JPH0529172A - 軟磁性多層めつき膜の製造方法および軟磁性多層めつき膜ならびに磁気ヘツド - Google Patents
軟磁性多層めつき膜の製造方法および軟磁性多層めつき膜ならびに磁気ヘツドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 実質的にＣｏ、ＦｅおよびＭ（ただし、Ｍ
は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｈまたは
Ｒｕである。）からなる軟磁性薄膜と、この軟磁性薄膜
よりもＭの含有量が多い中間薄膜とが交互に積層された
構成の軟磁性多層めっき膜を製造するに際し、Ｃｏイオ
ンとＦｅイオンの合計含有量＝０．０５〜１０mol/l 、
Ｃｏイオン／（Ｃｏイオン＋Ｆｅイオン）＝０．４〜
０．８（モル比）、Ｍイオンの含有量＝ＣｏイオンとＦ
ｅイオンの合計重量の１０〜１０００ppm であるめっき
浴を用いる。 【効果】 高飽和磁束密度、低保磁力、高透磁率を有す
る軟磁性多層めっき膜を、設備コストが低く量産性が高
い液相めっき法により製造することができる。特に、Ｍ
としてＰｄを用いれば、磁歪を極めて低くすることがで
きる。
は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｈまたは
Ｒｕである。）からなる軟磁性薄膜と、この軟磁性薄膜
よりもＭの含有量が多い中間薄膜とが交互に積層された
構成の軟磁性多層めっき膜を製造するに際し、Ｃｏイオ
ンとＦｅイオンの合計含有量＝０．０５〜１０mol/l 、
Ｃｏイオン／（Ｃｏイオン＋Ｆｅイオン）＝０．４〜
０．８（モル比）、Ｍイオンの含有量＝ＣｏイオンとＦ
ｅイオンの合計重量の１０〜１０００ppm であるめっき
浴を用いる。 【効果】 高飽和磁束密度、低保磁力、高透磁率を有す
る軟磁性多層めっき膜を、設備コストが低く量産性が高
い液相めっき法により製造することができる。特に、Ｍ
としてＰｄを用いれば、磁歪を極めて低くすることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、軟磁性を有する多層め
っき膜およびその製造方法ならびに前記多層めっき膜を
磁極として有する磁気ヘッドに関する。
っき膜およびその製造方法ならびに前記多層めっき膜を
磁極として有する磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの磁極や、メタルインギ
ャップ（ＭＩＧ）型磁気ヘッドのギャップ部に形成され
る磁性膜などには、高い飽和磁束密度が要求され、さら
に、高透磁率、低保磁力等の優れた軟磁気特性が要求さ
れる。
ャップ（ＭＩＧ）型磁気ヘッドのギャップ部に形成され
る磁性膜などには、高い飽和磁束密度が要求され、さら
に、高透磁率、低保磁力等の優れた軟磁気特性が要求さ
れる。
【０００３】５０％Ｃｏ−Ｆｅ合金（パーメンジュー
ル）は、飽和磁束密度Ｂs が２．４Ｔと合金中で最も高
く、かつ異方性定数Ｋ1 が零であるが、飽和磁歪定数λ
s が１０-5と大きいため、高い透磁率が得られない。
ル）は、飽和磁束密度Ｂs が２．４Ｔと合金中で最も高
く、かつ異方性定数Ｋ1 が零であるが、飽和磁歪定数λ
s が１０-5と大きいため、高い透磁率が得られない。
【０００４】このような事情から、「Ｆｅ／Ｃｏおよび
Ｆｅ／ＣｏＦｅ多層膜の磁気特性」（ＭＲ８７−３６第
７〜１２ページ）では、Ｆｅ層とＣｏ層とを積層し、さ
らに熱処理を施すことによって界面にＣｏＦｅ層を形成
する提案およびＦｅ層とＣｏＦｅ層とを積層することが
提案されている。この提案は、ＦｅおよびＣｏは負磁歪
であるが、ＣｏＦｅ合金層はほとんどの組成範囲で正磁
歪であることから、これらを積層することにより零磁歪
を実現するというものである。この提案において、Ｆｅ
層、Ｃｏ層およびＣｏＦｅ層は、イオンビームスパッタ
法により形成されている。
Ｆｅ／ＣｏＦｅ多層膜の磁気特性」（ＭＲ８７−３６第
７〜１２ページ）では、Ｆｅ層とＣｏ層とを積層し、さ
らに熱処理を施すことによって界面にＣｏＦｅ層を形成
する提案およびＦｅ層とＣｏＦｅ層とを積層することが
提案されている。この提案は、ＦｅおよびＣｏは負磁歪
であるが、ＣｏＦｅ合金層はほとんどの組成範囲で正磁
歪であることから、これらを積層することにより零磁歪
を実現するというものである。この提案において、Ｆｅ
層、Ｃｏ層およびＣｏＦｅ層は、イオンビームスパッタ
法により形成されている。
【０００５】また、特開昭６１−９７９０６号公報で
は、５０wt% Ｃｏ・５０wt% Ｆｅ合金と８１wt% Ｎｉ・
１９wt% Ｆｅ合金とをそれぞれ３０A づつ交互に積層し
た人工格子磁性薄膜で、飽和磁束密度が１７kG、５MHz
の透磁率が１５００となっている。この人工格子磁性薄
膜は、ＥＢ蒸着法で形成されている。
は、５０wt% Ｃｏ・５０wt% Ｆｅ合金と８１wt% Ｎｉ・
１９wt% Ｆｅ合金とをそれぞれ３０A づつ交互に積層し
た人工格子磁性薄膜で、飽和磁束密度が１７kG、５MHz
の透磁率が１５００となっている。この人工格子磁性薄
膜は、ＥＢ蒸着法で形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】多層膜は、上記したよ
うに一般に蒸着法等の気相めっき法により形成される
が、気相めっき法では真空が必要とされるため、設備コ
ストが高く量産性がない。しかし、Ｆｅ／Ｃｏや、Ｆｅ
／ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ多層膜は、液相めっき
法では形成困難である。
うに一般に蒸着法等の気相めっき法により形成される
が、気相めっき法では真空が必要とされるため、設備コ
ストが高く量産性がない。しかし、Ｆｅ／Ｃｏや、Ｆｅ
／ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ多層膜は、液相めっき
法では形成困難である。
【０００７】本発明はこのような事情からなされたもの
であり、優れた軟磁気特性、特に高い飽和磁束密度を有
する軟磁性多層膜を、設備コストが低く量産性が高い液
相めっき法を用いて実現することを目的とし、また、こ
のような軟磁性多層膜を磁極として利用することによ
り、記録密度を著しく高くすることが可能な磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
であり、優れた軟磁気特性、特に高い飽和磁束密度を有
する軟磁性多層膜を、設備コストが低く量産性が高い液
相めっき法を用いて実現することを目的とし、また、こ
のような軟磁性多層膜を磁極として利用することによ
り、記録密度を著しく高くすることが可能な磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１０）の本発明により達成される。
（１）〜（１０）の本発明により達成される。
【０００９】（１） 実質的にＣｏ、ＦｅおよびＭ（た
だし、Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒ
ｈまたはＲｕである。）からなる軟磁性薄膜と、この軟
磁性薄膜よりもＭの含有量が多い中間薄膜とが交互に積
層された構成の軟磁性多層めっき膜を製造する方法であ
って、前記軟磁性薄膜および前記中間薄膜を形成する際
に用いるめっき浴が、ＣｏイオンとＦｅイオンの合計含
有量＝０．０５〜１０mol/l 、Ｃｏイオン／（Ｃｏイオ
ン＋Ｆｅイオン）＝０．４〜０．８（モル比）、Ｍイオ
ンの含有量＝ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量の１０
〜１０００ppmであることを特徴とする軟磁性多層めっ
き膜の製造方法。
だし、Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒ
ｈまたはＲｕである。）からなる軟磁性薄膜と、この軟
磁性薄膜よりもＭの含有量が多い中間薄膜とが交互に積
層された構成の軟磁性多層めっき膜を製造する方法であ
って、前記軟磁性薄膜および前記中間薄膜を形成する際
に用いるめっき浴が、ＣｏイオンとＦｅイオンの合計含
有量＝０．０５〜１０mol/l 、Ｃｏイオン／（Ｃｏイオ
ン＋Ｆｅイオン）＝０．４〜０．８（モル比）、Ｍイオ
ンの含有量＝ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量の１０
〜１０００ppmであることを特徴とする軟磁性多層めっ
き膜の製造方法。
【００１０】（２） 前記軟磁性薄膜を電気めっき法に
より形成し、前記中間薄膜を電気めっき法、置換めっき
法または無電解めっき法により形成する上記（１）に記
載の軟磁性多層めっき膜の製造方法。
より形成し、前記中間薄膜を電気めっき法、置換めっき
法または無電解めっき法により形成する上記（１）に記
載の軟磁性多層めっき膜の製造方法。
【００１１】（３） 前記軟磁性薄膜を無電解めっき法
により形成し、前記中間薄膜を電気めっき法により形成
する上記（１）に記載の軟磁性多層めっき膜の製造方
法。
により形成し、前記中間薄膜を電気めっき法により形成
する上記（１）に記載の軟磁性多層めっき膜の製造方
法。
【００１２】（４） 軟磁性多層めっき膜を形成後、熱
処理を施す上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の
軟磁性多層めっき膜の製造方法。
処理を施す上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の
軟磁性多層めっき膜の製造方法。
【００１３】
（５） 式 （Ｃｏx Ｆｅ1-x ）1-y Ｍy
（ただし、上記式においてＭは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｉｒ、ＲｈまたはＲｕであり、また、ｘおよ
びｙは原子比を表わし、０．４≦ｘ≦０．８、ｙ≦０．
１である。）で表わされる組成を有する軟磁性薄膜と、
この軟磁性薄膜よりもＭの含有量が多い中間薄膜とが交
互に積層されていることを特徴とする軟磁性多層めっき
膜。
ｕ、Ａｇ、Ｉｒ、ＲｈまたはＲｕであり、また、ｘおよ
びｙは原子比を表わし、０．４≦ｘ≦０．８、ｙ≦０．
１である。）で表わされる組成を有する軟磁性薄膜と、
この軟磁性薄膜よりもＭの含有量が多い中間薄膜とが交
互に積層されていることを特徴とする軟磁性多層めっき
膜。
【００１４】（６） 飽和磁束密度が２０kG以上である
上記（５）に記載の軟磁性多層めっき膜。
上記（５）に記載の軟磁性多層めっき膜。
【００１５】（７） 前記ＭがＰｄであり、飽和磁歪定
数λs が＋３×１０-6以下である上記（５または（６）
に記載の軟磁性多層めっき膜。
数λs が＋３×１０-6以下である上記（５または（６）
に記載の軟磁性多層めっき膜。
【００１６】（８） 前記軟磁性薄膜の厚さが５０００
A 以下であり、前記中間薄膜の厚さが２５００A 以下で
ある上記（５）ないし（７）のいずれかに記載の軟磁性
多層めっき膜。
A 以下であり、前記中間薄膜の厚さが２５００A 以下で
ある上記（５）ないし（７）のいずれかに記載の軟磁性
多層めっき膜。
【００１７】（９） 上記（１）ないし（４）のいずれ
かに記載の軟磁性多層めっき膜の製造方法により製造さ
れた上記（５）ないし（８）のいずれかに記載の軟磁性
多層めっき膜。
かに記載の軟磁性多層めっき膜の製造方法により製造さ
れた上記（５）ないし（８）のいずれかに記載の軟磁性
多層めっき膜。
【００１８】（１０） 上記（５）ないし（９）のいず
れかに記載の軟磁性多層めっき膜を磁極として有するこ
とを特徴とする磁気ヘッド。
れかに記載の軟磁性多層めっき膜を磁極として有するこ
とを特徴とする磁気ヘッド。
【００１９】
【作用】本発明では、Ｃｏ−Ｆｅを主成分とする高飽和
磁束密度の軟磁性薄膜とＭ（ただし、Ｍは、Ｐｄ、Ｃ
ｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、ＲｈまたはＲｕであ
る。）を主成分とする中間薄膜とを液相めっき法により
交互に積層して、軟磁性多層めっき膜を形成する。
磁束密度の軟磁性薄膜とＭ（ただし、Ｍは、Ｐｄ、Ｃ
ｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、ＲｈまたはＲｕであ
る。）を主成分とする中間薄膜とを液相めっき法により
交互に積層して、軟磁性多層めっき膜を形成する。
【００２０】本発明では、軟磁性薄膜を電気めっき法に
より形成し、中間薄膜を電気めっき法、置換めっき法ま
たは無電解めっき法により形成する。なお、軟磁性薄膜
および中間薄膜は、通常、Ｃｏ、ＦｅおよびＭを含有す
る上記めっき浴中において連続的に形成する。
より形成し、中間薄膜を電気めっき法、置換めっき法ま
たは無電解めっき法により形成する。なお、軟磁性薄膜
および中間薄膜は、通常、Ｃｏ、ＦｅおよびＭを含有す
る上記めっき浴中において連続的に形成する。
【００２１】軟磁性薄膜および中間薄膜を電気めっき法
により形成する場合、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析出
電位はＭの析出電位よりも負側、すなわち卑であるた
め、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析出電位より卑側の電
位を陰極に付与することにより、Ｃｏ、ＦｅおよびＭを
陰極に析出させて軟磁性薄膜を形成し、Ｍだけが析出す
る電位を陰極に付与することにより中間薄膜を形成す
る。
により形成する場合、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析出
電位はＭの析出電位よりも負側、すなわち卑であるた
め、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析出電位より卑側の電
位を陰極に付与することにより、Ｃｏ、ＦｅおよびＭを
陰極に析出させて軟磁性薄膜を形成し、Ｍだけが析出す
る電位を陰極に付与することにより中間薄膜を形成す
る。
【００２２】また、中間薄膜を置換めっき法により形成
する場合、軟磁性薄膜を電気めっき法により形成した
後、電圧印加を中断する。ＣｏおよびＦｅは、Ｍよりも
イオン化傾向が大きいため、この電圧印加中断時にＣｏ
およびＦｅがめっき浴中に溶出し、替わりにＭが軟磁性
薄膜上に析出して中間薄膜となる。
する場合、軟磁性薄膜を電気めっき法により形成した
後、電圧印加を中断する。ＣｏおよびＦｅは、Ｍよりも
イオン化傾向が大きいため、この電圧印加中断時にＣｏ
およびＦｅがめっき浴中に溶出し、替わりにＭが軟磁性
薄膜上に析出して中間薄膜となる。
【００２３】また、中間薄膜を無電解めっき法により形
成する場合、無電解めっき中に所定の電圧を印加すれば
Ｃｏ、ＦｅおよびＭが析出し、軟磁性薄膜を形成するこ
とができる。
成する場合、無電解めっき中に所定の電圧を印加すれば
Ｃｏ、ＦｅおよびＭが析出し、軟磁性薄膜を形成するこ
とができる。
【００２４】本発明では、軟磁性薄膜を無電解めっき法
により形成し、中間薄膜を電気めっき法により形成する
こともできる。この場合、無電解めっき中に所定の電圧
を印加すればＭが析出し、中間薄膜を形成することがで
きる。
により形成し、中間薄膜を電気めっき法により形成する
こともできる。この場合、無電解めっき中に所定の電圧
を印加すればＭが析出し、中間薄膜を形成することがで
きる。
【００２５】これらの液相めっき法において、前記した
組成のめっき浴を用いることにより、高飽和磁束密度か
つ低保磁力を有する良質な軟磁性多層めっき膜が得られ
る。
組成のめっき浴を用いることにより、高飽和磁束密度か
つ低保磁力を有する良質な軟磁性多層めっき膜が得られ
る。
【００２６】液相めっき法により膜を形成する場合、膜
が薄いほど結晶粒径は小さくなるので、積層膜は同一厚
さの単層膜に比べ結晶粒径を小さくできる。その結果、
軟磁性薄膜内における結晶磁気異方性の分散が抑えら
れ、低保磁力および高透磁率等の優れた軟磁気特性が得
られる。
が薄いほど結晶粒径は小さくなるので、積層膜は同一厚
さの単層膜に比べ結晶粒径を小さくできる。その結果、
軟磁性薄膜内における結晶磁気異方性の分散が抑えら
れ、低保磁力および高透磁率等の優れた軟磁気特性が得
られる。
【００２７】上記したような液相めっき法により多層め
っき膜を形成すると、各層は完全には分離せず、隣接す
る２層の境界付近には、厚さ方向に組成が変化する遷移
領域が形成されるが、本発明では、このような遷移領域
を中間薄膜の一部として考える。
っき膜を形成すると、各層は完全には分離せず、隣接す
る２層の境界付近には、厚さ方向に組成が変化する遷移
領域が形成されるが、本発明では、このような遷移領域
を中間薄膜の一部として考える。
【００２８】中間薄膜は軟磁性薄膜の結晶粒成長を断ち
切るために設けられる。遷移領域が薄いほど軟磁性薄膜
の結晶粒径を小さくすることができるため、一般に遷移
領域が薄くなるようなめっき条件を選択することが好ま
しい。
切るために設けられる。遷移領域が薄いほど軟磁性薄膜
の結晶粒径を小さくすることができるため、一般に遷移
領域が薄くなるようなめっき条件を選択することが好ま
しい。
【００２９】ただし、ＭとしてＰｄを用いる場合、Ｃ
ｏ、ＦｅおよびＰｄを含有する遷移領域は、軟磁性多層
めっき膜の磁歪を負側にシフトする作用を有するため、
遷移領域を敢えて設けることにより、軟磁性多層めっき
膜全体の磁歪を著しく低減することができる。Ｃｏ−Ｆ
ｅ−Ｐｄの単層膜では、Ｐｄ含有量を増加させるにつれ
て磁歪は低下するが、保磁力Ｈc が高くなってしまう。
しかし、本発明では、Ｐｄを殆ど含有せずＨc が低い軟
磁性薄膜と、Ｐｄ含有量が高く磁歪の低い遷移領域を有
する中間薄膜とを積層して多層膜とすることにより、低
Ｈc かつ低磁歪が実現する。
ｏ、ＦｅおよびＰｄを含有する遷移領域は、軟磁性多層
めっき膜の磁歪を負側にシフトする作用を有するため、
遷移領域を敢えて設けることにより、軟磁性多層めっき
膜全体の磁歪を著しく低減することができる。Ｃｏ−Ｆ
ｅ−Ｐｄの単層膜では、Ｐｄ含有量を増加させるにつれ
て磁歪は低下するが、保磁力Ｈc が高くなってしまう。
しかし、本発明では、Ｐｄを殆ど含有せずＨc が低い軟
磁性薄膜と、Ｐｄ含有量が高く磁歪の低い遷移領域を有
する中間薄膜とを積層して多層膜とすることにより、低
Ｈc かつ低磁歪が実現する。
【００３０】なお、遷移領域の厚さは、めっき条件やめ
っき後の熱処理などにより制御することができる。
っき後の熱処理などにより制御することができる。
【００３１】また、中間薄膜は、遷移領域を除いては実
質的にＭからなる非磁性体である。
質的にＭからなる非磁性体である。
【００３２】このようにして製造される本発明の軟磁性
多層めっき膜は、薄膜磁気ヘッドやＭＩＧ型磁気ヘッ
ド、垂直磁気ヘッドの磁極に好適であり、また、薄膜ト
ランスにも好適である。
多層めっき膜は、薄膜磁気ヘッドやＭＩＧ型磁気ヘッ
ド、垂直磁気ヘッドの磁極に好適であり、また、薄膜ト
ランスにも好適である。
【００３３】なお、特公昭４５−５１２２号公報には、
Ｎｉ、Ｆｅおよび３０％以下のＣｕを含有する磁性層
と、Ｎｉ、Ｆｅおよび３０％以上のＣｕを含有する非磁
性層とを有する多層薄膜が開示されている。この多層薄
膜はＣｏ−Ｆｅを用いるものではないが、液相めっき法
により形成されるものである。しかし、その作用効果は
本発明とは異なる。同公報の記載によれば、パルス電圧
の印加中に、まず、Ｃｕの豊富な非磁性層がめっきさ
れ、次により少ないＣｕを含有する磁性層がめっきされ
るということになる。
Ｎｉ、Ｆｅおよび３０％以下のＣｕを含有する磁性層
と、Ｎｉ、Ｆｅおよび３０％以上のＣｕを含有する非磁
性層とを有する多層薄膜が開示されている。この多層薄
膜はＣｏ−Ｆｅを用いるものではないが、液相めっき法
により形成されるものである。しかし、その作用効果は
本発明とは異なる。同公報の記載によれば、パルス電圧
の印加中に、まず、Ｃｕの豊富な非磁性層がめっきさ
れ、次により少ないＣｕを含有する磁性層がめっきされ
るということになる。
【００３４】しかし、非磁性層および磁性層がこのよう
にして形成されるとすると、非磁性層と磁性層の界面が
不明瞭となり、本発明の効果である結晶粒微細化効果は
得られない。また、めっき浴中のＣｕイオンの含有量が
多いため、磁性層のＣｕ含有量が多くなり、高い飽和磁
束密度が得られない。
にして形成されるとすると、非磁性層と磁性層の界面が
不明瞭となり、本発明の効果である結晶粒微細化効果は
得られない。また、めっき浴中のＣｕイオンの含有量が
多いため、磁性層のＣｕ含有量が多くなり、高い飽和磁
束密度が得られない。
【００３５】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００３６】＜軟磁性多層めっき膜＞本発明の軟磁性多
層めっき膜（以下、単に多層めっき膜という。）は、そ
れぞれ液相めっき法により形成された軟磁性薄膜と中間
薄膜とが基体上に積層された構成を有する。
層めっき膜（以下、単に多層めっき膜という。）は、そ
れぞれ液相めっき法により形成された軟磁性薄膜と中間
薄膜とが基体上に積層された構成を有する。
【００３７】軟磁性薄膜は、
式 （Ｃｏx Ｆｅ1-x ）1-y Ｍy
で表わされる組成を有する。ただし、上記式において、
ＭはＰｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｈまたは
Ｒｕである。また、ｘおよびｙは原子比を表わし、０．
４≦ｘ≦０．８、好ましくは０．４≦ｘ≦０．６、ｙ≦
０．１、好ましくはｙ≦０．０５である。ｘが前記範囲
を外れると飽和磁束密度が不十分である。ｙが前記範囲
を超えると保磁力が高くなって良好な軟磁気特性が得ら
れなくなる傾向にある。なお、軟磁性薄膜形成時には、
ＣｏイオンおよびＦｅイオンに加えてＭイオンが析出す
るので、ｙ＞０となる。
ＭはＰｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｈまたは
Ｒｕである。また、ｘおよびｙは原子比を表わし、０．
４≦ｘ≦０．８、好ましくは０．４≦ｘ≦０．６、ｙ≦
０．１、好ましくはｙ≦０．０５である。ｘが前記範囲
を外れると飽和磁束密度が不十分である。ｙが前記範囲
を超えると保磁力が高くなって良好な軟磁気特性が得ら
れなくなる傾向にある。なお、軟磁性薄膜形成時には、
ＣｏイオンおよびＦｅイオンに加えてＭイオンが析出す
るので、ｙ＞０となる。
【００３８】中間薄膜は、軟磁性薄膜よりもＭの含有量
が多い。前述したように、軟磁性薄膜から中間薄膜に移
行する領域は、ＣｏおよびＦｅが漸減しＭが漸増する遷
移領域であり、また、中間薄膜から軟磁性薄膜に移行す
る領域は、ＣｏおよびＦｅが漸増しＭが漸減する遷移領
域である。ＭとしてＰｄを用いる場合、遷移領域の磁歪
は軟磁性薄膜の磁歪よりも小さくなるため、遷移領域を
形成することにより軟磁性多層めっき膜の磁歪を低減す
ることができる。Ｐｄを含む遷移領域が形成されている
場合、軟磁性多層めっき膜の飽和磁歪定数λs は、＋３
×１０-6以下、特に０〜＋３×１０-6程度とすることが
できる。この場合、遷移領域は厚いほうが好ましく、中
間薄膜全体が遷移領域となっていてもよい。
が多い。前述したように、軟磁性薄膜から中間薄膜に移
行する領域は、ＣｏおよびＦｅが漸減しＭが漸増する遷
移領域であり、また、中間薄膜から軟磁性薄膜に移行す
る領域は、ＣｏおよびＦｅが漸増しＭが漸減する遷移領
域である。ＭとしてＰｄを用いる場合、遷移領域の磁歪
は軟磁性薄膜の磁歪よりも小さくなるため、遷移領域を
形成することにより軟磁性多層めっき膜の磁歪を低減す
ることができる。Ｐｄを含む遷移領域が形成されている
場合、軟磁性多層めっき膜の飽和磁歪定数λs は、＋３
×１０-6以下、特に０〜＋３×１０-6程度とすることが
できる。この場合、遷移領域は厚いほうが好ましく、中
間薄膜全体が遷移領域となっていてもよい。
【００３９】一方、ＭとしてＰｄ以外の元素を用いる場
合、軟磁性薄膜の結晶粒径を小さくするために遷移領域
は薄いほうが好ましい。
合、軟磁性薄膜の結晶粒径を小さくするために遷移領域
は薄いほうが好ましい。
【００４０】なお、本発明により、軟磁性薄膜の結晶粒
径を５０〜２００A 程度とすることができる。
径を５０〜２００A 程度とすることができる。
【００４１】また、中間薄膜は、遷移領域を除いては実
質的にＭからなる非磁性体である。
質的にＭからなる非磁性体である。
【００４２】軟磁性薄膜および中間薄膜には、Ｃｏ、Ｆ
ｅおよびＭの他、Ｂ、Ｓ、Ｃ等が全体の５原子％以下含
有されていてもよい。
ｅおよびＭの他、Ｂ、Ｓ、Ｃ等が全体の５原子％以下含
有されていてもよい。
【００４３】軟磁性薄膜の厚さは、５０００A 以下、特
に１０００A 以下とすることが好ましい。軟磁性薄膜の
厚さが前記範囲を超えると結晶粒が大きくなりすぎる。
に１０００A 以下とすることが好ましい。軟磁性薄膜の
厚さが前記範囲を超えると結晶粒が大きくなりすぎる。
【００４４】中間薄膜の厚さは、２５００A 以下、特に
２５０A 以下とすることが好ましい。そして、中間薄膜
の厚さを軟磁性薄膜の厚さの１／２０〜１／５とするこ
とが好ましい。中間薄膜の厚さが前記範囲を超えると、
多層めっき膜のＢs が不十分となる。
２５０A 以下とすることが好ましい。そして、中間薄膜
の厚さを軟磁性薄膜の厚さの１／２０〜１／５とするこ
とが好ましい。中間薄膜の厚さが前記範囲を超えると、
多層めっき膜のＢs が不十分となる。
【００４５】なお、軟磁性薄膜の厚さおよび中間薄膜の
厚さの下限は特にないが、厚さを２０A 以上とすれば膜
厚を均一に保つことが容易となり、膜質も良好となる。
厚さの下限は特にないが、厚さを２０A 以上とすれば膜
厚を均一に保つことが容易となり、膜質も良好となる。
【００４６】各薄膜の厚さは透過型電子顕微鏡等により
測定することができ、また、その結晶構造等はＸ線回折
や高速反射電子線回折等により確認することができる。
測定することができ、また、その結晶構造等はＸ線回折
や高速反射電子線回折等により確認することができる。
【００４７】本発明の多層めっき膜では、通常、飽和磁
束密度が２０kG以上、保磁力が５ Oe 以下、５MHz にお
ける透磁率が１０００以上である優れた磁気特性が得ら
れる。
束密度が２０kG以上、保磁力が５ Oe 以下、５MHz にお
ける透磁率が１０００以上である優れた磁気特性が得ら
れる。
【００４８】本発明の多層めっき膜において、薄膜の積
層数に特に制限はなく、各薄膜の厚さを上記した好まし
い範囲内から選択し、かつ、使用目的により決定される
多層めっき膜の全厚に応じて適宜決定すればよい。
層数に特に制限はなく、各薄膜の厚さを上記した好まし
い範囲内から選択し、かつ、使用目的により決定される
多層めっき膜の全厚に応じて適宜決定すればよい。
【００４９】なお、最上層の薄膜の表面には、窒化けい
素や酸化けい素等の酸化防止膜が設けられていてもよ
く、用途によっては電極引き出しのための金属導電層が
設けられてもよい。
素や酸化けい素等の酸化防止膜が設けられていてもよ
く、用途によっては電極引き出しのための金属導電層が
設けられてもよい。
【００５０】軟磁性薄膜および中間薄膜が形成される基
体の材質に特に制限はなく、用途等に応じて適宜選択す
ればよいが、例えば、酸化マグネシウム、ガラス、けい
素単結晶、チタン酸ストロンチウム単結晶、ガリウム−
ヒ素単結晶、あるいは銅、鉄、コバルト等の金属単結晶
などが特に好ましいが、通常の導電性金属や、アルティ
ック（Al2O3-TiC ）等のセラミックスを用いることもで
きる。また、基体の寸法も用途に応じて適宜決定すれば
よい。
体の材質に特に制限はなく、用途等に応じて適宜選択す
ればよいが、例えば、酸化マグネシウム、ガラス、けい
素単結晶、チタン酸ストロンチウム単結晶、ガリウム−
ヒ素単結晶、あるいは銅、鉄、コバルト等の金属単結晶
などが特に好ましいが、通常の導電性金属や、アルティ
ック（Al2O3-TiC ）等のセラミックスを用いることもで
きる。また、基体の寸法も用途に応じて適宜決定すれば
よい。
【００５１】なお、基体に導電性がない場合には、薄膜
との間に必要に応じて下地膜を設けてもよい。下地膜と
しては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、パーマロイ、Ｐｔ等
の薄膜が好ましく、その厚さは１０００A 程度以下、特
に２００A 以下であることが好ましい。下地膜は、無電
解めっき法等の湿式法でも形成可能であるが、ＭＢＥ法
等の真空成膜法により形成することが好ましい。
との間に必要に応じて下地膜を設けてもよい。下地膜と
しては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、パーマロイ、Ｐｔ等
の薄膜が好ましく、その厚さは１０００A 程度以下、特
に２００A 以下であることが好ましい。下地膜は、無電
解めっき法等の湿式法でも形成可能であるが、ＭＢＥ法
等の真空成膜法により形成することが好ましい。
【００５２】このような下地膜を設けることにより、め
っき薄膜の成長をより均質なものとすることができ、ま
た、基体に導電性を付与することもできる。
っき薄膜の成長をより均質なものとすることができ、ま
た、基体に導電性を付与することもできる。
【００５３】＜製造方法＞以下、本発明の多層めっき膜
の製造方法を説明する。
の製造方法を説明する。
【００５４】めっき膜が形成される基体には、必要に応
じて前記したような下地膜が設けられる。次いで、基体
は酸洗されて表面が活性化され、さらに純水で水洗され
た後、めっき膜が形成される。なお、酸洗および水洗
は、室温にて行なうことが好ましい。
じて前記したような下地膜が設けられる。次いで、基体
は酸洗されて表面が活性化され、さらに純水で水洗され
た後、めっき膜が形成される。なお、酸洗および水洗
は、室温にて行なうことが好ましい。
【００５５】軟磁性薄膜および中間薄膜を電気めっき法
により形成する方法 軟磁性薄膜および中間薄膜をいずれも電気めっき法によ
り形成する場合、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析出電位
より卑な電位を基板に付与して軟磁性薄膜を形成する。
そして、これらの析出電位より貴で、かつＭの析出電位
より卑な電位を基板に付与して中間薄膜を形成する。
により形成する方法 軟磁性薄膜および中間薄膜をいずれも電気めっき法によ
り形成する場合、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析出電位
より卑な電位を基板に付与して軟磁性薄膜を形成する。
そして、これらの析出電位より貴で、かつＭの析出電位
より卑な電位を基板に付与して中間薄膜を形成する。
【００５６】中間薄膜の軟磁性薄膜近傍に存在する遷移
領域は、軟磁性薄膜形成前後に基板の電位を卑側または
貴側に変化させる際に形成される。遷移領域の厚さおよ
び遷移領域中の各元素の濃度勾配は、電位の変化パター
ンを制御することにより調整することができる。
領域は、軟磁性薄膜形成前後に基板の電位を卑側または
貴側に変化させる際に形成される。遷移領域の厚さおよ
び遷移領域中の各元素の濃度勾配は、電位の変化パター
ンを制御することにより調整することができる。
【００５７】なお、軟磁性薄膜および中間薄膜をいずれ
も電気めっき法により形成する場合、通常は２種の電位
を交互に印加するが、軟磁性薄膜形成後、電位を貴側に
移動させる際に、軟磁性薄膜が形成された基板の電位を
一旦Ｍの析出電位よりも貴とし、その後にＭの析出電位
よりも卑とするパターンとしてもよい。これによりＣｏ
およびＦｅの析出を迅速に停止させることができ、上記
した遷移領域が必要以上に厚く形成されることを防ぐこ
とができる。
も電気めっき法により形成する場合、通常は２種の電位
を交互に印加するが、軟磁性薄膜形成後、電位を貴側に
移動させる際に、軟磁性薄膜が形成された基板の電位を
一旦Ｍの析出電位よりも貴とし、その後にＭの析出電位
よりも卑とするパターンとしてもよい。これによりＣｏ
およびＦｅの析出を迅速に停止させることができ、上記
した遷移領域が必要以上に厚く形成されることを防ぐこ
とができる。
【００５８】軟磁性薄膜を電気めっき法により、中間薄
膜を置換めっき法により形成する方法 置換めっき法は、被めっき物の金属よりも貴な金属のイ
オンを含有するめっき浴を用い、被めっき物をめっき浴
中に溶出させ、替わりに貴な金属を被めっき物上に析出
させるものである。
膜を置換めっき法により形成する方法 置換めっき法は、被めっき物の金属よりも貴な金属のイ
オンを含有するめっき浴を用い、被めっき物をめっき浴
中に溶出させ、替わりに貴な金属を被めっき物上に析出
させるものである。
【００５９】本発明では、軟磁性薄膜が被めっき物とな
るが、基体に最も近い最下層の薄膜を置換めっき法によ
り形成する場合は、基体あるいは基体と最下層との間に
設ける下地膜が被めっき物となる。具体的には、Ｃｏイ
オン、ＦｅイオンおよびＭイオンを含有するめっき浴を
用い、Ｃｏ、ＦｅおよびＭを電気めっき法により析出さ
せて軟磁性薄膜を形成し、次いで電圧印加を中断すれ
ば、Ｍだけが析出して中間薄膜が形成される。この場
合、電圧を間欠的に印加するだけで軟磁性薄膜と中間薄
膜とを交互に積層することができ、複雑な電位制御を行
なう必要がない。
るが、基体に最も近い最下層の薄膜を置換めっき法によ
り形成する場合は、基体あるいは基体と最下層との間に
設ける下地膜が被めっき物となる。具体的には、Ｃｏイ
オン、ＦｅイオンおよびＭイオンを含有するめっき浴を
用い、Ｃｏ、ＦｅおよびＭを電気めっき法により析出さ
せて軟磁性薄膜を形成し、次いで電圧印加を中断すれ
ば、Ｍだけが析出して中間薄膜が形成される。この場
合、電圧を間欠的に印加するだけで軟磁性薄膜と中間薄
膜とを交互に積層することができ、複雑な電位制御を行
なう必要がない。
【００６０】なお、必要に応じて、電気めっき浴と置換
めっき浴とを独立して設けて各めっきを行なうこともで
きる。
めっき浴とを独立して設けて各めっきを行なうこともで
きる。
【００６１】また、置換めっき法を用いる態様では、軟
磁性薄膜中のＣｏおよびＦｅとめっき浴中のＭとが置換
して軟磁性薄膜の厚さが減少するので、軟磁性薄膜は、
厚さ減少分を見込んだ厚さに成膜することが好ましい。
磁性薄膜中のＣｏおよびＦｅとめっき浴中のＭとが置換
して軟磁性薄膜の厚さが減少するので、軟磁性薄膜は、
厚さ減少分を見込んだ厚さに成膜することが好ましい。
【００６２】置換めっき法により中間薄膜を形成する場
合、電気めっき法を用いる場合に比べ、遷移領域の厚さ
を一般に薄くすることができる。
合、電気めっき法を用いる場合に比べ、遷移領域の厚さ
を一般に薄くすることができる。
【００６３】軟磁性薄膜を電気めっき法により、中間薄
膜を無電解めっき法により形成する方法 無電解めっき法によりＭを析出させて中間薄膜を形成中
に、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析出電位より卑な電位
を基板に付与すれば、Ｃｏ、ＦｅおよびＭが析出し、軟
磁性薄膜が形成される。
膜を無電解めっき法により形成する方法 無電解めっき法によりＭを析出させて中間薄膜を形成中
に、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析出電位より卑な電位
を基板に付与すれば、Ｃｏ、ＦｅおよびＭが析出し、軟
磁性薄膜が形成される。
【００６４】軟磁性薄膜を無電解めっき法により、中間
薄膜を電気めっき法により形成する方法 無電解めっき法によりＣｏ、ＦｅおよびＭを析出させて
軟磁性薄膜を形成中に、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析
出電位より貴で、かつＭの析出電位より卑な電位を基板
に付与すれば、Ｍが析出して中間薄膜が形成される。
薄膜を電気めっき法により形成する方法 無電解めっき法によりＣｏ、ＦｅおよびＭを析出させて
軟磁性薄膜を形成中に、Ｃｏの析出電位およびＦｅの析
出電位より貴で、かつＭの析出電位より卑な電位を基板
に付与すれば、Ｍが析出して中間薄膜が形成される。
【００６５】上記各方法に用いるめっき浴は、Ｃｏイオ
ン、ＦｅイオンおよびＭイオンを含有する。各イオンの
含有率は、ＣｏイオンとＦｅイオンの合計含有量＝０．
０５〜１０mol/l 、Ｃｏイオン／（Ｃｏイオン＋Ｆｅイ
オン）＝０．４〜０．８（モル比）、Ｍイオンの含有量
＝ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量の１０〜１０００
ppmとし、好ましくは、ＣｏイオンとＦｅイオンの合計
含有量＝０．１〜４mol/l 、Ｃｏイオン／（Ｃｏイオン
＋Ｆｅイオン）＝０．４〜０．６（モル比）、Ｍイオン
の含有量＝ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量の１０〜
５００ppmとする。
ン、ＦｅイオンおよびＭイオンを含有する。各イオンの
含有率は、ＣｏイオンとＦｅイオンの合計含有量＝０．
０５〜１０mol/l 、Ｃｏイオン／（Ｃｏイオン＋Ｆｅイ
オン）＝０．４〜０．８（モル比）、Ｍイオンの含有量
＝ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量の１０〜１０００
ppmとし、好ましくは、ＣｏイオンとＦｅイオンの合計
含有量＝０．１〜４mol/l 、Ｃｏイオン／（Ｃｏイオン
＋Ｆｅイオン）＝０．４〜０．６（モル比）、Ｍイオン
の含有量＝ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量の１０〜
５００ppmとする。
【００６６】Ｃｏイオンの含有量やＦｅイオンの含有量
が前記範囲を超えている場合、これらのイオンの汲み出
し量が多くなりすぎ、また、粘度が高くなって攪拌が困
難となる。一方、含有率が前記範囲未満であると、成膜
速度が不十分である。
が前記範囲を超えている場合、これらのイオンの汲み出
し量が多くなりすぎ、また、粘度が高くなって攪拌が困
難となる。一方、含有率が前記範囲未満であると、成膜
速度が不十分である。
【００６７】なお、ＣｏイオンとＦｅイオンとの比は、
目的とする軟磁性薄膜の組成に応じて決定される。
目的とする軟磁性薄膜の組成に応じて決定される。
【００６８】軟磁性薄膜を電気めっき法により形成する
場合、拡散律速を利用して軟磁性薄膜へのＭの混入率を
低く抑えるので、Ｍイオンの含有量が前記範囲を超えて
いる場合、軟磁性薄膜へのＭの混入量が多くなりすぎ
る。ただし、Ｍイオンの含有量が前記範囲未満である場
合、中間薄膜の成膜速度が不十分となる。
場合、拡散律速を利用して軟磁性薄膜へのＭの混入率を
低く抑えるので、Ｍイオンの含有量が前記範囲を超えて
いる場合、軟磁性薄膜へのＭの混入量が多くなりすぎ
る。ただし、Ｍイオンの含有量が前記範囲未満である場
合、中間薄膜の成膜速度が不十分となる。
【００６９】なお、中間薄膜を無電解めっき法で形成す
る場合、Ｍの析出還元電位はｐＨ、還元剤の種類、温度
等によって異なり、電位−電流曲線の様相はｐＨ、Ｍイ
オン濃度、攪拌状態等により異なるが、拡散律速を利用
するためには、Ｍの電流がＣｏとＦｅの電流の１／２０
以下となるように各種条件を選択することが好ましい。
る場合、Ｍの析出還元電位はｐＨ、還元剤の種類、温度
等によって異なり、電位−電流曲線の様相はｐＨ、Ｍイ
オン濃度、攪拌状態等により異なるが、拡散律速を利用
するためには、Ｍの電流がＣｏとＦｅの電流の１／２０
以下となるように各種条件を選択することが好ましい。
【００７０】なお、めっき浴中におけるＣｏイオンおよ
びＦｅイオンは、それぞれＣｏ（II）およびＦｅ（II）
イオンとして存在する。
びＦｅイオンは、それぞれＣｏ（II）およびＦｅ（II）
イオンとして存在する。
【００７１】めっき浴中には、これらのイオンの他、塩
化ナトリウム等の導電助剤や過硫酸アンモニウム、硝酸
第一タリウム等の置換性向上剤、ほう酸等のpH調整剤、
界面活性剤等の各種補助成分が、必要に応じて含有され
ていてもよい。
化ナトリウム等の導電助剤や過硫酸アンモニウム、硝酸
第一タリウム等の置換性向上剤、ほう酸等のpH調整剤、
界面活性剤等の各種補助成分が、必要に応じて含有され
ていてもよい。
【００７２】また、無電解めっき法を用いる場合、次亜
りん酸塩、ジメチルアミンボラン、ホルマリン、チオ尿
素等の各種還元剤が含有される。
りん酸塩、ジメチルアミンボラン、ホルマリン、チオ尿
素等の各種還元剤が含有される。
【００７３】＜高速めっき法＞本発明において置換めっ
き法を用いる場合、高速めっき法を利用することが好ま
しい。高速めっき法は、一般に電気めっき法において用
いられる手法であり、陰極（被めっき物）近傍でめっき
浴を強制流動させ、これにより陰極表面付近の拡散層の
厚さを減少させて、陰極表面に金属イオンを十分に供給
する方法である。
き法を用いる場合、高速めっき法を利用することが好ま
しい。高速めっき法は、一般に電気めっき法において用
いられる手法であり、陰極（被めっき物）近傍でめっき
浴を強制流動させ、これにより陰極表面付近の拡散層の
厚さを減少させて、陰極表面に金属イオンを十分に供給
する方法である。
【００７４】Ｍの析出に伴い基体近傍のＭイオン濃度が
不均一となってめっき膜がクラスター状に成長する傾向
があるので、中間薄膜を薄く形成する場合には膜状とな
らない場合もあるが、高速めっき法では基体近傍のめっ
き浴を強制流動させるので、基体近傍において金属イオ
ン濃度が不均一となることが殆どなくなる。また、基体
近傍のＭイオンの濃度が低下することがなくなるため、
中間薄膜の形成速度が向上する。
不均一となってめっき膜がクラスター状に成長する傾向
があるので、中間薄膜を薄く形成する場合には膜状とな
らない場合もあるが、高速めっき法では基体近傍のめっ
き浴を強制流動させるので、基体近傍において金属イオ
ン濃度が不均一となることが殆どなくなる。また、基体
近傍のＭイオンの濃度が低下することがなくなるため、
中間薄膜の形成速度が向上する。
【００７５】高速めっき法としては、基体に対しめっき
液を相対的に強制流動させながらめっきを行なうか、め
っき薄膜表面を摩擦しながらめっきを行なう方法を用い
ることが好ましく、特に、めっき液を強制流動させる方
法が好ましい。また、これらの方法を併用することも好
ましい。そして、これらの方法を用いた際の基体に対す
るめっき液の流速は、０．５ｍ／ｓ以上、特に５〜３０
０ｍ／ｓとすることが好ましい。このような範囲で基体
に対してめっき液を相対的に流動させることにより、中
間薄膜の形成速度は著しく向上し、また、中間薄膜の均
質性は著しく向上する。
液を相対的に強制流動させながらめっきを行なうか、め
っき薄膜表面を摩擦しながらめっきを行なう方法を用い
ることが好ましく、特に、めっき液を強制流動させる方
法が好ましい。また、これらの方法を併用することも好
ましい。そして、これらの方法を用いた際の基体に対す
るめっき液の流速は、０．５ｍ／ｓ以上、特に５〜３０
０ｍ／ｓとすることが好ましい。このような範囲で基体
に対してめっき液を相対的に流動させることにより、中
間薄膜の形成速度は著しく向上し、また、中間薄膜の均
質性は著しく向上する。
【００７６】より具体的に説明すると、高速めっき法と
しては、平行流法、ジェット流法、超音波照射法、電極
振動法、電極の高速回転法、めっき中に電極面を摩擦す
る方法等を用いることが好ましい。
しては、平行流法、ジェット流法、超音波照射法、電極
振動法、電極の高速回転法、めっき中に電極面を摩擦す
る方法等を用いることが好ましい。
【００７７】平行流法は、陽極と陰極（基体）の間隔を
狭く保ち、その間隙のめっき液を高速度で流動させる。
平行流法を本発明の多層めっき膜形成に適用する場合、
めっき液の流動速度は０．５ｍ／ｓ程度以上とすること
が好ましい。
狭く保ち、その間隙のめっき液を高速度で流動させる。
平行流法を本発明の多層めっき膜形成に適用する場合、
めっき液の流動速度は０．５ｍ／ｓ程度以上とすること
が好ましい。
【００７８】ジェット流法は、ノズルから基体に向けて
めっき液をジェット流状に噴射するものである。ノズル
および基体は、めっき浴中にあってもよく、めっき浴外
にあってもよい。ジェット流法を本発明の多層めっき膜
形成に適用する場合、層流に近い流れが望ましいため、
基体の中央付近にノズルを配置するのではなく、基体の
端部付近あるいは基体の保持体付近にノズルを配置し、
その位置からめっき液を噴射して、基体上に高速かつ一
定方向の流れを形成することが好ましい。
めっき液をジェット流状に噴射するものである。ノズル
および基体は、めっき浴中にあってもよく、めっき浴外
にあってもよい。ジェット流法を本発明の多層めっき膜
形成に適用する場合、層流に近い流れが望ましいため、
基体の中央付近にノズルを配置するのではなく、基体の
端部付近あるいは基体の保持体付近にノズルを配置し、
その位置からめっき液を噴射して、基体上に高速かつ一
定方向の流れを形成することが好ましい。
【００７９】超音波照射法は、基体に超音波を照射し、
基体付近のめっき液を攪拌するものである。超音波照射
法を本発明の多層めっき膜形成に適用する場合、振動数
は５００MHz 以上とすることが好ましい。
基体付近のめっき液を攪拌するものである。超音波照射
法を本発明の多層めっき膜形成に適用する場合、振動数
は５００MHz 以上とすることが好ましい。
【００８０】電極振動法では、基体を振動させながらめ
っきする。本発明の多層めっき膜形成に適用する場合、
基体の振幅は０．０５〜１mm程度、振動数は１００Hz〜
１０kHz 程度とすることが好ましい。
っきする。本発明の多層めっき膜形成に適用する場合、
基体の振幅は０．０５〜１mm程度、振動数は１００Hz〜
１０kHz 程度とすることが好ましい。
【００８１】電極の高速回転法は、基体を回転させなが
らめっきを行なうものであり、円板や円筒などのように
軸対称形状を有する基体に対して有用である。
らめっきを行なうものであり、円板や円筒などのように
軸対称形状を有する基体に対して有用である。
【００８２】めっき中に電極面を摩擦する方法は、基体
を絶縁性物質で摩擦しながらめっきするものである。
を絶縁性物質で摩擦しながらめっきするものである。
【００８３】なお、電気めっき法における高速めっき法
は、「めっき教本」（電気鍍金研究会編 日刊工業新聞
社発行）の第１８４ページ〜第１８９ぺージに記載され
ている。
は、「めっき教本」（電気鍍金研究会編 日刊工業新聞
社発行）の第１８４ページ〜第１８９ぺージに記載され
ている。
【００８４】また、このような高速めっき法は、中間薄
膜や軟磁性薄膜を電気めっき法により形成する際にも、
必要に応じて適用してもよい。
膜や軟磁性薄膜を電気めっき法により形成する際にも、
必要に応じて適用してもよい。
【００８５】＜熱処理＞本発明では、軟磁性薄膜との境
界近傍の中間薄膜に、前述したような遷移領域が形成さ
れる。そして、めっき条件を制御することにより遷移領
域の厚さや各元素の濃度勾配を制御することが可能であ
るが、各薄膜を形成後、熱処理を施せば、軟磁性薄膜構
成元素と中間薄膜構成元素とが相互に拡散するため、遷
移領域の厚さを増加させることができる。
界近傍の中間薄膜に、前述したような遷移領域が形成さ
れる。そして、めっき条件を制御することにより遷移領
域の厚さや各元素の濃度勾配を制御することが可能であ
るが、各薄膜を形成後、熱処理を施せば、軟磁性薄膜構
成元素と中間薄膜構成元素とが相互に拡散するため、遷
移領域の厚さを増加させることができる。
【００８６】ＭとしてＰｄを用いた場合は、遷移領域の
厚さにより多層めっき膜の磁歪が変化するため、要求さ
れる範囲に磁歪が収まらない場合には熱処理を施すこと
により磁歪を調整することができる。この熱処理の条件
は特に限定されない。すなわち、めっき法により形成さ
れる遷移領域の構成に依存して熱処理条件は異なるの
で、必要とされる磁歪値が得られるように実験的に決定
すればよいが、通常、１５０〜３００℃にて０．５〜３
時間程度とすることが好ましい。
厚さにより多層めっき膜の磁歪が変化するため、要求さ
れる範囲に磁歪が収まらない場合には熱処理を施すこと
により磁歪を調整することができる。この熱処理の条件
は特に限定されない。すなわち、めっき法により形成さ
れる遷移領域の構成に依存して熱処理条件は異なるの
で、必要とされる磁歪値が得られるように実験的に決定
すればよいが、通常、１５０〜３００℃にて０．５〜３
時間程度とすることが好ましい。
【００８７】なお、多層膜形成時には遷移領域が薄くな
るような条件を選択して微細な結晶粒とし、結晶粒成長
が生じないような条件にて熱処理を施して遷移領域を拡
大すれば、極めて優れた特性の多層めっき膜が得られ
る。
るような条件を選択して微細な結晶粒とし、結晶粒成長
が生じないような条件にて熱処理を施して遷移領域を拡
大すれば、極めて優れた特性の多層めっき膜が得られ
る。
【００８８】＜用途＞本発明の多層めっき膜は、高透磁
率、低保磁力等の優れた軟磁気特性が要求され、かつ高
飽和磁束密度が要求される各種用途に好適であるが、特
に、薄膜磁気ヘッドの磁極層に好適である。
率、低保磁力等の優れた軟磁気特性が要求され、かつ高
飽和磁束密度が要求される各種用途に好適であるが、特
に、薄膜磁気ヘッドの磁極層に好適である。
【００８９】薄膜磁気ヘッドは、基体上に磁極層、ギャ
ップ層、コイル層などを気相めっき法や液相めっき法等
の薄膜形成法により形成したものである。このような薄
膜磁気ヘッドは、通常、ハードディスク用の浮上型磁気
ヘッドとして用いられる。
ップ層、コイル層などを気相めっき法や液相めっき法等
の薄膜形成法により形成したものである。このような薄
膜磁気ヘッドは、通常、ハードディスク用の浮上型磁気
ヘッドとして用いられる。
【００９０】本発明が適用される薄膜磁気ヘッドの構成
に制限はなく、例えば図１に示されるような構成を有す
る浮上型の薄膜磁気ヘッドを始め、様々な構成のものに
適用することができる。
に制限はなく、例えば図１に示されるような構成を有す
る浮上型の薄膜磁気ヘッドを始め、様々な構成のものに
適用することができる。
【００９１】図１に示される薄膜磁気ヘッド１０は、基
体２０上に、絶縁層３１、下部磁極層４１、ギャップ層
５０、絶縁層３３、コイル層６０、絶縁層３５、上部磁
極層４５および保護層７０を順次有し、面内記録の磁気
ディスクに対して用いられるものである。
体２０上に、絶縁層３１、下部磁極層４１、ギャップ層
５０、絶縁層３３、コイル層６０、絶縁層３５、上部磁
極層４５および保護層７０を順次有し、面内記録の磁気
ディスクに対して用いられるものである。
【００９２】コイル層６０は、通常、Ａｌ、Ｃｕ等の金
属で構成される。
属で構成される。
【００９３】基体２０は、通常、Ｍｎ−Ｚｎフェライト
やＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミックスから構成され
る。
やＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミックスから構成され
る。
【００９４】磁極は、通常、図示のように下部磁極層４
１および上部磁極層４５として設けられ、これらの磁極
層に本発明の多層めっき膜を用いる。
１および上部磁極層４５として設けられ、これらの磁極
層に本発明の多層めっき膜を用いる。
【００９５】下部磁極層４１と上部磁極層４５の間には
ギャップ層５０が形成される。ギャップ層５０は、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の非磁性材料から構成される。
ギャップ層５０が形成される。ギャップ層５０は、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の非磁性材料から構成される。
【００９６】コイル層６０は、いわゆるスパイラル型と
して、スパイラル状に下部および上部磁極層４１，４５
間に配設されており、コイル層６０と下部および上部磁
極層４１，４５の間には絶縁層３３、３５が設層されて
いる。また下部磁極層４１と基体２０との間には、絶縁
層３１が設層されている。絶縁層の材料としては、例え
ば、ＳｉＯ2 、ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 等が用いられる。
して、スパイラル状に下部および上部磁極層４１，４５
間に配設されており、コイル層６０と下部および上部磁
極層４１，４５の間には絶縁層３３、３５が設層されて
いる。また下部磁極層４１と基体２０との間には、絶縁
層３１が設層されている。絶縁層の材料としては、例え
ば、ＳｉＯ2 、ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 等が用いられる。
【００９７】上部磁極層４５上には保護層７０が設層さ
れている。保護層は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 等から構成さ
れる。また、保護層上には、必要に応じて各種樹脂コー
ト層等が積層される。
れている。保護層は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 等から構成さ
れる。また、保護層上には、必要に応じて各種樹脂コー
ト層等が積層される。
【００９８】このような薄膜磁気ヘッドの製造工程は、
通常、薄膜作成とパターン形成とから構成される。下部
および上部磁極層４１，４５は、前述した各種液相めっ
き法により形成される。なお、その際に、前述したよう
な導電性下地膜を必要に応じて設けてもよい。また、磁
極層以外の各層は、例えば真空蒸着法やスパッタ法等の
気相成膜法を用いて形成すればよいが、材質によっては
液相めっき法を用いることもできる。薄膜磁気ヘッドの
各層のパターン形成は、通常、選択エッチングや選択デ
ポジション等により行なう。
通常、薄膜作成とパターン形成とから構成される。下部
および上部磁極層４１，４５は、前述した各種液相めっ
き法により形成される。なお、その際に、前述したよう
な導電性下地膜を必要に応じて設けてもよい。また、磁
極層以外の各層は、例えば真空蒸着法やスパッタ法等の
気相成膜法を用いて形成すればよいが、材質によっては
液相めっき法を用いることもできる。薄膜磁気ヘッドの
各層のパターン形成は、通常、選択エッチングや選択デ
ポジション等により行なう。
【００９９】このような薄膜磁気ヘッドは、アーム等の
従来公知のアセンブリと組み合わせて使用される。
従来公知のアセンブリと組み合わせて使用される。
【０１００】本発明の多層めっき膜は、このような面内
記録用の薄膜磁気ヘッドの他、Ｃｏ−Ｃｒ等の垂直磁化
磁性層を有する磁気記録媒体用の垂直磁気ヘッドにも好
適である。本発明の多層めっき膜が垂直磁気ヘッドに適
用される場合、通常、主磁極として用いられる。
記録用の薄膜磁気ヘッドの他、Ｃｏ−Ｃｒ等の垂直磁化
磁性層を有する磁気記録媒体用の垂直磁気ヘッドにも好
適である。本発明の多層めっき膜が垂直磁気ヘッドに適
用される場合、通常、主磁極として用いられる。
【０１０１】また、これらの他、本発明の多層めっき膜
は、ＭＩＧ型磁気ヘッドに適用することもできる。ＭＩ
Ｇ型磁気ヘッドは通常のリング型磁気ヘッドのギャップ
近傍に、ヘッドのコアよりも飽和磁束密度Ｂs の高い軟
磁性膜を設けた磁気ヘッドであり、通常、コアとしては
フェライトが、高Ｂs の軟磁性膜としてはセンダスト等
の高Ｂs 材料が用いられている。ＭＩＧ型磁気ヘッドで
は、軟磁性膜が磁極としてはたらくことになる。本発明
の多層めっき膜は、このようなＭＩＧ型磁気ヘッドの軟
磁性膜に適用される。
は、ＭＩＧ型磁気ヘッドに適用することもできる。ＭＩ
Ｇ型磁気ヘッドは通常のリング型磁気ヘッドのギャップ
近傍に、ヘッドのコアよりも飽和磁束密度Ｂs の高い軟
磁性膜を設けた磁気ヘッドであり、通常、コアとしては
フェライトが、高Ｂs の軟磁性膜としてはセンダスト等
の高Ｂs 材料が用いられている。ＭＩＧ型磁気ヘッドで
は、軟磁性膜が磁極としてはたらくことになる。本発明
の多層めっき膜は、このようなＭＩＧ型磁気ヘッドの軟
磁性膜に適用される。
【０１０２】さらに、これら各種磁気ヘッドの他、本発
明の多層めっき膜は優れた軟磁気特性が要求される各種
用途、例えば、薄膜トランスや磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド、磁界センサ等にも好適である。
明の多層めっき膜は優れた軟磁気特性が要求される各種
用途、例えば、薄膜トランスや磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド、磁界センサ等にも好適である。
【０１０３】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【０１０４】［実施例１］５０×５０×１mmの酸化マグ
ネシウム基体表面に、ＭＢＥ法により厚さ１００A のＣ
ｕ下地膜を形成した。この下地膜表面を室温の０．１Ｎ
−ＨＣｌにて２０秒洗浄し、さらに純水により２０秒間
水洗した。
ネシウム基体表面に、ＭＢＥ法により厚さ１００A のＣ
ｕ下地膜を形成した。この下地膜表面を室温の０．１Ｎ
−ＨＣｌにて２０秒洗浄し、さらに純水により２０秒間
水洗した。
【０１０５】次いで下地膜上に、下記めっき浴を用いた
電気めっき法により軟磁性薄膜および中間薄膜を積層し
た。
電気めっき法により軟磁性薄膜および中間薄膜を積層し
た。
【０１０６】（めっき浴組成）硫酸コバルトおよび硫酸
鉄：それぞれＣｏイオンおよびＦｅイオンに換算して合
計含有量は０．２mol/l とした。この合計中のＣｏイオ
ンの比率を、下記表１のめっき浴組成欄に示す。
鉄：それぞれＣｏイオンおよびＦｅイオンに換算して合
計含有量は０．２mol/l とした。この合計中のＣｏイオ
ンの比率を、下記表１のめっき浴組成欄に示す。
【０１０７】
ほう酸：０．５mol/l
塩化リチウム：０．５mol/l
ラウリル硫酸ソーダ：０．０１g/l
【０１０８】塩化パラジウムおよび硫酸銅：それぞれＰ
ｄイオンおよびＣｕイオンに換算したときの含有量の、
ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量に対する比率を、下
記表１のめっき浴組成欄に示す。
ｄイオンおよびＣｕイオンに換算したときの含有量の、
ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量に対する比率を、下
記表１のめっき浴組成欄に示す。
【０１０９】めっき浴の温度は４０℃、めっき浴のｐＨ
は２．７とし、アノードにはＰｔを用いた。
は２．７とし、アノードにはＰｔを用いた。
【０１１０】Ｐｄイオンを含有するめっき浴を用いた場
合、基体には、２０V（１秒）→２．５V （５秒）のサ
イクルで電圧を印加し、このサイクルを４５回繰り返し
て多層めっき膜とした。なお、２０V の電圧印加後に
０．５秒間電圧印加を休止し、陰極表面の電位を調整し
たのち、２．５V の電圧を印加する構成とした。
合、基体には、２０V（１秒）→２．５V （５秒）のサ
イクルで電圧を印加し、このサイクルを４５回繰り返し
て多層めっき膜とした。なお、２０V の電圧印加後に
０．５秒間電圧印加を休止し、陰極表面の電位を調整し
たのち、２．５V の電圧を印加する構成とした。
【０１１１】また、Ｃｕイオンを含有するめっき浴を用
いた場合、基体には、２０V （１秒）→１．７V （１０
秒）のサイクルで電圧を印加し、このサイクルを４５回
繰り返して多層めっき膜とした。なお、この電圧印加時
間はＣｕイオン濃度が１５０ppm の場合であり、その他
の場合にはＣｕイオン濃度や中間薄膜の厚さに応じて電
圧印加時間を変更した。また、２０V の電圧印加後に−
１．７V の電圧を０．５秒間印加したのち、＋１．７V
の電圧を印加する構成とした。
いた場合、基体には、２０V （１秒）→１．７V （１０
秒）のサイクルで電圧を印加し、このサイクルを４５回
繰り返して多層めっき膜とした。なお、この電圧印加時
間はＣｕイオン濃度が１５０ppm の場合であり、その他
の場合にはＣｕイオン濃度や中間薄膜の厚さに応じて電
圧印加時間を変更した。また、２０V の電圧印加後に−
１．７V の電圧を０．５秒間印加したのち、＋１．７V
の電圧を印加する構成とした。
【０１１２】このようにして形成された多層めっき膜サ
ンプルの軟磁性薄膜中のＣｏ含有量とＦｅ含有量との比
は、めっき浴中のＣｏイオンとＦｅイオンとの比とほぼ
同一であり、Ｍ含有量は２原子％以下であった。また、
中間薄膜は、Ｍを主成分とし、ＣｏおよびＦｅを含有す
るものであった。
ンプルの軟磁性薄膜中のＣｏ含有量とＦｅ含有量との比
は、めっき浴中のＣｏイオンとＦｅイオンとの比とほぼ
同一であり、Ｍ含有量は２原子％以下であった。また、
中間薄膜は、Ｍを主成分とし、ＣｏおよびＦｅを含有す
るものであった。
【０１１３】軟磁性薄膜の厚さおよび中間薄膜の厚さと
軟磁性薄膜の結晶粒径とを、表１に示す。なお、サンプ
ルNo. １−５は、Ｃｕイオンを含まないめっき浴を用い
た比較サンプルである。
軟磁性薄膜の結晶粒径とを、表１に示す。なお、サンプ
ルNo. １−５は、Ｃｕイオンを含まないめっき浴を用い
た比較サンプルである。
【０１１４】各薄膜の厚さは透過型電子顕微鏡により測
定し、各薄膜の組成はプラズマ発光分析（ＩＣＰ）によ
り測定し、軟磁性薄膜の結晶粒径はＣｕ−Ｋα線を用い
たＸ線回折により算出した。
定し、各薄膜の組成はプラズマ発光分析（ＩＣＰ）によ
り測定し、軟磁性薄膜の結晶粒径はＣｕ−Ｋα線を用い
たＸ線回折により算出した。
【０１１５】これらのサンプルの磁気特性を下記のよう
にして測定した。
にして測定した。
【０１１６】（飽和磁束密度Ｂs ）ＶＳＭにより測定し
た。
た。
【０１１７】（保磁力Ｈc ）Ｂ−Ｈトレーサにより測定
した。
した。
【０１１８】（透磁率μ）８の字コイルにより測定し
た。
た。
【０１１９】（飽和磁歪定数λs ）サンプルを膜面内に
回転する磁界中に配置して、サンプルの反りを同期整流
方式によってレーザーを用いて検出、測定した。これら
の結果を下記表１に示す。
回転する磁界中に配置して、サンプルの反りを同期整流
方式によってレーザーを用いて検出、測定した。これら
の結果を下記表１に示す。
【０１２０】
【表１】
【０１２１】［実施例２］実施例１で用いた基体上に、
軟磁性薄膜を電気めっき法により、中間薄膜を置換めっ
き法により形成した。
軟磁性薄膜を電気めっき法により、中間薄膜を置換めっ
き法により形成した。
【０１２２】めっき浴の組成は、下記表２に示されるも
の以外は実施例１と同一とし、めっき浴温度およびｐＨ
も実施例１と同一とした。
の以外は実施例１と同一とし、めっき浴温度およびｐＨ
も実施例１と同一とした。
【０１２３】アノードにはＰｔを用い、基体とアノード
とをセルに収め、これらの間隙にめっき液を高速度で流
動させる平行流法によりめっきを行なった。セルの寸法
は、高さ１cm、幅３cm、長さ５cmであり、セル底面に基
体を配置し、基体と対向してアノードを配置した。そし
て、セルの長さ方向に流速５０ｍ／ｓでめっき液を流し
た。
とをセルに収め、これらの間隙にめっき液を高速度で流
動させる平行流法によりめっきを行なった。セルの寸法
は、高さ１cm、幅３cm、長さ５cmであり、セル底面に基
体を配置し、基体と対向してアノードを配置した。そし
て、セルの長さ方向に流速５０ｍ／ｓでめっき液を流し
た。
【０１２４】Ｐｄイオンを含有するめっき浴を用いた場
合、基体には、２２V（１秒）→０V （４０秒）のサイ
クルで電圧を印加し、このサイクルを４５回繰り返し
て、厚さ約１μm の多層めっき膜を形成した。
合、基体には、２２V（１秒）→０V （４０秒）のサイ
クルで電圧を印加し、このサイクルを４５回繰り返し
て、厚さ約１μm の多層めっき膜を形成した。
【０１２５】また、Ｃｕイオンを含有するめっき浴を用
いた場合、基体には、２０V （２秒）→０V （８０秒）
のサイクルで電圧を印加し、このサイクルを４５回繰り
返した。
いた場合、基体には、２０V （２秒）→０V （８０秒）
のサイクルで電圧を印加し、このサイクルを４５回繰り
返した。
【０１２６】軟磁性薄膜中のＣｏ含有量とＦｅ含有量と
の比は、めっき浴中のＣｏイオンとＦｅイオンとの比と
ほぼ同一であり、Ｍ含有量は２原子％以下であった。ま
た、中間薄膜は、Ｍを主成分とし、ＣｏおよびＦｅを含
有するものであった。
の比は、めっき浴中のＣｏイオンとＦｅイオンとの比と
ほぼ同一であり、Ｍ含有量は２原子％以下であった。ま
た、中間薄膜は、Ｍを主成分とし、ＣｏおよびＦｅを含
有するものであった。
【０１２７】なお、電圧印加中に軟磁性薄膜が形成さ
れ、電圧印加休止時に中間薄膜が形成された。
れ、電圧印加休止時に中間薄膜が形成された。
【０１２８】これら各サンプルについても実施例１と同
様な測定を行なった。結果を下記表２に示す。
様な測定を行なった。結果を下記表２に示す。
【０１２９】
【表２】
【０１３０】［実施例３］下記めっき浴を用いて、軟磁
性薄膜を電気めっき法により、中間薄膜を無電解めっき
法により形成し、多層めっきサンプルを作製した。
性薄膜を電気めっき法により、中間薄膜を無電解めっき
法により形成し、多層めっきサンプルを作製した。
【０１３１】めっき浴
スルファミン酸コバルト：０．２mol/l
スルファミン酸鉄：０．２mol/l
ほう酸：０．５mol/l
次亜りん酸ナトリウム：０．８mol/l
塩化アンモニウム：０．５mol/l
硫酸銅：Ｃｕイオン＝Ｃｏイオン＋Ｆｅイオンの８０pp
m めっき浴温度は４０℃、めっき浴のｐＨは８．０とし
た。
m めっき浴温度は４０℃、めっき浴のｐＨは８．０とし
た。
【０１３２】また、電圧印加は、１８V （１秒）→０V
（２０秒）のサイクルを４５回繰り返した。
（２０秒）のサイクルを４５回繰り返した。
【０１３３】この多層めっき膜サンプルの軟磁性薄膜の
厚さは２００A 、中間薄膜の厚さは２０A であり、各種
特性は、表１に示されるサンプルNo. １−３とほぼ同等
であった。
厚さは２００A 、中間薄膜の厚さは２０A であり、各種
特性は、表１に示されるサンプルNo. １−３とほぼ同等
であった。
【０１３４】また、下記めっき浴を用いて、軟磁性薄膜
を無電解めっき法により、中間薄膜を電気めっき法によ
り形成し、多層めっきサンプルを作製した。
を無電解めっき法により、中間薄膜を電気めっき法によ
り形成し、多層めっきサンプルを作製した。
【０１３５】めっき浴
塩化コバルト：０．３mol/l
塩化鉄：０．３mol/l
ほう酸：０．５mol/l
次亜りん酸ナトリウム：０．４mol/l
塩化ナトリウム：０．５mol/l
硫酸銅：Ｃｕイオン＝Ｃｏイオン＋Ｆｅイオンの５０pp
m めっき浴温度は８０℃、めっき浴のｐＨは８．０とし
た。
m めっき浴温度は８０℃、めっき浴のｐＨは８．０とし
た。
【０１３６】また、電圧印加は、２．２V （４０秒）→
０V （６０秒）のサイクルを４５回繰り返した。
０V （６０秒）のサイクルを４５回繰り返した。
【０１３７】この多層めっき膜サンプルの軟磁性薄膜の
厚さは２００A 、中間薄膜の厚さは２０A であり、各種
特性は、表１に示されるサンプルNo. １−３とほぼ同等
であった。
厚さは２００A 、中間薄膜の厚さは２０A であり、各種
特性は、表１に示されるサンプルNo. １−３とほぼ同等
であった。
【０１３８】［実施例４］上記各実施例において、Ｃｕ
に替えてＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、ＲｈまたはＲｕを用
いて多層めっき膜を作製したところ、上記各実施例とほ
ぼ同等の結果が得られた。
に替えてＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、ＲｈまたはＲｕを用
いて多層めっき膜を作製したところ、上記各実施例とほ
ぼ同等の結果が得られた。
【０１３９】［実施例５］実施例１で作製した多層めっ
き膜サンプルNo. １−９に、３００℃にて３０分間熱処
理を施した。この結果、λs は０．２×１０-5に低下
し、μは２０００に向上した。
き膜サンプルNo. １−９に、３００℃にて３０分間熱処
理を施した。この結果、λs は０．２×１０-5に低下
し、μは２０００に向上した。
【０１４０】［実施例６］図１に示される構成の本発明
の薄膜磁気ヘッドを作製した。下部磁極層４１および上
部磁極層４５には、実施例１のサンプルNo.１−９と同
様にして形成した多層めっき膜を用いた。ただし、中間
薄膜の厚さは３０A とし、軟磁性薄膜の積層数は１４０
とした。
の薄膜磁気ヘッドを作製した。下部磁極層４１および上
部磁極層４５には、実施例１のサンプルNo.１−９と同
様にして形成した多層めっき膜を用いた。ただし、中間
薄膜の厚さは３０A とし、軟磁性薄膜の積層数は１４０
とした。
【０１４１】また、比較のために、電気めっき法により
形成した厚さ３．０μm のNi80Fe20単層膜を下部および
上部磁極層として有する薄膜磁気ヘッドを作製した。
形成した厚さ３．０μm のNi80Fe20単層膜を下部および
上部磁極層として有する薄膜磁気ヘッドを作製した。
【０１４２】これらの薄膜磁気ヘッドについて、Ｈc ＝
１５００ Oeの磁気記録媒体へのオーバーライト特性
（１３．４４MHz −３．３６MHz 、５０mAop）を比較し
たところ、本発明の磁気ヘッドは比較磁気ヘッドに較べ
て８dB高い値を示した。
１５００ Oeの磁気記録媒体へのオーバーライト特性
（１３．４４MHz −３．３６MHz 、５０mAop）を比較し
たところ、本発明の磁気ヘッドは比較磁気ヘッドに較べ
て８dB高い値を示した。
【０１４３】以上の各実施例から、本発明の効果が明ら
かである。
かである。
【０１４４】
【発明の効果】本発明によれば、設備コストが低く量産
性が高い液相めっき法を用いて、飽和磁束密度が高く優
れた軟磁気特性を示す多層めっき膜を実現できる。
性が高い液相めっき法を用いて、飽和磁束密度が高く優
れた軟磁気特性を示す多層めっき膜を実現できる。
【図１】本発明の磁気ヘッドの好適実施例である浮上型
の薄膜磁気ヘッドを部分的に示す断面図である。
の薄膜磁気ヘッドを部分的に示す断面図である。
１０ 薄膜磁気ヘッド
２０ 基体
３１，３３，３５ 絶縁層
４１ 下部磁極層
４５ 上部磁極層
５０ ギャップ層
６０ コイル層
７０ 保護層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
// Ｃ２３Ｃ 14/46 8414−4Ｋ
Claims (10)
- 【請求項１】 実質的にＣｏ、ＦｅおよびＭ（ただし、
Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｈまた
はＲｕである。）からなる軟磁性薄膜と、この軟磁性薄
膜よりもＭの含有量が多い中間薄膜とが交互に積層され
た構成の軟磁性多層めっき膜を製造する方法であって、 前記軟磁性薄膜および前記中間薄膜を形成する際に用い
るめっき浴が、 ＣｏイオンとＦｅイオンの合計含有量＝０．０５〜１０
mol/l 、 Ｃｏイオン／（Ｃｏイオン＋Ｆｅイオン）＝０．４〜
０．８（モル比）、 Ｍイオンの含有量＝ＣｏイオンとＦｅイオンの合計重量
の１０〜１０００ppmであることを特徴とする軟磁性多
層めっき膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記軟磁性薄膜を電気めっき法により形
成し、前記中間薄膜を電気めっき法、置換めっき法また
は無電解めっき法により形成する請求項１に記載の軟磁
性多層めっき膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記軟磁性薄膜を無電解めっき法により
形成し、前記中間薄膜を電気めっき法により形成する請
求項１に記載の軟磁性多層めっき膜の製造方法。 - 【請求項４】 軟磁性多層めっき膜を形成後、熱処理を
施す請求項１ないし３のいずれかに記載の軟磁性多層め
っき膜の製造方法。 - 【請求項５】 式 （Ｃｏx Ｆｅ1-x ）1-y Ｍy （ただし、上記式においてＭは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｉｒ、ＲｈまたはＲｕであり、また、ｘおよ
びｙは原子比を表わし、０．４≦ｘ≦０．８、ｙ≦０．
１である。）で表わされる組成を有する軟磁性薄膜と、
この軟磁性薄膜よりもＭの含有量が多い中間薄膜とが交
互に積層されていることを特徴とする軟磁性多層めっき
膜。 - 【請求項６】 飽和磁束密度が２０kG以上である請求項
５に記載の軟磁性多層めっき膜。 - 【請求項７】 前記ＭがＰｄであり、飽和磁歪定数λs
が＋３×１０-6以下である請求項５または６に記載の軟
磁性多層めっき膜。 - 【請求項８】 前記軟磁性薄膜の厚さが５０００A 以下
であり、前記中間薄膜の厚さが２５００A 以下である請
求項５ないし７のいずれかに記載の軟磁性多層めっき
膜。 - 【請求項９】 請求項１ないし４のいずれかに記載の軟
磁性多層めっき膜の製造方法により製造された請求項５
ないし８のいずれかに記載の軟磁性多層めっき膜。 - 【請求項１０】 請求項５ないし９のいずれかに記載の
軟磁性多層めっき膜を磁極として有することを特徴とす
る磁気ヘッド。
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