JPH01503501A - 光学的情報記憶 - Google Patents

光学的情報記憶

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JPH01503501A
JPH01503501A JP63504414A JP50441488A JPH01503501A JP H01503501 A JPH01503501 A JP H01503501A JP 63504414 A JP63504414 A JP 63504414A JP 50441488 A JP50441488 A JP 50441488A JP H01503501 A JPH01503501 A JP H01503501A
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ウォーレス,スティーブン・チャールズ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光学的情報記憶 本発明は、例えばオーディオ形式、ビデオ形式若しくはコンピュータ形式の情報 の光学的記憶に関する。 光学的記1は、ミ気的若しくは他の情報記憶方法に対 して多くの重要な利点を提供することがよく知られている。
光学的方法は、一般に情報記憶密度が極めて高く且つ寿命が極めて改善される。
情報が一旦書き込まれると決して変更されない状況においては、光学的情報記憶 は既に大きい商業的存在性を有する。例えば、オーディオの分野においては、所 謂コンパクトディスク(CD)がかなりの成功を収めており、一つの例として有 効に議論することができる。異なる製造業者によるCD間にはかなりの統一性が あり、従って、一つのCD技術について説明することは実用的である。事実、現 存するCD標準をWr謂CD−ROMを作る非オーディオ情報の記憶にまで拡張 する拡張計画がある。
一般的なCDは、その表面に成形された螺旋状若しくは同心円状の小さなピット 列を有するポリカーボネートの円板(ディスク)からなる。これらのピットは、 一般的に0,12μmの深さを有する。該ディスクの成形された表面は反射性の 金属層によって被覆され、該ディスクはレーザービームを該ポリカーボネートを 介して該反射層に導くことによって読み取られる。一般的状況においては、反射 光はピットとビット間のランド表面とを区2すすべく測定される。当業者はコー ド化された二進情報がタイミング信号、誤差補正コード等を含んでいることを理 解しているけれども、該二進系は記憶された情報を示す。
CDの高い記憶容量(通常、500メガバイト)は、該ポリカーボネート及び該 反射層に形成されるピットを注意深く設計することによってのみ達成されること に注意するは重要である。読み取ろうとするレーザの波長λに対して、各ピット の深さは距離λ/4に相当するようになっている。従って、ピットを通過し反射 されるレーザ光と、すぐ隣のランドを通過して反射されるレーザ光との位相差は λ/2となるであろう。弱め合う干渉が起こり、ピットの端縁が極めて正確に検 知できる。
一つの提案(WO−A−$610045B)においては、該CDのピットの代わ りにフォトレジスト層内にエツチングされ且つ例えばポリエステル樹脂若しくは 液体を満t;シた“ホール(孔)″を使うこともできる。該フォトレジスト及び ポリエステル樹脂若しくは液体の屈折率は、CDにおいて利用される場合と同じ 弱め合う干渉効果を提供すべく選択される。この提案は、通常のCDよりも製造 を容易にすることを目的としたものであるが、実施できたとは信じられない。
CDは、これまで製造されてきた読取り専用光ディスクの唯一の形式ではなく、 更に多くのものが開発途上にある。例えば、所謂ビデオディスクは商業的に入手 可能である。これらは、基本的にアナログ形式の情報を記憶する。更に、ホログ ラフ技術によってデジタル情報を記憶することが提案されており、該ホログラフ 技術においては、デジタル情報を表す像が最初に作られ、次いでホログラフ・フ ィルム若しくは他の適当な光学媒体に像のホログラムが形成される。
もちろん、極めて多くの用途、例えばコンビエータ分野における用途があり、コ ンピータ分野においては、末端ユーザは連続する長い期間記憶するために情報を 書き込むことを必要とするか、あるいは情報をしばしば更新する必要がある。斯 る用途の多くは現在のところ磁気的ff報記憶方法によってなされている。しか しながら、WORM(writConce rtad many timts) という頭文字の下に先の機能を提供する光学的方法が開発されている。例えば、 制御されたレーザビームによって反射層が焼成されてピットが形成され、引き続 いてCDと同様の方法で該ピットを読み取ることができるWROMシステムがつ くられている。現状では、WROM素子は高価であり、通常のCDディスクより も信号/雑音比が低い。情報の消去及び書き換えができる光学的方法が多くの製 造業者によって開発されつつあるが、解決すべき重要な問題が残っている。極め て多くのケースにおいては、該問題点は、該方法が熱的に励起されるということ がら発する。
発色物質として知られている物質の情報記憶に対する可能性を調査する研究がな されている。これらは、放射線を吸収する際に異なりt;放射線吸収特性を有す る2つの状態量変化を受ける物質として広く定義することができる。フルギド及 びフルギマイド七して知られているある種の化合物は、おそらく有効な発色物質 を提供するものであることが確認されており、この点に関して、英国特許第14 G4603号、第1600615号、第2 N2752号及び第2051 N3 号並びにrsPIEの処理」−光学技術のための国際学会(TIIE INTE RNATIONAL 5OCIETY FOR0PTICALENGINEER 1NG)420巻、1983年6月6−1o日、186−193頁が参考とされ る。著しい吸収シフトを示し且つ熱的に安定した発色性フルギドが開発されてい る。また、都合がよいことには、該発色物質を一つの光学形態から他の光学形態 へ変化させるのに必要な波長は、レーザによって作ることができる波長と一致す る。
上記略述し!:ように、発色性フルギドはホログラフ情報記憶方法における銀ハ ライド・フィルムの代替品として用いることができることが示役されている。f f報の書き換えができるという利点は、欠点、そのうち最も重要なものは光学的 利得を欠くことであるが、を十二分に補うと考えられる。一つの7tトンによっ て銀ハライド・フィルム内に完全な銀粒子を形成することができるけれども、一 つのフォトンは発色性物質内の一つの分子を移動させることができるだけである 。
発色性フルギドにおける該2つの光学的形態は、その吸収だけでなく屈折率も互 いに異なることが確認されている。該2つの光学的形態間の重要な屈折率の差は 、該2つの吸収帯の外にあり、その結果、大きな位相に大きく寄与するホログラ ムを形成することができ、これは、発色物質が変形態において吸収しない波長に おいて再形成することができる。しかしながら、種々の形成及び再形成波長に注 意すると、ホログラムの再形成程度が低下するということはこの研究の問題点で ある。この可能性は、最大吸収波長において若しくはその近辺で該発色物質が読 み取られる場合に起こる漸増的未変化状態への復帰を解消する手段として示衰さ れている。
本発明の目的は、誤差が少ない大記憶容量を提供する改良された光学情報記憶方 法を提供することである。更に、情報の消去及び書き換えが可能な改良された光 学情報の記憶方法を提供することを目的とする。
本発明は発色物質における2つの形態間の屈折率の差を利用しており、そして便 宜上、斯る特性を一般的に光誘起分散変化(photo−i+++!uced  dispersion chide)と称している。
本発明に従って、波長ノ、において放射線を吸収すると屈折率の異なる熱的に安 定した変化状態へと可逆的に変化可能な光誘起分散変化CPIDC)物質を用い た光学情報記憶方法が提供され、 該方法は、PIDC物質の選択された特定の領域内の少なくともあるPIDC物 質を変化状態へ移行させて各領域とそれのすぐ周辺のPIDC物質との間に屈折 高1の差を作るべく、波長ノ、の放射線ビームを前記PIDC物質の選択された 特定領域に導くことからなる書き込み工程と、 前記領域に波長λ、の放射線ビ ームを連続的に導きPIDC物質の経路長りを通る放射線を測定することからな る読取り工程とからなり、 該PIDC物質内の前記領域の配列が前記情報を表し、δ。
とLは、前記領域のいずれが及び該領域のすぐ周辺のPIDCを通過する放射線 間に実質的にnλ、/2の位相差があるように選択され、二二In、nは奇数で ある。
このようにして、本発明は各領域端縁において弱め合う干渉を提供することが認 識できる。従って、各領域が正確に検知され、高密度の記憶が可能となる。
本発明による方法において1=、情報がデジタル形式で、すなわちホログラフ清 報記憶方法のように中間の像形成段階がなく、直接記録されることは重要である 。更に、本発明の方法においては、読取り波長は書き込み波長と独立している。
吸収されない波長】、での情報の読取りが可能であり、その結果、記憶された情 報を害することなくおそらく無限の読取り動作をなすことができる。
特定の読取り波長に対する該光誘起分散変化(PIDC)物質における2つの光 学形!!閘の屈折率の変化は公知であり、従って、該PIDC物質内の読取り波 長の経路長を選定することができる。最も一般的な構成においては、該PIDC 物質は反射において使用される。すなわち、該物質の境界において反射前及び後 の両方で光が該PIDC物質内を透過する。反#!、境界それ自体はCD方式に おけるピットの如き情報記憶記号は含まない。該反射境界は金属層である必要は なく、例えば、PIDC物質と、異なる屈折率の物質との間に誘電体被覆の如き 境界面を有することができる。該反射境界を、ある波長において部分的透過芳し くは全体的透過となるように設計することができる。このことは、対向面からの 該PIDC物質の読取り及び書き込みという極めて重要な可能性を開示している 。
記憶情報の消去は、適当な波長の光を前記変化状態にある領域に照射して変化を 逆戻りさせることによってなすことができる。消去は、ばらばらに、すなわちよ り一般的には、選択しI;各領域に対してなすことができる。
書き込み(λ、)、読取り(λ7)及び消去(λハに用いられる波長は、該PI DC物質によって広く支配され、実際上は、市販のレーザ・ダイオードの波長に 合うように選択するこ°とができる。レーザ・ダイオード励起稀土類面体レーザ を採用することが便宜である。
該物質全体を変化状態に変化させる励起工程が書き込み工程に対して先行するこ とは、当然理解されるであろう。書き込みがなされる領域は、次いで、部分的若 しくは全体的に元の状態へと復帰するであろう。
該書き込みレーザ・ビーム内の各入射フォトンは、吸収されると該PIDC物質 内の1つの分子を移動させるので、書き込み用入射放射線束を有効に制御して該 PIDC物質内の各特定領域に所望の2つの光学形態量分子比率を付与すること ができる。従って、該2つの光学形態間における全変化によって得られる屈折率 変化の中間の有効屈折率シフト?、を作ることが可能であると考えられる。本発 明の1つの重要な例においては、この研究は、通常該PIDC物質の厚みによっ て決定される経路長しにおいて検知された変化を補償すべく、該薔き込み段階中 に?、を変化させるようにすることができる。従って、ある場合には該書き込み ビームの透過によって光学的密度を測定することができ、該光学的密度は厚みを 指示するものとしての役割を果たす。検知された厚みに応じて該書き込みビーム のパルス間隔を適当に増加するか若しくは減じる。
このようにして、該PIDC方式の厚みの製造上の許容誤差を安全に減じること ができる。もう一つの場合においては、#、を制御することによってPIDC物 質の厚みを他の基準と間係なく理想化することができる。
本発明の一つの目的は、従来のCD方法と互換性のある情報の光学的記録方法を 提供することであり、例えば一定の場合に、本発明による方法によって記録され たディスクを現存のCDプレーヤによって読み出すことができる。例えば、CD と機械的に等価であり且つ近赤外において読み出すことができるディスクを提供 することが提案される。対向面から読取り若しくは書き込みをする上記のオプシ ョンを用いると、通常用いられるポリカーボネート基板において吸収されるとい う開題もなくvVにおいて書き込むことができる。
本発明を更に説明するに際して添付図面を参照することは有用である。図中、第 1図は本発明においての使用i;適したPIDC物質の吸収スペクトルと屈折率 の差を示すグラフであり、第2図は本発明lこよる光学情報記憶媒体を示す図で あり、第3.4及び5図は本発明l:よる情報記憶媒体の別の形態を示す図面で ある。
本発明による方法において用いることができるPIDC物質の1つの例は7.7 l−DBBFである。この物質の構造及び発色性を下に示す。
ここで、Xは酸素であり、Rはシクロプロピルである。
該化合物は、約400nmまでのUv波長を吸収すると発色した発色体に変化し 、略400ないし600nmの範囲の可視波長l二おいて逆の変化が起こる。該 2つの形態の吸収スペクトルを第1図に示す。該2つの形態間の屈折率の差を同 図に示す。
第2!において、遠心コーティング、フィルム付着若しくは他の適当な方法によ って付着されたPIDC物質の層12を担持する基板10を有する光ディスクを 図示する。
該PIDC物質は、ポリメチルメタクリレート若しくは他の適当な透明マトリッ クス内に7.7a−DBBF化合物の溶液を含む。該pjpC層を被覆するのは 、約630nmの波長において反射され且つ約500nmの2.を透過すべく当 業者に自明の方法によって選択される誘電体被覆14である。該誘電体被覆を覆 って適当な保護層が付着せしめられる。
該PIDC物質は350ないし390nm%好ましい寅蒐例においては366n m、のUVを照射することによって励起される。これによって該P!DC物質は より発色した発色体に変化する。
514nmで作動するレーザを用い且つ該誘電体被覆を通過する方向において情 報がディスクに普き込まれる。
第2区に図示するように、該書き込みビームの効果は、該ビームの断面内にある PIDC物質の一部若しくは全てを低発色形態へと褪色若しくは変化させること である。書き込みビーム束が十分な場合には、領域すなわちドツト18内にある 全てのPIDC物質が褪色せしめられるであろう。このようにして、領域18と そのすぐ周りの領域間に屈折率変化2.が付与され、該?、の値はマトリックス 内のPIDC物質の濃度によって支配される”。一般的には、屈折率の1ないし 3パーセントの変化が得られる。該7.78−DIIBF化合物を褪色せしめる ための量子効=は(トルエン溶液中において)波長546nmで約13%である ことが測定された。この点については、′特別刊行物No、60:化学の英国学 士院工業部門ファインケミ力、ル及び医薬グループ編成のシンポジウムの会報− 編集者ビー・パンフィールドCP、Bamfield) −1986−1201 35頁”が参考となる。該褪色のだめの量子効率は波長を減少に応じて減少し、 従ってより近い500nmが好ましいと考えられる。 情報は、レーザを用いて 633nmの波長においてポリカーボネート基板を通して読み取られる。読取り レーザビームは該誘電体被覆によって反射され且つ該PIDC物質内において厚 みdの2倍に等しい物理的経路長りを有することが分かる。該PIDC物質は読 取り波長において大きな吸収を持たないことが第1図から分かる。
書き込みドツトの端縁においては、読取り波長λ7、物理的経路長り及び屈折率 差δ、によって決定される反射ビーム内の位相差があり、該屈折率差はもちろん 波長の関数である。本発明に従って、これらのパラメータは、該ドツトの端縁の 各側において反射されるビーム間に略λ/2の位相差があるように選択および設 計される。弱め合う干渉が起こり、容易に検出できる該反射ビームの振りの変化 が得られるであろう。
n2/2の位相差を用いるのが便利な場合は、これを適宜用いることができるこ とは理解されよう。
媒体の対向両面において読取り及び書き込みがなされるような設計は、基板が唯 一の波長を透過できることが必要であるという利点を有する。もし所望ならば、 現存の読取り専用方法との互換性を更に簡単に達成することができる。記録を助 けるべく、書き込みヘッドは好ましくj二制@読取りヘッドと結合される。消去 は各側からなすことができる。該基板の透過性に閘題がない状況、すなわち適切 な状況においては、該基板を通して読取り、書き込み及び消去の全てができる。
あるいは、対向両面から読取り、書き込み及び消去の全てができる。
読取り、書き込み及び消去(そして、適当な場合には制御読取り)l;必要な波 長は、ダイオード・レーザ若しくはダイオード・レーザ励起稀土類固体レーザに よって便宜的に発生させる。おおまかに言えば、読取り及び消去ビームが共通の ヘッドC8いて発生される場合には、1つのレーザの異なる調波周波数を用いる と便利である。
例えば、N+!:Yaxレーザの第2高調波(355n m)及び第3高調波( 532nm)がある。
一般的なCDと等しい情報記″!!密度を得るためには、1ミクロン以下の大き さのドツトを書き込むことが望ましい。書き込みレーザビームの強度の慣方向の 広がり:=略ガウス分布であり、本発明の他の特徴によれば、該書き込まれたド ツトの横方向の大きさがビームの全幅よりも小さくなるように各段階がふまれる 。 本発明におけるこの特徴l:従って、第2図における保夏層は例えばローダ ミン6Gの如き飽和可能な吸収剤を含む。該飽和可能な吸収剤は、書き込み波長 において、該2つの状態が等しい母集団を有する出力レベルに達するまで光を強 く吸収するニネルギ状態を有する。その後、吸収は抑圧される。
該吸収剤の飽和出力Pは、 によって与えられる。ここl:、 Q=ビームの断面積、 To−低束条件下での透過度 l−吸収断面 r−基底状態の再充満l二対する励起状態の寿命である。
これらのパラメータの代表的な値を選んだ場合に、飽和出力レベルはIli70 mWと計算できる。該吸収剤内における書き込みビームの吸収は、 によって決定され、ここに、Xは運行距離であり、Nl+N、は各々励起状態及 び基底状態の母集団である。等しps母集団において(=、明らかに正味吸収が ない。ビームの強度は、 に従って半径Rで減衰するので、該飽和出力はガウス分布のそで邪が著しく減衰 するように選ばれる。0.91゜以下で吸収が起こる設計の場合には、有効ビー ム半径はL23W、まで減少した。このようにして1ミクロン以下の書き込みが 解決できる。
別の例においては、同じPIDC物質を用い、次に示す読取り/書き込み/消去 の方法を採用した。
355 nmで書き込み 633nmで読取り 532nmで消去 言い換えれば、予備発色工程!=なく、該p+Dcが発色されて書き込みがなさ れ褪色せしめられて消去がなされる。
この設計の場合には、該飽和吸収剤として他の染料レーザ分子を用いることがで きる。
%jのPIDC物質は、Xが酸素の代わりにS若しくはNPbであるか、又はR がンクロプロピルの代わりにメチルである同じ一般式(1)を有することができ る。更に別のP!DC物質を当業者j=25到できるであろうし、これに関して は、)北会報、第130巻、第!f4、No、5.19E3年10月、“耐疲労 発色性形像有機物質(Or(anic FatiyHne−Resistant PbotoChroIIlie Imaging kfterials)”が参 考となる。
他の適当なPIDC物質を用いた更に2つの方法として次に示すものがある。
1■ 置きによって励起 400nmで書き込み 660nmで書き込み780nmで読取り 780nm で読取り660nmで消去 励起して消去 これらは従来のCDと罠様に近赤外に3いて読取りができるという利点を有する 。
更に他の実施例として本発明による3りの構造を示す第3!を参照する。
第3!に示す構造は、方法lを採用しており、約400nmで発色し且つ約66 0nmで漂白するPIDC物質層30を有する。適するP!DC物質は構造式( 1)を有しX−NPbのものである。ポリカーボネート基板32とPIDC層3 0との間には、約660nm及び780nmに透過ウィンドを有し且つ該ウィン ド以外では反射する誘電体層34が挟設されている。PIDC層の反対側には、 約400nmまでを透過しそれ以上の波長を反射する別の誘電体層36が設けら れている。読取りは780nmでなされる。
情報を書き込むためには検索手段を設ける必要がある。
従来のWORM方法においては、トラッキングのだめの機械的な溝が設けられて いる。本発明による光ディスクにおいても同様の方法を用いることができ、この 点に関しては第4図を参照され!こい。該図は、トラッキング及びフォーカシン グ溝が形成され且つ誘電体層24によって被覆された上側ポリカーボネート・デ ィスク層2oを示す。これは、400nmで透過し780nmで反射(70−8 0%)する。ポリカーボネ−1〜及び他の適当なポリマーからなる下側ディスク 層26が設けられ、これ:ま750nm以下の波長において不透明である。これ はPJDC層28を担持する。示唆された製造方法においては、上側ディスク層 20には溝が切られ、次いで誘電体層24が真空蒸着される。 PIDCJI  28が下側ディスク層上に遠心被覆され、次いで該2つのディスク層が接着され る。該接着が光学的特性を有することを保証するように注意が払われる。第4図 に示すようt二、該ディスクは上側から約400nmで書き込み及び消去される 。書込み及び消去間瀝接読取り結合ヘッド(DRDW五)が設置づられている。
これは、書き込み直後及び読取りの直前、直後l:セグメントを確かめることが できるという大きな利点を有する。
これは、寅際には本発明に従って書き込みの直後に読取り可能な言己録が形成さ れることt;よって可能となる。
従来のCD読取りヘッドにおいては、780nmで読取りがなされる。日光から 保護するために不透明カバーが設けられる。該カバーはディスクを読取り/書込 み器に挿入する前に手動によって取り外すか、あるいは適当に設計されたカバー を自動的に引っ込ませる機構を設けることもできる。
トラッキング溝の外にセグメント認識ニードがディスクに書き込まれる。
本発明の他の特徴に従って、PIDC物質自体に溝を設ける。第5図を参照され たい。PIDC物質50には、該物質が励起されると谷52にお(プる位相遅れ が一/4であり山54の位相遅れがλ/2であるように溝が切られている。
そして、この谷は非反射性であり、その頂点は高い反射性を有し、その結果、溝 が容品に検出されてトラッキングができる。上記の方法t:よって谷にドツトが 書き込まれる。P!DC物質は、弱め合う干渉がおこるように該ドツト領域と周 囲の各領域との間に屈折率の差を与えるべく褪色せしめられる。
この実施例においては、アルミニウム反射層56が採用されており、読取り/書 込み/消去が全て該ディスクの同じ側からなされる。必要ならば、PIDC物質 の上を覆って飽和可能な吸収剤を伺力口することができる。しかしながら、溝構 造によって検知される記憶密度は低いので吸収剤は必要ではないであろう。
別の構成においては溝は必要でなく、トラッキングは初期に書き込まれた螺旋を 検出することによるであろう。
このことは、従来の漬方式よりも製造上大きな利点がある。認識マークは、連続 的に書き込まれた情報に沿ってディスク上に残すことができることは理解できる であろう。あるいは、各セグメントが書き込まれる際j;該検索マークを消去す る。消去工程によって十分な量の検索マークが残されることが保証されるであろ う。
本発明を実施例のみによって説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく種々 の変形が可能である。従って、例えば、特定して説明したもの以外の他のPID C物質を用いることができる。光ディスクを参考にしたが、本発明は一つの構造 形式に限定されるものではなく、ウェハー、カード及び三次元配列は他の可能性 を表すことが認識されべきである。
浄N(内容に変更なし) 手続補正書 1、事件の表示 PCT/GB88100423 2、発明の名称 光学的情報記憶 3、補正をする者 名 称 トラクソン・リミテッド 4、代理人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目2番1号新大手町ビル 206区 5、補正の対象 (1)出願人の代表音名を記載した国内書面(2)委任状及び翻訳文 (3)図面翻訳文 6、補正の内容 国際調査報告 、++*mnasw’ 11111.11!。、エ フ:++’G三 εE/: 04二3国際調査報告 G巳 ε三こ0123

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.波長λwにおいて放射線を吸収すると屈折率の異なる熱的に安定した変化状 態へと可逆的に変化可能な光誘起分散変化(PIDC)物質を用いた光学情報記 憶方法であって、 前記PIDC物質の選択された特定領域内の少なくともあるPIDC物質を変化 状態へ移行させて各領域とそれのすぐ周辺のPIDC物質との間に屈折率δnの 差を作るべく、波長λwの放射線ビームを前記特定領域に導くことからなる書き 込み工程と、 前記領域に波長λrの放射線ビームを連続的に導くごと及び前記PIDC物質の 経路長Lを通る放射線を測定することからなる読取り工程とからなり、 前記PIDC物質内の領域の配列が前記情報を表し、前記δnとLは、前記領域 のいずれか及び前記領域のすぐ周辺を通過する放射線間に実質的にnλr/2の 位相差があるように選択され、ここに、nは奇数である、光学情報記憶方法。
  2. 2.前記変化状態を元に戻すべく前記領域に波長λcの放射線を導くことからな る消去工程を更に含む第1請求項記載の光学情報記憶方法。
  3. 3.前記PIDC物質が前記λwにおける実質的な吸収を持たない第1若しくは 第2請求項記載の光学情報記憶方法。
  4. 4.前記PIDC物資は波長λrで実質的に透過性の基板上に担持され、前記読 取り工程は前記基板を通して波長λrの放射線ビームを導くことからなり、前記 書き込み工程は、波長λwの放射線ビームを最初に前記基板を通過することなく 前記PIDC物質に導くことからなる、先行請求項のいずれか一の項に記載の光 学情報記憶方法。
  5. 5.前記PIDC物質の面のうち前記基板から遠い面に、波長λrにおいて実質 的に反射性であり且つ波長λwにおいて実質的に透過性の層が設けられている、 第4請求項記載の光学情報記憶方法。
  6. 6.前記書き込み工程が、前記各領域における前記PIDC物質の割合のみを変 えるべく前記書き込み用放射線の強度及び継続時間を制御することを更に含む、 先行請求項のいずれか一の項に記載の光学情報記憶方法。
  7. 7.前記書き込み工程が、前記経路長Lを連続的に測定すること及び前記書き込 み用放射線の強度及び継続時間を前記測定された経路長に応じて制御することを 更に含む、第5請求項記載の方法。
  8. 8.前記波長λwの放射線ビームが前記ビームの断面においてビーム軸から離れ たところで減衰する強度を有し、前記書き込み工程は、前記ビーム軸から離れた 放射線を吸収すべくなされた飽和可能な吸収剤を通して前記PIDC物質に前記 波長λwの放射線ビームを導くことを更に含む、先行請求項のいずれか一の項に 記載の光学情報記憶方法。
  9. 9.波長λrと異なる波長λwにおいて放射線を吸収するとλrで実質的に異な る屈折率を有する熱的に安定した変化状態へと可逆的に変化可能な光誘起分散変 化(PIDC)物質体を有する波長λwにて光学的に読取られるようになされた 情報記憶部材であって、 前記物質体の特定領域が選択され、該特定領域内の少なくともあるPIDC物質 は波長λwで放射線を吸収して前記変化状態へ変化し、前記領域とそれのすぐ周 辺のPIDC物質との間に波長λrで屈折率δnの差を作り、前記PIDC物質 内における前記領域の配列は記憶された情報を表し、 前記情報記憶部材は波長λrの放射線ビームに対して前記PIDC物質内に物理 的経路長Lを付与すべくなされ、n及びLは、前記領域及びそのすぐ周辺を通過 する放射線間に実質的に最大の干渉が起こるように選択されることを特徴とする 、情報記憶部材。
  10. 10.前記PIDC物質本体が基板上に担持されたPIDC物質の層からなる、 第9請求項記載の情報記憶部材。
  11. 11.波長λwの放射線をしきい出力レベルまで吸収すべくなされた飽和可能な 吸収体を更に含む、第9若しくは第10請求項記載の情報記憶部材。
  12. 12.ディスク状になされた第9ないし第11請求項記載の情報記憶部材。
  13. 13.円状若しくは螺旋状の光学的に読取り可能なトラックを更に含む、第12 請求項記載の情報記憶部材。
  14. 14.波長λrで実質的に反射性であり且つ波長λwで実質的に透過性である物 質体を更に含む、第9ないし第13請求項記載の情報記憶部材。
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