JPH05289333A - アルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
アルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物Info
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- JPH05289333A JPH05289333A JP11957192A JP11957192A JPH05289333A JP H05289333 A JPH05289333 A JP H05289333A JP 11957192 A JP11957192 A JP 11957192A JP 11957192 A JP11957192 A JP 11957192A JP H05289333 A JPH05289333 A JP H05289333A
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- naphthoquinone
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- diazide
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂に対し、感光
性成分として、一般式 【化1】 (式中のDの中の少なくとも1個はナフトキノン‐1,
2‐ジアジド‐スルホニル基で、残りは水素原子であ
り、nは0〜7の数である)で表わされる化合物又は、
この化合物と一般式 【化2】 (式中のD′の中の少なくとも1個はナフトキノン‐
1,2‐ジアジド‐スルホニル基で、残りは水素原子で
ある)で表わされる化合物を配合したアルカリ現像用感
光性樹脂組成物である。 【効果】 感光層の厚みの不均一、光源距離の変動によ
りパターン精度がそこなわれることがなく、忠実度の高
い耐熱性パターンを得ることができる。
性成分として、一般式 【化1】 (式中のDの中の少なくとも1個はナフトキノン‐1,
2‐ジアジド‐スルホニル基で、残りは水素原子であ
り、nは0〜7の数である)で表わされる化合物又は、
この化合物と一般式 【化2】 (式中のD′の中の少なくとも1個はナフトキノン‐
1,2‐ジアジド‐スルホニル基で、残りは水素原子で
ある)で表わされる化合物を配合したアルカリ現像用感
光性樹脂組成物である。 【効果】 感光層の厚みの不均一、光源距離の変動によ
りパターン精度がそこなわれることがなく、忠実度の高
い耐熱性パターンを得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICやLSIなどの半
導体デバイスの製造に際して超微細加工用レジストとし
て好適に用いられるアルカリ現像可能な新規ポジ型感光
性樹脂組成物に関するものである。
導体デバイスの製造に際して超微細加工用レジストとし
て好適に用いられるアルカリ現像可能な新規ポジ型感光
性樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ICやLSIなどの半導体デバイ
スの製造プロセスにおいては、フォトエッチング法によ
る微細加工としてシリコンウエハー上にフォトレジスト
組成物の薄膜を形成し、その上に半導体デバイスのパタ
ーンが描かれたマスクパターンを紫外線照射などにより
転写したのち現像し、このようにして得られたレジスト
パターンを保護膜として、該シリコンウエハーをエッチ
ングするという方法がとられている。そして、この方法
において用いられるフォトレジスト組成物としては、被
膜形成用のアルカリ可溶性ノボラック型樹脂に、キノン
ジアジド基含有化合物、特に芳香族ポリヒドロキシ化合
物のナフトキノン‐1,2‐ジアジドスルホン酸エステ
ルを感光性成分として配合したものが好適であることが
知られている。そして、該感光性成分のうち、より高感
度のフォトレジスト組成物を与える芳香族ポリヒドロキ
シ化合物としては、特に単位分子当りの水酸基を多く含
有する没食子酸エステル類やポリヒドロキシベンゾフェ
ノン類の中から選ばれるのが普通であり、このようなポ
リヒドロキシベンゾフェノン類のナフトキノン‐1,2
‐ジアジドスルホン酸エステルについて、これまで多く
のものが知られている(米国特許第3046118号明
細書、同第3106465号明細書、同第314898
3号明細書、特公昭37−18015号公報、特公昭6
2−28457号公報)。
スの製造プロセスにおいては、フォトエッチング法によ
る微細加工としてシリコンウエハー上にフォトレジスト
組成物の薄膜を形成し、その上に半導体デバイスのパタ
ーンが描かれたマスクパターンを紫外線照射などにより
転写したのち現像し、このようにして得られたレジスト
パターンを保護膜として、該シリコンウエハーをエッチ
ングするという方法がとられている。そして、この方法
において用いられるフォトレジスト組成物としては、被
膜形成用のアルカリ可溶性ノボラック型樹脂に、キノン
ジアジド基含有化合物、特に芳香族ポリヒドロキシ化合
物のナフトキノン‐1,2‐ジアジドスルホン酸エステ
ルを感光性成分として配合したものが好適であることが
知られている。そして、該感光性成分のうち、より高感
度のフォトレジスト組成物を与える芳香族ポリヒドロキ
シ化合物としては、特に単位分子当りの水酸基を多く含
有する没食子酸エステル類やポリヒドロキシベンゾフェ
ノン類の中から選ばれるのが普通であり、このようなポ
リヒドロキシベンゾフェノン類のナフトキノン‐1,2
‐ジアジドスルホン酸エステルについて、これまで多く
のものが知られている(米国特許第3046118号明
細書、同第3106465号明細書、同第314898
3号明細書、特公昭37−18015号公報、特公昭6
2−28457号公報)。
【0003】ところで、近年、半導体デバイス製造分野
における超微細加工化が益々進行し、これに対応するた
めに、さらに、感度が高く、画像コントラストが良好な
ものが、またドライエッチングに十分に耐えうるために
優れた耐熱性を有するものが要求されるようになってき
た。
における超微細加工化が益々進行し、これに対応するた
めに、さらに、感度が高く、画像コントラストが良好な
ものが、またドライエッチングに十分に耐えうるために
優れた耐熱性を有するものが要求されるようになってき
た。
【0004】これらの要求を満たすものとして、特定の
トリヒドロキシトリフェニルメタン系化合物のナフトキ
ノン‐1,2‐ジアジド‐スルホン酸エステルを感光性
成分としたポジ型フォトレジスト組成物(特開平1−1
89644号公報)や1‐[1‐(4‐ヒドロキシフェ
ニル)イソプロピル]‐4‐[1,1‐ビス(4‐ヒド
ロキシフェニル)エチル]ベンゼンのナフトキノン‐
1,2‐ジアジド‐スルホン酸エステルを感光性成分と
したポジ型フォトレジスト組成物(特開平4−3675
1号公報)などが提案されている。
トリヒドロキシトリフェニルメタン系化合物のナフトキ
ノン‐1,2‐ジアジド‐スルホン酸エステルを感光性
成分としたポジ型フォトレジスト組成物(特開平1−1
89644号公報)や1‐[1‐(4‐ヒドロキシフェ
ニル)イソプロピル]‐4‐[1,1‐ビス(4‐ヒド
ロキシフェニル)エチル]ベンゼンのナフトキノン‐
1,2‐ジアジド‐スルホン酸エステルを感光性成分と
したポジ型フォトレジスト組成物(特開平4−3675
1号公報)などが提案されている。
【0005】しかしながら、最近、加工がさらに微細に
なるに従って、感度、解像度、耐熱性に加えて、画像形
成露光の際の感光膜厚の差による焦点深度の変化に、対
応して、十分な精度を維持するために、いわゆるフォー
カス余裕度の大きいものに対する要望が高まってきた。
なるに従って、感度、解像度、耐熱性に加えて、画像形
成露光の際の感光膜厚の差による焦点深度の変化に、対
応して、十分な精度を維持するために、いわゆるフォー
カス余裕度の大きいものに対する要望が高まってきた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた感
度、解像度及び耐熱性を有する上に、大きいフォーカス
余裕度を有する、超微細加工用として好適なポジ型感光
性樹脂組成物を提供することを目的としてなされたもの
である。
度、解像度及び耐熱性を有する上に、大きいフォーカス
余裕度を有する、超微細加工用として好適なポジ型感光
性樹脂組成物を提供することを目的としてなされたもの
である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、優れた感
度、解像度及び耐熱性を有し、しかもフォーカス余裕度
の大きいポジ型感光性樹脂組成物を開発するために、鋭
意研究を重ねた結果、特定の芳香族ポリヒドロキシ化合
物のナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐スルホン酸エス
テルを感光性成分として用いることにより、その目的を
達成することを見出し、この知見に基づいて本発明をな
すに至った。
度、解像度及び耐熱性を有し、しかもフォーカス余裕度
の大きいポジ型感光性樹脂組成物を開発するために、鋭
意研究を重ねた結果、特定の芳香族ポリヒドロキシ化合
物のナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐スルホン酸エス
テルを感光性成分として用いることにより、その目的を
達成することを見出し、この知見に基づいて本発明をな
すに至った。
【0008】すなわち、本発明は、(A)アルカリ可溶
性ノボラック型樹脂に対し、感光性成分として、(B)
一般式
性ノボラック型樹脂に対し、感光性成分として、(B)
一般式
【化4】 (式中のDの中の少なくとも1個はナフトキノン‐1,
2‐ジアジド‐スルホニル基で、残りは水素原子であ
り、nは0〜7の数である)で表わされる化合物及び場
合によりさらに(C)一般式
2‐ジアジド‐スルホニル基で、残りは水素原子であ
り、nは0〜7の数である)で表わされる化合物及び場
合によりさらに(C)一般式
【化5】 (式中のD′の中の少なくとも1個はナフトキノン‐
1,2‐ジアジド‐スルホニル基で残りは水素原子であ
る)で表わされる化合物を配合したことを特徴とするア
ルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物を提供するもので
ある。
1,2‐ジアジド‐スルホニル基で残りは水素原子であ
る)で表わされる化合物を配合したことを特徴とするア
ルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物を提供するもので
ある。
【0009】本発明組成物の(A)成分のアルカリ可溶
性ノボラック型樹脂については、特に制限はなく、従来
ポジ型感光性樹脂組成物において、被膜形成用物質とし
て慣用されているアルカリ可溶性ノボラック型樹脂、例
えばフェノール、クレゾールやキシレノールなどの芳香
族ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒドなどのアルデヒ
ド類とを酸性触媒の存在下に縮合させたものを用いるこ
とができる。
性ノボラック型樹脂については、特に制限はなく、従来
ポジ型感光性樹脂組成物において、被膜形成用物質とし
て慣用されているアルカリ可溶性ノボラック型樹脂、例
えばフェノール、クレゾールやキシレノールなどの芳香
族ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒドなどのアルデヒ
ド類とを酸性触媒の存在下に縮合させたものを用いるこ
とができる。
【0010】本発明組成物においては、このアルカリ可
溶性ノボラック型樹脂として、低分子量領域をカットし
た重量平均分子量が2000〜20000、好ましくは
5000〜15000のものを用いるのが耐熱性の優れ
た組成物が得られるので有利である。
溶性ノボラック型樹脂として、低分子量領域をカットし
た重量平均分子量が2000〜20000、好ましくは
5000〜15000のものを用いるのが耐熱性の優れ
た組成物が得られるので有利である。
【0011】次に、本発明組成物において感光性成分
(B)として用いる前記一般式(I)の化合物は、文献
未載の新規化合物であって、例えば一般式
(B)として用いる前記一般式(I)の化合物は、文献
未載の新規化合物であって、例えば一般式
【化6】 (式中のnは前記と同じ意味をもつ)で表わされるフェ
ノールとヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合生成物に
ナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐スルホニルハライド
をジオキサンのような溶媒中、トリエタノールアミン、
炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリのようなアルカリの存
在下で反応させ、完全エステル化又は部分エステル化す
ることにより製造することができる。
ノールとヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合生成物に
ナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐スルホニルハライド
をジオキサンのような溶媒中、トリエタノールアミン、
炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリのようなアルカリの存
在下で反応させ、完全エステル化又は部分エステル化す
ることにより製造することができる。
【0012】この際の原料として用いる縮合生成物は、
重量平均分子量が200〜4500(nが0〜7に相
当)、好ましくは500〜1500(nが1〜5に相
当)の範囲にあることが必要であり、これよりも分子量
が小さいと得られるパターンは十分な耐熱性を有しない
し、またこれよりも分子量が大きいと感度、解像度、フ
ォーカス余裕度が低下する。
重量平均分子量が200〜4500(nが0〜7に相
当)、好ましくは500〜1500(nが1〜5に相
当)の範囲にあることが必要であり、これよりも分子量
が小さいと得られるパターンは十分な耐熱性を有しない
し、またこれよりも分子量が大きいと感度、解像度、フ
ォーカス余裕度が低下する。
【0013】次に、本発明組成物において、場合により
(B)成分と組み合わせて用いられる(C)成分は、例
えば1‐[1‐(4‐ヒドロキシフェニル)イソプロピ
ル]‐4‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)
エチル]ベンゼンとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐
スルホニルハライドとをジオキサンのような溶媒中にお
いて、トリエタノールアミン、炭酸アルカリや炭酸水素
アルカリのようなアルカリの存在下に反応させ、完全エ
ステル化又は部分エステル化することにより製造するこ
とができる。
(B)成分と組み合わせて用いられる(C)成分は、例
えば1‐[1‐(4‐ヒドロキシフェニル)イソプロピ
ル]‐4‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)
エチル]ベンゼンとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐
スルホニルハライドとをジオキサンのような溶媒中にお
いて、トリエタノールアミン、炭酸アルカリや炭酸水素
アルカリのようなアルカリの存在下に反応させ、完全エ
ステル化又は部分エステル化することにより製造するこ
とができる。
【0014】(B)成分や(C)成分のエステル化に用
いられるナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐スルホニル
ハライドとしては、ナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐
4‐スルホニルクロリドやナフトキノン‐1,2‐ジア
ジド‐5‐スルホニルクロリドが好適である。
いられるナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐スルホニル
ハライドとしては、ナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐
4‐スルホニルクロリドやナフトキノン‐1,2‐ジア
ジド‐5‐スルホニルクロリドが好適である。
【0015】これらの(B)成分及び(C)成分は、そ
れぞれ単独の化合物を用いてもよいし、また2種以上の
化合物の混合物として用いてもよい。
れぞれ単独の化合物を用いてもよいし、また2種以上の
化合物の混合物として用いてもよい。
【0016】本発明組成物における感光性成分すなわち
(B)成分の配合量又は(B)成分と(C)成分の配合
量の合計は、(A)成分100重量部当り5〜200重
量部の範囲内で選ばれる。これよりも感光性成分の量が
少ないと忠実度の高い画像が得られないし、またこれよ
りも感光性成分の量が多いとレジスト膜の均質性が劣化
し、解像力も低下する。
(B)成分の配合量又は(B)成分と(C)成分の配合
量の合計は、(A)成分100重量部当り5〜200重
量部の範囲内で選ばれる。これよりも感光性成分の量が
少ないと忠実度の高い画像が得られないし、またこれよ
りも感光性成分の量が多いとレジスト膜の均質性が劣化
し、解像力も低下する。
【0017】また、(B)成分と(C)成分を併用する
場合には、両者を重量比1:10ないし10:1の割合
で使用するのがよい。これよりも(B)成分の割合が少
ないとフォーカス余裕度の改善が不十分になるし、また
これよりも(B)成分の割合が多いと、(C)成分によ
る耐熱性向上効果が不十分になる。
場合には、両者を重量比1:10ないし10:1の割合
で使用するのがよい。これよりも(B)成分の割合が少
ないとフォーカス余裕度の改善が不十分になるし、また
これよりも(B)成分の割合が多いと、(C)成分によ
る耐熱性向上効果が不十分になる。
【0018】本発明組成物においては、本発明の目的を
そこなわない範囲で、所望に応じ他のキノジアジド基含
有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オルト
ナフトキノンジアジド、オルトアントラキノンジアジド
などのスルホニルクロリドなどと、水酸基又はアミノ基
をもつ化合物、例えばフェノール、p‐メトキシフェノ
ール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノ
ールA、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、
ポリヒドロキシベンゾフェノン、ピロガロールモノメチ
ルエーテル、ピロガロール‐1,3‐ジメチルエーテル
との縮合生成物を含有させることができる。
そこなわない範囲で、所望に応じ他のキノジアジド基含
有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オルト
ナフトキノンジアジド、オルトアントラキノンジアジド
などのスルホニルクロリドなどと、水酸基又はアミノ基
をもつ化合物、例えばフェノール、p‐メトキシフェノ
ール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノ
ールA、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、
ポリヒドロキシベンゾフェノン、ピロガロールモノメチ
ルエーテル、ピロガロール‐1,3‐ジメチルエーテル
との縮合生成物を含有させることができる。
【0019】また、所望に応じ、ポジ型感光性樹脂組成
物に慣用されている増感剤、例えばメルカプトオキサゾ
ール、メルカプトベンゾキサゾール、メルカプトオキサ
ゾリン、メルカプトベンゾアゾール、ベンゾキサゾリノ
ン、ベンゾチアゾロン、メルカプトベンゾイミダゾー
ル、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトピリミジ
ン、イミダゾロン及びこれらの誘導体なども併用するこ
とができる。
物に慣用されている増感剤、例えばメルカプトオキサゾ
ール、メルカプトベンゾキサゾール、メルカプトオキサ
ゾリン、メルカプトベンゾアゾール、ベンゾキサゾリノ
ン、ベンゾチアゾロン、メルカプトベンゾイミダゾー
ル、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトピリミジ
ン、イミダゾロン及びこれらの誘導体なども併用するこ
とができる。
【0020】これらの増感剤はアルカリ可溶性ノボラッ
ク型樹脂と前記感光性成分との合計量100重量部当
り、通常0.1〜30重量部、好ましくは0.5〜25
重量部の割合で用いられる。この量が0.1重量部未満
では増感効果が十分に発揮されないし、30重量部を超
えると量の割には増感効果が得られず、むしろ不経済と
なり好ましくない。
ク型樹脂と前記感光性成分との合計量100重量部当
り、通常0.1〜30重量部、好ましくは0.5〜25
重量部の割合で用いられる。この量が0.1重量部未満
では増感効果が十分に発揮されないし、30重量部を超
えると量の割には増感効果が得られず、むしろ不経済と
なり好ましくない。
【0021】本発明組成物は、前記のアルカリ可溶性ノ
ボラック型樹脂と感光性成分とを適当な溶剤に溶解して
溶液の形で用いるのが好ましい。
ボラック型樹脂と感光性成分とを適当な溶剤に溶解して
溶液の形で用いるのが好ましい。
【0022】このような溶剤の例としては、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソア
ミルケトンなどのケトン類や、エチレングリコール、エ
チレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコー
ル、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレン
グリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジ
プロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノ
アセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテ
ル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモ
ノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘
導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メ
チル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ルなどのエステル類を挙げることができる。これらは単
独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソア
ミルケトンなどのケトン類や、エチレングリコール、エ
チレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコー
ル、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレン
グリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジ
プロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノ
アセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテ
ル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモ
ノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘
導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メ
チル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ルなどのエステル類を挙げることができる。これらは単
独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。
【0023】本発明組成物には、さらに必要に応じて相
容性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良
するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像し
た像をより一層可視的にするための着色料などの慣用さ
れているものを添加含有させることができる。
容性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良
するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像し
た像をより一層可視的にするための着色料などの慣用さ
れているものを添加含有させることができる。
【0024】本発明組成物の好適な使用方法について1
例を示すと、まずシリコンウエハーのような支持体上
に、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と感光性成分とを
前記したような適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナー
などで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外
線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超
高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプなどを用い、縮
小投影露光装置などにより、所要のマスクパターンを介
して露光するか、あるいは電子線を走査しながら照射す
る。次にこれを現像液、例えば1〜10重量%テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液のような弱アルカ
リ性水溶液などを用いて現像処理することにより、マス
クパターンに忠実な画像を得ることができる。
例を示すと、まずシリコンウエハーのような支持体上
に、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と感光性成分とを
前記したような適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナー
などで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外
線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超
高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプなどを用い、縮
小投影露光装置などにより、所要のマスクパターンを介
して露光するか、あるいは電子線を走査しながら照射す
る。次にこれを現像液、例えば1〜10重量%テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液のような弱アルカ
リ性水溶液などを用いて現像処理することにより、マス
クパターンに忠実な画像を得ることができる。
【0025】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。なお、各例により得られた組成物の物
性は以下の方法により測定した。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。なお、各例により得られた組成物の物
性は以下の方法により測定した。
【0026】(1)感度 試料をスピンナーを用いてシリコンウエハー上に塗布
し、ホットプレートで100℃、90秒間乾燥して膜厚
1.3μmのレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光
装置NSR−1755i7A(ニコン社製)を用いて、
0.1〜0.02秒間隔で露光したのち、2.38重量
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で1分
間現像し、30秒間水洗し、乾燥して得られるパターニ
ングのために要する最小時間を感度とした。
し、ホットプレートで100℃、90秒間乾燥して膜厚
1.3μmのレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光
装置NSR−1755i7A(ニコン社製)を用いて、
0.1〜0.02秒間隔で露光したのち、2.38重量
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で1分
間現像し、30秒間水洗し、乾燥して得られるパターニ
ングのために要する最小時間を感度とした。
【0027】(2)耐熱性 前記のようにして得られたシリコンウエハー上のレジス
トパターンを130℃、140℃、150℃の各温度で
5分間ホットプレート上でベークしてそのパターンの変
形の有無について以下の基準で評価した。 ○…レジストパターンと基板との接触部分に変形が認め
られず、実用上有効であるもの。 ×…レジストパターンと基板との接触部分がフローして
しまい実用性に欠けるもの。
トパターンを130℃、140℃、150℃の各温度で
5分間ホットプレート上でベークしてそのパターンの変
形の有無について以下の基準で評価した。 ○…レジストパターンと基板との接触部分に変形が認め
られず、実用上有効であるもの。 ×…レジストパターンと基板との接触部分がフローして
しまい実用性に欠けるもの。
【0028】(3)解像度 1.0μmのマスクパターンを再現する露光量における
限界解像度。
限界解像度。
【0029】(4)フォーカス余裕度 0.5μmのラインアンドスペースのレジストパターン
が再現できる焦点深度の幅(μm)を示し、この値が大
きければフォーカス余裕度が良好で実用性に優れ、小さ
いとフォーカス余裕度が不良で実用性に乏しい。
が再現できる焦点深度の幅(μm)を示し、この値が大
きければフォーカス余裕度が良好で実用性に優れ、小さ
いとフォーカス余裕度が不良で実用性に乏しい。
【0030】製造例1 1‐[1‐(4‐ヒドロキシフェニル)イソプロピル]
‐4‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)エチ
ル]ベンゼン425gとナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐5‐スルホニルクロリド462gをジメチルアセト
アミド4200gに溶解し、これにトリエチルアミン3
50gとジメチルアセトアミド1400gとの混合液を
十分にかきまぜながら30〜60分間かけて滴下した。
‐4‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)エチ
ル]ベンゼン425gとナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐5‐スルホニルクロリド462gをジメチルアセト
アミド4200gに溶解し、これにトリエチルアミン3
50gとジメチルアセトアミド1400gとの混合液を
十分にかきまぜながら30〜60分間かけて滴下した。
【0031】滴下終了後、さらに30〜60分間かきま
ぜたものをろ過し、得られた液に35重量%塩酸25g
を加えて反応物を析出させ、得られた析出物をイオン交
換水でよく洗浄し、水分除去後乾燥した。
ぜたものをろ過し、得られた液に35重量%塩酸25g
を加えて反応物を析出させ、得られた析出物をイオン交
換水でよく洗浄し、水分除去後乾燥した。
【0032】このようにして得られた乾燥物をGPC分
析した結果、トリエステル100%であった。
析した結果、トリエステル100%であった。
【0033】製造例2 1‐[1‐(4‐ヒドロキシフェニル)イソプロピル]
‐4‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)エチ
ル]ベンゼン425gとナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐5‐スルホニルクロリド150gをジメチルアセト
アミド2000gに溶解し、これにトリエチルアミン1
20gとジメチルアセトアミド700gとの混合液を十
分にかきまぜながら30〜60分間かけて滴下した以外
は製造例1と同様の操作により得られた乾燥物をGPC
分析した結果、トリエステル13%、ジエステル42
%、モノエステル40%及び未反応物5%であった。
‐4‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシフェニル)エチ
ル]ベンゼン425gとナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐5‐スルホニルクロリド150gをジメチルアセト
アミド2000gに溶解し、これにトリエチルアミン1
20gとジメチルアセトアミド700gとの混合液を十
分にかきまぜながら30〜60分間かけて滴下した以外
は製造例1と同様の操作により得られた乾燥物をGPC
分析した結果、トリエステル13%、ジエステル42
%、モノエステル40%及び未反応物5%であった。
【0034】製造例3 フェノールとヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合物
[重量平均分子量1000、一般式(III)のn=4
に相当]400gとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐
5‐スルホニルクロリド800gをジオキサン4000
gに溶解し、これにトリエチルアミン800gとジメジ
オキサン2000gとの混合液を十分にかきまぜながら
30〜60分間かけて滴下した。滴下終了後、さらに3
0〜60分間かきまぜたものをろ過し、得られたろ液に
35重量%塩酸25gを加えて反応物を析出させ、得ら
れた析出物をイオン交換水でよく洗浄し、水分除去後乾
燥した。
[重量平均分子量1000、一般式(III)のn=4
に相当]400gとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐
5‐スルホニルクロリド800gをジオキサン4000
gに溶解し、これにトリエチルアミン800gとジメジ
オキサン2000gとの混合液を十分にかきまぜながら
30〜60分間かけて滴下した。滴下終了後、さらに3
0〜60分間かきまぜたものをろ過し、得られたろ液に
35重量%塩酸25gを加えて反応物を析出させ、得ら
れた析出物をイオン交換水でよく洗浄し、水分除去後乾
燥した。
【0035】製造例4 2,3,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン
9.8gとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐5‐スル
ホニルクロリド26.3gをジオキサン340gに溶解
し、これに25重量%炭酸ナトリウム水溶液24gを十
分にかきまぜながら30〜60分間かけて滴下した。次
いで35重量%塩酸25gをイオン交換水1000gで
希釈した希塩酸溶液を加えて反応物を析出させ、得られ
た析出物をイオン交換水でよく洗浄し、水分除去後乾燥
した。
9.8gとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐5‐スル
ホニルクロリド26.3gをジオキサン340gに溶解
し、これに25重量%炭酸ナトリウム水溶液24gを十
分にかきまぜながら30〜60分間かけて滴下した。次
いで35重量%塩酸25gをイオン交換水1000gで
希釈した希塩酸溶液を加えて反応物を析出させ、得られ
た析出物をイオン交換水でよく洗浄し、水分除去後乾燥
した。
【0036】実施例1 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート75
gに製造例3で得られた乾燥物5gとクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量7000)20gとを溶解
し、これをろ過してポジ型レジスト組成物を調製した。
gに製造例3で得られた乾燥物5gとクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量7000)20gとを溶解
し、これをろ過してポジ型レジスト組成物を調製した。
【0037】この組成物の感度、耐熱性、解像度及びフ
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
【0038】実施例2 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート75
gに、製造例1で得られた乾燥物1.5gと製造例3で
得られた乾燥物3.5gとの混合物とクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量7000)20gとを溶解
し、これをろ過してポジ型レジスト組成物を調製した。
gに、製造例1で得られた乾燥物1.5gと製造例3で
得られた乾燥物3.5gとの混合物とクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量7000)20gとを溶解
し、これをろ過してポジ型レジスト組成物を調製した。
【0039】この組成物の感度、耐熱性、解像度及びフ
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
【0040】実施例3 実施例2で使用した混合物を、製造例1で得られた乾燥
物2.5gと製造例3で得られた乾燥物2.5gとの混
合物に代えた以外は実施例2と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製した。
物2.5gと製造例3で得られた乾燥物2.5gとの混
合物に代えた以外は実施例2と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製した。
【0041】この組成物の感度、耐熱性、解像度及びフ
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
【0042】実施例4 実施例2で使用した混合物を、製造例1で得られた乾燥
物3.5gと製造例3で得られた乾燥物1.5gとの混
合物に代えた以外は実施例2と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製した。
物3.5gと製造例3で得られた乾燥物1.5gとの混
合物に代えた以外は実施例2と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製した。
【0043】この組成物の感度、耐熱性、解像度及びフ
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
【0044】実施例5 実施例2で使用した混合物を、製造例2で得られた乾燥
物2.5gと製造例3で得られた乾燥物2.5gとの混
合物に代えた以外は実施例2と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製した。
物2.5gと製造例3で得られた乾燥物2.5gとの混
合物に代えた以外は実施例2と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製した。
【0045】この組成物の感度、耐熱性、解像度及びフ
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
【0046】比較例1 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート75
gに製造例4で得られた乾燥物5gとクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量7000)20gとを溶解
し、これをろ過してポジ型レジスト組成物を調製した。
gに製造例4で得られた乾燥物5gとクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量7000)20gとを溶解
し、これをろ過してポジ型レジスト組成物を調製した。
【0047】この組成物の感度、耐熱性、解像度及びフ
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
【0048】比較例2 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート75
gに製造例1で得られた乾燥物5gとクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量7000)20gとを溶解
し、これをろ過してポジ型レジスト組成物を調製した。
gに製造例1で得られた乾燥物5gとクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量7000)20gとを溶解
し、これをろ過してポジ型レジスト組成物を調製した。
【0049】この組成物の感度、耐熱性、解像度及びフ
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
ォーカス余裕度の測定結果を表1に示す。
【0050】
【表1】
【0051】
【発明の効果】本発明組成物を用いれば、超微細加工に
おいても、感光層の厚みの不均一、露光の際の光源から
の距離の差に基づく焦点の変動により、パターン精度が
そこなわれることがなく、原図に忠実な、耐熱性の大き
いパターンを得ることができる。
おいても、感光層の厚みの不均一、露光の際の光源から
の距離の差に基づく焦点の変動により、パターン精度が
そこなわれることがなく、原図に忠実な、耐熱性の大き
いパターンを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小原 秀克 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 (A)アルカリ可溶性ノボラック型樹脂
に対し、感光性成分として(B)一般式 【化1】 (式中のDの中の少なくとも1個はナフトキノン‐1,
2‐ジアジド‐スルホニル基で、残りは水素原子であ
り、nは0〜7の数である)で表わされる化合物を配合
したことを特徴とするアルカリ現像用ポジ型感光性樹脂
組成物。 - 【請求項2】 (B)成分の配合量が、(A)成分10
0重量部当り5〜200重量部である請求項1記載のア
ルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項3】 (A)アルカリ可溶性ノボラック型樹脂
に対し、感光性成分として(B)一般式 【化2】 (式中のDの中の少なくとも1個はナフトキノン‐1,
2‐ジアジド‐スルホニル基、残りは水素原子であり、
nは0〜7の数である)で表わされる化合物及び(C)
一般式 【化3】 (式中のD′の中の少なくとも1個はナフトキノン‐
1,2‐ジアジド‐スルホニル基で残りは水素原子であ
る)で表わされる化合物を配合したことを特徴とするア
ルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項4】 (B)成分及び(C)成分の配合量の合
計が(A)成分100重量部当り5〜200重量部であ
る請求項3記載のアルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成
物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11957192A JPH05289333A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | アルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物 |
US08/134,287 US5384228A (en) | 1992-04-14 | 1993-10-08 | Alkali-developable positive-working photosensitive resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11957192A JPH05289333A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | アルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05289333A true JPH05289333A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14764643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11957192A Pending JPH05289333A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | アルカリ現像用ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05289333A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0706090A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-10 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation sensitive resin composition |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP11957192A patent/JPH05289333A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0706090A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-10 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation sensitive resin composition |
US5707558A (en) * | 1994-10-05 | 1998-01-13 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation sensitive resin composition |
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