JPH0527378A - 光メモリ素子の光照射方法 - Google Patents
光メモリ素子の光照射方法Info
- Publication number
- JPH0527378A JPH0527378A JP17993791A JP17993791A JPH0527378A JP H0527378 A JPH0527378 A JP H0527378A JP 17993791 A JP17993791 A JP 17993791A JP 17993791 A JP17993791 A JP 17993791A JP H0527378 A JPH0527378 A JP H0527378A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- recording
- erasing
- optical memory
- pattern
- Prior art date
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- Pending
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 消し残りを生じることなく消去できる光メモ
リ素子の光照射方法を提供する。 【構成】 予め2本に分けた消去用ビームA,Bを対物
レンズ5を通し、記録トラック上で合成する。合成は、
合成ビーム形状が楕円であり、その長軸が記録方向yと
垂直な方向xになるように行う。このようなビームを使
い消去を行う。
リ素子の光照射方法を提供する。 【構成】 予め2本に分けた消去用ビームA,Bを対物
レンズ5を通し、記録トラック上で合成する。合成は、
合成ビーム形状が楕円であり、その長軸が記録方向yと
垂直な方向xになるように行う。このようなビームを使
い消去を行う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光メモリ素子の光照
射方法に関する。さらに詳しくは、フォトクロミック光
メモリ素子への情報の記録、再生、消去方法に関する。
射方法に関する。さらに詳しくは、フォトクロミック光
メモリ素子への情報の記録、再生、消去方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、高密度大容量メモリ素子への要望
が高まる中、光磁気メモリ素子や相変化型メモリ素子の
開発が盛んに行われている。最近、相変化型メモリ素子
としてフォトクロミック材料を記録材料として用いたも
のが研究開発されている。フォトクロミック光メモリ素
子は、一般にガラスまたはプラスチックから成る透明基
板上に、例えば、スプロピラン誘導体、フルギド誘導
体、ジアリールエテン誘導体などのフォトクロミック材
料を含む有機薄膜が形成され、必要に応じてその上にA
l, Auなどの金属反射膜が形成された構成である。上
記フォトクロミック材料は、一般的に、紫外光などの短
波長光を照射することで無色状態から可視光領域に吸収
をもつ着色状態に変わり、可視光照射により再び無色状
態に戻り、この変化は可逆的に生じる。フォトクロミッ
ク光メモリへの記録、再生、消去もこのような現象を利
用して行われ、従来、まず紫外光を前面照射して記録層
を着色状態にしておき、可視光を照射して情報を記録す
る。記録部分は無色状態になっているので、可視光で再
生すればコントラスト差として情報を読み取ることが出
来る。消去は紫外光を照射することにより無色部分を着
色状態に戻すことで行える。
が高まる中、光磁気メモリ素子や相変化型メモリ素子の
開発が盛んに行われている。最近、相変化型メモリ素子
としてフォトクロミック材料を記録材料として用いたも
のが研究開発されている。フォトクロミック光メモリ素
子は、一般にガラスまたはプラスチックから成る透明基
板上に、例えば、スプロピラン誘導体、フルギド誘導
体、ジアリールエテン誘導体などのフォトクロミック材
料を含む有機薄膜が形成され、必要に応じてその上にA
l, Auなどの金属反射膜が形成された構成である。上
記フォトクロミック材料は、一般的に、紫外光などの短
波長光を照射することで無色状態から可視光領域に吸収
をもつ着色状態に変わり、可視光照射により再び無色状
態に戻り、この変化は可逆的に生じる。フォトクロミッ
ク光メモリへの記録、再生、消去もこのような現象を利
用して行われ、従来、まず紫外光を前面照射して記録層
を着色状態にしておき、可視光を照射して情報を記録す
る。記録部分は無色状態になっているので、可視光で再
生すればコントラスト差として情報を読み取ることが出
来る。消去は紫外光を照射することにより無色部分を着
色状態に戻すことで行える。
【0003】上記以外にも、記録、再生、に紫外光を使
い、消去用には可視光を使うなどその組合せはいろいろ
考えられるが、一般的にフォトクロミック材料の感光波
長は短波長側では種類によらず300〜500nmに集
まっているのに対し、長波長側では400〜800nm
のあいだにある事から考えて、上記のように記録、再生
光を長波長光にしたほうが多重記録の可能性もあり発展
性がある。
い、消去用には可視光を使うなどその組合せはいろいろ
考えられるが、一般的にフォトクロミック材料の感光波
長は短波長側では種類によらず300〜500nmに集
まっているのに対し、長波長側では400〜800nm
のあいだにある事から考えて、上記のように記録、再生
光を長波長光にしたほうが多重記録の可能性もあり発展
性がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、可視光で記
録したビットを紫外光で消去する場合ビーム径が後者の
方で小さくなるため消し残りが生じるという問題があっ
た。これを防ぐ手段として消去ビーム径を大きくした
り、消去パワーを大きくすることが考えらえるが、光学
系が複雑になったり、高出力レーザが必要になるなど多
くの欠点がある。
録したビットを紫外光で消去する場合ビーム径が後者の
方で小さくなるため消し残りが生じるという問題があっ
た。これを防ぐ手段として消去ビーム径を大きくした
り、消去パワーを大きくすることが考えらえるが、光学
系が複雑になったり、高出力レーザが必要になるなど多
くの欠点がある。
【0005】この発明は、上記問題を解決するためにな
されたものであって、光学系が複雑にならず、高出力レ
ーザを必要とせずに消し残りを生じることなく消去でき
る光メモリ素子の光照射方法を提供しようとするもので
ある。
されたものであって、光学系が複雑にならず、高出力レ
ーザを必要とせずに消し残りを生じることなく消去でき
る光メモリ素子の光照射方法を提供しようとするもので
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、所定
の記録方向に順次円形パターンの記録用の光が照射され
たフォトクロミック光メモリ素子に、必要に応じて円形
パターンの再生用の光を照射して記録を再生した後、楕
円状のパターンの消去用の光をその長軸が記録方向と垂
直になるように順次照射して記録を消去することを特徴
とする光メモリ素子の光照射方法が提供される。
の記録方向に順次円形パターンの記録用の光が照射され
たフォトクロミック光メモリ素子に、必要に応じて円形
パターンの再生用の光を照射して記録を再生した後、楕
円状のパターンの消去用の光をその長軸が記録方向と垂
直になるように順次照射して記録を消去することを特徴
とする光メモリ素子の光照射方法が提供される。
【0007】この発明においては、所定の記録方向に順
次円形パターンの記録用の光が照射されたフォトクロミ
ック光メモリ素子が用いられる。上記フォトクロミック
光メモリ素子は、公知の方法によって作製し、消去用の
光と同様の波長の光を露光させ、これに記録用の光を照
射し明暗パターンの記録をして用いることができる。消
去用の光と同様の光及び記録用の光は、フォトクロミッ
ク光メモリ素子を構成するフォトクロミック材料の感光
特性によってその波長が選定される。
次円形パターンの記録用の光が照射されたフォトクロミ
ック光メモリ素子が用いられる。上記フォトクロミック
光メモリ素子は、公知の方法によって作製し、消去用の
光と同様の波長の光を露光させ、これに記録用の光を照
射し明暗パターンの記録をして用いることができる。消
去用の光と同様の光及び記録用の光は、フォトクロミッ
ク光メモリ素子を構成するフォトクロミック材料の感光
特性によってその波長が選定される。
【0008】それぞれの波長は、消去用の光と同様の光
が通常300〜500nmであり、記録用の光が通常4
00〜800nmである。また、記録用の光は、フォト
クロミック光メモリ素子上に所定の記録方向に順次円形
パターンで照射される。この円形パターンの直径は、通
常0.5〜1.4μmである。この発明においては、必
要に応じて円形パターンの再生用の光を照射して記録を
再生する。再生用の光は、記録用の光と同様の波長で円
形パターンを有するものが用いられる。
が通常300〜500nmであり、記録用の光が通常4
00〜800nmである。また、記録用の光は、フォト
クロミック光メモリ素子上に所定の記録方向に順次円形
パターンで照射される。この円形パターンの直径は、通
常0.5〜1.4μmである。この発明においては、必
要に応じて円形パターンの再生用の光を照射して記録を
再生する。再生用の光は、記録用の光と同様の波長で円
形パターンを有するものが用いられる。
【0009】この発明においては、楕円状パターンの消
去用の光をその長軸が記録方向と垂直になるように順次
照射して記録を消去する。上記消去用の光は、記録を消
去するためのものであって、消し残しなく消去できるも
のがよく、楕円状パターンにしてその長軸が記録方向と
垂直になるように照射される。
去用の光をその長軸が記録方向と垂直になるように順次
照射して記録を消去する。上記消去用の光は、記録を消
去するためのものであって、消し残しなく消去できるも
のがよく、楕円状パターンにしてその長軸が記録方向と
垂直になるように照射される。
【0010】消去用の光の波長は、記録及び再生用の光
より短いのが良く、通常300〜500nmである。楕
円状パターンは、記録を消し残しなく消去するためのも
のであって、消去用の光の照射される巾が記録の巾より
も十分に大きくできるのがよい。消去用の光が照射され
る巾は、楕円パターンの長軸の巾に対応させるのがよ
く、長軸が記録方向と垂直になるように順次照射するこ
とによって設定することができる。
より短いのが良く、通常300〜500nmである。楕
円状パターンは、記録を消し残しなく消去するためのも
のであって、消去用の光の照射される巾が記録の巾より
も十分に大きくできるのがよい。消去用の光が照射され
る巾は、楕円パターンの長軸の巾に対応させるのがよ
く、長軸が記録方向と垂直になるように順次照射するこ
とによって設定することができる。
【0011】また、楕円状パターンは、複数の円形パタ
ーンの光を部分的に重ねることによって形成することが
できる。重ねる円形パターンの数は、通常2個である。
ーンの光を部分的に重ねることによって形成することが
できる。重ねる円形パターンの数は、通常2個である。
【0012】
【作用】複数の円形パターンの光を部分的に重ねること
によって楕円状パターンの消去用の光が形成され、楕円
状パターンの消去用の光がその長軸を記録方向と垂直に
なるように順次照射されることによって、記録巾よりも
十分に大きい巾で消去用の光が照射され、記録の消し残
りを解消する。
によって楕円状パターンの消去用の光が形成され、楕円
状パターンの消去用の光がその長軸を記録方向と垂直に
なるように順次照射されることによって、記録巾よりも
十分に大きい巾で消去用の光が照射され、記録の消し残
りを解消する。
【0013】
実施例1
図を用いてこの発明の実施例を説明する。図2に示すよ
うな光学装置により記録、消去及び再生の実験を行っ
た。記録は、波長633nmのHe−Neレーザ11を
用い、変調器15により変調された光をミラー18で反
射させ、対物レンズ5を通して光ディスク20に照射し
て行った。消去は、波長458nmのArレーザを用
い、レーザ光はビームスプリッター13で2つのビーム
に分け、ひとつを光偏光器14を通した後もう一方のビ
ームと合わせ対物レンズ5を通して光ディスク20に照
射して行った。再生は、光量を小さくしたHe−Neレ
ーザ光を用いディスクからの反射光をディテクタ16で
検知して行った。
うな光学装置により記録、消去及び再生の実験を行っ
た。記録は、波長633nmのHe−Neレーザ11を
用い、変調器15により変調された光をミラー18で反
射させ、対物レンズ5を通して光ディスク20に照射し
て行った。消去は、波長458nmのArレーザを用
い、レーザ光はビームスプリッター13で2つのビーム
に分け、ひとつを光偏光器14を通した後もう一方のビ
ームと合わせ対物レンズ5を通して光ディスク20に照
射して行った。再生は、光量を小さくしたHe−Neレ
ーザ光を用いディスクからの反射光をディテクタ16で
検知して行った。
【0014】使用した光ディスクは図1に示すように、
案内溝4を形成したガラス基板1上にジアリールエテン
系フォトクロミック材料をアクリル樹脂膜中に分散させ
た記録膜2を形成し、その上にAl反射膜3を蒸着法に
より形成したものである。このような光メモリ素子に、
He−Neレーザ光(波長633nm)によりビットを
記録し、次にArレーザ光(波長458nm)を上記の
ような光学系で2つの光A,Bに分け、同じ対物レンズ
5を通して楕円パターンの光7を作った。ここで、楕円
の長軸が記録方向yと垂直な方向xになるように上記2
つの光を並べており、2つの光間距離dは合成した光の
形状が楕円になるように光偏向器を調節して決定した。
このような光で上記記録ビット6を消去したところ、消
し残しなく消去ができた。尚、上記実施例において記
録、再生には波長633nmのHe−Neレーザ、消去
には波長458nmのArレーザを用いたが、波長及び
光源の種類はこれに限るものではなく、フォトクロミッ
ク現象を生じる2つの波長光のうち短波長光を消去に、
長波長光を記録、再生に用いれば良い。 実施例2 実施例1において消去用の光として、半導体レーザにS
HG素子を組合せたものを使い、光のパターン形状が楕
円状である短波長レーザ光を得た。この光を、その光パ
ターンが楕円状のまま対物レンズを通してフォトクロミ
ック光ディスクに照射した。このとき、楕円状の向き
は、長軸が記録方向と垂直であるようにした。このよう
な光で記録ビットを消去したところ消し残しなく消去が
できた。
案内溝4を形成したガラス基板1上にジアリールエテン
系フォトクロミック材料をアクリル樹脂膜中に分散させ
た記録膜2を形成し、その上にAl反射膜3を蒸着法に
より形成したものである。このような光メモリ素子に、
He−Neレーザ光(波長633nm)によりビットを
記録し、次にArレーザ光(波長458nm)を上記の
ような光学系で2つの光A,Bに分け、同じ対物レンズ
5を通して楕円パターンの光7を作った。ここで、楕円
の長軸が記録方向yと垂直な方向xになるように上記2
つの光を並べており、2つの光間距離dは合成した光の
形状が楕円になるように光偏向器を調節して決定した。
このような光で上記記録ビット6を消去したところ、消
し残しなく消去ができた。尚、上記実施例において記
録、再生には波長633nmのHe−Neレーザ、消去
には波長458nmのArレーザを用いたが、波長及び
光源の種類はこれに限るものではなく、フォトクロミッ
ク現象を生じる2つの波長光のうち短波長光を消去に、
長波長光を記録、再生に用いれば良い。 実施例2 実施例1において消去用の光として、半導体レーザにS
HG素子を組合せたものを使い、光のパターン形状が楕
円状である短波長レーザ光を得た。この光を、その光パ
ターンが楕円状のまま対物レンズを通してフォトクロミ
ック光ディスクに照射した。このとき、楕円状の向き
は、長軸が記録方向と垂直であるようにした。このよう
な光で記録ビットを消去したところ消し残しなく消去が
できた。
【0015】
【発明の効果】この発明によれば、消し残しなく消去が
行える光メモリ素子の光照射方法を提供することができ
る。
行える光メモリ素子の光照射方法を提供することができ
る。
【図1】この発明の実施例で用いた光メモリ素子の消去
用の光(楕円パターン)の照射工程の説明図である。
用の光(楕円パターン)の照射工程の説明図である。
【図2】この発明の実施例で用いた光メモリ素子の光照
射装置の説明図である。
射装置の説明図である。
1 ガラス基板
2 フォトクロミック記録層
3 反射膜
4 案内溝
5 対物レンズ
6 記録ビット
7 消去用の光
Claims (3)
- 【請求項1】 所定の記録方向に順次円形パターンの記
録用の光が照射されたフォトクロミック光メモリ素子
に、 必要に応じて円形パターンの再生用の光を照射して記録
を再生した後、楕円状のパターンの消去用の光をその長
軸が記録方向と垂直になるように順次照射して記録を消
去することを特徴とする光メモリ素子の光照射方法。 - 【請求項2】 消去用の光が、記録及び再生用の光の波
長よりも短い波長である請求項1の方法。 - 【請求項3】 消去用の光が、複数の円形パターンの光
を部分的に重ねることにより形成された楕円状パターン
である請求項1の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17993791A JPH0527378A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 光メモリ素子の光照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17993791A JPH0527378A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 光メモリ素子の光照射方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0527378A true JPH0527378A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16074548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17993791A Pending JPH0527378A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 光メモリ素子の光照射方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0527378A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61206926A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | Nec Home Electronics Ltd | 光学式記録情報の消去方法およびその装置 |
JPS6366543A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Ricoh Co Ltd | 光記録方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP17993791A patent/JPH0527378A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61206926A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | Nec Home Electronics Ltd | 光学式記録情報の消去方法およびその装置 |
JPS6366543A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Ricoh Co Ltd | 光記録方法 |
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