JPH05275489A - 電極間の接続構造 - Google Patents
電極間の接続構造Info
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- JPH05275489A JPH05275489A JP6808092A JP6808092A JPH05275489A JP H05275489 A JPH05275489 A JP H05275489A JP 6808092 A JP6808092 A JP 6808092A JP 6808092 A JP6808092 A JP 6808092A JP H05275489 A JPH05275489 A JP H05275489A
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- Japan
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- electrode
- circuit board
- conductive resin
- semiconductor element
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】互いに向い合う半導体素子あるいは回路基板の
狭ピッチ、微細電極間の電気的接続を行うのに好適な接
続構造に関するものである。 【構成】半導体素子あるいは回路基板１０の電極２０上
に弾性を有する導電性樹脂３０を設け、更に弾性を有す
る導電性樹脂３０表面を金属膜で覆った突起電極で対向
電極２１に接触させ、外部より荷重を加え、電気的接続
を行う。 【効果】半導体素子もしくは回路基板の電極上にある弾
性を有する導電性樹脂表面に固い金属膜が設けられてい
るので、荷重を加えることにより上記金属膜表面の単位
面積あたりの荷重は増加し、対向電極表面の金属酸化皮
膜を破壊し確実に接触できる。
狭ピッチ、微細電極間の電気的接続を行うのに好適な接
続構造に関するものである。 【構成】半導体素子あるいは回路基板１０の電極２０上
に弾性を有する導電性樹脂３０を設け、更に弾性を有す
る導電性樹脂３０表面を金属膜で覆った突起電極で対向
電極２１に接触させ、外部より荷重を加え、電気的接続
を行う。 【効果】半導体素子もしくは回路基板の電極上にある弾
性を有する導電性樹脂表面に固い金属膜が設けられてい
るので、荷重を加えることにより上記金属膜表面の単位
面積あたりの荷重は増加し、対向電極表面の金属酸化皮
膜を破壊し確実に接触できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子あるいは回
路基板電極の接続構造に係り、特に狭ピッチ対向電極間
の電気的接続を行うのに好適な接続構造に関する。
路基板電極の接続構造に係り、特に狭ピッチ対向電極間
の電気的接続を行うのに好適な接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の小形、高密度化に伴い、半導
体素子あるいは回路基板の外部接続用電極も微細化、狭
ピッチ化され、機械的、電気的な面で信頼性の高い接触
接続構造にしていく必要がある。対面する２つの半導体
素子あるいは回路基板の電極を外部より荷重を加えて接
触させ、電気的接続を行う電極の構造として例えば特開
平２−２６７９４１がある。この公報に記載の電極は、
半導体基板の絶縁膜上に電極パッドを形成し、全面に保
護膜を形成後、該保護膜をエッチングし電極パッドを露
出させ、電極パッドに対応した位置に開口部を設けたマ
スクを形成し、開口部に導電性弾性樹脂を形成し、前記
マスクを除去して得られ、半導体基板の電極上に導電性
弾性樹脂からなる突起電極が設けられた構造をしてい
る。
体素子あるいは回路基板の外部接続用電極も微細化、狭
ピッチ化され、機械的、電気的な面で信頼性の高い接触
接続構造にしていく必要がある。対面する２つの半導体
素子あるいは回路基板の電極を外部より荷重を加えて接
触させ、電気的接続を行う電極の構造として例えば特開
平２−２６７９４１がある。この公報に記載の電極は、
半導体基板の絶縁膜上に電極パッドを形成し、全面に保
護膜を形成後、該保護膜をエッチングし電極パッドを露
出させ、電極パッドに対応した位置に開口部を設けたマ
スクを形成し、開口部に導電性弾性樹脂を形成し、前記
マスクを除去して得られ、半導体基板の電極上に導電性
弾性樹脂からなる突起電極が設けられた構造をしてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構造の突起電極を
用いて半導体素子と回路基板とを外部より荷重を加えて
接続すれば、突起電極の高さばらつき、あるいは基板の
反りがあっても、電極の弾性変形により清浄表面の対向
電極に対しては良好な接触を実現できる。ところで通常
金属表面は例えば大気中の酸素分子と反応して硬度の高
い金属酸化皮膜が形成されている。このような酸化皮膜
を有する金属表面と電気的接触接続を行うためには、上
記酸化皮膜を突き破る必要がある。しかしながら従来の
電極構造では、上記酸化皮膜を破壊する荷重を外部より
加えても弾性樹脂の存在により、荷重は弾性樹脂と導電
粒子に分散され微細導電粒子は金属酸化皮膜を破壊でき
ず電気的な接触不良が生じる。
用いて半導体素子と回路基板とを外部より荷重を加えて
接続すれば、突起電極の高さばらつき、あるいは基板の
反りがあっても、電極の弾性変形により清浄表面の対向
電極に対しては良好な接触を実現できる。ところで通常
金属表面は例えば大気中の酸素分子と反応して硬度の高
い金属酸化皮膜が形成されている。このような酸化皮膜
を有する金属表面と電気的接触接続を行うためには、上
記酸化皮膜を突き破る必要がある。しかしながら従来の
電極構造では、上記酸化皮膜を破壊する荷重を外部より
加えても弾性樹脂の存在により、荷重は弾性樹脂と導電
粒子に分散され微細導電粒子は金属酸化皮膜を破壊でき
ず電気的な接触不良が生じる。
【０００４】本発明の目的は、上記課題を解決すること
にあり、金属酸化皮膜を有する対向電極に対しても、信
頼性の高い電気的接触接続を実現させる電極の接続構造
を提供することにある。
にあり、金属酸化皮膜を有する対向電極に対しても、信
頼性の高い電気的接触接続を実現させる電極の接続構造
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、互いに対面する半導体素子もしくは回路
基板の少なくとも一方の電極上の一部もしくは全域に弾
性を有する導電性樹脂が設けられ、更に該導電性樹脂表
面の一部もしくは全域に金属膜あるいは金属板が設けら
れ、該金属膜あるいは金属板をそれと対面する半導体素
子あるいは回路基板の電極に外部より荷重を加えて接触
させる構造とした。そして更に好ましくは上記金属膜あ
るいは金属板の表面に１個以上の突起を設けることによ
り接続特性を向上することができる。
に本発明では、互いに対面する半導体素子もしくは回路
基板の少なくとも一方の電極上の一部もしくは全域に弾
性を有する導電性樹脂が設けられ、更に該導電性樹脂表
面の一部もしくは全域に金属膜あるいは金属板が設けら
れ、該金属膜あるいは金属板をそれと対面する半導体素
子あるいは回路基板の電極に外部より荷重を加えて接触
させる構造とした。そして更に好ましくは上記金属膜あ
るいは金属板の表面に１個以上の突起を設けることによ
り接続特性を向上することができる。
【０００６】
【作用】上記した構造によれば、半導体素子もしくは回
路基板の電極上にある弾性を有する導電性樹脂表面に固
い金属板あるいは金属膜が設けられているので、前記酸
化皮膜を破壊する荷重を外部より加えた時、その荷重は
全て上記金属板あるいは金属膜が受持ち、対向電極表面
の金属酸化皮膜を破壊し確実に接触できる。
路基板の電極上にある弾性を有する導電性樹脂表面に固
い金属板あるいは金属膜が設けられているので、前記酸
化皮膜を破壊する荷重を外部より加えた時、その荷重は
全て上記金属板あるいは金属膜が受持ち、対向電極表面
の金属酸化皮膜を破壊し確実に接触できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明による一実施例を図１、図２、
図３、図４、および図５を用いて説明する。図１および
図２は本発明による一実施例の断面構造であり、それぞ
れ外部より荷重を加える前の状態および荷重を加えた状
態を示す。図１に示すように本例では、互いに向い合う
半導体素子あるいは回路基板１０，１１の電極２０，２
１の一方の電極２０上に弾性を有する導電性樹脂４０を
形成し、更に該導電性樹脂４０の表面に金属板５０を形
成した構造にし、図２のようにこの金属板５０の表面を
それと対向する半導体素子もしくは回路基板１１の電極
２１に接触させ、外部より荷重を加えて電気的接触接続
を行う。本実施例では互いに向い合う電極２０，２１の
一方の電極上を上記したような突起構造としたが、向い
合う両電極上を上記した突起構造として接触させてもよ
い。また本実施例では電極２０上に設けた弾性を有する
導電性樹脂４０は電極２０の全域に設けたが、その一部
に設けてもよい。また弾性を有する導電樹脂４０上に設
けた金属板５０は導電性樹脂表面のうち対向電極面と平
行になる面４１の全域に設けたが、その一部に設けても
よい。金属板５０の表面は、図３のように平坦であって
も、図１および図４のようにその一部に突起５１を設け
た構造にしてもよい。突起５１の数は図４のように１個
でも複数個あってもよい。
図３、図４、および図５を用いて説明する。図１および
図２は本発明による一実施例の断面構造であり、それぞ
れ外部より荷重を加える前の状態および荷重を加えた状
態を示す。図１に示すように本例では、互いに向い合う
半導体素子あるいは回路基板１０，１１の電極２０，２
１の一方の電極２０上に弾性を有する導電性樹脂４０を
形成し、更に該導電性樹脂４０の表面に金属板５０を形
成した構造にし、図２のようにこの金属板５０の表面を
それと対向する半導体素子もしくは回路基板１１の電極
２１に接触させ、外部より荷重を加えて電気的接触接続
を行う。本実施例では互いに向い合う電極２０，２１の
一方の電極上を上記したような突起構造としたが、向い
合う両電極上を上記した突起構造として接触させてもよ
い。また本実施例では電極２０上に設けた弾性を有する
導電性樹脂４０は電極２０の全域に設けたが、その一部
に設けてもよい。また弾性を有する導電樹脂４０上に設
けた金属板５０は導電性樹脂表面のうち対向電極面と平
行になる面４１の全域に設けたが、その一部に設けても
よい。金属板５０の表面は、図３のように平坦であって
も、図１および図４のようにその一部に突起５１を設け
た構造にしてもよい。突起５１の数は図４のように１個
でも複数個あってもよい。
【０００８】図５（ａ）〜（ｉ）は本発明の実施例にお
ける突起電極の形成方法の一例を工程順に示す断面図で
あり、以下に示す方法で形成する。図５（ａ）は所定の
素子を形成した半導体ＬＳＩもしくは回路基板１０の外
部取り出し電極２０およびその周辺部を示す断面図であ
る。まず電極２０およびその周辺あるいは基板の電極面
全域に同図（ｂ）に示すのようにレジスト膜３２を形成
する。その後（ｃ）に示すように電極２０上の突起電極
を設ける部分のレジスト膜３２をエッチングにより除去
する。次に（ｄ）に示すように弾性を有する導電性樹脂
４０を塗布し硬化させたのち、不要部分の導電性樹脂４
０をエッチングあるいは研磨等により除去し（ｅ）の構
造を得る。同図（ｅ）では、電極２０上に設けた弾性を
有する導電性樹脂４０の高さは、レジスト膜３２より低
くなっているが、レジスト膜３２と同程度であっても、
レジスト膜３２より高くなってもよい。次に（ｆ）に示
すように弾性を有する導電性樹脂４０の表面にめっきあ
るいは蒸着法により金属膜５０を形成する。次に（ｇ）
のように金属膜５０表面の突起を設ける場所にレジスト
膜３３を形成し、金属膜５０の一部をエッチングにより
除去し（ｈ）の構造を得る。最後に（ｉ）に示すように
レジスト膜３３，３４を除去し、本発明の突起電極が完
成する。また本工程の（ｆ）の後にレジスト膜３２を除
去して得られる構造の突起電極であってもよい。
ける突起電極の形成方法の一例を工程順に示す断面図で
あり、以下に示す方法で形成する。図５（ａ）は所定の
素子を形成した半導体ＬＳＩもしくは回路基板１０の外
部取り出し電極２０およびその周辺部を示す断面図であ
る。まず電極２０およびその周辺あるいは基板の電極面
全域に同図（ｂ）に示すのようにレジスト膜３２を形成
する。その後（ｃ）に示すように電極２０上の突起電極
を設ける部分のレジスト膜３２をエッチングにより除去
する。次に（ｄ）に示すように弾性を有する導電性樹脂
４０を塗布し硬化させたのち、不要部分の導電性樹脂４
０をエッチングあるいは研磨等により除去し（ｅ）の構
造を得る。同図（ｅ）では、電極２０上に設けた弾性を
有する導電性樹脂４０の高さは、レジスト膜３２より低
くなっているが、レジスト膜３２と同程度であっても、
レジスト膜３２より高くなってもよい。次に（ｆ）に示
すように弾性を有する導電性樹脂４０の表面にめっきあ
るいは蒸着法により金属膜５０を形成する。次に（ｇ）
のように金属膜５０表面の突起を設ける場所にレジスト
膜３３を形成し、金属膜５０の一部をエッチングにより
除去し（ｈ）の構造を得る。最後に（ｉ）に示すように
レジスト膜３３，３４を除去し、本発明の突起電極が完
成する。また本工程の（ｆ）の後にレジスト膜３２を除
去して得られる構造の突起電極であってもよい。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、図１の半導体素子もし
くは回路基板１０の電極上にある弾性を有する導電性樹
脂４０の表面に固い金属板あるいは金属膜５０が設けら
れているので、前記酸化皮膜を破壊する荷重を外部より
加えた場合、その荷重は全て上記金属板あるいは金属膜
５０が受持ち、対向電極表面１０の金属酸化皮膜を破壊
し確実に接触できる。また薄膜の加工プロセスで一括し
て形成できるので狭ピッチで微細な電極の接続にも適用
できる。また対向電極間の距離を短く接続できるので、
接続部での高速高周波信号の乱れを小さくすることがで
きる。
くは回路基板１０の電極上にある弾性を有する導電性樹
脂４０の表面に固い金属板あるいは金属膜５０が設けら
れているので、前記酸化皮膜を破壊する荷重を外部より
加えた場合、その荷重は全て上記金属板あるいは金属膜
５０が受持ち、対向電極表面１０の金属酸化皮膜を破壊
し確実に接触できる。また薄膜の加工プロセスで一括し
て形成できるので狭ピッチで微細な電極の接続にも適用
できる。また対向電極間の距離を短く接続できるので、
接続部での高速高周波信号の乱れを小さくすることがで
きる。
【図１】本発明の電極間の接続構造の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の電極間の接続構造の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の突起電極構造の一実施例を示す斜視図
である。
である。
【図４】本発明の突起電極構造の一実施例を示す斜視図
である。
である。
【図５】本発明の突起電極形成方法の一実施例を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
１０,１１…半導体素子あるいは回路基板 ２０,２１…電極 ３０,３１…保護膜 ３２,３３…レジスト膜 ４０…弾性を有する導電性樹脂 ５０…金属膜あるいは金属板 ５１…金属膜あるいは金属板上の突起
Claims (3)
- 【請求項１】半導体素子あるいは回路基板の電極パッド
と、それと向い合うもう一方の回路基板あるいは半導体
素子の電極を接触させて電気信号を伝送する接触部の構
造であって、対面する半導体素子あるいは回路基板の少
なくとも一方の電極上の一部もしくは全域に弾性を有す
る導電性樹脂が設けられ、更に該導電樹脂表面の一部も
しくは全域に金属膜あるいは金属板が設けられ、該金属
膜あるいは金属板表面をそれと対面する回路基板もしく
は半導体素子の電極に接触させ外部より荷重を加えて、
電気的接触接続を行うことを特徴する電極間の接続構
造。 - 【請求項２】上記金属膜あるいは金属板が、接触により
接続される対向電極面と略平行な樹脂表面の一部もしく
は全域に設けられたことを特徴とする請求項１記載の電
極間の接続構造。 - 【請求項３】上記金属膜あるいは金属板の表面に１個以
上の突起を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載
の電極間の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6808092A JPH05275489A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 電極間の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6808092A JPH05275489A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 電極間の接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275489A true JPH05275489A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13363424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6808092A Pending JPH05275489A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 電極間の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275489A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998050950A1 (fr) * | 1997-05-07 | 1998-11-12 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et production de ce dispositif |
| WO1999026283A1 (en) * | 1997-11-19 | 1999-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stress relaxation electronic part, stress relaxation wiring board, and stress relaxation electronic part mounted body |
| JP2002222831A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | フリップチップ型半導体素子 |
| US6512183B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component mounted member and repair method thereof |
| DE10135308A1 (de) * | 2001-07-19 | 2003-02-13 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement |
| DE10135393A1 (de) * | 2001-07-25 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip |
| US6696317B1 (en) | 1999-11-04 | 2004-02-24 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin |
| WO2010111081A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Globalfoundries Inc. | Interconnect structure for a semiconductor device with a resilient stress absorber and related method of manufacture |
| JP2016004848A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | 三菱電機株式会社 | パッケージ及びパッケージの製造方法 |
| US20220264744A1 (en) * | 2020-03-06 | 2022-08-18 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Electrical connection device, method for producing the same, and structure of flexible wiring board |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP6808092A patent/JPH05275489A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6465082B1 (en) | 1997-11-19 | 2002-10-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stress relaxation electronic part, stress relaxation wiring board, and stress relaxation electronic part mounted body |
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| JP2002222831A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | フリップチップ型半導体素子 |
| DE10135308A1 (de) * | 2001-07-19 | 2003-02-13 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement |
| US6864575B2 (en) | 2001-07-19 | 2005-03-08 | Infineon Technologies Ag | Electronic interface structures and methods |
| DE10135308B4 (de) * | 2001-07-19 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| US6851598B2 (en) | 2001-07-25 | 2005-02-08 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with a semiconductor chip and method for producing the electronic component |
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| WO2010111081A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Globalfoundries Inc. | Interconnect structure for a semiconductor device with a resilient stress absorber and related method of manufacture |
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| US8513109B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-08-20 | GlobalFoundries, Inc. | Method of manufacturing an interconnect structure for a semiconductor device |
| JP2016004848A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | 三菱電機株式会社 | パッケージ及びパッケージの製造方法 |
| US20220264744A1 (en) * | 2020-03-06 | 2022-08-18 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Electrical connection device, method for producing the same, and structure of flexible wiring board |
| US11570893B2 (en) * | 2020-03-06 | 2023-01-31 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Electrical connection device, method for producing the same, and structure of flexible wiring board |
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