JPH05279840A - メタライジングフィルム及びメタライジングフィルムの製造方法 - Google Patents
メタライジングフィルム及びメタライジングフィルムの製造方法Info
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- JPH05279840A JPH05279840A JP4081209A JP8120992A JPH05279840A JP H05279840 A JPH05279840 A JP H05279840A JP 4081209 A JP4081209 A JP 4081209A JP 8120992 A JP8120992 A JP 8120992A JP H05279840 A JPH05279840 A JP H05279840A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 プラスチック基体フィルム１上に金属珪素中
間層２と金属薄膜３とが順次形成されており、プラスチ
ック基体フィルム１と中間層２及び／又は中間層２と金
属薄膜３との界面で、それぞれの構成元素の化合物層が
形成されているメタライジングフィルム。 【効果】 プラスチック基体フィルム１と金属珪素中間
層２、及び金属珪素中間層２と金属薄膜３との密着力を
向上させることができ、このフィルムを用いてコンデン
サを製造した場合には、製品の安定性を大きく向上させ
ることができる。
間層２と金属薄膜３とが順次形成されており、プラスチ
ック基体フィルム１と中間層２及び／又は中間層２と金
属薄膜３との界面で、それぞれの構成元素の化合物層が
形成されているメタライジングフィルム。 【効果】 プラスチック基体フィルム１と金属珪素中間
層２、及び金属珪素中間層２と金属薄膜３との密着力を
向上させることができ、このフィルムを用いてコンデン
サを製造した場合には、製品の安定性を大きく向上させ
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はメタライジングフィルム
及びメタライジングフィルムの製造方法に関し、より詳
細にはプラスチック基体フィルムと金属薄膜との密着性
を改善するために金属珪素中間層を設けたメタライジン
グフィルム及びメタライジングフィルムの製造方法に関
する。本発明のメタライジングフィルムは、例えば、コ
ンデンサ用、プリント基板用あるいは包装用フィルムと
して用いることができる。
及びメタライジングフィルムの製造方法に関し、より詳
細にはプラスチック基体フィルムと金属薄膜との密着性
を改善するために金属珪素中間層を設けたメタライジン
グフィルム及びメタライジングフィルムの製造方法に関
する。本発明のメタライジングフィルムは、例えば、コ
ンデンサ用、プリント基板用あるいは包装用フィルムと
して用いることができる。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、図３に示したような、ポリプロピレン（ＰＰ）フィ
ルム及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムのようなプラスチックフィルム２０にアルミニウム薄
膜２１を蒸着したコンデンサ用フィルムが知られてお
り、アルミニウムのような金属薄膜を形成する手法とし
て、真空蒸着法等の各種ＰＶＤ（Physical Vapor Depos
ition:物理蒸着）法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion:化学気相成長）法等が挙げられる。
り、図３に示したような、ポリプロピレン（ＰＰ）フィ
ルム及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムのようなプラスチックフィルム２０にアルミニウム薄
膜２１を蒸着したコンデンサ用フィルムが知られてお
り、アルミニウムのような金属薄膜を形成する手法とし
て、真空蒸着法等の各種ＰＶＤ（Physical Vapor Depos
ition:物理蒸着）法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion:化学気相成長）法等が挙げられる。
【０００３】ＣＶＤ法は気相から原料を供給し、化学反
応によって基体上に膜を形成するものであり、基体表面
での反応速度が高温になるほど大きくなるので、一般に
基体の温度を高くすることによって成膜が行われてい
る。そのため、基体と薄膜の密着性が高いという利点を
有するが、例えば、基体がＰＰフィルムやＰＥＴフィル
ムのように耐熱温度が低いものに対しては使用できない
という問題があった。
応によって基体上に膜を形成するものであり、基体表面
での反応速度が高温になるほど大きくなるので、一般に
基体の温度を高くすることによって成膜が行われてい
る。そのため、基体と薄膜の密着性が高いという利点を
有するが、例えば、基体がＰＰフィルムやＰＥＴフィル
ムのように耐熱温度が低いものに対しては使用できない
という問題があった。
【０００４】一方、ＰＶＤ法はＣＶＤ法よりも低温下で
成膜できるため、耐熱温度が低い基体に対しても適用す
ることができるが、ＣＶＤ法に比較して薄膜の密着性が
劣り、特に、プラスチックフィルム上にＰＶＤ法で金属
薄膜を成膜する場合、金属に対するプラスチックフィル
ムの濡れ性が悪く、通常の真空蒸着だけでは薄膜が剥離
してしまうという課題があった。
成膜できるため、耐熱温度が低い基体に対しても適用す
ることができるが、ＣＶＤ法に比較して薄膜の密着性が
劣り、特に、プラスチックフィルム上にＰＶＤ法で金属
薄膜を成膜する場合、金属に対するプラスチックフィル
ムの濡れ性が悪く、通常の真空蒸着だけでは薄膜が剥離
してしまうという課題があった。
【０００５】そこで、フィルム表面の濡れ性を改善する
ために、フィルム表面にプラズマ処理やコロナ放電処理
を施すことによって、フィルム表面の濡れ性を改善し、
金属薄膜の密着性を向上させようとする方法が提案され
ている。しかし、上記手法では長期使用（例えば、ヒー
トサイクル）に対して、まだ十分な密着力が得られてい
ないという課題があった。
ために、フィルム表面にプラズマ処理やコロナ放電処理
を施すことによって、フィルム表面の濡れ性を改善し、
金属薄膜の密着性を向上させようとする方法が提案され
ている。しかし、上記手法では長期使用（例えば、ヒー
トサイクル）に対して、まだ十分な密着力が得られてい
ないという課題があった。
【０００６】また、このような方法によりフィルム表面
に金属薄膜を蒸着したメタライジングフィルムをフィル
ムコンデンサに用い、電圧を印加した際、電極となる金
属薄膜にフィルム内部からの酸素が拡散し、酸化物（例
えば Al2O3）となり、電極として働かなくなり、コンデ
ンサ容量が変化する等、金属薄膜の物性の変化や安定性
の劣化が生じたりすることは避けられないという課題が
あった。
に金属薄膜を蒸着したメタライジングフィルムをフィル
ムコンデンサに用い、電圧を印加した際、電極となる金
属薄膜にフィルム内部からの酸素が拡散し、酸化物（例
えば Al2O3）となり、電極として働かなくなり、コンデ
ンサ容量が変化する等、金属薄膜の物性の変化や安定性
の劣化が生じたりすることは避けられないという課題が
あった。
【０００７】本発明は上記記載の課題に鑑みなされたも
のであり、耐熱性の低い基体上にも密着性の高い金属薄
膜が形成されたメタライジングフィルム及びその製造方
法を提供することを目的としている。
のであり、耐熱性の低い基体上にも密着性の高い金属薄
膜が形成されたメタライジングフィルム及びその製造方
法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記記載の課題を解決す
るために本発明によれば、プラスチック基体フィルム上
に金属珪素中間層と金属薄膜とが順次形成されており、
前記プラスチック基体フィルムと前記中間層及び／又は
該中間層と前記金属薄膜との界面で、それぞれの構成元
素の化合物層が形成されているメタライジングフィルム
が提供される。
るために本発明によれば、プラスチック基体フィルム上
に金属珪素中間層と金属薄膜とが順次形成されており、
前記プラスチック基体フィルムと前記中間層及び／又は
該中間層と前記金属薄膜との界面で、それぞれの構成元
素の化合物層が形成されているメタライジングフィルム
が提供される。
【０００９】また、プラスチック基体フィルム上に金属
珪素中間層と金属薄膜とを順次形成する際、(i) 前記金
属珪素中間層の形成中または形成後、(ii)前記金属薄膜
の形成中または形成後、の少なくとも一つの工程で不活
性ガスイオンの照射を行うメタライジングフィルムの製
造方法が提供される。本発明において用いられるプラス
チック基体フィルムのプラスチックの材質は特に限定さ
れない。しかし、通常、フィルムコンデンサ用フィルム
に用いられるポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リエチレンテレフタレート樹脂等が好ましい。
珪素中間層と金属薄膜とを順次形成する際、(i) 前記金
属珪素中間層の形成中または形成後、(ii)前記金属薄膜
の形成中または形成後、の少なくとも一つの工程で不活
性ガスイオンの照射を行うメタライジングフィルムの製
造方法が提供される。本発明において用いられるプラス
チック基体フィルムのプラスチックの材質は特に限定さ
れない。しかし、通常、フィルムコンデンサ用フィルム
に用いられるポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リエチレンテレフタレート樹脂等が好ましい。
【００１０】プラスチック基体フィルムの厚みはコンデ
ンサ、プリント基板又は包装用等用途によって適宜選定
されるが、例えば、コンデンサ用フィルムとしては５〜
５０μｍが好ましい。本発明におけるプラスチック基体
フィルム上への金属珪素中間層と金属薄膜との積層には
イオン蒸着薄膜形成装置を用いて行うことができる。こ
のイオン蒸着薄膜形成装置として、例えば、図２に示し
たように、真空容器（図示せず）と、真空容器内の上部
に配設された基体ホルダ１０と、第１及び第２の電子ビ
ーム蒸発源１３、１４と、イオン源１２とを含んで構成
されている装置を用いることができ、イオン源１２とし
てはバケット型、カウマン型等を用いることができる。
また、金属珪素及び金属薄膜の膜厚はプラスチック基体
フィルム近傍に配設された膜厚モニターを用いてプラス
チック基体フィルムに到達する蒸発元素の量を測定して
調節することができ、プラスチック基体フィルムに到達
するイオンの個数はプラスチック基体フィルム近傍に配
設されたイオン電流測定器で計測することによって調節
することができる。
ンサ、プリント基板又は包装用等用途によって適宜選定
されるが、例えば、コンデンサ用フィルムとしては５〜
５０μｍが好ましい。本発明におけるプラスチック基体
フィルム上への金属珪素中間層と金属薄膜との積層には
イオン蒸着薄膜形成装置を用いて行うことができる。こ
のイオン蒸着薄膜形成装置として、例えば、図２に示し
たように、真空容器（図示せず）と、真空容器内の上部
に配設された基体ホルダ１０と、第１及び第２の電子ビ
ーム蒸発源１３、１４と、イオン源１２とを含んで構成
されている装置を用いることができ、イオン源１２とし
てはバケット型、カウマン型等を用いることができる。
また、金属珪素及び金属薄膜の膜厚はプラスチック基体
フィルム近傍に配設された膜厚モニターを用いてプラス
チック基体フィルムに到達する蒸発元素の量を測定して
調節することができ、プラスチック基体フィルムに到達
するイオンの個数はプラスチック基体フィルム近傍に配
設されたイオン電流測定器で計測することによって調節
することができる。
【００１１】本発明において、プラスチック基体フィル
ム上に中間層を形成する前に予めプラスチック基体フィ
ルム表面を不活性ガスイオンでスパッタリングすること
により清浄化することが好ましい。その際の好ましい条
件は真空容器内圧力が２×１０-4〜２×１０-5Ｔｏｒｒ
程度、イオン照射エネルギーが２〜５ｋｅＶ程度、ヘリ
ウム、アルゴン等の不活性ガスイオンの全照射量が１〜
２×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2 程度である。またスパッタ
リングの際のイオン照射はプラスチック基体フィルムに
対し、イオンの入射角度が０〜９０°まで、特に限定さ
れるものではない。
ム上に中間層を形成する前に予めプラスチック基体フィ
ルム表面を不活性ガスイオンでスパッタリングすること
により清浄化することが好ましい。その際の好ましい条
件は真空容器内圧力が２×１０-4〜２×１０-5Ｔｏｒｒ
程度、イオン照射エネルギーが２〜５ｋｅＶ程度、ヘリ
ウム、アルゴン等の不活性ガスイオンの全照射量が１〜
２×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2 程度である。またスパッタ
リングの際のイオン照射はプラスチック基体フィルムに
対し、イオンの入射角度が０〜９０°まで、特に限定さ
れるものではない。
【００１２】プラスチック基体フィルム上への金属珪素
中間層の形成は、例えば、金属珪素を蒸発源とし、これ
に電子ビームを照射して金属珪素を蒸発させる真空蒸着
で行うことができる。この際の金属珪素中間層の膜厚は
５０〜３００Å程度、好ましくは１００〜２００Å程度
である。次に、金属珪素中間層上に金属薄膜が形成され
る。この金属薄膜の形成も金属珪素中間層の形成と同様
に真空蒸着で行うことができる。この際の金属薄膜の膜
厚は用途によって選定されるが、一般に数千Å〜数μｍ
であり、蒸発源に用いる金属は特に限定されない。しか
し、一般にアルミニウム、亜鉛、銅、ニッケル、銀また
はこれらの合金等が用いられる。
中間層の形成は、例えば、金属珪素を蒸発源とし、これ
に電子ビームを照射して金属珪素を蒸発させる真空蒸着
で行うことができる。この際の金属珪素中間層の膜厚は
５０〜３００Å程度、好ましくは１００〜２００Å程度
である。次に、金属珪素中間層上に金属薄膜が形成され
る。この金属薄膜の形成も金属珪素中間層の形成と同様
に真空蒸着で行うことができる。この際の金属薄膜の膜
厚は用途によって選定されるが、一般に数千Å〜数μｍ
であり、蒸発源に用いる金属は特に限定されない。しか
し、一般にアルミニウム、亜鉛、銅、ニッケル、銀また
はこれらの合金等が用いられる。
【００１３】本発明において、例えば、イオン蒸着薄膜
形成装置を用いてプラスチック基体フィルム上に金属珪
素中間層と金属薄膜とを順次形成する際、金属珪素中間
層の形成中または形成後、あるいは金属薄膜の形成中ま
たは形成後のいずれかの工程で不活性ガスイオンを前記
プラスチック基体フィルム上に照射することができる
が、金属珪素中間層の形成中または形成後、及び金属薄
膜の形成中形成後の両工程で不活性ガスイオンを前記プ
ラスチック基体フィルム上に照射することが好ましい。
形成装置を用いてプラスチック基体フィルム上に金属珪
素中間層と金属薄膜とを順次形成する際、金属珪素中間
層の形成中または形成後、あるいは金属薄膜の形成中ま
たは形成後のいずれかの工程で不活性ガスイオンを前記
プラスチック基体フィルム上に照射することができる
が、金属珪素中間層の形成中または形成後、及び金属薄
膜の形成中形成後の両工程で不活性ガスイオンを前記プ
ラスチック基体フィルム上に照射することが好ましい。
【００１４】本発明におけるプラスチック基体フィルム
上に金属珪素中間層と金属薄膜とを順次形成し、不活性
ガスイオンを照射する際の真空容器内圧力は２×１０-4
〜２×１０-5Ｔｏｒｒ程度が好ましく、不活性ガスイオ
ンのイオン照射エネルギーは５００ｅＶ〜２０ｋｅＶ程
度、イオンの全照射量は１．０×１０15〜１．０×１０
17ｉｏｎｓ／ｃｍ2 程度が好ましい。
上に金属珪素中間層と金属薄膜とを順次形成し、不活性
ガスイオンを照射する際の真空容器内圧力は２×１０-4
〜２×１０-5Ｔｏｒｒ程度が好ましく、不活性ガスイオ
ンのイオン照射エネルギーは５００ｅＶ〜２０ｋｅＶ程
度、イオンの全照射量は１．０×１０15〜１．０×１０
17ｉｏｎｓ／ｃｍ2 程度が好ましい。
【００１５】なお、金属薄膜の形成中または形成後に不
活性ガスイオンを照射する際の膜厚は５０〜２００Å程
度が好ましく、２００Å以上の膜厚を必要とする場合
は、さらにイオン照射をせずに数千Å〜数μｍまで成膜
してもよい。また、不活性ガスイオンとしてはヘリウ
ム、ネオン、アルゴン及びそれらの混合ガスのイオンを
用いることができる。
活性ガスイオンを照射する際の膜厚は５０〜２００Å程
度が好ましく、２００Å以上の膜厚を必要とする場合
は、さらにイオン照射をせずに数千Å〜数μｍまで成膜
してもよい。また、不活性ガスイオンとしてはヘリウ
ム、ネオン、アルゴン及びそれらの混合ガスのイオンを
用いることができる。
【００１６】本発明においては、上記の処理によって化
合物層が形成されていると考えられる。化合物層とはプ
ラスチック基体フィルムと中間層との界面ではプラスチ
ック基体フィルムを構成する元素、例えば、炭素、酸
素、水素等と珪素原子との結合を有する層、中間層と金
属薄膜との界面では珪素と金属原子との結合を有する層
である。
合物層が形成されていると考えられる。化合物層とはプ
ラスチック基体フィルムと中間層との界面ではプラスチ
ック基体フィルムを構成する元素、例えば、炭素、酸
素、水素等と珪素原子との結合を有する層、中間層と金
属薄膜との界面では珪素と金属原子との結合を有する層
である。
【００１７】なお、イオン照射エネルギー及びイオンの
全照射量は用いるプラスチック基体フィルムの種類、成
膜速度、成膜の膜厚等によって異なるので、その都度、
プラスチック基体フィルム、中間層及び金属薄膜の密着
力がもっとも良好となる条件を選択するのが好ましい。
また、上記のメタライジングフィルムを用いてフィルム
コンデンサを形成した場合、フィルムコンデンサ用の基
体フィルムと金属薄膜との間に少なくとも一層の金属珪
素からなる中間層を有することとなり、さらに、コンデ
ンサ用基体フィルムと金属珪素からなる中間層との間、
及び中間層と金属薄膜との間にフィルムコンデンサ用基
体フィルムの構成元素と珪素とからなる化合物層が形成
されることとなる。
全照射量は用いるプラスチック基体フィルムの種類、成
膜速度、成膜の膜厚等によって異なるので、その都度、
プラスチック基体フィルム、中間層及び金属薄膜の密着
力がもっとも良好となる条件を選択するのが好ましい。
また、上記のメタライジングフィルムを用いてフィルム
コンデンサを形成した場合、フィルムコンデンサ用の基
体フィルムと金属薄膜との間に少なくとも一層の金属珪
素からなる中間層を有することとなり、さらに、コンデ
ンサ用基体フィルムと金属珪素からなる中間層との間、
及び中間層と金属薄膜との間にフィルムコンデンサ用基
体フィルムの構成元素と珪素とからなる化合物層が形成
されることとなる。
【００１８】本発明において形成される化合物層とは、
プラスチック基体フィルムと中間層との界面ではプラス
チック基体フィルムを構成する元素である炭素、酸素及
び水素等と珪素原子との結合を有する層であり、中間層
と金属薄膜との界面では珪素と金属原子との結合を有す
る層である。なお、イオン照射エネルギー及びイオンの
全照射量は用いるプラスチック基体フィルムの種類、成
膜速度、成膜の膜厚等によって異なるので、その都度、
プラスチック基体フィルム、中間層及び金属薄膜の密着
力がもっとも良好となる条件を選択するのが好ましい。
プラスチック基体フィルムと中間層との界面ではプラス
チック基体フィルムを構成する元素である炭素、酸素及
び水素等と珪素原子との結合を有する層であり、中間層
と金属薄膜との界面では珪素と金属原子との結合を有す
る層である。なお、イオン照射エネルギー及びイオンの
全照射量は用いるプラスチック基体フィルムの種類、成
膜速度、成膜の膜厚等によって異なるので、その都度、
プラスチック基体フィルム、中間層及び金属薄膜の密着
力がもっとも良好となる条件を選択するのが好ましい。
【００１９】
【作用】本発明において、プラスチック基体フィルム上
に金属珪素中間層と金属薄膜とを積層する際、さらに、
前記金属珪素中間層の形成中または形成した後に不活性
ガスイオンのイオン照射を行う場合には、図１に示した
ように、プラスチック基体フィルム１と金属珪素中間層
２との界面で、プラスチック基体フィルムを構成する元
素である炭素、酸素及び水素等と珪素原子との活性な化
合物層５が形成され、Ｃ−Ｓｉ、０−Ｓｉ、Ｈ−Ｓｉ、
ＣＨ−Ｓｉ、ＯＨ−Ｓｉ等の結合が生じ、プラスチック
基体フィルム１と金属珪素中間層２との密着力が向上す
る。さらに、プラスチック基体フィルム１を構成する元
素であるＣ、Ｏ等の元素がイオンからのエネルギーを受
けて活性化し、よりＣ−Ｓｉ、０−Ｓｉ、Ｈ−Ｓｉ、Ｃ
Ｈ−Ｓｉ、ＯＨ−Ｓｉの結合を促進させ、プラスチック
基体フィルム１と金属珪素中間層２との密着性を増大さ
せる。
に金属珪素中間層と金属薄膜とを積層する際、さらに、
前記金属珪素中間層の形成中または形成した後に不活性
ガスイオンのイオン照射を行う場合には、図１に示した
ように、プラスチック基体フィルム１と金属珪素中間層
２との界面で、プラスチック基体フィルムを構成する元
素である炭素、酸素及び水素等と珪素原子との活性な化
合物層５が形成され、Ｃ−Ｓｉ、０−Ｓｉ、Ｈ−Ｓｉ、
ＣＨ−Ｓｉ、ＯＨ−Ｓｉ等の結合が生じ、プラスチック
基体フィルム１と金属珪素中間層２との密着力が向上す
る。さらに、プラスチック基体フィルム１を構成する元
素であるＣ、Ｏ等の元素がイオンからのエネルギーを受
けて活性化し、よりＣ−Ｓｉ、０−Ｓｉ、Ｈ−Ｓｉ、Ｃ
Ｈ−Ｓｉ、ＯＨ−Ｓｉの結合を促進させ、プラスチック
基体フィルム１と金属珪素中間層２との密着性を増大さ
せる。
【００２０】また、前記金属薄膜中間層２の形成中また
は形成した後に不活性ガスイオンを照射する場合には、
金属珪素中間層２と金属薄膜３との界面で、珪素と金属
原子との化合物層４が形成され、Ｓｉ−金属等の結合が
生じ、金属珪素中間層２と金属薄膜３との密着力が向上
する。
は形成した後に不活性ガスイオンを照射する場合には、
金属珪素中間層２と金属薄膜３との界面で、珪素と金属
原子との化合物層４が形成され、Ｓｉ−金属等の結合が
生じ、金属珪素中間層２と金属薄膜３との密着力が向上
する。
【００２１】
【実施例】本発明に係るメタライジングフィルムの製造
方法で用いられるイオン蒸着薄膜形成装置を図面に基づ
いて説明する。イオン蒸着薄膜形成装置は、図２に示し
たように、真空容器（図示せず）と、真空容器内の上部
に配設された基体ホルダ１０と、第１及び第２の電子ビ
ーム蒸発源１３、１４と、バケット型イオン源１２とを
含んで構成されている。
方法で用いられるイオン蒸着薄膜形成装置を図面に基づ
いて説明する。イオン蒸着薄膜形成装置は、図２に示し
たように、真空容器（図示せず）と、真空容器内の上部
に配設された基体ホルダ１０と、第１及び第２の電子ビ
ーム蒸発源１３、１４と、バケット型イオン源１２とを
含んで構成されている。
【００２２】真空容器に内装された基体ホルダ１０はプ
ラスチック基体フィルム１のイオン照射に伴う熱的ダメ
ージを少なくするようにフィルム基体を冷却するための
冷却管（図示せず）が埋設されており、基体ホルダ１０
近傍には蒸着膜の膜厚をモニターする膜厚モニター１１
が配設されており、さらに、イオン源１２によるプラス
チック基体フィルム１へのイオン照射量を測定するため
のイオン電流計測器１５が配設されている。また、基体
ホルダ１０に配置されたプラスチック基体フィルム１に
対して対向する位置に第１及び第２の電子ビーム蒸発源
１３、１４が配設されており、さらに、所望のイオンを
供給するためのガス導入管（図示せず）に接続されたバ
ケット型イオン源１２が配設されている。そして、真空
容器は真空排気を行うために真空ポンプ（図示せず）に
接続されている。
ラスチック基体フィルム１のイオン照射に伴う熱的ダメ
ージを少なくするようにフィルム基体を冷却するための
冷却管（図示せず）が埋設されており、基体ホルダ１０
近傍には蒸着膜の膜厚をモニターする膜厚モニター１１
が配設されており、さらに、イオン源１２によるプラス
チック基体フィルム１へのイオン照射量を測定するため
のイオン電流計測器１５が配設されている。また、基体
ホルダ１０に配置されたプラスチック基体フィルム１に
対して対向する位置に第１及び第２の電子ビーム蒸発源
１３、１４が配設されており、さらに、所望のイオンを
供給するためのガス導入管（図示せず）に接続されたバ
ケット型イオン源１２が配設されている。そして、真空
容器は真空排気を行うために真空ポンプ（図示せず）に
接続されている。
【００２３】次に、上記のイオン蒸着薄膜形成装置を用
いてプラスチック基体フィルム上にＡｌの金属薄膜を形
成する場合について図１及び図２に基づいて説明する。 実施例１ プラスチック基体フィルム１として厚さ３０μｍのＰＥ
Ｔフィルムを用い、このＰＥＴフィルムを基体ホルダ１
０に固定し、真空容器内圧力を２×１０-5Ｔｏｒｒ、イ
オン照射エネルギー２ｋｅＶ、イオン照射角度４５°
で、アルゴンイオンの全照射量２×１０15ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ2 を照射し、プラスチック基体フィルム１の表面の清
浄化を行った。
いてプラスチック基体フィルム上にＡｌの金属薄膜を形
成する場合について図１及び図２に基づいて説明する。 実施例１ プラスチック基体フィルム１として厚さ３０μｍのＰＥ
Ｔフィルムを用い、このＰＥＴフィルムを基体ホルダ１
０に固定し、真空容器内圧力を２×１０-5Ｔｏｒｒ、イ
オン照射エネルギー２ｋｅＶ、イオン照射角度４５°
で、アルゴンイオンの全照射量２×１０15ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ2 を照射し、プラスチック基体フィルム１の表面の清
浄化を行った。
【００２４】そして、表面の清浄化を行ったＰＥＴフィ
ルム上に、第１の電子ビーム蒸発源１３で金属珪素に電
子ビームを照射して、約１００Åの珪素薄膜２を形成し
た。次いで、珪素薄膜２を形成したＰＥＴフィルムに、
バケット型イオン源１２よりアルゴンイオンをイオン照
射エネルギー５ｋｅＶで、アルゴンイオンの全照射量３
×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2 を照射した。このアルゴンイ
オン照射によりＰＥＴフィルムと金属珪素との密着性が
向上することとなる。
ルム上に、第１の電子ビーム蒸発源１３で金属珪素に電
子ビームを照射して、約１００Åの珪素薄膜２を形成し
た。次いで、珪素薄膜２を形成したＰＥＴフィルムに、
バケット型イオン源１２よりアルゴンイオンをイオン照
射エネルギー５ｋｅＶで、アルゴンイオンの全照射量３
×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2 を照射した。このアルゴンイ
オン照射によりＰＥＴフィルムと金属珪素との密着性が
向上することとなる。
【００２５】さらに、珪素薄膜２を形成しアルゴンイオ
ンを照射したＰＥＴフィルムに、第２の電子ビーム蒸発
源１４でアルミニウムに電子ビームを照射して、約２０
０Åの金属薄膜であるアルミニウム薄膜３を形成すると
同時に、バケット型イオン源１２よりアルゴンイオンを
イオン照射エネルギー１０ｋｅＶで、アルゴンイオンの
全照射量２×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2 を照射した。その
後、再度アルミニウム薄膜３を、例えば、１０００Å程
度の膜厚まで真空蒸着により成膜した。
ンを照射したＰＥＴフィルムに、第２の電子ビーム蒸発
源１４でアルミニウムに電子ビームを照射して、約２０
０Åの金属薄膜であるアルミニウム薄膜３を形成すると
同時に、バケット型イオン源１２よりアルゴンイオンを
イオン照射エネルギー１０ｋｅＶで、アルゴンイオンの
全照射量２×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2 を照射した。その
後、再度アルミニウム薄膜３を、例えば、１０００Å程
度の膜厚まで真空蒸着により成膜した。
【００２６】このように、ＰＥＴフィルム上に形成した
アルミニウム薄膜３は、アルゴンイオンの照射を行わな
いでアルミニウム薄膜を形成した場合と比較して、約１
５倍以上密着力が向上する結果が得られた。 実施例２ プラスチック基体フィルム１として厚さ３０μｍのＰＰ
フィルムを用い、上記と同様の方法でプラスチック基体
フィルム１の表面の清浄化を行った。
アルミニウム薄膜３は、アルゴンイオンの照射を行わな
いでアルミニウム薄膜を形成した場合と比較して、約１
５倍以上密着力が向上する結果が得られた。 実施例２ プラスチック基体フィルム１として厚さ３０μｍのＰＰ
フィルムを用い、上記と同様の方法でプラスチック基体
フィルム１の表面の清浄化を行った。
【００２７】そして、上記と同様に、表面の清浄化を行
ったＰＰフィルム上に約１００Åの珪素薄膜２を形成
し、アルゴンイオンを照射し、上記と同様の方法でＰＰ
フィルム上に珪素薄膜２を形成し、バケット型イオン源
１２よりアルゴンイオンをイオン照射エネルギー５ｋｅ
Ｖで、アルゴンイオンの全照射量３×１０15ｉｏｎｓ／
ｃｍ2 を照射した。
ったＰＰフィルム上に約１００Åの珪素薄膜２を形成
し、アルゴンイオンを照射し、上記と同様の方法でＰＰ
フィルム上に珪素薄膜２を形成し、バケット型イオン源
１２よりアルゴンイオンをイオン照射エネルギー５ｋｅ
Ｖで、アルゴンイオンの全照射量３×１０15ｉｏｎｓ／
ｃｍ2 を照射した。
【００２８】さらに、珪素薄膜２を形成しアルゴンイオ
ンを照射したＰＰフィルムに、第２の電子ビーム蒸発源
１４でアルミニウムに電子ビームを照射して、約１００
Åの金属薄膜であるアルミニウム薄膜３を形成した後、
バケット型イオン源１２よりアルゴンイオンをイオン照
射エネルギー１０ｋｅＶで、アルゴンイオンの全照射量
２×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2 を照射した。その後、再度
アルミニウム薄膜３を、例えば、１０００Å程度の膜厚
まで真空蒸着により成膜した。
ンを照射したＰＰフィルムに、第２の電子ビーム蒸発源
１４でアルミニウムに電子ビームを照射して、約１００
Åの金属薄膜であるアルミニウム薄膜３を形成した後、
バケット型イオン源１２よりアルゴンイオンをイオン照
射エネルギー１０ｋｅＶで、アルゴンイオンの全照射量
２×１０15ｉｏｎｓ／ｃｍ2 を照射した。その後、再度
アルミニウム薄膜３を、例えば、１０００Å程度の膜厚
まで真空蒸着により成膜した。
【００２９】このように、ＰＰフィルム上に形成したア
ルミニウム薄膜３は、アルゴンイオンの照射を行わない
でアルミニウム薄膜を形成した場合と比較して、約１０
倍以上密着力が向上する結果が得られた。
ルミニウム薄膜３は、アルゴンイオンの照射を行わない
でアルミニウム薄膜を形成した場合と比較して、約１０
倍以上密着力が向上する結果が得られた。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係るメタライジングフィルム及
びメタライジングフィルムの製造方法によれば、プラス
チック基体フィルム上に金属珪素中間層と金属薄膜とを
積層する際、さらに、前記金属珪素中間層の形成中また
は形成した後に不活性ガスイオンのイオン照射を行う場
合には、プラスチック基体フィルムと金属珪素中間層と
の界面で、プラスチック基体フィルムを構成する元素で
ある炭素、酸素及び水素等と珪素原子との活性な化合物
層が形成され、Ｃ−Ｓｉ、０−Ｓｉ、Ｈ−Ｓｉ、ＣＨ−
Ｓｉ、ＯＨ−Ｓｉ等の結合が生じ、プラスチック基体フ
ィルムと金属珪素中間層との密着力が向上する。さら
に、プラスチック基体フィルムを構成する元素である
Ｃ、Ｏ等の元素がイオンからのエネルギーを受けて活性
化し、よりＣ−Ｓｉ、０−Ｓｉ、Ｈ−Ｓｉ、ＣＨ−Ｓ
ｉ、ＯＨ−Ｓｉの結合を促進させ、プラスチック基体フ
ィルムと金属珪素中間層との密着性を増大させることが
できる。
びメタライジングフィルムの製造方法によれば、プラス
チック基体フィルム上に金属珪素中間層と金属薄膜とを
積層する際、さらに、前記金属珪素中間層の形成中また
は形成した後に不活性ガスイオンのイオン照射を行う場
合には、プラスチック基体フィルムと金属珪素中間層と
の界面で、プラスチック基体フィルムを構成する元素で
ある炭素、酸素及び水素等と珪素原子との活性な化合物
層が形成され、Ｃ−Ｓｉ、０−Ｓｉ、Ｈ−Ｓｉ、ＣＨ−
Ｓｉ、ＯＨ−Ｓｉ等の結合が生じ、プラスチック基体フ
ィルムと金属珪素中間層との密着力が向上する。さら
に、プラスチック基体フィルムを構成する元素である
Ｃ、Ｏ等の元素がイオンからのエネルギーを受けて活性
化し、よりＣ−Ｓｉ、０−Ｓｉ、Ｈ−Ｓｉ、ＣＨ−Ｓ
ｉ、ＯＨ−Ｓｉの結合を促進させ、プラスチック基体フ
ィルムと金属珪素中間層との密着性を増大させることが
できる。
【００３１】従って、例えば、このメタライジングフィ
ルムを用いてコンデンサを製造した場合には製品の安定
性を大きく向上させることができる。
ルムを用いてコンデンサを製造した場合には製品の安定
性を大きく向上させることができる。
【図１】本発明に係わるメタライジングフィルムの断面
図である。
図である。
【図２】本発明に係わるメタライジングフィルムの製造
方法で用いるイオン蒸着薄膜形成装置を示す概略断面図
である。
方法で用いるイオン蒸着薄膜形成装置を示す概略断面図
である。
【図３】従来のフィルムコンデンサ用フィルムの断面図
である。
である。
１ プラスチック基体フィルム ２ 珪素薄膜（中間層） ３ アルミニウム薄膜（金属薄膜） ４ 化合物層 ５ 化合物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鞍谷 直人 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内 (72)発明者 岡崎 泰三 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 プラスチック基体フィルム上に金属珪素
中間層と金属薄膜とが順次形成されており、前記プラス
チック基体フィルムと前記中間層及び／又は該中間層と
前記金属薄膜との界面で、それぞれの構成元素の化合物
層が形成されていることを特徴とするメタライジングフ
ィルム。 - 【請求項２】 プラスチック基体フィルム上に金属珪素
中間層と金属薄膜とを順次形成する際、(i) 前記金属珪
素中間層の形成中または形成後、(ii)前記金属薄膜の形
成中または形成後、の少なくとも一つの工程で不活性ガ
スイオンの照射を行う請求項１記載のメタライジングフ
ィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08120992A JP3314405B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | フィルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08120992A JP3314405B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | フィルムコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279840A true JPH05279840A (ja) | 1993-10-26 |
| JP3314405B2 JP3314405B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=13740100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08120992A Expired - Fee Related JP3314405B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | フィルムコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3314405B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106164327A (zh) * | 2014-09-19 | 2016-11-23 | 三井金属矿业株式会社 | 表面处理铜箔及其制造方法、印刷电路板用覆铜层叠板、以及印刷电路板 |
-
1992
- 1992-04-03 JP JP08120992A patent/JP3314405B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106164327A (zh) * | 2014-09-19 | 2016-11-23 | 三井金属矿业株式会社 | 表面处理铜箔及其制造方法、印刷电路板用覆铜层叠板、以及印刷电路板 |
| US10645809B2 (en) | 2014-09-19 | 2020-05-05 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Surface-treated copper foil, method for producing same, copper-clad laminate for printed wiring board, and printed wiring board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3314405B2 (ja) | 2002-08-12 |
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