JPH05275415A - 化合物半導体装置の製造方法およびその選択エッチング液 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法およびその選択エッチング液Info
- Publication number
- JPH05275415A JPH05275415A JP6677092A JP6677092A JPH05275415A JP H05275415 A JPH05275415 A JP H05275415A JP 6677092 A JP6677092 A JP 6677092A JP 6677092 A JP6677092 A JP 6677092A JP H05275415 A JPH05275415 A JP H05275415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ingaas
- inalas
- tartaric acid
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＡｌＡｓ層を少なくと
も含む化合物半導体装置において、ＩｎＧａＡｓ層を選
択的にエッチングする選択エッチング液を提供する。 【構成】 酒石酸（Ｃ4Ｈ6Ｏ6）、過酸化水素水および
アンモニアの混合液より構成され、ＩｎＧａＡｓとＩｎ
ＡｌＡｓの選択エッチングにおいて良好な選択比が得ら
れる。
も含む化合物半導体装置において、ＩｎＧａＡｓ層を選
択的にエッチングする選択エッチング液を提供する。 【構成】 酒石酸（Ｃ4Ｈ6Ｏ6）、過酸化水素水および
アンモニアの混合液より構成され、ＩｎＧａＡｓとＩｎ
ＡｌＡｓの選択エッチングにおいて良好な選択比が得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体装置の製
造方法およびその選択エッチング液に関するものであ
る。
造方法およびその選択エッチング液に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ノンドープのＧａＡｓ層上にｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ層を形成したヘテロ接合構造では、ヘテロ接合界
面のＧａＡｓ側に高移動度の２次元電子ガスが形成さ
れ、これを利用して高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭ
Ｔ）と呼ばれるヘテロ接合型電界効果トランジスタが発
明された。このＨＥＭＴの特性を一層向上させるために
材料面、構造面から多くの研究がなされている。材料面
ではＧａＡｓのかわりにＩｎＰに格子整合したＩｎ0.53
Ｇａ0.47Ａｓを用い、ＡｌＧａＡｓのかわりにＩｎＡｌ
Ａｓを用いたものが、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系ＨＥＭ
Ｔよりも高い電子移動度、高い電子飽和速度、高い２次
元電子ガス濃度を示し、超高速、低雑音の素子として非
常に有望である。また素子を形成する過程でソース電極
とドレイン電極のオーミックコンタクトを取りやすくす
るために前記ＩｎＡｌＡｓ層上にバンドギャップの小さ
いＩｎＧａＡｓコンタクト層を形成する構造が提案され
ている。デバイス作製に関しては、化合物半導体集積回
路を作製する場合、集積回路を構成する各々の素子を電
気的に分離する必要があり、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ系ＨＥＭＴの素子間分離は、一般的にメサエッチング
によって行われている。また電極形成するにあたって、
ソース・ドレイン電極形成後、ショットキーゲート電極
を形成する領域のＩｎＧａＡｓコンタクト層を除去した
後、ＩｎＡｌＡｓ上にゲートメタルを形成して作製す
る。
ａＡｓ層を形成したヘテロ接合構造では、ヘテロ接合界
面のＧａＡｓ側に高移動度の２次元電子ガスが形成さ
れ、これを利用して高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭ
Ｔ）と呼ばれるヘテロ接合型電界効果トランジスタが発
明された。このＨＥＭＴの特性を一層向上させるために
材料面、構造面から多くの研究がなされている。材料面
ではＧａＡｓのかわりにＩｎＰに格子整合したＩｎ0.53
Ｇａ0.47Ａｓを用い、ＡｌＧａＡｓのかわりにＩｎＡｌ
Ａｓを用いたものが、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系ＨＥＭ
Ｔよりも高い電子移動度、高い電子飽和速度、高い２次
元電子ガス濃度を示し、超高速、低雑音の素子として非
常に有望である。また素子を形成する過程でソース電極
とドレイン電極のオーミックコンタクトを取りやすくす
るために前記ＩｎＡｌＡｓ層上にバンドギャップの小さ
いＩｎＧａＡｓコンタクト層を形成する構造が提案され
ている。デバイス作製に関しては、化合物半導体集積回
路を作製する場合、集積回路を構成する各々の素子を電
気的に分離する必要があり、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ系ＨＥＭＴの素子間分離は、一般的にメサエッチング
によって行われている。また電極形成するにあたって、
ソース・ドレイン電極形成後、ショットキーゲート電極
を形成する領域のＩｎＧａＡｓコンタクト層を除去した
後、ＩｎＡｌＡｓ上にゲートメタルを形成して作製す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１に
示すように、メサエッチングにより素子間分離を行うと
ゲートメタル３がメササイドウオール５に接触するた
め、低いショットキーバリアハイトを有するＩｎＧａＡ
ｓチャネル層４とゲート電極３の間にリークパスが生じ
るため、ＦＥＴを作製したときゲート耐圧が悪化し、個
々のデバイス特性の劣化を引き起こすという問題があっ
た。また、ショットキーゲート電極を形成する領域のＩ
ｎＧａＡｓコンタクト層を除去する工程で、従来のリン
酸系エッチング液ではゲート電極を形成するＩｎＡｌＡ
ｓ層のエッチング深さを正確に制御する事が困難であっ
たため、ＦＥＴのしきい値を正確に制御する事が難しい
という問題があった。これらの問題を解決するために、
ＩｎＧａＡｓ層を選択的にエッチングすることにより、
ゲートメタル３とＩｎＧａＡｓチャネル層４を空間的に
分離する方法や、ゲート電極を形成するＩｎＡｌＡｓ層
をエッチングストッパー層として用いてゲート電極を形
成する事が考えられるが、今まで有効にＩｎＧａＡｓを
選択的にエッチングできるエッチング液は無かった。
示すように、メサエッチングにより素子間分離を行うと
ゲートメタル３がメササイドウオール５に接触するた
め、低いショットキーバリアハイトを有するＩｎＧａＡ
ｓチャネル層４とゲート電極３の間にリークパスが生じ
るため、ＦＥＴを作製したときゲート耐圧が悪化し、個
々のデバイス特性の劣化を引き起こすという問題があっ
た。また、ショットキーゲート電極を形成する領域のＩ
ｎＧａＡｓコンタクト層を除去する工程で、従来のリン
酸系エッチング液ではゲート電極を形成するＩｎＡｌＡ
ｓ層のエッチング深さを正確に制御する事が困難であっ
たため、ＦＥＴのしきい値を正確に制御する事が難しい
という問題があった。これらの問題を解決するために、
ＩｎＧａＡｓ層を選択的にエッチングすることにより、
ゲートメタル３とＩｎＧａＡｓチャネル層４を空間的に
分離する方法や、ゲート電極を形成するＩｎＡｌＡｓ層
をエッチングストッパー層として用いてゲート電極を形
成する事が考えられるが、今まで有効にＩｎＧａＡｓを
選択的にエッチングできるエッチング液は無かった。
【０００４】本発明は、このような従来の問題点を解決
し、メササイドウオールのＩｎＧａＡｓチャネル層およ
びＩｎＧａＡｓコンタクト層を選択的にエッチングでき
るため、ＩｎＧａＡｓチャネル層とゲートメタルを電気
的に分離でき、かつＦＥＴのしきい値制御性の良い極め
て優れた化合物半導体装置を提供することができるエッ
チング液である。
し、メササイドウオールのＩｎＧａＡｓチャネル層およ
びＩｎＧａＡｓコンタクト層を選択的にエッチングでき
るため、ＩｎＧａＡｓチャネル層とゲートメタルを電気
的に分離でき、かつＦＥＴのしきい値制御性の良い極め
て優れた化合物半導体装置を提供することができるエッ
チング液である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、次のような方法を用いてＩｎＧａＡｓ層とＩ
ｎＡｌＡｓ層を含む化合物半導体装置において、ＩｎＧ
ａＡｓ層を選択的にエッチングする選択エッチング液を
作製するものである。
本発明は、次のような方法を用いてＩｎＧａＡｓ層とＩ
ｎＡｌＡｓ層を含む化合物半導体装置において、ＩｎＧ
ａＡｓ層を選択的にエッチングする選択エッチング液を
作製するものである。
【０００６】酒石酸結晶を水に溶かし酒石酸水溶液を作
製する工程と、アンモニア水と過酸化水素水および前記
酒石酸水溶液を混合する工程を含む方法であり、前記酒
石酸・アンモニア・過酸化水素混合液中に含まれる酒石
酸の濃度が１００μｍｏｌ／ｃｃ以下のものを用いる。
製する工程と、アンモニア水と過酸化水素水および前記
酒石酸水溶液を混合する工程を含む方法であり、前記酒
石酸・アンモニア・過酸化水素混合液中に含まれる酒石
酸の濃度が１００μｍｏｌ／ｃｃ以下のものを用いる。
【０００７】
【作用】ＩｎＧａＡｓとＩｎＡｌＡｓにおいて、酒石酸
・アンモニア水・過酸化水素水混合液中で、何故ＩｎＧ
ａＡｓが選択的にエッチングされるのかは明確ではな
い。しかし、実施例によってより詳細に説明するが、ア
ンモニアの含有量を一定にして酒石酸の含有量を増加さ
せていくと、エッチングレートも増加していく傾向にあ
るのに対して、選択比はほぼ一定の値を示すことから、
アンモニアの添加によりＩｎＡｌＡｓの表面でエッチン
グを妨げるように何らかの化学変化を起こしているか、
あるいはアンモニアは触媒として働きＩｎＧａＡｓのエ
ッチングを促進しているものと推測される。本発明によ
り、メササイドウオールのＩｎＧａＡｓチャネル層を選
択的にエッチングする事により前記ＩｎＧａＡｓチャネ
ル層とゲート電極を電気的に完全に分離でき、さらにＩ
ｎＡｌＡｓバリア層をエッチングストッパー層として用
いる事ができるためＦＥＴのしきい値の制御性が良く均
一な素子を得る事ができるため、デバイスの高性能化、
集積化に大きく寄与するものである。
・アンモニア水・過酸化水素水混合液中で、何故ＩｎＧ
ａＡｓが選択的にエッチングされるのかは明確ではな
い。しかし、実施例によってより詳細に説明するが、ア
ンモニアの含有量を一定にして酒石酸の含有量を増加さ
せていくと、エッチングレートも増加していく傾向にあ
るのに対して、選択比はほぼ一定の値を示すことから、
アンモニアの添加によりＩｎＡｌＡｓの表面でエッチン
グを妨げるように何らかの化学変化を起こしているか、
あるいはアンモニアは触媒として働きＩｎＧａＡｓのエ
ッチングを促進しているものと推測される。本発明によ
り、メササイドウオールのＩｎＧａＡｓチャネル層を選
択的にエッチングする事により前記ＩｎＧａＡｓチャネ
ル層とゲート電極を電気的に完全に分離でき、さらにＩ
ｎＡｌＡｓバリア層をエッチングストッパー層として用
いる事ができるためＦＥＴのしきい値の制御性が良く均
一な素子を得る事ができるため、デバイスの高性能化、
集積化に大きく寄与するものである。
【０００８】
【実施例】本発明の第１の実施例として酒石酸水溶液
（Ｃ4Ｈ6Ｏ6）、過酸化水素水およびアンモニア水の混
合液よりなる、ＩｎＧａＡｓの選択エッチング液の製造
方法について説明する。まず超純水１リットルをメスシ
リンダーで正確に測りビーカーに移す。酒石酸結晶（Ｃ
4Ｈ6Ｏ6）２００ｇを電子天秤で正確に測定し、ビーカ
ーの中の超純水に加えよく撹はんし、酒石酸水溶液を作
製する。次にアンモニア含有量２９％のアンモニア水１
ｃｃと過酸化水素含有量３０％の過酸化水素水２００ｃ
ｃの混合液を作製する。最後にアンモニア水と過酸化水
素水の混合液中に前記酒石酸水溶液を数ｃｃ混合しよく
撹はんすることにより、酒石酸・アンモニア・過酸化水
素混合液による選択エッチング液が完成する。尚、最初
に酒石酸水溶液とアンモニア水を混合してしまうと、酒
石酸とアンモニアとの化合物が析出してしまい、その後
過酸化水素水を加えても前記析出物は溶けず所望の選択
エッチング液を得る事ができない。
（Ｃ4Ｈ6Ｏ6）、過酸化水素水およびアンモニア水の混
合液よりなる、ＩｎＧａＡｓの選択エッチング液の製造
方法について説明する。まず超純水１リットルをメスシ
リンダーで正確に測りビーカーに移す。酒石酸結晶（Ｃ
4Ｈ6Ｏ6）２００ｇを電子天秤で正確に測定し、ビーカ
ーの中の超純水に加えよく撹はんし、酒石酸水溶液を作
製する。次にアンモニア含有量２９％のアンモニア水１
ｃｃと過酸化水素含有量３０％の過酸化水素水２００ｃ
ｃの混合液を作製する。最後にアンモニア水と過酸化水
素水の混合液中に前記酒石酸水溶液を数ｃｃ混合しよく
撹はんすることにより、酒石酸・アンモニア・過酸化水
素混合液による選択エッチング液が完成する。尚、最初
に酒石酸水溶液とアンモニア水を混合してしまうと、酒
石酸とアンモニアとの化合物が析出してしまい、その後
過酸化水素水を加えても前記析出物は溶けず所望の選択
エッチング液を得る事ができない。
【０００９】次に本発明の第２の実施例として第１の実
施例で作製した酒石酸・アンモニア・過酸化水素水の混
合液を用いてＩｎＧａＡｓとＩｎＡｌＡｓの選択エッチ
ングの効果を表す実験データの一例を示す。本発明の目
的であるＩｎＧａＡｓの選択エッチング量を示すため
に、ＩｎＰ基板上にＩｎＰと格子整合するＩｎＧａＡｓ
とＩｎＡｌＡｓをＭＢＥ法によりそれぞれ５０００Å程
度成長し、それぞれのサンプルの半分をレジストでカバ
ーし、選択エッチング溶液中で１０分間エッチングした
後、段差膜圧計で段差を測定する事により行った。その
結果を図２に示す。表１から明らかなように、アンモニ
アの量を一定にして酒石酸の量を増加させていくと、エ
ッチングレートも増加していく傾向にあるのに対して、
選択比は５〜７とほぼ一定の値を示しており、エッチン
グ量は酒石酸の濃度に依存し、またアンモニアは主に選
択比の方に寄与しているものと考えられ、本発明のエッ
チング液の効果を確認した。尚ここでは示していない
が、酒石酸の濃度が大きすぎると（１００μｍｏｌ／ｃ
ｃ以上）ＩｎＧａＡｓのエッチング速度も増大するが、
ＩｎＡｌＡｓのエッチング速度も増大するため選択エッ
チング液としては適当ではない。
施例で作製した酒石酸・アンモニア・過酸化水素水の混
合液を用いてＩｎＧａＡｓとＩｎＡｌＡｓの選択エッチ
ングの効果を表す実験データの一例を示す。本発明の目
的であるＩｎＧａＡｓの選択エッチング量を示すため
に、ＩｎＰ基板上にＩｎＰと格子整合するＩｎＧａＡｓ
とＩｎＡｌＡｓをＭＢＥ法によりそれぞれ５０００Å程
度成長し、それぞれのサンプルの半分をレジストでカバ
ーし、選択エッチング溶液中で１０分間エッチングした
後、段差膜圧計で段差を測定する事により行った。その
結果を図２に示す。表１から明らかなように、アンモニ
アの量を一定にして酒石酸の量を増加させていくと、エ
ッチングレートも増加していく傾向にあるのに対して、
選択比は５〜７とほぼ一定の値を示しており、エッチン
グ量は酒石酸の濃度に依存し、またアンモニアは主に選
択比の方に寄与しているものと考えられ、本発明のエッ
チング液の効果を確認した。尚ここでは示していない
が、酒石酸の濃度が大きすぎると（１００μｍｏｌ／ｃ
ｃ以上）ＩｎＧａＡｓのエッチング速度も増大するが、
ＩｎＡｌＡｓのエッチング速度も増大するため選択エッ
チング液としては適当ではない。
【００１０】次に本発明の第３の実施例として酒石酸・
アンモニア・過酸化水素水の混合液を用いてＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＡｌＡｓ ＨＥＭＴを試作し、ソース−ゲート
間電流電圧特性（Ｖｇｓ−Ｉｇｓ）を測定し、選択エッ
チングの効果を調べた。図３は、試作したＨＥＭＴの断
面構造図であり、６は半絶縁性ＩｎＰ基板、７はノンド
ープＩｎＡｌＡｓバッファー層３０００Å、８はノンド
ープＩｎＧａＡｓチャネル層３００Å、９はノンドープ
ＩｎＡｌＡｓスペーサー層３０Å、１０はＳｉ不純物を
５ｘ１０18ｃｍ-3ドープしたｎ型ＩｎＡｌＡｓキャリア
供給層１００Å、１１はノンドープＩｎＡｌＡｓバリア
層２００Å、１２はノンドープＩｎＧａＡｓコンタクト
層１００Åからなり、ＭＢＥ法によって成長を行った。
ＦＥＴを作製するにあたり、素子間分離をＨ3ＰＯ4：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：５０のリン酸系エッチング液に
より２０００Å程度メサエッチングを行った後（図
４）、本発明の酒石酸水溶液：アンモニア水：過酸化水
素水＝２：１：２００の混合液を用いてメササイドウオ
ールのＩｎＧａＡｓチャネル層を選択的に３分間のエッ
チングを行った（図５）。その後ＦＥＴのソース電極１
とドレイン電極２としてＧｅ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕ
を用いて形成し（図６）、さらに本発明の酒石酸水溶
液：アンモニア水：過酸化水素水＝２：１：２００の混
合液を用いてショットキー電極が形成されるゲート部分
のノンドープＩｎＧａＡｓキャップ層１２を選択的に除
去し（図７）、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの電極材料を用いてゲ
ート電極３を形成し作製した（図８）。このとき選択エ
ッチングを行っているためゲート電極３とノンドープＩ
ｎＧａＡｓチャネル層８の間はエアーギャップが存在し
空間的に分離されている。図９は試作したＩｎＧａＡｓ
／ＩｎＡｌＡｓ ＨＥＭＴの、ソース−ゲート間電流電
圧特性（Ｖｇｓ−Ｉｇｓ）である。選択エッチングを施
していないサンプルではメササイドウオールのノンドー
プＩｎＧａＡｓチャネル層にゲートメタルが接触するた
め、ＩｎＧａＡｓの低いショットキーバリアハイトによ
り順方向の立ち上がり電圧は低くなっている。さらにＩ
ｎＧａＡｓチャネルとゲート間にリークパスが生じてい
るため逆方向の耐圧も悪くなっている。一方選択エッチ
ングを施したサンプルでは、ゲート電極３とノンドープ
ＩｎＧａＡｓチャネル層８の間はエアーギャップが存在
し空間的に分離されているので良好なショットキー特性
を示している。またここでは示していないがしきい値の
ばらつきは極めて小さく、しきい値制御性の良いＦＥＴ
を作製する事ができた。以上の実施例の結果から、今回
発明した化合物半導体の選択エッチング液の有効性を確
認した。
アンモニア・過酸化水素水の混合液を用いてＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＡｌＡｓ ＨＥＭＴを試作し、ソース−ゲート
間電流電圧特性（Ｖｇｓ−Ｉｇｓ）を測定し、選択エッ
チングの効果を調べた。図３は、試作したＨＥＭＴの断
面構造図であり、６は半絶縁性ＩｎＰ基板、７はノンド
ープＩｎＡｌＡｓバッファー層３０００Å、８はノンド
ープＩｎＧａＡｓチャネル層３００Å、９はノンドープ
ＩｎＡｌＡｓスペーサー層３０Å、１０はＳｉ不純物を
５ｘ１０18ｃｍ-3ドープしたｎ型ＩｎＡｌＡｓキャリア
供給層１００Å、１１はノンドープＩｎＡｌＡｓバリア
層２００Å、１２はノンドープＩｎＧａＡｓコンタクト
層１００Åからなり、ＭＢＥ法によって成長を行った。
ＦＥＴを作製するにあたり、素子間分離をＨ3ＰＯ4：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：５０のリン酸系エッチング液に
より２０００Å程度メサエッチングを行った後（図
４）、本発明の酒石酸水溶液：アンモニア水：過酸化水
素水＝２：１：２００の混合液を用いてメササイドウオ
ールのＩｎＧａＡｓチャネル層を選択的に３分間のエッ
チングを行った（図５）。その後ＦＥＴのソース電極１
とドレイン電極２としてＧｅ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕ
を用いて形成し（図６）、さらに本発明の酒石酸水溶
液：アンモニア水：過酸化水素水＝２：１：２００の混
合液を用いてショットキー電極が形成されるゲート部分
のノンドープＩｎＧａＡｓキャップ層１２を選択的に除
去し（図７）、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの電極材料を用いてゲ
ート電極３を形成し作製した（図８）。このとき選択エ
ッチングを行っているためゲート電極３とノンドープＩ
ｎＧａＡｓチャネル層８の間はエアーギャップが存在し
空間的に分離されている。図９は試作したＩｎＧａＡｓ
／ＩｎＡｌＡｓ ＨＥＭＴの、ソース−ゲート間電流電
圧特性（Ｖｇｓ−Ｉｇｓ）である。選択エッチングを施
していないサンプルではメササイドウオールのノンドー
プＩｎＧａＡｓチャネル層にゲートメタルが接触するた
め、ＩｎＧａＡｓの低いショットキーバリアハイトによ
り順方向の立ち上がり電圧は低くなっている。さらにＩ
ｎＧａＡｓチャネルとゲート間にリークパスが生じてい
るため逆方向の耐圧も悪くなっている。一方選択エッチ
ングを施したサンプルでは、ゲート電極３とノンドープ
ＩｎＧａＡｓチャネル層８の間はエアーギャップが存在
し空間的に分離されているので良好なショットキー特性
を示している。またここでは示していないがしきい値の
ばらつきは極めて小さく、しきい値制御性の良いＦＥＴ
を作製する事ができた。以上の実施例の結果から、今回
発明した化合物半導体の選択エッチング液の有効性を確
認した。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように本発明の化合物半導体
の選択エッチング液により、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ系ＨＥＭＴのＩｎＧａＡｓチャネル層を選択的にエッ
チングすることによりゲート耐圧が大幅に向上し、さら
にＩｎＡｌＡｓバリア層をエッチングストッパー層とし
てＩｎＧａＡｓコンタクト層を選択的に除去できるため
しきい値制御性の良いＦＥＴを作製できるのみならず、
デバイス自身の特性向上、さらには集積化が可能となる
などの効果がある。又、本発明の実施例では主にＨＥＭ
Ｔについて述べたが、本発明の適用範囲はこれに限られ
るものではなく、ＨＦＥＴやＨＢＴ等の電気デバイス、
受光素子などの光デバイスへの対応も可能である事は言
うまでもない。
の選択エッチング液により、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ系ＨＥＭＴのＩｎＧａＡｓチャネル層を選択的にエッ
チングすることによりゲート耐圧が大幅に向上し、さら
にＩｎＡｌＡｓバリア層をエッチングストッパー層とし
てＩｎＧａＡｓコンタクト層を選択的に除去できるため
しきい値制御性の良いＦＥＴを作製できるのみならず、
デバイス自身の特性向上、さらには集積化が可能となる
などの効果がある。又、本発明の実施例では主にＨＥＭ
Ｔについて述べたが、本発明の適用範囲はこれに限られ
るものではなく、ＨＦＥＴやＨＢＴ等の電気デバイス、
受光素子などの光デバイスへの対応も可能である事は言
うまでもない。
【図１】従来のメサエッチングのみで作製したＦＥＴの
斜視図
斜視図
【図２】本発明の酒石酸・アンモニア・過酸化水素水混
合液によるＩｎＧａＡｓとＩｎＡｌＡｓのエッチングレ
ートおよび選択比の実験結果を示す図
合液によるＩｎＧａＡｓとＩｎＡｌＡｓのエッチングレ
ートおよび選択比の実験結果を示す図
【図３】本発明の実施例のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
ＨＥＭＴの構造図
ＨＥＭＴの構造図
【図４】本発明の実施例のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
ＨＥＭＴの第１の工程断面図
ＨＥＭＴの第１の工程断面図
【図５】本発明の実施例のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
ＨＥＭＴの第２の工程断面図
ＨＥＭＴの第２の工程断面図
【図６】本発明の実施例のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
ＨＥＭＴの第３の工程断面図
ＨＥＭＴの第３の工程断面図
【図７】本発明の実施例のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
ＨＥＭＴの第４の工程断面図
ＨＥＭＴの第４の工程断面図
【図８】本発明の実施例のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
ＨＥＭＴの第５の工程断面図
ＨＥＭＴの第５の工程断面図
【図９】本発明の実施例のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
ＨＥＭＴのソース−ゲート間電流電圧特性図（Ｖｇｓ
−Ｉｇｓ）
ＨＥＭＴのソース−ゲート間電流電圧特性図（Ｖｇｓ
−Ｉｇｓ）
１ ソース電極 ２ ドレイン電極 ３ ゲート電極 ４ ＩｎＧａＡｓチャネル層 ５ メササイドウオール ６ 半絶縁性ＩｎＰ基板 ７ ノンドープＩｎＡｌＡｓバッファー層 ８ ノンドープＩｎＧａＡｓチャネル層 ９ ノンドープＩｎＡｌＡｓスペーサー層 １０ ｎ型ＩｎＡｌＡｓキャリア供給層 １１ ノンドープＩｎＡｌＡｓバリア層 １２ ノンドープＩｎＧａＡｓコンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 龍治 彰 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】酒石酸（Ｃ4Ｈ6Ｏ6）、過酸化水素水およ
びアンモニアを含む混合液からなり、前記混合液中に含
まれる酒石酸の濃度が１００μｍｏｌ／ｃｃ以下であ
り、ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＡｌＡｓ層を含む化合物半導
体装置において前記ＩｎＧａＡｓ層を選択的にエッチン
グする事を特徴とする化合物半導体の選択エッチング
液。 - 【請求項２】ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＡｌＡｓ層を含み、
かつＩｎＧａＡｓを活性層に有するショットキーゲート
電界効果型トランジスタ作製において、前記ショットキ
ーゲート電界効果型トランジスタをメサエッチングによ
り島状領域に分離する工程と、請求項１記載のエッチン
グ液を用いて前記島状領域の側壁のＩｎＧａＡｓ活性層
を選択的にエッチングする工程を含む化合物半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】ＩｎＡｌＡｓ障壁層を有しかつ前記ＩｎＡ
ｌＡｓ障壁層上にＩｎＧａＡｓコンタクト層を有するシ
ョットキーゲート電界効果型トランジスタにおいて、請
求項１記載のエッチング液を用いて前記ＩｎＡｌＡｓ障
壁層をエッチングストッパー層として前記ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層を選択的に除去する工程と、前記ＩｎＡｌ
Ａｓ障壁層上にショットキーゲートを形成する工程を含
む化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04066770A JP3082401B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 選択エッチング液および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04066770A JP3082401B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 選択エッチング液および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275415A true JPH05275415A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3082401B2 JP3082401B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=13325446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04066770A Expired - Fee Related JP3082401B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 選択エッチング液および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082401B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617458A2 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Etching solution and etching method for semiconductor therefor |
| WO1997048137A1 (fr) * | 1996-06-13 | 1997-12-18 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Photodetecteur de type guide d'ondes a semi-conducteur et procede de fabrication de ce dernier |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP04066770A patent/JP3082401B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617458A2 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Etching solution and etching method for semiconductor therefor |
| EP0617458A3 (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | Process for etching semiconductors and etching solution therefor. |
| US5419808A (en) * | 1993-03-19 | 1995-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Etching solution and etching method for semiconductors |
| WO1997048137A1 (fr) * | 1996-06-13 | 1997-12-18 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Photodetecteur de type guide d'ondes a semi-conducteur et procede de fabrication de ce dernier |
| US6177710B1 (en) | 1996-06-13 | 2001-01-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor waveguide type photodetector and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3082401B2 (ja) | 2000-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1210736B1 (en) | Method of forming a double recessed transistor | |
| US6797994B1 (en) | Double recessed transistor | |
| JP3135185B2 (ja) | 半導体エッチング液，半導体エッチング方法，及びＧａＡｓ面の判定方法 | |
| JP2001144110A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2009224801A (ja) | 増強／空乏モード擬似形態高電子移動度トランジスタデバイス | |
| US8987781B2 (en) | Structure of heterojunction field effect transistor and a fabrication method thereof | |
| JP3147009B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH05160161A (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| JP3082401B2 (ja) | 選択エッチング液および半導体装置の製造方法 | |
| JP3588988B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3443034B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP2669325B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| KR100707325B1 (ko) | 헤테로 접합 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JP3633587B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2867472B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06302625A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH0817241B2 (ja) | 細線電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP3311605B2 (ja) | ヘテロ接合型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH0738091A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2910909B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP3109097B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法およびエッチング方法 | |
| JP3963043B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法 | |
| JP2003068770A (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH07283396A (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
| JPH04280640A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |