JP2005002390A - フィルムめっき材料の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電処理されたフィルムをめっきするフィルムめっき材料の製造方法において、めっきを2段階以上で行い、2段目以降のめっきを行う前及び最終段階のめっき終了後にフィルム表面を清浄化処理することを特徴とするフィルムめっき材料の製造方法。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィルムめっき材料の製造方法及び製造装置に関し、より詳細には、フィルムめっき材料を多段めっきにより効率的に製造する方法及びその製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器などに用いられる樹脂フィルム上に金属層を形成させた複合材は、電子機器の小型化、高速化に伴い、軽量化、フィルムと金属層との高密着性等が求められている。
このような複合材としては、フィルム上に接着剤層を介して金属箔をラミネートするラミネート材料やフィルム上に導電処理層を形成した後めっき層を形成して成るフィルムめっき材料等があるが、フィルムめっき材料はラミネート材よりも薄膜金属層のラミネートが容易であり、金属層の形成と樹脂フィルムとの複合が同時に可能で経済的である。
【0003】
フィルムめっき材料は、一般的にはフィルムに蒸着や無電解めっき等によって導電処理層を形成し、この導電処理層上に電解めっきを行うことにより製造されており、このような基本的な工程に種々の改良を加えて密着性の向上等を図っている。例えば導電処理層付与のために行うエッチング処理後導電処理層付与前に表面を特定の濃度及び温度のアルカリ溶液で処理することや(特許文献1)、導電性皮膜を無電解めっきにより形成した後電解めっき前に大気中で熱処理すること(特許文献2)等が提案されている。
【0004】
【特許文献1】
特開平7−216553号公報
【特許文献2】
特開平7−243085号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の方法では、電解めっき処理における供給電流値が小さく、生産性に劣るという問題がある。すなわちフィルム表面に設ける導電処理層は厚みが厚いほど、次いで行う電解めっきで大きな電流を流すことが可能となり、生産性よく電解めっきを行うことが可能であるが、実際には、経済性や樹脂の耐熱性等の観点から厚肉の導電処理層の形成は困難であり、結局電解めっきにおいて導電処理層の抵抗が高いために大きな電流を流すことができず、生産性に劣ってしまうのである。
従って本発明の目的は、多段めっきにより生産性よくフィルムめっき材料を製造すると共に、多段めっきによる表面の汚れが有効に防止された製造方法及びその製造装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、導電処理されたフィルムをめっきするフィルムめっき材料の製造方法において、めっきを2段階以上で行い、2段目以降のめっきを行う前及び最終段階のめっき終了後にフィルム表面を清浄化処理することを特徴とするフィルムめっき材料の製造方法が提供される。
本発明のフィルムめっき材料の製造方法においては、
1.清浄化処理が、表面のめっき液の除去と水洗の組み合わせであること、
2.各めっき段階において、フィルムを所定温度以下に調整すること、
3.フィルムの温度調整が、液スプレーにより行われること、
4.フィルムの温度調整が、コンダクタロール及び/又は絞りロールの表面の温度制御により行われること、
5.少なくとも最終段階のめっき終了後、清浄化処理前に酸化膜の生成を防止するための処理を行うこと、
6.酸化膜生成防止処理が、酸性めっき液の噴霧、或いは不活性ガス雰囲気下に置くことにより行われること、
7.フィルムめっきの完了後に、フィルムの融解開始温度以上の温度に加熱したロールによりフィルムとめっき層の界面を加熱すること、
が好適である。
【0007】
本発明によれば、導電処理されたフィルムをめっきするための装置であって、少なくとも2つのめっき浴を有すると共に、2段目以降のめっき浴の前及び最終段階のめっき浴の後に清浄化処理設備、各めっき段階のフィルムを所定の温度に維持するフィルム温度調節設備、及び少なくとも最終段階のめっき浴の液面と清浄化処理設備の間に酸化膜生成防止設備、が設けられていることを特徴とするフィルムめっき材料の製造装置が提供される。
本発明のフィルムめっき材料の製造装置によれば、
1.清浄化処理設備が、めっき液のリンガー装置及び水スプレー装置とから成り、めっき浴液面と、めっき浴の外で被めっきフィルムと接触するコンダクタロールの間に設置されていること、
2.酸化膜生成防止設備が、酸性めっき液スプレー装置及び/又は不活性ガス雰囲気で表面を覆う装置であること、
3.酸性めっき液スプレー装置及び/又は水スプレー装置が、フィルム温度調節設備の構成装置となっていること、
4.めっき浴には、アノードバックが設置されていること、
が好適である
【0008】
本発明においては、導電処理フィルムに多段階でめっき処理を行うことにより、短時間で所望の厚みのめっき層を形成することができ、顕著に生産性を向上させることが可能となるのである。すなわち2段以上の多段でめっきを行うことにより、後段のめっき処理工程ほど導電層(導電処理層及びめっき層)の厚みが厚いため大きな電流を流すことが可能となり、短時間で所望の厚みのめっきを形成することが可能となるのである。
その一方、2段以上の多段めっきを行う場合は、前段のめっき浴からそのままコンダクタロールに供給されると、前段のめっき液がコンダクタロール表面に付着し、この状態のままめっきを続けるとコンダクタロールに銅或いはその酸化物が付着し、通電不良が生じたり、或いはフィルム上に形成されためっきの剥がれや傷の発生の原因となり、連続的にめっきを行うことが困難になるが、本発明においては、コンダクタロールに供給される前にめっき処理面の清浄化を行うことにより、コンダクタロールの汚染が有効に防止され、連続的にめっきを行うことが可能であり、効率よく生産することが可能になるのである。
【0009】
また本発明においては、各めっき段階においてフィルムが所定の温度以下に維持することが可能なので、ジュール熱によるフィルム温度上昇によりフィルムが切断することを抑制でき、供給電流を大きくすることができるため生産性を向上できると共に、フィルムの大幅な温度変化が抑制されているので、温度変化による結露や皺の発生等の不具合が発生せず、アークスポットが発生することなく、コンダクタロールから導電層への均一な電流供給が可能となり、均一なめっき層を形成することが可能となる。
更に本発明においては、少なくとも最終段のめっき浴の直後において酸化膜の生成が防止されており、優れた外観特性を有するフィルムめっき材料を製造することが可能となるのである。
【0010】
【発明の実施形態】
以下に、本発明のフィルムめっき材料の製造方法における各工程及び装置について詳細に説明する。
本発明においては、樹脂フィルムにめっき処理を可能にするため、めっき処理に付する前に、樹脂フィルム上に導電処理層を形成する。導電処理層は、一般的には、銅、ニッケルなどを主体とする金属や導電材であるカーボン粉末を含有した塗膜などから形成される。
例えばフィルムに真空蒸着やスパッタリング、イオンプレーティング等従来公知の物理的蒸着法等の手段により、上記金属の極薄膜をフィルム上に形成することにより導電処理層を形成することができる。また上記の金属粉末やカーボン粉末などの少なくとも1種を含有する導電剤をビヒクル(例えばエポキシフェノール樹脂)と混合して塗布液を調整し、該塗布液をフィルムの表面に薄くコーティングして乾燥することにより形成された導電性塗膜を導電処理層とすることもできる。
【0011】
更には、上述した金属の極薄膜の上に導電性塗膜を形成し、このような複合層を導電処理層とすることもできる。このような複合層を導電処理層とする場合には、上層の導電性塗膜がバリヤーとなるため、めっき液に侵されやすいアルミニウムなどの金属を用いて極薄膜を形成することもできる。
導電処理層は該層の表面電気抵抗が1.3Ω/cm以下となるような厚みとすべきである。表面電気抵抗が1.3Ω/cmよりも高くなると、次いで行うめっき処理が困難になる。これに限定されないが、200Å以上、特に300乃至1000Åの範囲にあることが好ましい。
尚、ここでいう表面電気抵抗とは、導電性塗膜層を形成させた後、1cm幅のサンプルの測定面上に、1cmの間隔をおいて、+と−端子を接触させて電気抵抗を測定した値である。電気抵抗値を測定する際には、非測定面は絶縁テープで覆い、+と−端子と接触しないようにすることが好ましい。
【0012】
本発明においては、導電処理された導電性フィルムを、前述した通り、2段以上の多段で電解めっき処理を行うが、この際2段目以降のめっきを行う前及び最終段階のめっき終了後にフィルム表面を清浄化処理する。
導電処理フィルムはコンダクタロールで搬送されながら通電されて、第一のめっき浴に導入され、第一のめっき処理が施されて、第一のめっき層が形成される。次いで第一のめっき浴からコンダクタロールに導入される前に、後述する清浄化処理に付され、余剰のめっき液が除去される。これによりコンダクタロール表面にめっき液が付着して、通電不良や付着物によるめっき層の傷や汚れ等が発生することを有効に防止できる。また必要により清浄化処理の直前に、後述する酸化膜生成防止処理に付することもできる。
次いで第二のめっき処理が施され、第二のめっき層が形成される。この場合においても第二のめっき浴から取り出され、コンダクタロールに導入される前に、フィルム表面の清浄化処理が行われる。
【0013】
このようなめっき処理を所定回数、繰り返すことによりフィルム上に形成される導電層は後段に行くほど厚みが厚くなって通電量を大きくすることが可能となり、所望の厚みを一段で得るよりも短時間で効率よく形成することが可能となる。
導電処理フィルム上に形成されるめっき層の厚みは、フィルムめっき材料の用途によっても異なるが、一般には0.5乃至20μmの範囲で形成される。
めっき処理の回数は、得ようとするめっき層の厚みや生産性を考慮して決定する。
導電処理フィルム上に形成されるめっき層を構成する金属としては銅、ニッケル等を挙げることができる。
【0014】
最終段のめっき処理終了後、清浄化処理、酸化膜生成防止処理に付された後、必要により、黒化処理、防錆処理等の従来公知の後処理を行うことにより、フィルムめっき材料の製造が完了する。
【0015】
本発明における清浄化処理は、めっき表面のめっき液の除去と水洗の組み合わせにより行われ、リンガー装置及び水スプレー装置の組み合わせから成る設備により行うことができる。すなわち、リンガー装置によりめっき液の除去を行い、水スプレー装置により、水を噴霧して清浄化を行う。清浄化処理は、2段目以降のめっきを行う前、及び最終段階のめっき終了後に行う。
【0016】
本発明においては、各めっき段階において、フィルムが所定温度以下に調整されており、これによりフィルム温度の上昇や変動による不具合が解消されている。
フィルムの温度調整は、液スプレー装置、すなわち上述した清浄化処理に用いる水スプレー装置或いは後述する酸化膜生成防止処理に用いる酸性めっき液のスプレー装置により、噴霧液体の温度、量、噴霧時間等を調整することにより行うことができる。またこれ以外にもコンダクタロールや絞りロールの表面温度を調整することによって行うことができる。
【0017】
また本発明においては、少なくとも最終段階のめっき浴の液面と前述した清浄化処理設備の間で、酸化膜生成防止処理を行うことが好ましい。これにより酸洗しても容易に除去できない厚い酸化膜の生成を有効に防止でき、外観特性に優れたフィルムめっき材料が提供できる。酸化膜生成防止処理は最終段階以外では、各めっき浴と清浄化処理の間で行うことができる。
酸化膜生成防止処理は、酸性のめっき液を噴霧すること、或いは窒素或いはアルゴン等の不活性ガス雰囲気でめっき面を覆うことにより行うことができる。また、上述したように、酸性めっき液スプレー装置は、スプレー液の温度、スプレー量、スプレー時間を調整することによりフィルムの温度調整装置としても同時に機能することができる。
図1は、酸化膜生成防止処理と清浄化処理を説明するための図であり、図1に示す例では、めっきフィルム1はめっき浴(図示せず)を出た直後にめっき液スプレー2により酸化膜生成防止処理され、次いで水切りロール3を備えたリンガーロール4を通り、水スプレー5により清浄化処理に付されている。
【0018】
本発明においては、各めっき段階におけるアノードをアノードバックで包むことが好ましく、これによりフィルム上に金属が異常析出することを防止すると共に、めっき液の浴安定性を長期にわたって実現できる。
【0019】
本発明においては、フィルムへのめっきが完了した後、フィルムの融解開始温度以上の温度に加熱したロールによりフィルムとめっき層の界面を加熱することにより、フィルムと導電層を密着させることが密着性の観点から好ましい。すなわち、融解開始温度以上にフィルムとめっきの界面を加熱して溶融することにより、樹脂の導電層への濡れを果たし、顕著に密着性を向上させることが可能となる。
尚、融解開始温度とは、結晶が融解し始める温度であり、本明細書では、示差走査熱量計(PERKIN ELMER社製DSC7)を用いて、窒素雰囲気で5℃/分の昇温速度で結晶の融解に基づく吸熱反応を測定し、吸熱反応が開始した温度を示している。ポリエチレンテレフタレートの場合は、一般的にはフィルムのヒートセットが行われた温度に近い温度が融解開始温度として検出される場合が多い。
【0020】
本発明のフィルムめっき材料の製造方法において、用いる樹脂フィルムは特に限定されず、従来フィルムめっき材料に用いられていた全ての樹脂フィルムを用いることができるが、オレフィン系樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂などを好適に用いることができる。樹脂フィルムの厚みも用途などによって異なり一概に規定できないが、一般に5乃至200μmの範囲にあるものを好適に用いることができる。
【0021】
【実施例】
本発明を次の実施例で説明する
(実施例1)
樹脂フィルムとして12μmの厚みのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、その片面に銅を真空蒸着法により蒸着させ、500Åの厚みの導電処理層を形成した。更に、導電処理層上に▲1▼硫酸銅浴(浴温度40℃)で陰極電流密度5.8A/dm2の銅の電解めっき、次いで▲2▼硫酸銅浴(浴温度40℃)で陰極電流密度15A/dm2の銅の電解めっき、の2段階のめっきを行った。1段目及び2段目のめっき浴からでた後コンダクタロールに導入される前のそれぞれにおいて、リンガー装置及び水スプレー装置(水温20℃)により、めっき面の清浄化処理を行ったが、1段目及び2段目のいずれにおいてもリンガー装置に入る直前まで、めっき液である硫酸銅溶液(液温度40℃)をめっき面にスプレーして、酸化膜生成防止処理を行った。また2回目の清浄化処理を行った後フィルムめっき材料を銅の電解めっき面に接する側が260℃、は対面が150℃に温度調節された一対のロール間を通過させた。
得られたフィルムめっき材料は、めっき層の厚みが3.4μmであり、めっき層の剥離がなく、めっき表面に傷もなく良好であった。
尚、ラインスピードは1.2m/min、アノード長は1段目及び2段目とも1mであり、電圧は何れも4.8Vであった。
【0022】
(実施例2)
コンダクタロール表面を40℃に温度調節し、水スプレー装置及び酸性めっき液スプレー装置の噴霧液の温度も40℃に調節した以外は、実施例1と同様にしてフィルムめっき材料を製造した。
得られたフィルムめっき材料は、めっき層の厚みが3.4μmであり、めっき層の剥離がなく、めっき表面に傷もなく良好であった。
【0023】
(比較例1)
清浄化処理を行わない以外は、実施例1と同様にしてフィルムめっき材料を製造した。
得られたフィルムめっき材料には、めっき層に剥離や傷があったり、途中でフィルム切断が生じ、実用に供することができないものであった。
【0024】
(比較例2)
得られるめっき層の厚みが実施例1と同じ厚みになるように、1回のめっきで行った。陰極電流密度は5.8A/dm2であり、実施例1のフィルムめっき材料と同じ厚みに達するまでに、約3.7倍時間を要した。
【0025】
【発明の効果】
本発明のフィルムめっき材料の製造方法によれば、導電処理されたフィルムにめっきを2段階以上で行い、2段目以降のめっきを行う前及び最終段階のめっき終了後にフィルム表面を清浄化処理することにより、多段めっきによる装置の汚れを有効に防止しながら、生産性よくフィルムめっき材料を製造することができる。またフィルム温度を調節することにより、均一かつ大きな電流を流すことも可能となり、均一なめっき層を有するフィルムめっき材料を効率よく生産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】酸化膜生成防止処理と清浄化処理の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
1 めっきフィルム、2 めっき液スプレー、3 水切りロール、
4 リンガーロール、5 水スプレー
Claims (13)
- 導電処理されたフィルムをめっきするフィルムめっき材料の製造方法において、めっきを2段階以上で行い、2段目以降のめっきを行う前及び最終段階のめっき終了後にフィルム表面を清浄化処理することを特徴とするフィルムめっき材料の製造方法。
- 前記清浄化処理が、表面のめっき液の除去と水洗の組み合わせである請求項1記載の製造方法。
- 各めっき段階において、フィルムを所定温度以下に調整する請求項1又は2記載の製造方法。
- 前記フィルムの温度調整が、液スプレーにより行われる請求項3記載の製造方法。
- 前記フィルムの温度調整が、コンダクタロール及び/又は絞りロールの表面の温度制御により行われる請求項3記載の製造方法。
- 少なくとも最終段階のめっき終了後、清浄化処理前に酸化膜の生成を防止するための処理を行う請求項1乃至5の何れかに記載の製造方法。
- 前記酸化膜生成防止処理が、酸性めっき液の噴霧、或いは不活性ガス雰囲気下に置くことにより行われる請求項6記載の製造方法。
- フィルムめっきの完了後に、フィルムの融解開始温度以上の温度に加熱したロールによりフィルムとめっき層の界面を加熱する請求項1乃至7の何れかに記載の製造方法。
- 導電処理されたフィルムをめっきするための装置であって、少なくとも2つのめっき浴を有すると共に、2段目以降のめっき浴の前及び最終段階のめっき浴の後に清浄化処理設備、各めっき段階のフィルムを所定の温度に維持するフィルム温度調節設備、及び少なくとも最終段階のめっき浴の液面と清浄化処理設備の間に酸化膜生成防止設備、が設けられていることを特徴とするフィルムめっき材料の製造装置。
- 前記清浄化処理設備が、めっき液のリンガー装置及び水スプレー装置とから成り、めっき浴液面と、めっき浴の外で被めっきフィルムと接触するコンダクタロールの間に設置されている請求項9記載の製造装置。
- 前記酸化膜生成防止設備が、酸性めっき液スプレー装置及び/又は不活性ガス雰囲気で表面を覆う装置である請求項9又は10記載の製造装置。
- 前記酸性めっき液スプレー装置及び/又は水スプレー装置が、フィルム温度調節設備の構成装置となっている請求項9乃至11の何れかに記載の製造装置。
- 前記めっき浴には、アノードバックが設置されている請求項9乃至12の何れかに記載の製造装置。
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