JPH02227826A - 磁気記録体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気記録体（磁性膜）膜厚方向に磁化によっ
て記録を行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録体
の製造方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、短波長になるほど反磁界が小さくなり、高密度記
録が可能な垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適
した磁気記録媒体として膜面に垂直な方向に磁化容易な
ＣｏＣｒスパッタ膜が提案されている。その後このよう
な垂直記録媒体として、ＣｏＣｒスパッタ膜のほかに、
スパッタ、蒸着なトノ乾式成膜法によるＣｏＭ、　Ｃｏ
ＣｒＭ（Ｍは第３元素）などのＣｏ合金膜、Ｆｅ合金膜
、Ｏｓ添加フェライト膜、Ｂａフェライト膜などが開発
されてきたが、これらの膜を乾式成膜法によって作製す
る場合、真空系内で行なうため量産性に問題がある。

このためこの様な製造上の問題点を改善して量産性に優
れた無電解めっき法により、垂直記録媒体を作製する方
法が開発されている。この方法に用いるめっき浴には、
無電解ＣｏＭｎＰめっき浴（特開昭５７−１４０８６９
号公報）、無電解ＣｏＮｉＭｎＰめっき浴（特開昭５８
−０５８２６７号公報）、無電解ＣｏＮｉＭｎＲｅＰめ
っき浴（特開昭６０−１０３１８１号公報）、無電解Ｃ
ｏＮ１ＲｅＰめっき浴（特開昭６１−００３３１６号公
報）が見出されている。

一般に膜面に垂直な方向に磁化容易となる条件は、媒体
の異方性エネルギーをＫｕ、膜固有の垂直異方性エネル
ギーをに土、形状異方性エネルギーを２ｎＭｓ２（Ｍｓ
は飽和磁化）としたとき、Ｋ工＞　２ｒｒＭｓ２あるい
は、Ｋｕ＝に土−２ｎＭｓ２＞　Ｏの関係があ°ること
である。（これは、媒体の垂直異方性磁界Ｈｋと反磁界
の最大値４ｎＭｓとの間にＨｋ　＞　４ｎＭｓの関係が
あるということと同様である。）垂直記録媒体において
は必ずしもこの条件を満たす必要はないが、Ｋｕあるい
はＨｋが大きな値をもつほど媒体特性として好ましいと
いえる。

一方、大きな再生出力を得るためにはＭｓ値を大きくす
ることが望ましい。すなわちアイ・イー・イー・イート
ランザクションオンマグネチツクス（ＩＥＥＥＴｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）第Ｍａｇ
−１８巻、第２号、第７６９〜？７１頁によれば、Ｍｓ
　＜　（３／４ｎ）Ｈｃ（Ｈｅは媒体の保磁力）の条件
下において再生出力値はＭｓに比例するとされている。

さらに前記文献においてＭｓ≧（３／４ｎ）Ｈｃの場合
、再生出力はＨｅに比例するとされている。再生出力を
大きくするにはＨｃを大きくする必要があるが、Ｈｃの
値は使用する磁気ヘッドの種類または記録条件によって
制限を受ける。

従ってＨｃに関しては要求される記録密度および出力に
応じて適する値を選択しうろことが望ましい。また、媒
体の垂直方向ＭＨ左カーブ関してＭｒ（残留磁化）とＭ
ｓの比である角形性が大きいほど高出力化のために望ま
しい。

（発明が解決しようとする課題） 前記の無電解ＣｏＭｎＰめっき浴や無電解ＣｏＮｉＭｎ
Ｐめっき浴を用いた磁気記録体の製造方法では、垂直記
録媒体の必要条件であるｈｃｐｃｏ六方晶のＣ軸（磁化
容易軸）が基板に垂直配向した磁性膜が得られるが、こ
のようにして得られた磁気記録体はＭｓの低下が少なく
　４１Ｍ５の値が大きくなり、垂直記録体として好まし
くなかった。このためＣｏＭｎＰやＣｏＮｉＭｎＰにｂ
を共析することによりＭｓの低下が図られている。しか
し、この製造方法でも垂直磁化容易またはそれに近い特
性の磁性膜を得るためには製造条件を狭い範囲に限定し
なければならないという問題があった。ところで、製造
条件を緩和して作製した垂直異方性を有する磁性膜につ
いて、成膜後の処理によって特性改善を図ることができ
れば、実用上極めて有用である。また、このような成膜
後の処理によって、垂直磁化容易な磁性膜についても特
性をさらに向上することも可能となる。これらの特性向
上とは、垂直磁気異方性、角形性などの向上であるが、
Ｈｃに関しては所要の値に制御できることが望ましい。

本発明の目的は、従来十分な特性を備えていなかった磁
性膜の特性を改善して、垂直記録媒体として優れた特性
の磁性膜を有する磁気記録体の製造方法を提供すること
にある。

（課題を解決するための手段） 本発明による磁気記録体の製造方法は、基体上に、磁性
膜として磁化容易軸が主として膜面に垂直な方向に配向
しているコバルト合金膜を形成した後、該コバルト合金
膜を酸で湿式エツチングすることを特徴としている。

本発明が適用される磁気記録体の磁性膜としては、少な
くともＣｏまたはＣｏおよびＮｉを含有し、あるいはさ
らにＰ、Ｂから選ばれた少なくとも１種を含有し、ある
いはさらにＲｅ、　Ｍｎ、　Ｗから選ばれた少なくとも
１種を含有したコバルト合金膜である。本発明において
用いられる磁性膜のその他の成分としでは、Ｂｅ、　Ｍ
ｇ、　ＡＩ、　Ｒｕ、　Ｓｉ、　Ｆｅ、　Ｓｒ、　Ｙ、
　Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｃｄ、　Ｉｎ。

Ｓｂ、　Ｔａ、　Ｉｒ、　Ｈｇ、　ＴＩ、　Ｎｂ、　Ｇ
ｄ、　Ｔｂ、　Ｔｉ、　Ｖ、　Ｃｒ、　Ｃｕ、　Ｚｎ、
　Ｇａ。

Ｇｅ、　Ｍｏ、　Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ａｇ、　Ａｕ、　Ｐ
ｔ、　Ｓｎ、　Ｔｅ、　Ｂａ、　Ｃｅ、　Ｓｍ、　Ｏｓ
。

Ｐｂ、　Ｂｉ等が本発明の効果に影響を与えない範囲で
含まれていてもよい。膜中にはこれらの元素のほか、Ｃ
，Ｎ、　Ｏ，Ｓ、　Ａｓ、　Ｎａ、　Ｋ、　Ｆ、　ＣＩ
、　Ｃａ等の非金属が含有されることがある。用いられ
る磁性膜は、主として無電解めっき法で作製されるが、
無電解めっき法具外の電気めっき法、溶融めっき決算湿
式成膜法、またはＲＦスパッタ法、直流スパッタ法、イ
オンビームスパッタ法などのスパッタ法、蒸着法、イオ
ンブレーティング法、クラスタイオンビーム蒸着法、Ｃ
ＶＤ等の乾式成膜法によて作製することもできる。用い
られる磁性膜の代表例としては、無電解ＣｏＷＰめっき
浴（特開昭５６−１４２８６７号公報、金属表面技術協
会第６３回学術講演要旨集、第５６〜５７頁、１９８１
年など）、無電解ＣｏＭｎＰめつき浴（特開昭５７−１
４０８６９．５８−０５８２６６号公報、金属表面技術
協会第６３回学術講演要旨集、第５６〜５７頁、１９８
１年など）、無電解ＣｏＮｉＭｎＰめっき浴（特開昭５
８−０５８２６７．５８−０５８２７０．５８−０６４
３７０号公報、日本化学会誌、１９８３年、Ｎｏ、６、
第７９１頁〜第７９６頁など）、無電解ＣｏＮｉＭｎＲ
ｅＰめつき浴（特開昭６０−１０３１８１．６０−１４
９７８５号公報、ＢＵＬＬＥＴＩＮ　ＯＦ　ＴＨＥ　Ｃ
ＨＥＭＩＣＡＬＳＯＣＩＥＴＹ　ＯＦ　ＪＡＰＡＮ、第
５８巻、第２号、第４１４頁〜第４１９頁、１９８５年
など）、無電解ＣｏＮ１ＲｅＰめつき浴（特開昭６１−
００３３１６．６１−０５４０２８号公報、日本応用磁
気学会誌、第９巻、第２号、第８３頁〜第８６頁、１９
８５年など）から得られるＣｏＷＰ、　ＣｏＭｎＰ、　
ＣｏＮｉＭｎＰ。

ＣｏＮｉＭｎＲｅＰ、　ＣｏＮ１ＲｅＰなどの合金膜が
挙げられる。

磁性膜の膜厚はｏ、ｏｏａ〜１０ｐｍの範囲が用いられ
るが、好ましくは２ｐｍ以下が用いられ、高密度記録用
にはより薄いほうが望ましい。

磁気記録体の基体としては、通常アルミ合金、銅、黄銅
、リン青銅、鉄、チタン等の金属基板が用いられるが、
適当な処理によりガラス、樹脂、セラミック等の非金属
基板ないしは金属と非金属の複合材料からなる基板等も
十分適用が可能である。また、これら基板上にニッケル
ーリン、ニッケルー銅−リン、ニッケルーモリブデン−
リン、ニッケルータングステン−リン、銅、スズ、銅−
スズ等の層やパーマロイ、コバルト−ジルコン、ニッケ
ルー鉄−ＩＪ：／等の軟磁性層が形成された基体が用い
れることもある。

本発明における湿式エツチングの方法としては、化学研
磨と電解研磨に大別され、ｒ金属エツチング技術」、昭
和５２年（株）アグネ発行、［電解研磨と化学研磨］改
訂３版、昭和３０年、産業図書（株）発行、「電解研磨
・化学研磨Ｊ、昭和３７年、日刊工業新聞社発行、［電
気化学便覧ｊ第３版、昭和３９年、丸首（株）発行、「
電気化学便覧」第４版、昭和６０年、丸首（株）発行な
どに記載されている処理液、処理条件、処理方法を用い
ることができる。

化学研磨の処理液としては、 処理液（１） メチルアルコール（９５％）１００ｍｌ、硝酸（１，４
０）１〜１００ｍ１処理液（２） 水１８８ｍ１、硝酸（１，４０）２ｍｌ　、メチルアル
コール（９５％）１０ｍｌ 処理液（３） 水１５ｍ１、氷酢酸１５ｍ１．塩酸（１，１９）２５ｍ
ｌ　、硝酸（１，４０）５ｍｌ 処理液（４） 水５００ｍ１、塩酸（１，１９）１００ｍｌ、過酸化水
素（３０％）５ｍｌ処理液（５） 水１００ｍ１、過硫酸アンモニウム５〜３０ｇ処理液（
６） 水１００ｍ１、水酸化カリウム１０ｇ、フェリシアン化
カノウム１０ｇ 処理液（７） 水５００ｍ１、塩酸（１，１９）４５ｍｌ硝酸（１，４
０）１５ｍｌ処理液（８） 水３００ｍ１、塩酸（１，１９）１００ｍｌ　、メチル
アルコール（９５％）２００ｍｌ、硝酸（１，４０）５
ｍｌ、塩化鉄（ＩＩり７ｇ、塩化銅（ＩＩＩ　）２ｇ 処理液（９） 水１００ｍ１、硝酸（１，４０）１５ｍｌ処理液（１０
） 水１００ｍ１、氷酢酸１ｍｌ、硝酸（１，４０）１ｍｌ
処理液（１０） 水５０ｍ１、塩酸（１，１９）５０ｍｌ処理液（１１） 水１００ｍ１、硝酸（１，４０）１０ｍｌ、塩酸（１，
１９）５０ｍｌ、塩化鉄（ＩＩＩ）１０ｇ 処理液（１２） 水２５ｍ１、塩酸（１，１９）５０ｍｌ、硫酸（，１，
４０）２５ｍｌ処理液（１３） 乳酸（９０％）４０ｍｌ、塩酸（１，１９）３０ｍｌ硝
酸（１，４０）５ｍｌなどが挙げられる。これら処理液
の組成は一例であって、必要に応じて各成分の濃度を適
宜変更してもよい。代表的な液である処理液（２）につ
いてみると、水は５〜５００ｍ１、好ましくは５０〜１
５０ｍ１が、硝酸（１，４０）は０．０１〜２００ｍ１
、好ましくは０．５〜１０ｍ、ｌが、メチルアルコール
（９５％）は１＋４００ｍ１．好ましくは５〜１５ｍ１
の範囲が使用される。処理条件としては、０〜１００°
Ｃ１好ましくは２０〜６０°Ｃの処理液温度にて、１秒
〜数時間、好ましくは５秒〜１５分間浸漬する。

電解研磨の処理液と処理条件としては、処理液（１４） メチルアルコール（９５％）６００ｍｌ、硝酸（１，４
０）３３０ｍｌ処理条件：４０〜７０Ｖ直流にて１秒〜
５分間、処理液（１５） 水６００ｍ１．リン酸（１，７１）４００ｍｌ処理条件
：１〜２ｖ直流にて５秒から２５分間処理処理液（１６
） 水１００ｍ１．水酸化カリウム３ｇ、炭酸ナトリウム２
ｇ処理条件＝１〜４ｖ直流にて１秒から２分間処理処理
液（１７） 水１００ｍ１．塩酸（１，１９）５ｍｌ、塩化鉄（ＩＩ
Ｉ）１０ｇ処理条件＝４〜８ｖ直流にて１秒〜２分間処
理処理液（１８） 塩酸（１，１９）１００ｍｌ、酸化クロム２〜１ｏｇ処
理条件＝１〜５ｖ直流にて１秒〜７分間処理処理液（１
９） 水１００ｍ１、塩酸（１，１９）５〜１０ｍ１処理条件
：１〜５ｖ直流にて１秒〜３分間処理などが挙げられる
。これら処理液の組成と処理条件は一例であって、必要
に応じて各成分の濃度および処理条件を適宜変更しても
よい。

（作用ン コバルト合金膜が高記録密度性能を有する垂直記録媒体
として用いられるには、膜構造、磁気特性等に多くの要
求項目がある。先ずコバルト合金膜の構造に関して、垂
直異方性を有する上でｈｃｐｃ。

六方晶のＣ軸を基板に垂直配向させることが必要条件で
ある。磁気特性については、Ｈｋ、　Ｋｕ、角形性（垂
直ループ）を大きくし、Ｍｓを適度な値まで低下し、記
録再生系の条件からＨｅを所要の値にする必要がある。

これら全ての項目を満足する膜を作製することは困難で
あり、得られたとしても作製条件が狭い範囲に限定され
る。Ｃ軸が垂直配向し垂直異方性を有するコバルト合金
膜について、成膜後の処理によって不十分な特性の改善
を図ることができれば、実用上極めて有用である。

無電解めっき法による媒体についてみると、無電解コバ
ルト合金めっき膜への少量のＭｎ添加あるいはＭｎ添加
と同様の効果を有する錯化剤を加えることによりＣ軸が
垂直配向し、数ｋｏｅもの大きなＨｋ値を得れられるが
、Ｍｓ低下が十分でないため垂直磁化容易な特性に近づ
けることが困難な場合が多い。したがって、Ｃ軸垂直配
向の構造を維持した状態で、合金成分元素のうちＭｓ低
下に効果的なＣｏを中心にエツチングによって除去を進
めれば特性改善が図れるのではないかと考えられた。こ
のような観点からコバルト合金膜のエツチング方法を実
験的に広範囲に鋭意検討した結果、主としてＣｏを選択
エツチングする処理のうちのあるものがこの目的に適用
できることを見出した。コバルト合金膜は、微視的には
Ｃｏリッチな強磁性部分と、Ｃｏ以外の成分（例えばＰ
、Ｒｅなど）がリッチな非磁性あるいは弱磁性部分に偏
析しており、Ｃ軸垂直配向構造を維持するとともに前者
を選択エツチングする処理液、処理条件によって垂直磁
気異方性の向上などの特性改善が図れたものと推察され
る。

本発明は、このような知見を得たことによりもたらされ
たものである。

次に具体的に実施例および比較例により本発明を説明す
る。

（実施例１） アルミ合金基板上に非磁性Ｎ１−Ｐ層をめっきし、表面
を鏡面研磨した後、その上に下記のめっき浴を用いて膜
厚２Ｎ１ｍのＣｏＮｌＲｅＰ合金磁性膜を形成した。

めっき浴（１） 浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　０．１０　　ｍｏｌ／１
硫酸ニッケル　　　　　　　　０．０８　　ｍｏｌ／１
過レニウム酸アンモニウム　　０．００３　ｍｏｌ／１
次亜リン酸ナトリウム　　　　０．２　　ｍｏｌ／１硫
酸アンモニウム　　　　　　０．５　　ｍｏｌ／１マロ
ン酸ナトリウム　　　　　０．７５　　ｍｏｌ／１酒石
酸ナトリウム　　　　　　０．２　　ｍｏｌ／１タルト
ロン酸　　　　　　　　０．０３　　ｍｏｌ／１グルコ
ン酸ナトリウム　　　　０．３　　ｍｏｌ／１めっき条
件 浴温　８０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，２（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節）こうして得られた磁性膜を、温度２５°Ｃにて処理
液（２） 水１８８ｍ１、硝酸（１，４０）２ｍｌ、メチルアルコ
ール（９５％）１０ｍｌ を用いてエツチング処理を行なった。

本実施例の磁性膜について、ＶＳＭ、トルクメーターを
用いてエツチング処理前後の磁気測定を行なった。エツ
チング処理前のＭＨループを第１図に、磁性膜重量が６
割になるまでエツチングされた時点でのＭＨループを第
２図に、磁性膜重量が４割になるまでエツチングされた
時点でのＭＨループを第３図に示す。エツチング処理前
の磁性膜は、Ｘ線回折よりｈｃｐｃｏ（六方晶）のＣ軸
が基板面に垂直配向していることを示す（００２）面か
らの回折による鋭いピークのみが認められ垂直異方性を
有するが、Ｍｓが犬きく、Ｈｋが４ｋＯｅ弱、Ｋｕが−
２５Ｘ　１０’ｅｒｇ／ｃｃと比較的小さく、垂直記録
媒体の磁気特性としては十分でない。磁性膜重量６割ま
でエツチングした磁性膜においても、Ｃ軸垂直配向は維
持され、回折ピーク強度やロッキング曲線の半値幅の評
価からは配向性の向上が認められた。磁性膜のループは
、第２図に示すように、垂直ループが面内ループを囲ん
だ垂直磁気異方性膜特有の形状に変化した。この時のＨ
ｋは４．５０ｋＯｅに、Ｋｕは−４，３Ｘ　１０’ｅｒ
ｇ／ｃｃに増加していた。磁性膜重量４割までエツチン
グした磁性膜では、Ｃ軸垂直配向性はさらに向上すると
もに、第３図に示すように、垂直記録媒体としての磁気
特性もより向上した。この時のＨｋは６．１ｋＯｅに、
Ｋｕは１８　Ｘ　１０’ｅｒｇ／ｃｃに増加していた。

エツチングによる磁性膜の残留重量（エツチング処理前
との比）に対するＭｓ、　Ｈｅ（１）および垂直ループ
の角形性の変化を、各々第４図、第５図および第６図に
示す。第４図より、磁性膜の溶解量に比してＭｓの減少
が大きく、ｃｏリッチな強磁性部分が選択エツチングさ
れていることがうかがわれる。第５図より、残留重量減
少とともにＨｅ（Ｊ−）が増加しており、エツチング処
理によってＨｅ（１）を変化させうろことがわかる。第
６図より、残留重量減少とともに角形性が増加しており
、エツチング処理によって角形性を向上させることがわ
かる。

すなわち本実施例において、磁性膜成膜後のエツチング
処理によって、垂直記録媒体として好ましい緒特性を有
する顕著な特性向上が図れることが明らかとなった。

（実施例力 実施例１と同様の手順で磁性膜の作製を行なったが、本
実施例では下記のめっき浴を用いてＣｏＮｌＲｅＰ合金
磁性膜を形成した。

めっき浴（２） 浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　０．０６　　ｍｏｌ／１
硫酸ニッケル　　　　　　　　０．０８　　ｍｏｌ／１
硫酸マンガン　　　　　　　　０．０５　　ｍｏｌ／１
過レニウム酸アンモニウム　　０．００４　ｍｏｌ／１
次亜リン酸ナトリウム　　　　０．３　　ｍｏｌ／１硫
酸アンモニウム　　　　　　０．５　　ｍｏｌ／１マロ
ン酸ナトリウム　　　　　０．３　　ｍｏｌ／１酒石酸
ナトリウム　　　　　　０．３　　ｍｏｌ／１フハク酸
ナトリウム　　　　　０．３　　ｍｏｌ／１めっき条件 浴温　８０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，２（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節）こうして得られた磁性膜を、温度３５°Ｃにて処理
液（１） メチルアルコール（９５％）１００ｍｌ硝酸（１，４０
）４ｍｌを用いてエツチング処理を行なった。

本実施例の磁性膜について、実施例１と同様に、磁気測
定およびＸ線回折によって、エツチング処理前後の磁性
膜の磁気特性および結晶構造を検討した。処理前の磁性
膜はＣ軸が垂直配向していたが、磁気特性が十分でなか
った。しかし、エツチングによってＣ軸垂直配向性と垂
直記録媒体としての磁気特性が著しく向上するという実
施例１と同様な傾向が認められた。エツチングによる磁
性膜の残留重量に対するＨｋ、　Ｋｕおよび垂直ループ
の角形性の変化を表１に示す。

表１゜エツチングによる磁性膜の残留重量に対するＨｋ
、　Ｋｕ、角形性の変化 （以下余白） すなわち本実施例においても、磁性膜成膜後のエツチン
グ処理によって、垂直記録媒体として好ましい諸特性を
有すよう顕著な特性向上が図れることが明らかとなった
。

（実施例３） 実施例１と同様の手順で磁性膜の作製を行なったが、本
実施例では下記のめっき浴を用いてＣｏＮｉＭｎＰ合金
磁性膜を形成した。

めっき浴（３） 浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　０．０２５　ｍｏｌ／１
硫酸ニッケル　　　　　　　　０．０１　　ｍｏｌ／１
硫酸マンガン　　　　　　　　０．０６　　ｍｏｌ／１
次亜リン酸ナトリウム　　　　０．２　　ｍｏｌ／１硫
酸アンモニウム　　　　　　０．５　　ｍｏｌ／１マロ
ン酸ナトリウム　　　　　０．５　　ｍｏｌ／１ノンゴ
酸ナトリウム　　　　　０．０６　　　ｍｏｌ／１めっ
き条件 浴温　８５°Ｃ めっき浴のｐＨ９，６（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節）こうして得られた磁性膜を、温度２０°Ｃにて処理
液（３） 水１５ｍ１、氷酢酸１５ｍ１、塩酸（１，１９）２５ｍ
ｌ、硝酸（１，４０）５ｍｌを用いてエツチング処理を
行なった。

本実施例の磁性膜について、実施例１と同様に、磁気測
定およびＸ線回折によって、エツチング処理前後の磁性
膜の磁気特性および結晶構造を検討した。処理前の磁性
膜はＣ軸が垂直配向していたが、磁気特性が十分でなか
った。しかし、エツチングによってＣ軸垂直配向性と垂
直記録媒体としての磁気特性が著しく向上するという実
施例１と同様な傾向が認められた。エツチングによる磁
性膜の残留重量に対するＨｋ、　Ｋｕおよび垂直ループ
の角形性の変化を表２に示す。

表２．エツチングによる磁性膜の残留重量に対するＨｋ
、　Ｋｕ、角形性の変化 すなわち本実施例においても、磁性膜成膜後のエツチン
グ処理によって、垂直記録媒体として好ましい諸特性を
有すよう顕著な特性向上が図れることが明かとなった。

以上の実施例で用いた処理液のほかに、処理液（３）〜
（１３）についても無電解めっきコバルト合金膜に対し
て実施例と同様の効果があった。また、処理液（３）〜
（１３）を用いる電解研磨によるエツチング処理によっ
ても実施例と同様の効果があった。さらに、無電解めっ
き法以外の成膜法によるコバルト合金膜に対しても、磁
性膜が偏析構造を有し、コバルト成分がリッチな部分を
選択エツチングする処理条件を選定した場合、実施例と
同様の効果があった。

（発明の効果） 以上、実施例で示されたように、本発明によれば、基体
上に、磁性膜として磁化容易軸が主として膜面に垂直な
方向に配向しているコバルト合金膜を形成した後、湿式
エツチングすることにより、従来十分な特性を備えてい
なかった磁性膜の特性を改善して、垂直記録媒体として
優れた特性の磁性膜を有する磁気記録体を安定かつ容易
に再現性良く作製することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例１において得られた磁性膜の磁気特性
を表わすＭＨループを示す図である。第２図および第３
図は、実施例１において得られた磁性膜を本発明にした
がって湿式エツチングを行い、磁性膜重量が６割および
４割になった時点でのＭＨルーブを示す図である。第４
図、第５図および第６図は、実施例１において得られた
磁性膜のエツチングによる残留重量に対するＭｓ、　Ｈ
ｃ（ｆ）および垂直ループの角形性の変化を示す図であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に、磁性膜として磁化容易軸が主として膜面に垂
   直な方向に配向しているコバルト合金膜を形成した後、
   該コバルト合金膜を酸で湿式エッチングすることを特徴
   とする磁気記録体の製造方法。