JPH05283903A

JPH05283903A - 共振器

Info

Publication number: JPH05283903A
Application number: JP10927392A
Authority: JP
Inventors: Teruhisa Tsuru; 輝久鶴; Naotake Okamura; 村尚武岡
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1992-04-01
Filing date: 1992-04-01
Publication date: 1993-10-29

Abstract

(57)【要約】【目的】小型化が可能な共振器を提供する。【構成】共振器４０は、一方の最外層となる第１の保
護層４２を含む。第１の保護層４２の一方主面には、イ
ンダクタとなるコイル電極４４が形成される。さらに、
第１の保護層４２の一方主面側には、コイル電極４４を
挟むようにして、ダミー層４６が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は共振器に関し、特にイ
ンダクタとして用いられるコイル電極を有し、たとえば
携帯電話のトラップやバンドパスフィルタなどに使用さ
れる共振器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信における機器などの小
型化は、目覚ましいものがある。たとえば、携帯電話に
使用されるＬＳＩなどの厚さは、たとえば１．５ｍｍと
薄くなってきている。そのため、厚さがたとえば１．８
ｍｍの共振器をトラップとして使用したり、厚さがたと
えば１．８ｍｍのバンドパスフィルタを使用したりして
いると、それらの共振器やバンドパスフィルタは、他の
部品と比べて、厚さが厚くなってきているといえる。ま
た、共振器やバンドパスフィルタについて、それらの実
装面積を小さくする要請が強まってきている。

【０００３】図１２はこの発明の背景となりかつこの発
明が適用される共振器の一例を示す等価回路図である。
この共振器では、インダクタＬ，コンデンサＣおよびト
リミング用コンデンサＣｘが並列に接続されている。

【０００４】図１３は図１２に示す等価回路を有する先
行例としての共振器を示す断面図である。図１４は図１
３に示す共振器のコイル電極およびその周辺部分を示す
平面図である。図１５は図１３に示す共振器のトリミン
グ用電極およびその周辺部分を示す平面図である。

【０００５】図１３に示す共振器１は、第１の保護層２
を含み、第１の保護層２上には、シールド電極３、第１
のダミー層４、コイル電極５、第２のダミー層６、コン
デンサ電極７、誘電体層８、シールド電極９、誘電体層
１０、トリミング用電極１１および第２の保護層１２
が、この順に積層的に形成されている。

【０００６】さらに、この共振器１の側面には、２つの
外部電極１３ａおよび１３ｂが形成されている。一方の
外部電極１３ａは、コイル電極５の一端部、コンデンサ
電極７およびトリミング用電極１１に接続され、他方の
外部電極１３ｂは、シールド電極３、コイル電極５の他
端部およびシールド電極９に接続される。

【０００７】この共振器１は、平面的に見てたとえば
４．５ｍｍ×２．０ｍｍに形成され、厚さがたとえば
１．５ｍｍに形成される。また、この共振器１は、図１
６に示す周波数特性を有する。

【０００８】図１７はこの発明の背景となりかつこの発
明が適用されるバンドパスフィルタの一例を示す等価回
路図である。このバンドパスフィルタは、２つの入出力
端子を含む。一方の入出力端子は、コンデンサＣ１を介
して、第１の共振器Ｑ１の一端に接続される。第１の共
振器Ｑ１は、並列に接続されるインダクタＬ１、コンデ
ンサＣ２およびトリミング用コンデンサＣ２ｘを有す
る。また、他方の入出力端子は、コンデンサＣ３を介し
て、第２の共振器Ｑ２の一端に接続される。第２の共振
器Ｑ２も、並列に接続されるインダンタＬ２、コンデン
サＣ４およびトリミング用コンデンサＣ４ｘを有する。
第１および第２の共振器Ｑ１およびＱ２のインダンタＬ
１およびＬ２は、磁気結合度Ｍで結合される。また、第
１および第２の共振器Ｑ１およびＱ２の一端間には、コ
ンデンサＣｐが接続される。さらに、第１の共振器Ｑ１
の他端は、インダクタＬ３を介して、一方のアース端子
に接続され、第２の共振器Ｑ２の他端は、インダンタＬ
４を介して、他方のアース端子に接続される。また、第
１および第２の共振器Ｑ１およびＱ２の他端間には、イ
ンダクタＬ５が接続される。さらに、２つの入出力端子
間には、コンデンサＣ５が接続される。

【０００９】図１８は図１７に示す等価回路を有する先
行例としてのバンドパスフィルタを示す分解斜視図であ
る。図１９は図１８に示すバンドパスフィルタの断面図
である。図２０は図１８に示すバンドパスフィルタのコ
イル電極およびその周辺部分を示す平面図である。図２
１は図１８に示すバンドパスフィルタのシールド電極お
よびその周辺部分を示す平面図である。

【００１０】図１８に示すバンドパスフィルタ２１は、
第１の保護層２２を含み、第１の保護層２２上には、シ
ールド電極２３ａ，２３ｂ、第１のダミー層２４、３つ
のコイル電極２５ａ，２５ｂおよび２５ｃを含むコイル
電極２５、第２のダミー層２６、ポール形成用のコンデ
ンサ電極２７、誘電体層２８、入出力インピーダンス調
整用のコンデンサ電極２９ａ，２９ｂ、誘電体層３０、
並列共振器用のコンデンサ電極３１ａ，３１ｂ、誘電体
層３２、シールド電極３３ａ，３３ｂ、誘電体層３４、
トリミング用電極３５ａ，３５ｂおよび第２の保護層３
６が、この順に積層的に形成される。

【００１１】また、このバンドパスフィルタ２１の側面
には、８個の断面コ字形の外部電極３７ａ〜３７ｈが形
成されている。このバンドパスフィルタ２１は、平面的
に見てたとえば５．７ｍｍ×５．０ｍｍに形成され、厚
さがたとえば２．０ｍｍに形成される。また、このバン
ドパスフィルタ２１は、図２２に示す周波数特性を有す
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図１３に示
す積層構造の共振器１において、平面的に見た寸法およ
び厚さを小さくすると、インダクタＬのインダクタンス
が小さくなってインピーダンスの大きい周波数帯域が狭
くなるという問題やシールド電極３とコイル電極５との
間隔が狭くなってＱが劣化するという問題が発生する。

【００１３】また、図１８に示す積層構造のバンドパス
フィルタ２１において、平面的に見た寸法および厚さを
小さくすると、挿入損失や減衰量が劣化するという問題
が発生する。

【００１４】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化が可能な共振器を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明は、一方の最外
層としての第１の保護層と、この第１の保護層の一方主
面に形成され、インダクタとして用いられるコイル電極
と、このコイル電極を挟むようにして、第１の保護層の
一方主面側に形成されるダミー層とを含む、共振器であ
る。

【００１６】

【作用】一方の最外層としての第１の保護層の一方主面
にコイル電極が形成され、そのコイル電極を挟むように
して、第１の保護層の一方主面側にダミー層が形成され
るので、一方の最外層からダミー層までの厚さを薄くす
ることがてきる。

【００１７】

【発明の効果】この発明によれば、小型化が可能な共振
器が得られる。

【００１８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００１９】

【実施例】図１はこの発明の一実施例としての共振器を
示す分解斜視図である。図２は図１に示す共振器の断面
図である。図３は図１に示す共振器の平面図である。

【００２０】この共振器４０は、一方の最外層として、
平面的に見てたとえば３．２ｍｍ×１．６ｍｍの第１の
保護層４２を含む。第１の保護層４２は、図１３に示す
先行例の第１の保護層２より厚く形成され、かつ、図１
３に示す先行例のシールド電極３およびコイル電極５間
の第１のダミー層４より厚く形成される。この第１の保
護層４２は、この実施例では多数の誘電体層を積層する
ことによって形成されるが、たとえば１枚の誘電体層の
みで形成されてもよい。

【００２１】第１の保護層４２の一方主面には、コイル
電極４４が形成される。この場合、コイル電極４４は、
第１の保護層４２の長手方向の一端から他端にわたって
形成される。このコイル電極４４は、図１３に示す先行
例のコイル電極５と比べて、短く形成されるため、イン
ダクタンスが小さくなろうとする。インダクタンスが小
さくなることを防ぐために、このコイル電極４４は、そ
の幅がたとえば０．４ｍｍと、図１３に示す先行例の幅
が０．６ｍｍのコイル電極５と比べて、たとえば０．２
ｍｍだけ細く形成される。また、このコイル電極４４
は、幅を細く形成することによってＱが低下するので、
Ｑの低下を防ぐために、その厚さが厚く形成される。こ
のコイル電極４４は、共振器のインダクタＬ（図１２）
として働く。

【００２２】さらに、第１の保護層４２の一方主面側に
は、コイル電極４４を挟むようにして、たとえば誘電体
層からなるダミー層４６が形成される。このダミー層４
６は、その厚さがたとえば０．３５ｍｍと、コイル電極
４４に悪影響を及ぼさない範囲で、図１３に示す先行例
の第２のダミー層６よりも薄く形成される。この結果、
この実施例の第１の保護層４２からダミー層４６までの
厚さは、図１３に示す先行例の第１の保護層２から第２
のダミー層までの厚さより薄くなる。

【００２３】ダミー層４６の一方主面において縁部を除
いた一端側には、コンデンサ電極４８が形成される。コ
ンデンサ電極４８はダミー層４６の一端に延びる引出部
を有し、この引出部は平面的に見てコイル電極４４の一
端部に対向する。

【００２４】ダミー層４６の一方主面側には、コンデン
サ電極４８を挟むようにして、第１の誘電体層５０が形
成される。第１の誘電体層５０の一方主面において縁部
を除いた部分には、シールド電極５２が形成される。シ
ールド電極５２は第１の誘電体層５０の他端に延びる引
出部を有し、この引出部は平面的に見てコイル電極４４
の他端部に対向する。

【００２５】第１の誘電体層５０の一方主面側には、シ
ールド電極５２を挟むようにして、第２の誘電体層５４
が形成される。第２の誘電体層５４の一方主面において
縁部を除いた一端側には、コンデンサ電極５６が形成さ
れる。コンデンサ電極５６は第２の誘電体層５４の一端
に延びる引出部を有し、この引出部は平面的に見てコイ
ル電極４４の一端部に対向する。

【００２６】第２の誘電体層５４の一方主面側には、コ
ンデンサ電極５６を挟むようにして、第３の誘電体層５
８が形成される。第３の誘電体層５８の一方主面におい
て縁部を除いた部分には、シールド電極６０が形成され
る。シールド電極６０は第３の誘電体層５８の他端に延
びる引出部を有し、この引出部は平面的に見てコイル電
極４４の他端部に対向する。

【００２７】第３の誘電体層５８の一方主面側には、シ
ールド電極６０を挟むようにして、第４の誘電体層６２
が形成される。第４の誘電体層６２の一方主面において
縁部を除いた中央から一端側には、トリミング用電極６
４が形成される。トリミング用電極６４は第４の誘電体
層６２の一端に延びる引出部を有し、この引出部は平面
的に見てコイル電極４４の一端部に対向する。

【００２８】第４の誘電体層６２の一方主面側には、他
方の最外層として、たとえば誘電体からなる第２の保護
層６６が形成される。第２の保護層６６は、この実施例
では多数の誘電体層を積層することによって形成される
が、たとえば１枚の誘電体層のみで形成されてもよい。

【００２９】さらに、この共振器４０の長手方向におけ
る一方側面および他方側面には、特に図２および図３に
示すように、外部電極６８ａおよび６８ｂが、それぞれ
形成される。一方の外部電極６８ａは、コイル電極４４
の一端部と、コンデンサ電極４８，コンデンサ電極５６
およびトリミング用電極６４の引出部とに接続される。
また、他方の外部電極６８ｂは、コイル電極４４の他端
部と、シールド電極５２およびシールド電極６０の引出
部とに接続される。

【００３０】この共振器４０では、コンデンサ電極４８
および５６と、第１，第２および第３の誘電体層５０，
５４および５８と、シールド電極５２および６０とで、
外部電極６８ａおよび６８ｂ間にコンデンサＣ（図１
２）が形成される。そのため、この共振器４０では、図
１３に示す先行例と比べて、平面的に見た面積が小さい
にもかかわらず、コンデンサ電極などの多層化によっ
て、コンデンサＣのコンデンサ電極の実質的な面積の減
少が防がれる。

【００３１】また、シールド電極６０と第４の誘電体層
６２とトリミング用電極６４とで、外部電極６８ａおよ
び６８ｂ間にトリミング用コンデンサＣｘ（図１２）が
形成される。このトリミング用コンデンサＣｘの静電容
量は、トリミング用電極６４を削ることによって、調整
することができる。

【００３２】したがって、この共振器４０は、図１２に
示す等価回路を有する。

【００３３】この共振器４０は、平面的に見て３．２ｍ
ｍ×１．６ｍｍに形成され、厚さが１．０ｍｍに形成さ
れる。また、この共振器４０は、図４に示す周波数特性
を有する。

【００３４】この共振器４０は、図１３に示す先行例と
比べ、平面的に見た面積が約５７％に体積が約３８％に
小型になる。しかも、この共振器４０は、図１３に示す
先行例と比べて、Ｑが８ほど低下しているが特性的には
ほとんど変化はみられない。したがって、この共振器４
０は、たとえば移動体通信用の機器などの小型化に有効
的に用いられる。

【００３５】なお、この共振器４０は、たとえばプリン
ト基板に取り付ける場合、アースパターンに近接して取
り付ければ、シールド効果がよくなる。

【００３６】図５はこの発明の他の実施例としてのバン
ドパスフィルタを示す斜視図である。図６は図５に示す
バンドパスフィルタの分解斜視図である。図７は図５に
示すバンドパスフィルタの断面図である。図８は図５に
示すバンドパスフィルタのコイル電極およびその周辺部
分を示す平面図である。図８は図５に示すバンドパスフ
ィルタのコンデンサ電極およびその周辺部分を示す平面
図である。

【００３７】このバンドパスフィルタ７０は、一方の最
外層として、平面的に見てたとえば４．５ｍｍ×３．２
ｍｍの第１の保護層７２を含む。この第１の保護層７２
は、図１８に示す先行例の第１の保護層２２より厚く形
成され、かつ、図１８に示す先行例の第１のダミー層２
４より厚く形成される。この第１の保護層７２は、この
実施例では多数の誘電体層を積層することによって形成
されるが、たとえば１枚の誘電体層のみで形成されても
よい。

【００３８】第１の保護層７２の一方主面には、３つの
コイル電極７４ａ，７４ｂおよび７４ｃが形成される。
２つのコイル電極７４ａおよび７４ｂは、それぞれ、第
１の保護層７２の幅方向の一端から他端にわたってクラ
ンク状に形成される。この場合、コイル電極７４ａおよ
び７４の一端部は、第１の保護層７２の幅方向における
一端側で広がる。さらに、これらのコイル電極７４ａお
よび７４ｂは、磁気結合度Ｍで接合させるために、それ
らの他端側が第１の保護層７２の幅方向における他端側
で接近される。また、他のコイル電極７４ｃは、コイル
電極７４ａの他端部からコイル電極７４ｂの他端部に延
びて形成される。これらのコイル電極７４ａ〜７４ｃを
形成できる面積すなわち第１の保護層７２の一方主面の
面積は、図１８に示す先行例のコイル電極２５ａ〜２５
ｃを形成できる面積すなわち第１のダミー層２４の一方
主面の面積より狭い。そのため、これらのコイル電極７
４ａ〜７４ｃは、図１８に示す先行例のコイル電極２５
ａ〜２５ｃと比べて、インダクタンスが小さくなるおそ
れがある。インダクタンスが小さくなることを防ぐため
に、これらのコイル電極７４ａ〜７４ｃは、それらの幅
が図１８に示すコイル電極２５ａ〜２５ｃよりそれぞれ
狭く形成される。また、コイル電極７４ａ〜７４ｃは、
幅を狭く形成することによってＱが低下するので、Ｑの
低下を防ぐために、厚さが図１８に示す先行例のコイル
電極２５ａ〜２５ｃより厚く形成される。これらのコイ
ル電極７４ａおよび７４ｂは、それぞれ、共振器Ｑ１お
よびＱ２のインダクタＬ１およびＬ２（図１７）として
働き、コイル電極７４ｃはインダンタＬ５（図１７）と
して働く。

【００３９】第１の保護層７２の一方主面側には、３つ
のコイル電極７４ａ〜７４ｃを挟むようにして、たとえ
ば誘電体からなるダミー層７６が形成される。このダミ
ー層７６は、その厚さがたとえば０．５ｍｍと、コイル
電極７４ａ〜７４ｃに悪影響を及ぼさない範囲で、図１
８に示す先行例の第２のダミー層２６よりも薄く形成さ
れる。この結果、この実施例の第１の保護層７２からダ
ミー層７６までの厚さは、図１８に示す先行例の第１の
保護層２２から第２のダミー層２６までの厚さより薄く
なる。

【００４０】ダミー層７６の一方主面の中央には、たと
えばコ字形の入出力間用コンデンサ電極７８が形成され
る。

【００４１】ダミー層７６の一方主面側には、入出力間
用コンデンサ電極７８を挟むようにして、第１の誘電体
層８０が形成される。第１の誘電体層８０の一方主面に
おいて縁部を除いた部分には、２つの入出力用コンデン
サ電極８２ａおよび８２ｂが、第１の誘電体層８０の長
手方向に間隔を隔てて形成される。入出力用コンデンサ
電極８２ａおよび８２ｂは、平面的に見て入出力間用コ
ンデンサ電極７８に対向する。したがって、入出力間用
コンデンサ電極７８と第１の誘電体層８０と入出力用コ
ンデンサ電極８２ａおよび８２ｂとで、コンデンサＣ５
（図１７）が形成される。また、入出力用コンデンサ電
極８２ａおよび８２ｂは、それぞれ、第１の誘電体層８
０の幅方向の他端に延びる引出部を有する。

【００４２】第１の誘電体層８０の一方主面側には、入
出力用コンデンサ電極８２ａおよび８２ｂを挟むように
して、第２の誘電体層８４が形成される。第２の誘電体
層８４の一方主面において縁部を除いた部分には、２つ
のコンデンサ電極８６ａおよび８６ｂが、第２の誘電体
層８４の長手方向に間隔を隔てて形成される。コンデン
サ電極８６ａおよび８６ｂは、それぞれ、平面的に見て
コンデンサ電極８２ａおよび８２ｂに対向する。したが
って、入出力用コンデンサ８２ａおよび８２ｂと第２の
誘電体層８４とコンデンサ電極８６ａおよび８６ｂと
で、コンデンサＣ１およびＣ３（図１７）が形成され
る。また、一方のコンデンサ電極８６ａは第２の誘電体
層８４の幅方向の一端に延びる引出部を有し、この引出
部は平面的に見てコイル電極７４ａの一端部に対向す
る。他方のコンデンサ電極８６ｂも第２の誘電体層８４
の幅方向の一端に延びる引出部を有し、この引出部は平
面的に見てコイル電極７４ｂの一端部に対向する。

【００４３】第２の誘電体層８４の一方主面側には、コ
ンデンサ電極８６ａおよび８６ｂを挟むようにして、第
３の誘電体層８８が形成される。第３の誘電体層８８の
一方主面において縁部を除いた部分には、２つのシール
ド電極９０ａおよび９０ｂが、第３の誘電体層８８の長
手方向に間隔を隔てて形成される。シールド電極９０ａ
および９０ｂは、それぞれ、平面的に見てコンデンサ電
極８６ａおよび８６ｂに対向する。また、一方のシール
ド電極９０ａは第３の誘電体層８８の幅方向の一端に延
びる一方の引出部と他端に延びる他方の引出部とを有
し、他方の引出部は平面的に見てコイル電極７４ａの他
端部に対向する。他方のシールド電極９０ｂも第３の誘
電体層８８の幅方向の一端に延びる一方の引出部と他端
に延びる他方の引出部とを有し、他方の引出部は平面的
に見てコイル電極７４ｂの他端部に対向する。

【００４４】第３の誘電体層８８の一方主面側には、シ
ールド電極９０ａおよび９０ｂを挟むようにして、第４
の誘電体層９２が形成される。第４の誘電体層９２の一
方主面において縁部を除いた部分には、２つのコンデン
サ電極９４ａおよび９４ｂが、第４の誘電体層９２の長
手方向に間隔を隔てて形成される。コンデンサ電極９４
ａおよび９４ｂは、それぞれ、平面的に見てシールド電
極９０ａおよび９０ｂに対向する。また、一方のコンデ
ンサ電極９４ａは第４の誘電体層９２の幅方向の一端に
延びる引出部を有し、この引出部は平面的に見てコンデ
ンサ電極８６ａの引出部に対向する。他方のコンデンサ
電極９４ｂも第４の誘電体層９２の幅方向の一端に延び
る引出部を有し、この引出部は平面的に見てコンデンサ
電極８６ｂの引出部に対向する。

【００４５】第４の誘電体層９２の一方主面側には、コ
ンデンサ電極９４ａおよび９４ｂを挟むようにして、第
５の誘電体層９６が形成される。第５の誘電体層９６の
一方主面において縁部を除いた部分には、たとえば一定
の幅を有する２つのトリミング用電極９８ａおよび９８
ｂが、第５の誘電体層９６の長手方向に間隔を隔てて形
成される。トリミング用電極９８ａおよび９８ｂは、そ
れぞれ、平面的に見てコンデンサ電極９４ａおよび９４
ｂに対向する。したがって、コンデンサ電極９４ａおよ
び９４ｂと第５の誘電体層９６とトリミング用電極９８
ａおよび９８ｂとで、共振器Ｑ１およびＱ２のトリミン
グ用コンデンサＣ２ｘおよびＣ４ｘ（図１７）が形成さ
れる。これらのトリミング用コンデンサＣ２ｘおよびＣ
４ｘの静電容量は、トリミング用電極９８ａおよび９８
ｂを削ることによって、調整することができる。

【００４６】また、一方のトリミング用電極９８ａは第
５の誘電体層９６の幅方向の一端に延びる一方の引出部
と他端に延びる他方の引出部を有し、これらの引出部は
平面的に見てシールド電極９０ａの引出部にそれぞれ対
向する。他方のトリミング用電極９８ｂも第５の誘電体
層９６の幅方向の一端に延びる一方の引出部と他端に延
びる他方の引出部を有し、これらの引出部は平面的に見
てシールド電極９０ｂの引出部にそれぞれ対向する。

【００４７】第５の誘電体層９６の一方主面側には、ト
リミング用電極９８ａおよび９８ｂを挟むようにして、
他方の最外層として、たとえば誘電体からなる第２の保
護層１００が形成される。この第２の保護層１００は、
この実施例では多数の誘電体層を積層することによって
形成されるが、たとえば１枚の誘電体層のみで形成され
てもよい。

【００４８】さらに、このバンドパスフィルタ７０に
は、幅方向における一方側面に、たとえば断面コ字形の
４つの外部電極１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃおよび１
０２ｄが形成され、その他方側面にも、たとえばコ字形
の４つの外部電極１０２ｅ，１０ｆ，１０２ｇおよび１
０２ｈが形成される。

【００４９】そして、外部電極１０２ａは、コイル電極
７４ａの一端部と、コンデンサ電極８６ａおよびコンデ
ンサ電極９４ａの引出部とに接続される。同様に、外部
電極１０２ｄは、コイル電極７４ｂの一端部と、コンデ
ンサ電極８６ｂおよび９４ｂの引出部とに接続される。

【００５０】また、外部電極１０２ｂは、シールド電極
９０ａの一方の引出部と、トリミング用電極９８ａの一
方の引出部とに接続される。同様に、外部電極１０２ｃ
は、シールド電極９０ｂの一方の引出部と、トリミング
用電極９８ｂの一方の引出部とに接続される。

【００５１】さらに、外部電極１０２ｅおよび１０２ｈ
は、入出力用コンデンサ電極８２ａおよび８２ｂの引出
部に、それぞれ接続される。これらの外部電極１０２ｅ
および１０２ｈは、それぞれ、入出力端子として用いら
れる。

【００５２】また、外部電極１０２ｆは、コイル電極７
４ａの他端部と、シールド電極９０ａの他方の引出部
と、トリミング用電極９８ａの他方の引出部とに接続さ
れる。同様に、外部電極１０２ｇは、コイル電極７４ｂ
の他端部と、シールド電極９０ｂの他方の引出部と、ト
リミング用電極９８ｂの他方の引出部とに接続される。
これらの外部電極１０２ｆおよび１０２ｇは、それぞ
れ、アース端子として用いられる。

【００５３】なお、コンデンサ電極８６ａおよび９４ａ
と第３および第４の誘電体層８８および９２とシールド
電極９０ａとで、共振器Ｑ１のコンデンサＣ２（図１
７）が形成される。同様に、コンデンサ電極８６ｂおよ
び９４ｂと第３および第４の誘電体層８８および９２と
シールド電極９０ｂとで、共振器Ｑ２のコンデンサＣ４
（図１７）が形成される。そのため、このバンドパスフ
ィルタ７０では、図１８に示す先行例と比べて、平面的
に見た面積が小さいにもかかわらず、コンデンサ電極な
どの多層化によって、コンデンサＣ２およびＣ４のコン
デンサ電極の実質的な面積の減少が防がれる。

【００５４】また、コイル電極７４ａと外部電極１０２
ｆとの間の浮遊インダクタンスで、インダクタＬ３（図
１７）が形成される。同様に、コイル電極７４ｂと外部
電極１０２ｇとの間の浮遊インダクタンスで、インダク
タＬ４が形成される。

【００５５】さらに、外部電極１０２ａおよび１０２ｄ
間に生じる浮遊容量で、コンデンサＣｐ（図１７）が形
成される。

【００５６】したがって、このバンドパスフィルタ７０
は、図１７に示す等価回路を有する。

【００５７】このバンドパスフィルタ７０は、平面的に
見て４．５ｍｍ×３．２ｍｍに形成され、厚さが１．５
ｍｍに形成される。また、このバンドパスフィルタ７０
は、図１０に示す周波数特性を有する。

【００５８】このバンドパスフィルタ７０は、図１８に
示す先行例と比べて、平面的に見た面積が約５０％に体
積が３８％に小型になる。しかも、このバンドパスフィ
ルタ７０は、図１８に示す先行例と比べて、特性的には
ほとんど変化はみられない。したがって、このバンドパ
スフィルタ７０は、たとえば移動体通信用の機器などの
小型化に有効的に用いられる。

【００５９】また、このバンドパスフィルタ７０では、
トリミング用電極９８ａおよび９８ｂの両側の引出部が
シールド電極９０ａおよび９０ｂの両側の引出部にそれ
ぞれ外部電極１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｆおよび１０
２ｇで接続されているので、トリミング用電極９８ａお
よび９８ｂのどの部分を削っても、トリミング用コンデ
ンサＣ２ｘおよびＣ４ｘの静電容量を調整することがで
きる。しかも、トリミング用電極９８ａおよび９８ｂが
一定の幅を有するので、トリミング用電極９８ａおよび
９８ｂを横切るように削れば、削る幅に応じて、トリミ
ング用コンデンサＣ２ｘおよびＣ４ｘの静電容量をそれ
ぞれ精密に調整することができる。

【００６０】さらに、このバンドパスフィルタ７０で
は、トリミング用電極９８ａおよび９８ｂがシールド電
極９０ａおよび９０ｂに外部電極１０２ｂ，１０２ｃ，
１０２ｆおよび１０２ｇで接続されシールド電極９０ａ
および９０ｂと同電位になるので、外部からの悪影響が
さらに少なくなる。このバンドパスフィルタ７０にシー
ルド板を近づけたときの周波数特性とシールド板を離し
たときの周波数特性とを図１１に示す。図１１に示す周
波数特性から明らかなように、このバンドパスフィルタ
７０では、シールド板を近づけても周波数特性がほとん
ど変わらない。なお、図１１の周波数特性における周波
数帯域が図１０のそれと異なっているのは、得られるコ
ンデンサの容量値を変化させたものを用いているためで
ある。

【００６１】なお、このバンドパスフィルタ７０も、た
とえばプリント基板に取り付ける場合、アースパターン
に近接して取り付ければ、シールド効果がよくなる。

【００６２】上述の各実施例では、各層および各電極な
どの大きさや厚みなどを具体的に示しているが、この発
明では、各層および各電極などの大きさや厚みなどは、
得ようとする特性に応じて任意に変更してもよい。ま
た、各層および各電極の形状も、同様に変更してもよ
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例としての共振器を示す分解
斜視図である。

【図２】図１に示す共振器の断面図である。

【図３】図１に示す共振器の平面図である。

【図４】図１に示す共振器の周波数特性を示すグラフで
ある。

【図５】この発明の他の実施例としてのバンドパスフィ
ルタを示す斜視図である。

【図６】図５に示すバンドパスフィルタの分解斜視図で
ある。

【図７】図５に示すバンドパスフィルタの断面図であ
る。

【図８】図５に示すバンドパスフィルタのコイル電極お
よびその周辺部分を示す平面図である。

【図９】図５に示すバンドパスフィルタのコンデンサ電
極およびその周辺部分を示す平面図である。

【図１０】図５に示すバンドパスフィルタの周波数特性
を示すグラフである。

【図１１】図５に示すバンドパスフィルタにシールド板
を近づけたときの周波数特性およびシールド板を離した
ときの周波数特性を示すグラフである。

【図１２】この発明の背景となりかつこの発明が適用さ
れる共振器の一例を示す等価回路図である。

【図１３】先行例としての共振器を示す断面図である。

【図１４】図１３に示す共振器のコイル電極およびその
周辺部分を示す平面図である。

【図１５】図１３に示す共振器のトリミング用電極およ
びその周辺部分を示す平面図である。

【図１６】図１３に示す共振器の周波数特性を示すグラ
フである。

【図１７】この発明の背景となりかつこの発明が適用さ
れるバンドパスフィルタの一例を示す等価回路図であ
る。

【図１８】先行例としてのバンドパスフィルタを示す分
解斜視図である。

【図１９】図１８に示すバンドパスフィルタの断面図で
ある。

【図２０】図１８に示すバンドパスフィルタのコイル電
極およびその周辺部分を示す平面図である。

【図２１】図１８に示すバンドパスフィルタのシールド
電極およびその周辺部分を示す平面図である。

【図２２】図１８に示すバンドパスフィルタの周波数特
性を示すグラフである。

【符号の説明】

４０共振器４２第１の保護層４４コイル電極４６ダミー層４８コンデンサ電極５０第１の誘電体層５２シールド電極５４第２の誘電体層５６コンデンサ電極５８第３の誘電体層６０シールド電極６２第４の誘電体層６４トリミング用電極６６第２の保護層６８ａ，６８ｂ外部電極７０バンドパスフィルタ７２第１の保護層７４ａ，７４ｂ，７４ｃコイル電極７６ダミー層７８入力出力間用コンデンサ電極８０第１の誘電体層８２ａ，８２ｂ入出力用コンデンサ電極８４第２の誘電体層８６ａ，８６ｂコンデンサ電極８８第３の誘電体層９０ａ，９０ｂシールド電極９２第４の誘電体層９４ａ，９４ｂコンデンサ電極９６第５の誘電体層９８ａ，９８ｂトリミング用電極１００第２の保護層１０２ａ〜１０２ｈ外部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方の最外層としての第１の保護層、前記第１の保護層の一方主面に形成され、インダクタと
して用いられるコイル電極、および前記コイル電極を挟
むようにして、前記第１の保護層の一方主面側に形成さ
れるダミー層を含む、共振器。