JPH0528453A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

垂直磁気記録媒体

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JPH0528453A
JPH0528453A JP3175497A JP17549791A JPH0528453A JP H0528453 A JPH0528453 A JP H0528453A JP 3175497 A JP3175497 A JP 3175497A JP 17549791 A JP17549791 A JP 17549791A JP H0528453 A JPH0528453 A JP H0528453A
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JP
Japan
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layer
magnetic recording
magnetic
perpendicular magnetic
intermediate layer
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Withdrawn
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JP3175497A
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English (en)
Inventor
Katsumi Kiuchi
克己 木内
Hiroaki Wakamatsu
弘晃 若松
Fumitake Suzuki
文武 鈴木
Katsutake Kaizu
功剛 貝津
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 非磁性基板上に高透磁率磁性層を介して非磁
性中間層及び垂直磁気記録層を順次積層した垂直磁気記
録媒体において、垂直記録層及び非磁性中間層に対し、
各々の最適な膜厚を規定することにより、従来に比べ、
優れた高密度特性を得ることを目的とする。 【構成】 非磁性中間層の膜厚を10〜200Åの範
囲、垂直磁気記録層の膜厚を0.05〜0.15μmの
範囲に限定した垂直磁気記録媒体を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータの外部記憶
媒体として用いられている磁気ディスク装置又は磁気テ
ープ装置等に搭載される磁気記録媒体に関し、特に記憶
再生特性に優れた垂直磁気記録媒体の構造に関する。水
平磁気記録とは磁気媒体の膜面方向に残留磁気を形成す
るものであるが、近年、磁気ディスク装置又は磁気テー
プ装置の小型化或いは高密度化に伴い、従来の水平磁気
記録を上回る高密度記録方式として、媒体膜の厚さ方向
に残留磁気を形成し、信号記録を行う垂直磁気記録方式
が注目され、各社で研究・開発が進められている。
【0002】
【従来の技術】この垂直磁気記録方式を実現する媒体と
しては、従来、非磁性基板上にパーマロイ等の高誘電率
層を介してコバルト・クロム合金(CoCr)等の垂直
磁気記録層を形成した二層膜構造の垂直磁気記録媒体
(図8)が知られている。図8において、11は非磁性
基板、12は高透磁率層、14は垂直記録層である。
【0003】しかし、この種の従来の垂直磁気記録媒体
においては、高透磁率層12が垂直磁気記録層14の垂
直磁気異方性を劣化させるという問題を生じることか
ら、例えば、特開昭58−14318号公報や特開昭6
1−233413号公報では記録層14と高透磁率層1
2の間に非磁性中間層13を設け、垂直配向性を改善す
る提案がなされている(図9)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この発明の発明者ら
は、上記の特開昭58−14318号公報や特開昭61
−233413号公報に記載されている発明に基づい
て、非磁性中間層を有する媒体と、比較のために非磁性
中間層の無い媒体とを作成した。ここで、媒体構成は、
記録層(CoCr)の厚さを0.3μmとし、高透磁率
層(NiFe)の厚さを2μmとし、そして中間層の非
磁性材としてはチタニウム(Ti)を選び、膜厚を50
0Åとした。
【0005】非磁性中間層等の挿入によって、確かに記
録層(CoCr)の初期層から垂直配向性の改善が見ら
れると共に明瞭な柱状構造の形成を促進し、均一な磁気
特性を提供した。図6は非磁性中間層(Ti)の有る媒
体と無い媒体で、記録層(CoCr)の膜厚方向の保磁
力(Hc⊥)を比較したものである。ここで、垂直記録
において、保磁力(Hc⊥)は再生出力に強く依存する
重要な媒体定数である。中間層(Ti)の無い媒体では
高透磁率層(NiFe)の界面に向かって保磁力(Hc
⊥)が急激に低下してしまうのに対し、中間層(Ti)
を挿入した媒体では初期形成層から保磁力(Hc⊥)が
均一な膜を形成している。
【0006】図7は単磁極型ヘッドを用いて記録再生を
行った両媒体の記録密度特性を比較したものである。図
から明らかなように、中間層(Ti)の有無によらず再
生出力は同等である一方、分割能(D50)は中間層(T
i)を挿入することによりむしろ低下する結果となっ
た。発明者らが鋭意検討した結果、二層膜構造の垂直磁
気記録媒体を単磁極型ヘッドを用いて記録再生を行う方
式では、ヘッド主磁極と近接する垂直記録膜の表層側が
主に再生出力に寄与することが判明した。したがって、
非磁性層を挿入した媒体の初期形成層の改善による出力
向上効果は所定の垂直記録膜厚の範囲でのみ有効とな
る。また、非磁性中間層が存在することにより、実質的
にはヘッド・媒体間の間隔を増加する結果となることか
ら、高分解能特性を維持するためには非磁性中間層をで
きるだけ薄層化することが必要である。
【0007】本発明は上記観点に立って、垂直記録層及
び非磁性中間層に対し、各々の最適な膜厚を規定するこ
とにより、従来に比べ、優れた高密度特性を有する垂直
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明によれば、非磁性基板上に高透磁率磁
性層を介して非磁性中間層及び垂直磁気記録層を順次積
層した垂直磁気記録媒体において、前記非磁性中間層の
膜厚を10〜200Åの範囲、前記垂直磁気記録層の膜
厚を0.05〜0.15μmの範囲に規定したことを特
徴とする垂直磁気記録媒体が提供される。
【0009】
【作用】本発明の垂直磁気記録媒体では非磁性基板上に
高透磁率膜を介して、極めて薄い非磁性中間膜と、初期
層における保磁力(Hc⊥)の低下が無く、所定の膜厚
を有する垂直記録膜とから構成されるため、その結果、
高出力・高分割能の高密度特性を得ることが可能とな
る。
【0010】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
る。図1は本発明の実施例に係る二重膜構造の垂直磁気
記録媒体を示す。ガラス基板等の非磁性基板1上に、1
μm厚のパーマロイ高透磁率層(μ〜2000)2を介
して、チタニウム(Ti)から成る非磁性中間層3とし
て200Å厚の範囲、コバルト・クロム合金(CoC
r)から成る記録層を0.05〜0.15μm厚の範囲
に順次積層した構造とする。この場合に、媒体の各層の
成膜にはスパッタリング法を用いた。勿論、蒸着法等の
他の薄膜形成法を用いても良い。
【0011】以下に本発明の根拠となる実験例について
説明する。 実験例1 図2は非磁性中間層(Ti)の有無による媒体の孤立波
出力比と記録層(CoCr)の厚さとの関係を示したも
のである。この時、高透磁率層として1μm厚のパーマ
ロイ膜(μ〜2000)、非磁性中間層としては200
Å厚のTi膜を用い、記録再生には単磁極ヘッドを使用
した。図2より、記録層(CoCr)の膜厚が0.15
μm以上の厚い領域ではTi層を挿入しても何ら効果が
ないことが明らかである。
【0012】また、図3は非磁性中間層(Ti)の有り
の媒体の孤立波出力と記録層(CoCr)の膜厚との関
係を示したものである。再生出力は0.05μm以下で
急激に低下し、0.15μm以上で漸増の状態となる。
以上の結果と高分解能を得るには記録層(CoCr)を
できる限り薄くすることが望ましいことから、高密度化
に好適な記録層(CoCr)層の膜厚は0.05μm〜
0.15μmの範囲と限定できる。
【0013】実験例2 図4は孤立波出力と非磁性中間層(Ti)の膜厚との関
係を示す。この場合、高透磁率層は1μm厚のパーマロ
イ膜(μ〜2000)、記録層は0.1μm厚のCoC
r膜である。図4より、非磁性中間層(Ti)の膜厚は
わずか10Åの厚さにおいても出力向上に寄与できるこ
とが明らかである。
【0014】また、図5は分解能(D50)と非磁性中間
層(Ti)の膜厚との関係を示したものである。なお縦
軸はTi厚0μm、即ちTi層など媒体のD50で規格化
してある。非磁性中間層(Ti)の膜厚の増加に伴い実
効間隔が増加し、分解能が低下する。即ち、非磁性中間
層(Ti)が200Åの厚さ以上では20%以上の分割
能の低下を引き起こしてしまう。
【0015】したがって、高密度化に好適な非磁性中間
層(Ti)の膜厚は10〜200Åと限定できる。以上
実験結果に基づいて説明したように、垂直磁気記録媒体
の高密度化に好適な媒体構成は非磁性層の膜厚を10〜
200Åの範囲、垂直磁気記録層の膜厚を0.05μm
〜0.15μmの範囲とすればよいことは明らかであ
る。
【0016】なお、本実施例では非磁性中間層として六
方最密格子構造のチタニウム(Ti)を用いたが、その
他のタングステン(W)、マグネシウム(Mg)等の金
属、さらに、酸化珪素(SiO2 )、酸化チタニウム
(TiO2 )等の非晶質材でも同様の効果が得られる。
【0017】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、高出力・高分解能の特性を有する垂直磁気記録媒体
が実現できるため、磁気ディスク装置の小型化・大容量
化に寄与するところが非常に大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す模
式図である。
【図2】非磁性中間層(Ti)を挿入した場合の出力向
上の効果を示す図である。
【図3】非磁性中間層(Ti)を挿入した場合の媒体の
記録層(CoCr)の膜厚と孤立波出力との関係を示す
図である。
【図4】孤立波出力と非磁性中間層(Ti)の膜厚との
関係を示す図である。
【図5】分割能と非磁性中間層(Ti)の膜厚との関係
を示す図である。
【図6】記録層(CoCr)層の膜厚方向の保磁力分布
を示す図である。
【図7】非磁性中間層(Ti)の有無による記録密度特
性の比較を示す図である。
【図8】従来の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図(従来例1)である。
【図9】非磁性中間層を挿入した垂直磁気記録媒体の断
面構造を示す模式図(従来例2)である。
【符号の説明】
1…ガラス基板 2…NiFe高透磁率層(1μm) 3…Ti非磁性中間層(10〜200Å) 4…CoCr垂直記録層(0.05〜0.15μm)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 貝津 功剛 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 非磁性基板(1)上に高透磁率磁性層
    (2)を介して非磁性中間層(3)及び垂直磁気記録層
    (4)を順次積層した垂直磁気記録媒体において、前記
    非磁性中間層(3)の膜厚を10〜200Åの範囲、前
    記垂直磁気記録層(4)の膜厚を0.05〜0.15μ
    mの範囲に規定したことを特徴とする垂直磁気記録媒
    体。
  2. 【請求項2】 前記非磁性中間層(3)として六方最密
    格子構造の金属薄膜を用いることを特徴とする請求項1
    に記載の垂直磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 前記非磁性中間層(3)として非晶質薄
    膜を用いることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気
    記録媒体。
  4. 【請求項4】 前記非磁性中間層(3)をチタニウム
    (Ti)で形成し、前記垂直磁気記録層(4)をコバル
    ト・クロム合金(CoCr)で形成したことを特徴とす
    る請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
JP3175497A 1991-07-16 1991-07-16 垂直磁気記録媒体 Withdrawn JPH0528453A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002074638A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Fujitsu Ltd 磁気情報記録媒体
WO2004075178A1 (ja) * 2003-02-20 2004-09-02 Fujitsu Limited 垂直磁気記録媒体

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JP2002074638A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Fujitsu Ltd 磁気情報記録媒体
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A300 Withdrawal of application because of no request for examination

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Effective date: 19981008