JPH02302918A

JPH02302918A - 磁気装置の磁極を形成する方法

Info

Publication number: JPH02302918A
Application number: JP2102756A
Authority: JP
Inventors: Harold B Shukovsky; ハロルド　ビー　シュコヴスキー; Michelle Martin; マーティンマイケル; Michael Mallary; マイケル　マラリー; Ree Sidman Allen; アレン　リー　シードマン
Original assignee: Digital Equipment Corp
Current assignee: Digital Equipment Corp
Priority date: 1989-05-01
Filing date: 1990-04-18
Publication date: 1990-12-14
Anticipated expiration: 2010-08-02
Also published as: CA2012294A1; DE69019416D1; US5571573A; EP0396227A2; JPH0772929B2; EP0396227A3; DE69019416T2; ATE122812T1; EP0396227B1; CA2012294C

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は高密度磁気記録のてきる読み出し／書き込み装
置に関する。

磁気ヘッド等における磁束の伝導は２つのメカニズム、
すなわち、領域壁移動と領域回転によって行なわれる。

領域壁移動では、磁束は１つの領域あるいは複数の領域
の壁に沿ってヘッドを貫いて伝わり、平衡状態に戻ろう
としながら領域壁に沿って広かる。しかしなから、領域
壁移動は低周波数における磁束の伝導を促進はするが、
高周波数で磁束の伝導を行なう伝導手段としては劣って
いる。さらに、ヘッド材料の欠陥がバルクハウゼン・ノ
イズの原因となる可能性があると共に、この結果によっ
て壁移動が乱されることもある。

このようなノイズは記録データの読み取゛りてエラーを
招く可能性かある。

第１ａ図は成る従来の薄膜へラドである磁気トランスジ
ューサの磁極端領域１０を概略的に示しており、これは
磁気媒体から磁束を読み出すとき領域回転による伝導を
行なうような形態となっている。磁極Ｐ１は中央磁気領
域１２を備えており、この中央磁極領域は磁極の長手軸
線に対して横断方向の静止領域状態矢印１４て示す異方
性軸線（イージー軸線）を有する。磁極Ｐ１は全幅Ｗｔ
であり、この全幅は中央領域の幅Ｗｃと縁領域の合計幅
２ＷＸを含む。ずなわち、Ｗｔ　＝Ｗｃ＋　２ＷＸであ
る。中央領域ては、領域回転による所望の伝導か生じる
。バルクハウゼン・ノイズの可能性は中央領域幅Ｗｃに
反比例する。

第１ｂ図は十字形領域構造を備えた狭い幅を有する成る
従来の磁極片Ｐ１を示している。この構造では、各縁領
域はまだ幅ＷＸを有し、中央伝導セクションの幅は適切
なものてはない。それ故、この場合には、ｗｔ　−２Ｗ
Ｘである。

回転メカニズムによる磁極端における磁性切り換えは領
域壁移動による切り換えより好ましい。

回転による切り換えの利点は、周波数応答性が高く、効
率か高く、バルクハウゼン・ノイズの可能性が低いとい
うことにある。

静止領域形態は、部分的に、付着中に中軸異方性を生じ
させることによって制御される。従来の薄膜ヘッドにお
いては、正、負両方の磁気ひずみ（異方性ストレスと関
連する）が用いられてヘッド磁極片のめっき中に磁界に
よって生じる好適な領域形態を補強している。

代表的な薄膜ヘッドの異方性磁界（Ｈｈ　）は次のよう
に実効、固有異方性によって表現することがてきる。す
なわち、Ｈｋ（実効）　＝Ｈｋ　（固有）千旦ｄ入ここで、ｄ＝
異方性ストレス、λ＝耐磁気ずみ定数、Ｍ、＝飽和磁化
。それ故、実効異方性磁界Ｈｋは付着プロセスならびに
磁極ジェオメトリの結果としての磁気ひずみと異方性ス
トレスの適用を制御することによっ−で高めることがて
きる。

本発明の１局面は磁気装置の少なくとも１つの磁極を成
形する方法であって、選定した磁極幅について最大のパ
ーミアンスを決定する段階と、このパーミアンスを選定
磁極幅を有する磁極についての予想異方性磁界に関係付
ける段階と、この異方性磁界を付着流内の所望のコバル
ト濃度に関係付ける段階と、付着流がらほぼ所望のコバ
ルト濃度を有する少なくとも１つの磁極を成形する段階
とを包含することを特徴とする方法に関する。好ましく
は、この方法は約−５，３ｘｌＯ−７〜Ｏの範囲内の近
ゼロ磁気ひずみを有する磁極を成形し、この成形した磁
極を焼なましする段階を包含する。

本発明は以下の特徴の任意のものを含み得る。

すなわち、成形済みの磁極の保持力か１エルステッド以
下であること。成形済みの磁極が、その先端のところで
、１ミクロン厚より大きい３ミクロン幅であり、１５０
０未満の透磁率を有すること。成形済みの磁極の異方性
磁界が３〜１４エルステッドの範囲にあること。磁極の
異方性か焼なまし前は９エルステッドであり、焼なまし
後は１２エルステッドであること。成形済の磁極か約１
以下のエルステッドの保磁力の場合に約０．５〜０．７
の範囲にあるＷｃ／ＷＬの比を有すること。成形済みの
磁極がが約１３０００ガウスの飽和束密度を有すること
。成形済みの磁極か約６１．５〜６６重量％のニッケル
、１３〜１４．５重量％の鉄、２１〜２４重量％のコバ
ルトであり、好ましくは、焼なまし後に重量て約６４．
５％のニッケル、１３．５％の鉄、２２％のコバルトで
あること。成形済みの磁極が横イージー軸線を有し、焼
なましを行なうのに、磁極のイージー軸線に対して平行
な方向性磁界において約８時間にわたって約２４０　’
Ｃて真空中で磁極をベータし、方向性磁界が好ましくは
約１１００エルステッド以上であることである。

好ましい付着流は約２０〜２５重量％の範囲にあるコバ
ルト成分を有するニッケル・鉄めっき浴であり、好まし
くは、約３．６５グラム／リットルの塩化コバルト・ヘ
キサヒトレートを有する。

この浴は、好ましくは、改質ワット浴であり、塩化ニッ
ケル、サッカリン・ナトリウム、塩化第一鉄、塩化コバ
ルトを含有する。

本発明の別の局面においては、薄膜ヘッドを製造する方
法が、ウェーハの蒸着面に磁極パターンを定める段階と
、陰極固定具にウェーハを取り付け、それをめっき浴内
に浸漬する段階と、磁気ひ、ずみをほぼゼロに維持しか
つ所望の磁極パーミアンスを得るようにコバルト成分を
制御しながら磁極パターンに従ってコバルト合金磁極を
成形する段階と、成形した磁極を焼なましする段階とを
句会する。好ましくは、少なくとも１つの磁極を焼なま
しして、Ｗｃ／Ｗｃ比を０．５〜０．７の範囲とする。

他の利点および特徴は好ましい実施例についての以下の
説明と特許請求の範囲から明らかとなろう。

高密度記録では、狭いトラック幅を持ったヘッド設計が
必要であり、好ましくは、領域形態か第１ａ図に示すも
のてなければならない。これは磁極（単数または複数）
の幅Ｗｔを減らすことによって達成されるが、このヘッ
ド磁極幅ＷＬか３ミクロンはどまで狭くされると、中央
磁束伝導領域幅Ｗｃがゼロに近くなりかちであり、この
場合の領域構造は第ｉｂ図に示す公知の形態を採る。

この時点で、領域回転が磁束伝導の機能的なメカニズム
としての役割りを失い、ヘッドの効率は低下することに
なる。したかって、Ｗｃ／ｗＬの比は幅の狭いトラック
を持つヘッドテザインては意味を持つように思える。本
発明者等か好ましいとするＷｃＺＷｔ比は０．５〜０．
７の範囲にあり、少なくとも、約３ミクロン幅の狭いト
ラック・ヘッドにおいて領域回転を維持するためには、
保磁力（Ｈｃ）の許容レベルは約１エルステッド未満で
ある。

本発明者等は、約１エルステッドは幅の狭いトラック（
たとえば、３ミクロン）の読み出し／書き込みヘッドの
ための許容保磁力レベルのほぼ上限であるが、実際の望
ましい値は特定の幅と用途に依存することになると考え
ている。本発明の目的のためには、成る所与のジェオメ
トリに対する許容保磁力レベルは横断方向静止領域状態
オリエンテーションを読み出しと書き込みの間て読み出
し前に再開させ得るレベルとして定義することができる
。

本発明者等は、合金製磁気ヘッドにおいて成る許容保磁
力レベルに対する異方性磁界（すなわち、Ｈｃに対する
Ｈｋ）を高めると、ＷｃＺＷｔ比か改善され、第１ａ図
の領域形態をより良好に達成てきることを見出した。そ
れ故、もしＨｋ／Ｈｃ比が比較的高く保たれたならば（
すなわち、Ｈ，、Ｈｃが後述の許容レベルにある場合）
、第１ａ図の領域構造を得ることがてきる。

本発明者等は、ＨｋＺＨｃ比は制御てきたら好ましいと
認識している。一層詳しく言えは、また、本発明者等は
、コバルトをニッケル・鉄合金に添加すると、Ｈｈ、Ｈ
ｃの両方か率は異なっていても増大することを見出した
。これはクラン２ａと２ｂを比較するとわかる。グラフ
２ａにおいて、Ｈｃ　（エルステッド）が付着した薄膜
内のコバルトの重量パーセントの関数としてプロットし
である。第２ｂ図ては、めっき薄膜Ｈｋ　（エルステッ
ド）が薄膜内のコバルトの重量パーセントの関数として
プロットしである。したがって、Ｈｃの増大率はコバル
ト成分が約２５重量％より多い場合により急勾配となり
、それに対して、Ｈｋはコバルト成分のパーセンテージ
か高まるにつれてむしろ単調に増大することがわかる。

それ故に、コバルト成分を慎重に選ぶことによって、ニ
ッケル・鉄台金製の磁極の場合、）（ｋ、Ｈ，、の許容
しベルか約２５重量％以下のコバルトて得られることに
なる。したかって、コバルトを調節することによってＨ
ｋ／Ｈ０比を所与の磁極について最適化することがてき
る。

加えて、本発明者等は、焼なましを行なうとめっき薄膜
のＨｋ／　Ｈ、比を改善てきることを発見した。事実、
焼なまし時にＨｃの変化は少ないが、あるいは、まった
くないが、Ｈｋには有意の増大がある。Ｈ３の焼なまし
による変化はコバルト成分の一次関数であるように見え
る。本発明者等のですとでは、少なくとも、第２ｃ図に
示すようにコバルトか０％から約４３重量％までの範囲
内ては上記のような考察を確認した。

さらに、本発明者等は、コバルト成分が少なすぎると、
磁極のＨｋか低すぎ、パーミアンスが低くなり、バルク
ハウゼン・ノイズが高くなり、首尾一貫したプロセス結
果を欠くと考える。コバルトか多すぎると、保磁力が高
くなりすぎ、透磁率かかなり低下し、作られた磁極のパ
ーミアンスが低くなる可能性かある。

パーミアンスＰは透磁率ｐ、磁極幅Ｗｔ（まずく寸法に
よって影響を受ける）および磁極厚さＴ（付着パラメー
タによって影響を受ける）の積として定義される。パー
ミアンスは、第２図に示すように、所与の磁極幅Ｗｔに
対するＨｂに機能的に関係する。所与の磁極幅について
Ｐの最高ｔｉは透磁率と厚さくこの磁極の幅を含む）の
種々のレベルを有するサンプルをテストすることによっ
て得ることかてきる。パーミアンスは普通の方法で測定
し得る。

こうして、ここて、領域形態、コバルト成分、Ｈｋ、Ｈ
ｃ、それらの比、ＰおよびＷ　、、／　Ｗ　を比を関係
付けることかできる。３ミクロンのニッケル・鉄合金の
例では、コバルト成分か低い場合、Ｈ３は低くなる（第
２ｂ図参照）。Ｈｋが低いのて、Ｐは相対的に低くなり
（第２図の領域Ａ参照。曲！！ｊｗｔ　＝３　ｇ）、Ｈ
ｈ　／Ｈｅ比も相対的に低くなる（第２ａ、２ｂ図を比
較されたい）。コバルトが高い場合、Ｈ３は高くなる（
第２ｂ図参照）。Ｈｋが高いため、Ｐは相対的に低くな
り（第２図の領域Ｂ参照。曲線Ｗｔ＝３ル）。そして、
Ｈ，も高くなるのて（第２ａ図参照）、ＨｋＺＨｃ比は
再び相対的に低くなる。

パーミアンスは所与の磁極の透磁率、厚さ、幅について
Ｈ３の適切な値を選んだときに磁極で最高となる（第２
図の領域Ｃ参照。曲線Ｗｔ＝３ル）。第２ａ図、第２ｂ
図に従ってコバルト成分を適切に選んだときにＨｋＺＨ
ｃ比は最適化され得る。コバルト成分を焼なましによっ
て調節した後には最高のＨｋ　／　Ｈｏ比を得ることが
できる。

したかって、Ｈｋ／Ｈｃ比を反映するＷｅ／Ｗｋもまた
、有利に改善され、その結果、非ゼロＷｃ／　ｗ　ｈ比
（好ましくは、０．５〜０．７の範囲）となり、Ｈｃが
許容できる低いレベルとなり、第１ａ図の所望の領域形
態を得ることができる。

本発明の実施に際して、選んだ磁極幅についての磁気ト
ランスジューサの少なくとも１つの磁極を成形する好ま
しい方法は、所望の最高値Ｐを決定する段階と、とのＰ
を第２図におけるような目標値Ｈ５に関係付ける段階と
、この目標値１（ｂ（焼なまし後の値）をそれを有する
テスト・サンプルを生じる既知のコバルト浴濃度に関係
付ける段階と、次いでこの濃度の浴内で磁極を成形する
段階と、この磁極を焼なましして第２図の目標値Ｈｋを
得る段階とを包含する。

好ましい方法および装置を第３ａ図、第３ｂ図に関連し
て以下に説明する。ここては、マイクロリングラフ式に
定めたレジスト・マスク磁極パターン２４にある開口を
通して浴３４からウェーハ基体２２の上の導電性蒸着面
２６にコバルト含有ニッケル・鉄合金２３を電着する。

ウェーハ２２は陰極固定具２８上に装着されており、め
っきセル３０内のめっき浴３４内に浸漬されている。

陽極３２が浴内に設けであり、めっき回路を完成してい
る。

電流は外部給電装置（Ｉ）によってセルに供給され、め
っき浴３４から金属薄膜の付着を生しさせる。このめっ
き浴はニッケル、鉄、コバルトの金属塩のほかに緩衝剤
、ストレス制御剤および界面活性剤を含有するが、普通
の方法て操作することかできる。

磁気源３６かめつきセル３０のまわりに配置しであり、
ウェーハ２２の表面は電着中は均一な向きの磁界（矢印
Ｆ）内にある。磁界は磁極のイージー軸線（矢印ＥＡ）
に対して平行で、磁極長（矢印Ｌ）に対して直角に作用
する。

本発明は改質ワット浴で実施できる。好ましい結果を得
る浴は次の通りである。すなわち、１０９ｇ／ｌ　　　
　塩化ニッケル（ヒトレーテッド）２５ｇ／ｌ　　硼酸０　、８ｇ／　１　　　　サッカリン・ナトリウム０．
２ｇ／ｌ　　　　ラウリル硫酸ナトリウム１−２ｇ／ｌ
　　　　ｆｎ化第−鉄（とトレーテッド）、　　Ｐ１１
〜２．５Ｔ　〜２５Ｃ電流密度、５−１０ミリアンペア／ｃｍ２所望の薄膜を
製造する別の方法としては、別に限定するつもりはない
が、スパッタ蒸着、真空蒸発、イオンめっき、スプラッ
ト・クーリンク、無電解蒸着かある。さらに、上述した
以外の浴組成や合金も本発明の精神、範囲内て考えられ
る。

付着後段階て、ウェーハは、好ましくは、磁極端の計算
減磁界より大きい磁界において真空中て焼なましする。

作用する磁界の軸線はめっき薄膜のイージー軸線に対し
て平行である。この方法では、第２ｃ図に示すようなＨ
ｋの変化か生しる。

１実施例では、本発明者等は、１２エルステッドの最終
Ｈｋを持った薄膜を製造するように努力した。本発明者
等は、３．６５クラム／リットルの塩化コバルト・ヘキ
サヒトレートの儂度の浴内て薄膜をめ９きした。このと
き、薄膜のは９エルステッドてあった。いくつかのサン
プルては、磁極イージー軸線に対して平行な、約１１０
０エルステッドの磁界内において約８時間にわたって約
２４００℃で焼なましした後のＨｋは１２エルステッド
てあった。これらのサンプルのコバルト成分２１〜２４
重量パーセントの範囲にあった。１２エルステッドの焼
なまし後Ｈｋを生しる１つの薄膜組成は、約６４．５重
量パーセントのニッケルと、１３．５重量パーセントの
鉄と、２２重量パーセントのコバルトである。

本発明の実施にあたって、Ｈｋ　／　Ｈｃ比は、少なく
とも、約Ｏから２５重量パーセントのコバルトについて
は、２５〜１１８の範囲にあると好まシイ。２２重量パ
ーセントのコバルトのとき、Ｈｋ／Ｈｃは約１０９であ
った。

本発明の実施の際、めっき磁極の飽和磁束密度（Ｂ８）
を高めて高線形密度用途について余分な書き込み能力を
得ることができる。特に、めっきしたニッケル・鉄薄膜
のＢ８は薄膜のコバルト成分が増大するにつれて増大す
る。これは高いＢ、コバルトが低いＢ、ニッケル・鉄と
置換するからである。それ故、本発明のコバルト含有量
の高い薄膜はおそらくは約１３００ガウスまて向上した
Ｂ８を有するという好結果を奏す”る。

前記のことに加えて、本発明の好ましい実施例は、さら
に、実効Ｈｋにおける３ｄλフアクタのＭ。

プロセス容易化要件に対する影響を最小限に抑える段階
も包含する。同時に、本発明者等は成る許容低レベルの
Ｈｃについて成形製品の固有Ｈ３を高めてバルクハウゼ
ン・ノイズの可能性を低下させながら高パーミアンス磁
極内て所望のＷｃ／Ｗｔを達成した。好ましくは、・磁
気ひずみは、少なくとも、２５重量パーセント以下のコ
バルトについて、ゼロの負側およびゼロ付近に、好まし
くは、−５，３Ｘ１０−７の範囲内に維持する。本発明
者等は、サンプルのめっき薄膜の磁気弾性感度を測定し
、次に、普通の要領で塩化ニッケル、塩化第１鉄の浴内
濃度を調節して、次のサンプルか所望の磁気ひずみ組成
となるが、あるいは、それに近いものとなるようにした
。

上記の説明は磁極について行なったが、磁極端領域と磁
極ヨーク領域の間には差異があるかも知れない、Ｐ、）
（□、Ｈｃの値は磁極端と磁極ヨークでは異なる可能性
があり、所与の装置についてのこれらの変数の最適化を
上記の差異に照らして考慮しなければならない。

他の実施例は特許請求の範囲内にある。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図は回転による磁束の伝導を行なえる磁極の磁極
端領域における領域形態を示す図である。第１ｂ図は磁極の十字形領域形態を示す図である。第２図はめっき薄膜における異方性磁界の関数としてパ
ーミアンスをプロットしたグラフである。第２ａ図はめっき薄膜内のコバルト成分の重量パーセン
トの関数としてめっき薄膜保磁力をプロットしたグラフ
である。第２ｂ図はめワき薄膜内のコバルトの重量パーセントの
関数としてめっき薄膜異方性磁界Ｈｋをプロットしたグ
ラフである。第２ｃ図はめっき薄膜内のコバルトの重量パーセントの
関数として異方性磁界Ｈｋの変化をプロットしたグラフ
である。第３ａ図、第３ｂ図は好ましい付着方法、装置を示す図
である。図面において、２２・・・ウェーハ、２３・・・コバル
ト含有ニッケル・鉄合金、２４・−・レジスト・マスク
磁極パターン、２６・・・導電性蒸着面、２８・・・陰
極固定具、３０・・・めっきセル、３２・・・陽極、３
４・・・浴、３６・・・磁気源ｄｘｌＬミーざ〆

Claims

【特許請求の範囲】

（１）磁気装置の少なくとも１つの磁極を成形する方法であって、（ａ）選定した磁極幅について最大のパーミアンスを決
定する段階と、（ｂ）このパーミアンスを選定磁極幅を有する磁極につ
いての予想異方性磁界に関係付ける段階と、（ｃ）この異方性磁界を付着流内の所望のコバルト濃度
に関係付ける段階と、（ｄ）付着流からほぼ所望のコバルト濃度を有する少な
くとも１つの磁極を成形する段階とを包含することを特
徴とする方法。
（２）請求項１記載の方法において、（ｄ）の段階の後に成形済みの磁極を焼なましすること
を特徴とする方法。
（３）請求項１記載の方法において、成形済みの磁極の保持力が１エルステッド以下てあることを
特徴とする方法。
（４）請求項１記載の方法において、成形済みの磁極が、その先端のところで、１ミクロン厚より
大きい３ミクロン幅であり、１５００未満の透磁率を有
することを特徴とする方法。
（５）請求項２記載の方法において、異方性磁界が３〜１４エルステッドの範囲にあることを特徴
とする方法。
（６）請求項２記載の方法において、磁極の異方性が焼なまし前は９エルステッドであり、焼なま
し後は１２エルステッドであることを特徴とする方法。
（７）請求項１記載の方法において、付着流がニッケル・鉄めっき浴てあり、コバルト成分がこの
浴内で約２０〜２５重量％の範囲にあることを特徴とす
る方法。
（８）請求項１記載の方法において、成形済みの磁極が約６１．５〜６６重量％のニッケル、１３
〜１４．５重量％の鉄、２１〜２４重量％のコバルトで
あることを特徴とする方法。
（９）請求項１または２に記載の方法において、（ｄ）の段階で近ゼロ磁気ひずみを有する磁極を
成形することを特徴とする方法。
（１０）請求項９記載の方法において、近ゼロ磁気ひず
みか約−５．３×１０＾−＾７〜０の範囲にあることを
特徴とする方法。
（１１）請求項１記載の方法において、（ｄ）の段階が、約３．６５グラム／リットルの塩化コ
バルト・ヘキサヒトレートを有する浴濃度で磁極を成形
する副段階を包含することを特徴とする方法。
（１２）請求項２記載の方法において、焼なましされた
磁極製品の組成が重量て約６４．５％のニッケル、１３
．５％の鉄、２２％のコバルトであることを特徴とする
方法。
（１３）請求項１記載の方法において、（ｄ）の段階て約１以下のエルステッドの保磁力の場合
に約０．５〜０．７の範囲にあるＷ＿ｃ／Ｗ＿ｔの比を
得ることを特徴とする方法。
（１４）請求項１記載の方法において、浴が改質ワット
浴てあり、塩化ニッケル、サッカリン・ナトリウム、塩
化第一鉄、塩化コバルトを含有することを特徴とする方
法。
（１５）請求項１記載の方法において、段階（ｄ）の製
品が約１３０００ガウスの飽和束密度を有することを特
徴とする方法。
（１６）請求項２記載の方法において、磁極が横イージ
ー軸線を有し、焼なましを行なうのに、磁極のイージー
軸線に対して平行な方向性磁界において約８時間にわた
って約２４００℃で真空中で磁極をベークすることを特
徴とする方法。
（１７）請求項１６記載の方法において、方向性磁界が
約１１００エルステッド以上であることを特徴とする方
法。
（１８）薄膜ヘッドを製造する方法てあって、（ａ）ウェーハの蒸着面に磁極パターンを定める段階と
、（ｂ）陰極固定具にウェーハを取り付け、それをめっき
浴内に浸漬する段階と、（ｃ）磁気ひずみをほぼゼロに維持しかつ所望の磁極パ
ーミアンスを得るようにコバルト成分を制御しながら磁
極パターンに従ってコバルト合金磁極を成形する段階と
、（ｄ）段階（ｃ）の製品を焼なましする段階とを包含することを特徴とする方法。
（１９）請求項１記載の方法において、磁極をスパッタ
蒸着、真空蒸発、イオンめっき、スプラット・クーリン
グ、電着あるいは無電解めっきで成形することを特徴と
する方法。
（２０）請求項１８記載の方法において、浴が改質ワッ
ト浴であり、この浴が塩化ニッケル、サッカリン・ナト
リウム、塩化第一鉄、塩化コバルトを含むことを特徴と
する方法。
（２１）約６１．５〜６６重量％のニッケル、１３〜１４．５重量％の鉄、２１〜２４重量％のコ
バルトを含有し、かつ、近ゼロ磁気ひずみを有する少な
くとも１つの磁極を有する磁気トランスジューサ。
（２２）請求項２１記載の磁気トランスジューサにおいて、少なくとも１つの磁極か焼なましさ
れていることを特徴とする磁気トランスジューサ。
（２３）請求項２２記載の磁気トランスジューサにおいて、少なくとも１つの磁極のＷ＿ｃ／Ｗ
＿ｔ比が０．５〜０．７の範囲にあることを特徴とする
磁気トランスジューサ。
（２４）請求項２３記載の磁気トランスジューサにおいて、磁極か約１エルステッド以下の保磁
力を有し、有効磁極幅が約３ミクロンであり、異方性磁
界が約１２エルステッドであることを特徴とする磁気ト
ランスジューサ。