光導波路部材を基板面から突出１０ｂ，１１ｂさせ
る。前記の光導波路部材の端面に、半導体レーザまたは
光ファイバを直接結合法によって結合させるために突設
した光の入射部(１０ａ,１１ａ)によって、半導体レー
ザまたは光ファイバと光導波路とが直接結合法によって
容易に良好に結合させることができるようにする。前記
の光の入射部の端面を、光導波路部材の光軸に直交する
面に対して傾斜している平面にしたり、光の入射部の端
面を、平面形状で光導波路部材の光軸方向に凸状または
凹状となるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光導波路に関する。

【０００２】

【従来の技術】屈折率の高い透光性物質の薄膜の表裏両
面に屈折率の低い物質の層を設けて、前記した屈折率の
高い透光性物質の薄膜内に光を導波させるように構成し
た光導波路は、従来からモノリシック光集積回路,ハイ
ブリッド光集積回路,準ハイブリッド光集積回路等のよ
うな光集積回路や、その他の光回路における光導波路と
して広く用いられている。そして、前記した光導波路が
基板として光導波層の屈折率よりも屈折率の大きな物質
を用いて構成される場合、例えば基板としてシリコン基
板を用い、コーニングガラス＃７０５９によって光導波
層が構成されるような場合には、シリコン基板上に二酸
化シリコンによるバッファ層（クラッド層）が設けられ
るが、基板として光導波層の構成物質の屈折率よりも屈
折率が小さな物質が使用された場合には、基板自体がク
ラッド層として使用できるので前記したバッファ層は不
用とされる。ところで、外部のレーザ光源から放射され
たレーザ光を直接または光ファイバを介して光導波路に
おける光導波層内で導波させるために、レーザ光を光導
波路における光導波層内に入射させる手段としては、従
来から色々の手段が提案されているが、光導波層に対す
るレーザ光の入射手段の内で最も単純なレーザ光の入射
手段は、半導体レーザから放射されたレーザ光を直接
に、または図６に例示されているように、光ファイバ１
を介して光導波路４における光導波層７の端面に注入さ
せる端面直接結合法である。図６において２は光ファイ
バのコア、３はクラッド、５は基板、６はバッファ層、
７は光導波路層である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】さて、前記した端面直
接結合法を用いて、半導体レーザから放射されたレーザ
光を、直接または光ファイバを介して光導波路における
光導波層の端面に注入させるようにする際には、結合の
ための特別な素子も必要とされないために手軽である反
面、単一モード導波路においては光導波層の厚さがマイ
クロメートルのオーダとなる。それで、端面平坦度、位
置調整、光源と光導波路における光導波層の端面との間
の距離の制御等が重要となり、例えば高効率の結合を行
なうためには、光源と光導波路における光導波層の端面
との間の距離を数マイクロメートルに近づける必要があ
る。ところで、半導体基板を用いて光導波路の端面を作
製するのに最も容易な方法は、例えば単結晶シリコン基
板（実際にはシリコンウエハ）上に二酸化シリコンのバ
ッファ層とガラスによる光導波層とを積層した状態のシ
リコン基板を劈開する方法であって、前記のシリコン基
板が劈開面で劈開されるのと同時に、前記したシリコン
基板上に積層構成されているバッファ層と光導波層も前
記したシリコン基板の劈開面による劈開と同時に奇麗な
表面状態で切断される。しかし、前記した劈開位置は結
晶面精度や、スクライビング刃の厚み、等に左右される
ために、マイクロメートルのオーダで正確に決定するこ
とは困難である。

【０００４】半導体レーザから放射されて光導波路に入
射されたレーザ光が、前記のようにシリコン基板の劈開
面による劈開と同時に奇麗な表面状態で切断されたガラ
スによる光導波層だけに注入されるのであれば何の問題
も生じないが、周知のように半導体レーザから放射され
るレーザ光は平行光束ではなく、所定の中心角で発散し
て断面形状が楕円の光束になっているから、半導体レー
ザから放射されて光導波路に入射されたレーザ光は、光
導波路における光導波層だけではなく、バッファ層やシ
リコン基板の端面にも入射されている状態となる。周知
のように、光は媒質の屈折率が変化している部分で反射
するから、半導体レーザから放射して屈折率が１の空気
中を進行しているレーザ光がガラスの光導波路に垂直に
入射した場合には、約４％のレーザ光がガラスの光導波
路の端面で反射するのに対し、空気中を進行している光
がシリコン基板に垂直に入射した場合には約３３％のレ
ーザ光が反射するというように、光導波路の各部におけ
る反射率は媒質の屈折率が高い程大となっているから、
シリコン基板の端面に生じた大きな反射光が半導体レー
ザに戻り光として与えられた場合には、例えば半導体レ
ーザの発振出力に変動を生じさせたり、あるいは例えば
半導体レーザにモードホップ現象を起こさせたりするな
ど、半導体レーザの動作を不安定にさせることが問題に
なる。

【０００５】前述した直接結合法によって光導波路に対
して結合されるべき半導体レーザにおけるヒートシンク
に対する半導体レーザチップの取付角度は、製作時に生
じる製作誤差によって個別の半導体レーザ毎に極く僅か
ずつ異なっており、また前述した直接結合法によって光
導波路に対して結合されるべき光ファイバの端面は、そ
れが研磨されない状態では、通常、小数点以下数度の角
度だけ直垂断面に対して傾斜しているから、端面直接結
合法を用いて、半導体レーザから放射されたレーザ光
を、直接または光ファイバを介して光導波路における光
導波層の端面に注入させるようにする際に、発光点が光
導波路における光導波層の端面に接触状態になるまで接
近させて垂直に直接結合させることはできない。図７は
前記した問題点の存在を明らかにするために、光ファイ
バ１の端面１ａの傾斜の状態を誇張して示したものであ
り、この図７から判かるように、光ファイバ１の端面１
ａが傾斜している場合には、光ファイバ１のコア２を光
導波路４における光導波層７の端面７ａに対して垂直な
状態のままで、光導波路４における光導波層７の端面７
ａ接近させようとしても、光ファイバ１のクラッド３の
部分が光導波層７の端面７ａに突当るために、光ファイ
バ１のコア２を光導波路４における光導波層７の端面７
ａに垂直な状態で接触させることはできない。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は基板上に少なく
ともバッファ層と光導波層とからなる光導波路部材を構
成させてなる光導波路において、光の入射端面近傍の光
導波路部材を基板面から突出させるとともに、前記した
光導波路部材の端面に半導体レーザまたは光ファイバを
直接結合法によって結合させるための光の入射部を突設
させてなる光導波路と、半導体レーザまたは光ファイバ
を直接結合法によって光導波路に結合させるために光導
波路部材の端面に突設させた光の入射部の端面を、光導
波路部材の光軸に直交する面に対して傾斜する平面とし
てなる光導波路、及び、半導体レーザまたは光ファイバ
を直接結合法によって光導波路に結合させるために光導
波路部材の端面に突設させた光の入射部の端面を、平面
形状で光導波路部材の光軸方向に凸状となるようにして
なる光導波路、ならびに半導体レーザまたは光ファイバ
を直接結合法によって光導波路に結合させるために光導
波路部材の端面に突設させた光の入射部の端面を、平面
形状で光導波路部材の光軸方向に凹状となるようにして
なる光導波路を提供する。

【０００７】

【作用】基板上に設けた少なくともバッファ層と光導波
層とからなる光導波路部材における光の入射端面近傍の
光導波路部材を基板面から突出させ、前記の光導波路部
材の端面に、半導体レーザまたは光ファイバを直接結合
法によって結合させるために突設した光の入射部は、半
導体レーザまたは光ファイバと光導波路とを直接結合法
によって良好に結合させることを可能にし、また、光導
波路部材の端面に突設させた光の入射部の端面を、光導
波路部材の光軸に直交する面に対して傾斜している平面
にすると、レーザ光源への戻り光も低減でき、さらに、
光導波路部材の端面に突設させた光の入射部の端面を、
平面形状で光導波路部材の光軸方向に凸状または凹状と
なるように構成すると、光導波路における光の入射部を
レンズ作用を行なう光学部材として機能させることがで
きる。

【０００８】

【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明の光導
波路の具体的な内容を詳細に説明する。図１は本発明の
光導波路の一実施例の斜視図、図２及び図３は本発明の
光導波路の一実施例の製作過程の概略説明に用いられる
光導波路の斜視図、図４は本発明の光導波路の他の実施
例の製作過程の概略説明に用いられる光導波路の斜視
図、図５は本発明の光導波路の別の実施例の動作の説明
に用いられる光導波路の平面図、図６は従来の光導波路
と光源との結合状態の説明のための側面図、図７は従来
の光導波路と光源との結合状態の説明のための側面図で
ある。図１に斜視図として示してある本発明の光導波路
８において、９は基板、例えばシリコン基板、１０は例
えば二酸化シリコンによるバッファ層(クラッド層)、１
１は例えばコーニングガラス＃７０５９による光導波層
であり、本発明の光導波路８は、基板９上に設けた少な
くともバッファ層１０と光導波層１１とからなる光導波
路部材における光の入射端面近傍の部分を図１中の符号
１０ｂ，１１ｂによって示してあるように基板１の端面
９ａから突出させるとともに、前記した光導波路部材の
端面に半導体レーザまたは光ファイバを直接結合法によ
って結合させるための光の入射部が図１中の符号１０
ａ，１１ａによって示してある部分のように突設された
構成とされている。

【０００９】図１に例示されている本発明の光導波路
は、例えば図２及び図３に概略が図示されている工程に
従って作られる（なお、図２及び図３では図示説明を簡
単化するために、シリコンウエハから切断された状態の
シリコン基板を素材として、順次の製作工程を図示して
いるが、実際の光導波路の製作に当っては、途中の工程
まではシリコンウエハ上で多数の光導波路の同時加工を
行なっている）。図２の（ａ）はシリコン基板９を示し
ており、前記のシリコン基板９上には、例えば熱酸化法
により、図２の（ｂ）のように二酸化シリコンによるバ
ッファ層(クラッド層)１０が構成される。次に、前記の
バッファ層１０上には、スパッタリング法により、図２
の（ｃ）のように例えばコーニングガラス＃７０５９に
よる光導波層１１が構成される。｛実際には、例えば厚
さが３００ミクロン〜５００ミクロンのシリコンウエハ
上に周知の薄膜成膜技術によって、厚さが数ミクロンの
二酸化シリコン膜をバッファ層としてシリコン基板上に
成膜させ、次に、前記のバッファ層上に厚さが数ミクロ
ンのガラス(コーニングガラス７０５９)膜を光導波層と
して成膜させる｝

【００１０】次に、前記した図２の（ｃ）における例え
ばコーニングガラス＃７０５９による光導波層１１上に
は、図２の（ｄ）に示すようにフォトレジスト層１２を
形成させる。図２の（ｄ）中に示されている点線の内
で、前記したフォトレジスト層１２の表面の部分に示し
てある点線図示の部分は、フォトレジスト層１２への露
光パターンを示しており、また、図２の（ｄ）中に示さ
れている点線の内で、前記したフォトレジスト層１２、
光導波層１１、バッファ層１０の部分の側方の部分に示
してある点線図示の部分は、前記したフォトレジスト層
１２に所定のパターンを露光した後に現像してマスクパ
ターンを作り、そのマスクパターンを用いてドライエッ
チングによって除去される部分の境界の部分を示してい
る。図３の（ｅ）は所定のパターンとなるように露光現
像されたフォトレジスト層１２をマスクパターンに用い
て、光導波層１１、バッファ層１０における不要な部分
をドライエッチングによって除去した状態を示してい
る。次いで、この図３の（ｅ）に示されているものにお
けるマスクパターンとして用いられたフォトレジスト層
１２を除去すると、図３の（ｆ）に例示されているよう
に、シリコン基板９上に形成されたバッファ層１０と光
導波層１１とからなる光導波路部材の端面に、半導体レ
ーザまたは光ファイバを直接結合法によって結合させる
ための光の入射部（図面符号１０ａ，１１ａの部分）が
構成されている状態のものが得られる。

【００１１】次に、前記したバッファ層１０と光導波層
１１とからなる光導波路部材の端面に構成された光の入
射部（図面符号１０ａ，１１ａの部分）の少し手前の位
置、例えば図３の（ｆ）中に示されているＡ−Ａ線の位
置において、スクライビングまたはダイシングによりシ
リコン基板９を切断して、図３の（ｇ）に示されるよう
なものを得る。図３の（ｇ）において図中の左方に示し
てある９ｘの部分は、前記したスクライビングまたはダ
イシングにより除去されたシリコン基板９の部分であ
る。前記した図３の（ｇ）において図中の右方に示して
ある部分には、次いでシリコン基板９を構成しているシ
リコンに対するエッチングレートが大きく、バッファ層
１０を構成している二酸化シリコン及び光導波層１１を
構成しているガラスに対するエッチングレートが非常に
小さなエッチング液を用いて、前記したシリコン基板９
だけが選択エッチングされるようにすると、図１及び図
３の（ｈ）に示されているようにシリコン基板９上に積
層構成させたバッファ層１０と光導波層１１とからなる
光導波路部材が、光の入射端面近傍でシリコン基板９の
端面９ａから突出された状態の光導波路が得られる。

【００１２】前記のようにシリコンに対するエッチング
レートが大きく、二酸化シリコン及びガラスに対するエ
ッチングレートが非常に小さなエッチング液としては、
例えばエチレンジアミン-ピロカテコール系の周知のエ
ッチング液を使用することができる。前記した選択エッ
チング液を用いてシリコン基板９に対して行なわれる選
択エッチングの際に、ガラスによる光導波層１１が極く
僅かでもエッチングされることを避けるのには、前記し
た光導波層１１上に予め二酸化シリコンの薄膜を被着さ
せた状態の光導波路の素材に対して前記した選択エッチ
ングが行なわれるようにすればよい。なお、（１１１）
面が劈開面となるようなシリコン基板９を用いれば、前
記したエチレンジアミン-ピロカテコール系の周知のエ
ッチング液を使用することにより、基板９の端面９ａを
傾斜させてレーザ光の光源への戻り量をより一層低減さ
せることができる。図１｛図３の（ｈ）｝に示されてい
る本発明の光導波路８は、シリコン基板９上に積層構成
させたバッファ層１０と光導波層１１とからなる光導波
路部材が光の入射端面近傍でシリコン基板９の光入射側
の端面９ａから突出している状態になされているから、
光導波路８の光導波層１１に光源からレーザ光が入射さ
れた場合に、前記したレーザ光がシリコン基板９の端面
９ａに入射してそこで反射光が生じても、その反射光は
戻り光として半導体レーザ４に戻るようなことは起こら
ない。また、前記したバッファ層１０と光導波層１１と
からなる光導波路部材の端面に構成された光の入射部
（図面符号１０ａ，１１ａの部分）は、半導体レーザま
たは光ファイバを直接結合法によって結合させる際に、
結合する両者間の距離を極めて小さくすることができる
ために高い効率で結合させることを可能にする。

【００１３】図４は、図２及び図３を参照して既述した
光導波路の製作工程の内で、図２の（ｄ）に示すように
光導波層１１上にフォトレジスト層１２を形成させた後
に、フォトレジスト層１２に所定のパターンを露光した
後に現像してマスクパターンを作り、そのマスクパター
ンを用いてドライエッチングする場合に、基板９の表面
の法線と光導波路の延長方向とを含む面内において、前
記した基板９の表面の法線に対して僅かな角度θだけ傾
斜しているような方向でドライエッチングを行なって、
光導波路部材の端面に突設させた光の入射部の端面が、
光導波路部材の光軸に直交する面に対して傾斜する平面
となるようにした光導波路を製作する際の工程の概略を
示しているものであり、図４の（ａ）は光導波層１１上
に付着形成させたフォトレジスト層１２に所定のパター
ンを露光した後に現像して得たマスクパターンを用い
て、イオンエッチングの方向を垂直方向からθだけ傾け
てドライエッチングを行なっている状態を示し、また、
図４の（ｂ）は前記したドライエッチングによって光導
波層１１、バッファ層１０における不要な部分が除去さ
れた状態を示している。

【００１４】前記した図４の（ｂ）に示されている光導
波路の中間製品は、図１に示されている光導波路８の製
作に関して既述した図３の（ｆ）に示されている光導波
路の中間製品と対応しているものであるから、図４の
（ｂ）の状態の中間製品から図４の（ｃ）に示されてい
る光導波路を製作する工程は、図１に示されている光導
波路８の製作に関して図３の（ｅ）〜図３の（ｈ）を参
照して既述したところと同様であり、ここでは図４の
（ｂ）の状態の中間製品から図４の（ｃ）に示されてい
る光導波路を製作するまでの工程の詳細な記述を省略す
る。なお、図４の(ｃ)に示されている光導波路において
も、(１１１)面が劈開面となるようなシリコン基板９を
用いて、エチレンジアミン-ピロカテコール系の周知の
エッチング液を使用してエッチングを行なって、基板９
の端面９ａを傾斜させてレーザ光の光源への戻り量をよ
り一層低減させることができる。

【００１５】この図４の(ｃ)に例示した本発明の光導波
路は、既述した図１{図３の(ｈ)}に示されている本発明
の光導波路８と同様に、シリコン基板９上に積層構成さ
せたバッファ層１０と光導波層１１とからなる光導波路
部材が光の入射端面近傍でシリコン基板９の光入射側の
端面９ａから突出している上に、傾斜面になされている
から、光導波路８の光導波層１１に光源からレーザ光が
入射された場合に、前記した光導波路８の光導波層１１
からの反射光や、前記のレーザ光がシリコン基板９の端
面９ａに入射して生じた反射光等は、戻り光として半導
体レーザ４に戻るようなことが起こらず、また、前記し
たバッファ層１０と光導波層１１とからなる光導波路部
材の端面に構成された光の入射部（図面符号１０ａ，１
１ａの部分）は、半導体レーザまたは光ファイバを直接
結合法によって結合させる際に、結合する両者間の距離
を極めて小さくすることができるために高い効率で結合
させることを可能にする。

【００１６】次に、図５の（ａ）〜（ｃ）は光導波路に
おける光導波路部材の端面に構成された光の入射部（図
１中の図面符号１０ａ，１１ａの部分）の構成を平断面
形状が、光導波路部材の光軸方向に凸状、または凹状の
ものとして、その部分にレンズ特性を有する光学部材を
構成させることにより、例えば前記のような構成の光導
波路を備えている光集積回路を光学ヘッドの構成に用い
た場合には、光学ヘッドを小型化することができる。す
なわち、光集積回路を光学ヘッドの構成に用いたとき
に、半導体レーザから放射されるレーザ光束の放射角が
定まっているために、充分な集光特性を得ようとして、
半導体レーザと集光グレーティングカプラとの距離をあ
る程度離すことが必要とされるので、通常は光学ヘッド
を小型化することが困難なのであるが、本発明の光導波
路では光導波路における光導波路部材の端面に構成され
た光の入射部(図１中の図面符号１０ａ,１１ａの部分）
の構成を平断面形状が、光導波路部材の光軸方向に凸
状、または凹状として、その部分とその部分の前面との
間の媒質の形状によって所定のレンズ作用を示す光学部
材を構成して、集束光や発散光を容易に発生させること
ができるからである。

【００１７】図５の（ａ）〜（ｃ）において１３は半導
体レーザである。半導体レーザ１３の射出側と光導波路
における光の入射部との間に存在する媒質と、光導波路
のレーザ光入射結合端面の接合部分の外形状によって、
光路変換機能を示す光学部材として動作できるようなも
のにされたり、レンズ作用を示す光学部材として動作で
きるものにされたりする。図５の(ａ)〜（ｃ）におい
て、光導波路の入射部の端面の平断面外形状は、半導体
レーザ１３の射出側に対して凹状｛図５の(ａ)，
（ｂ）｝または凸状｛図５の（ｃ）｝の曲線形状とされ
ているが、この場合に前記した半導体レーザ１３の射出
側に端面結合される基板上の光導波路のレーザ光の入射
部の端面との間の部分の媒質が、光導波路における光導
波層１１の実効屈折率よりも小さな屈折率を示す物質、
例えば空気であったとすると、半導体レーザ１３の射出
端面から放射されたレーザ光が半導体レーザ１３の射出
側端面と光導波路のレーザ光の入射部の端面との間の部
分の空気を進行した後に、半導体レーザ１３の射出側の
端面側に対して凹状の円筒面をなす光導波路のレーザ光
入射結合端面から、空気よりも屈折率が大きな物質で構
成されている光導波路に進行する際に、一部は反射して
残部が光導波路における光導波層１１内をそれまでの拡
散角と同一の拡散角を示す状態の光として進行{この状
態が図５の（ａ)中の光線によって示されている}した
り、あるいは光導波路における光導波層１１内をそれま
での拡散角よりも大きな拡散角を示すような状態の光と
して進行{この状態が図５の(ｂ）中の光線によって示さ
れている}して行く。

【００１８】次に、図５の（ｃ）のように、光導波路の
入射部の端面の平断面外形状が、半導体レーザ１３の射
出側に対して凸状の曲線形状とされている場合に、前記
した半導体レーザ１３の射出側に端面結合される基板上
の光導波路のレーザ光の入射部の端面との間の部分の媒
質が、光導波路における光導波層１１の実効屈折率より
も小さな屈折率を示す物質、例えば空気であったとする
と、半導体レーザ１３の射出端面から放射されたレーザ
光は半導体レーザ１３の射出側端面と光導波路のレーザ
光の入射部の端面との間の部分の空気を進行した後に、
半導体レーザ１３の射出側の端面側に対して凸状の円筒
面をなす光導波路のレーザ光入射結合端面から、空気よ
りも屈折率が大きな物質で構成されている光導波路に進
行する際に、一部は反射して残部が光導波路における光
導波層１１内をそれまでの拡散角よりも小さな拡散角を
示すような状態の光として進行して行く。この状態が図
５の（ｃ)中の光線によって示されているが、光に対す
る前記のような光学的な作用は正レンズの作用を示して
いる。

【００１９】

【発明の効果】以上、詳細に説明したところから明らか
なように本発明の光導波路は、基板上に設けた少なくと
もバッファ層と光導波層とからなる光導波路部材におけ
る光の入射端面近傍の光導波路部材を基板面から突出さ
せ、前記の光導波路部材の端面に、半導体レーザまたは
光ファイバを直接結合法によって結合させるために突設
した光の入射部によって、半導体レーザまたは光ファイ
バと光導波路とが直接結合法によって容易に良好に結合
させることができ、また、光導波路部材の端面に突設さ
せた光の入射部の端面を、光導波路部材の光軸に直交す
る面に対して傾斜している平面にすると、レーザ光源へ
の戻り光を大巾に低減でき、さらに、光導波路部材の端
面に突設させた光の入射部の端面を、平面形状で光導波
路部材の光軸方向に凸状または凹状となるように構成す
ることにより光導波路における光の入射部をレンズ作用
を行なう光学部材として機能させることもでき、本発明
によれば既述した従来の問題点は良好に解消される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光導波路の一実施例の斜視図である。

【図２】本発明の光導波路の一実施例の製作過程の概略
説明に用いられる光導波路の斜視図である。

【図３】本発明の光導波路の一実施例の製作過程の概略
説明に用いられる光導波路の斜視図である。

【図４】本発明の光導波路の他の実施例の製作過程の概
略説明に用いられる光導波路の斜視図である。

【図５】本発明の光導波路の別の実施例の動作の説明に
用いられる光導波路の平面図である。

【図６】従来の光導波路と光源との結合状態の説明のた
めの側面図である。

【図７】従来の光導波路と光源との結合状態の説明のた
めの側面図である。

【符号の説明】

１…光ファイバ、２…光ファイバのコア、３…光ファイ
バのクラッド層、４，８…光導波路、７，１１…光導波
層、９…基板、１０…バッファ層（クラッド層）、１２
…フォトレジスト層（マスクパターン）、１３…半導体
レーザ、１０ａ，１０ｂ…光導波路における光導波路部
材の端面に構成された光の入射部、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大山 実 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地日本ビクター株式会社内 (72)発明者 昆野 俊男 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地日本ビクター株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくともバッファ層と光導波
   層とからなる光導波路部材を構成させてなる光導波路に
   おいて、光の入射端面近傍の光導波路部材を基板面から
   突出させるとともに、前記した光導波路部材の端面に半
   導体レーザまたは光ファイバを直接結合法によって結合
   させるための光の入射部を突設させてなる光導波路。
2. 【請求項２】 半導体レーザまたは光ファイバを直接結
   合法により光導波路に結合させるために光導波路部材の
   端面に突設させた光の入射部の端面を、光導波路部材の
   光軸に直交する面に対して傾斜する平面とした請求項１
   の光導波路。
3. 【請求項３】 半導体レーザまたは光ファイバを直接結
   合法によって光導波路に結合させるために光導波路部材
   の端面に突設させた光の入射部の端面を、平面形状で光
   導波路部材の光軸方向に凸状となるようにした請求項１
   の光導波路。
4. 【請求項４】 半導体レーザまたは光ファイバを直接結
   合法によって光導波路に結合させるために光導波路部材
   の端面に突設させた光の入射部の端面を、平面形状で光
   導波路部材の光軸方向に凹状となるようにした請求項１
   の光導波路。