JPH0827944B2 - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH0827944B2 JPH0827944B2 JP60054123A JP5412385A JPH0827944B2 JP H0827944 B2 JPH0827944 B2 JP H0827944B2 JP 60054123 A JP60054123 A JP 60054123A JP 5412385 A JP5412385 A JP 5412385A JP H0827944 B2 JPH0827944 B2 JP H0827944B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pit
- laser spot
- cutting
- optical disc
- diameter
- Prior art date
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光デイスクおよびその製造方法に関する。
光デイスク原盤は、光デイスクのもとになるものであ
つて、光デイスクに転写しようとするピツトと同一の凹
凸がカツテイングされている。
つて、光デイスクに転写しようとするピツトと同一の凹
凸がカツテイングされている。
かかる光デイスク原盤のカツテイング手段としては、
従来より写真技術を応用したレーザカツテイングが知ら
れている。レーザカツテイングは、表面に感光面が形成
されたガラスあるいはプラスチツク製の基板に所要の情
報信号によって変調されたカツテイング用レーザ光を照
射し、このレーザ光照射部分を写真的手法によつて溶出
し、感光面に情報信号に応じた配列のピツトを形成する
方法である。
従来より写真技術を応用したレーザカツテイングが知ら
れている。レーザカツテイングは、表面に感光面が形成
されたガラスあるいはプラスチツク製の基板に所要の情
報信号によって変調されたカツテイング用レーザ光を照
射し、このレーザ光照射部分を写真的手法によつて溶出
し、感光面に情報信号に応じた配列のピツトを形成する
方法である。
ところで、かかる光デイスク原盤のレーザカツテイン
グ方法として、基板を定角速度回転し、カツテイング用
レーザ光を照射するカツテイングヘツドを当該基板の半
径方向に移動しながら前記感光面にカツテイング用レー
ザ光を照射し、前記感光面の周方向に所要の情報信号に
応じた感光パターンを形成する方法が知られている。こ
のカツテイング方法によると、基板をカツテイングヘツ
ドに対して定角速度回転しているため、基板とカツテイ
ングヘツドから照射されるカツテイング用レーザスポツ
トとの相対速度は、基板の回転中心からレーザスポツト
の照射中心までの半径に比例して大きくなる。即ち、同
じリミツタ波形の立上りの位相と立下りの位相に対応す
る前縁と後縁を有するピツトであつても、記録される領
域によつてピツト長さが変化するのである。感光面の露
光量は、カツテイング用レーザ光強度を一定とした場
合、照射時間に略比例して大きくなるので、一定のカツ
テイング用レーザ光強度で感光面を露光すると、基板の
半径位置によつて露光量が比例的に変化してしまう。そ
のため、例えば、記録領域の内周部に適合するように露
光量を設定すると外周部に露光不足を生じ、反対に記録
領域の外周部に適合するように露光量を設定すると内周
部において露光過剰になるといつた不具合を生ずる。感
光面に形成されるピツトの大きさは露光量に比例するか
ら、かかる露光方法ではピツトの大きさにばらつきを生
ずる。
グ方法として、基板を定角速度回転し、カツテイング用
レーザ光を照射するカツテイングヘツドを当該基板の半
径方向に移動しながら前記感光面にカツテイング用レー
ザ光を照射し、前記感光面の周方向に所要の情報信号に
応じた感光パターンを形成する方法が知られている。こ
のカツテイング方法によると、基板をカツテイングヘツ
ドに対して定角速度回転しているため、基板とカツテイ
ングヘツドから照射されるカツテイング用レーザスポツ
トとの相対速度は、基板の回転中心からレーザスポツト
の照射中心までの半径に比例して大きくなる。即ち、同
じリミツタ波形の立上りの位相と立下りの位相に対応す
る前縁と後縁を有するピツトであつても、記録される領
域によつてピツト長さが変化するのである。感光面の露
光量は、カツテイング用レーザ光強度を一定とした場
合、照射時間に略比例して大きくなるので、一定のカツ
テイング用レーザ光強度で感光面を露光すると、基板の
半径位置によつて露光量が比例的に変化してしまう。そ
のため、例えば、記録領域の内周部に適合するように露
光量を設定すると外周部に露光不足を生じ、反対に記録
領域の外周部に適合するように露光量を設定すると内周
部において露光過剰になるといつた不具合を生ずる。感
光面に形成されるピツトの大きさは露光量に比例するか
ら、かかる露光方法ではピツトの大きさにばらつきを生
ずる。
光デイスクから情報信号を読み出す場合の再生出力信
号レベルは、ピツトのサイズに関係し、詳細な計算は省
略するが、デイスクの屈折率をn1、再生用レーザ光の波
長をλとした場合、ピツトの深さｄがλ/4n1、ピツトの
幅Ｗが再生用レーザスポツトの直径2wの約1/3のときに
ピツトによる反射光量差、即ち再生出力信号レベルが最
大になる。従つて、感光面に形成されるピツトの大きさ
及び深さにばらつきがあると、この再生出力信号レベル
が変動し、情報の正確な再生が困難になつてしまう。
号レベルは、ピツトのサイズに関係し、詳細な計算は省
略するが、デイスクの屈折率をn1、再生用レーザ光の波
長をλとした場合、ピツトの深さｄがλ/4n1、ピツトの
幅Ｗが再生用レーザスポツトの直径2wの約1/3のときに
ピツトによる反射光量差、即ち再生出力信号レベルが最
大になる。従つて、感光面に形成されるピツトの大きさ
及び深さにばらつきがあると、この再生出力信号レベル
が変動し、情報の正確な再生が困難になつてしまう。
従来は、かかる不具合を防止するため、第９図に示め
すように、基板の回転中心からカツテイング用レーザス
ポツトの照射中心までの距離に比例して、ピツト部分の
露光強度40およびグルーブ部分の露光強度41を変化する
といつたカツテイング方法が採られている。
すように、基板の回転中心からカツテイング用レーザス
ポツトの照射中心までの距離に比例して、ピツト部分の
露光強度40およびグルーブ部分の露光強度41を変化する
といつたカツテイング方法が採られている。
従来のカツテイング方法は、光デイスク原盤に形成さ
れる最小ピツト長さがカツテイング用レーザスポツトの
直径よりも大きい領域においては、特別な問題を有しな
い。
れる最小ピツト長さがカツテイング用レーザスポツトの
直径よりも大きい領域においては、特別な問題を有しな
い。
しかしながら、最小ピツト長さがカツテイング用レー
ザスポツトの直径よりも小さい領域になると、第10図に
示すように、感光面の露光量が小さくなつて正確な情報
の記録が困難となるという問題がある。
ザスポツトの直径よりも小さい領域になると、第10図に
示すように、感光面の露光量が小さくなつて正確な情報
の記録が困難となるという問題がある。
この点に関してより詳細に説明すると、第10図は感光
面とカツテイング用レーザスポツトの相対速度を一定と
した場合のレーザスポツトの移動距離と感光面の露光量
の関係を示めすグラフであつて、横軸に感光面のレーザ
スポツト移動方向の座標、縦軸に感光面の露光量を目盛
り、直径0.6μｍのレーザスポツトを0.8μｍ移動した場
合のデータ42、直径0.6μｍのカツテイング用レーザス
ポツトを0.7μｍ移動した場合のデータ43、直径0.6μｍ
のカツテイング用レーザスポツトを0.6μｍ移動した場
合のデータ44、直径0.6μｍのカツテイング用レーザス
ポツトを0.5μｍ移動した場合のデータ45、直径0.6μｍ
のカツテイング用レーザスポツトを0.4μｍ移動した場
合のデータ46、直径0.6μｍのカツテイング用レーザス
ポツトを0.3μｍ移動した場合のデータ47、直径0.6μｍ
のカツテイング用レーザスポツトを0.2μｍ移動した場
合のデータ48、直径0.6μｍのカツテイング用レーザス
ポツトを0.1μｍ移動した場合のデータ49、グルーブの
露光量50を表示してある。
面とカツテイング用レーザスポツトの相対速度を一定と
した場合のレーザスポツトの移動距離と感光面の露光量
の関係を示めすグラフであつて、横軸に感光面のレーザ
スポツト移動方向の座標、縦軸に感光面の露光量を目盛
り、直径0.6μｍのレーザスポツトを0.8μｍ移動した場
合のデータ42、直径0.6μｍのカツテイング用レーザス
ポツトを0.7μｍ移動した場合のデータ43、直径0.6μｍ
のカツテイング用レーザスポツトを0.6μｍ移動した場
合のデータ44、直径0.6μｍのカツテイング用レーザス
ポツトを0.5μｍ移動した場合のデータ45、直径0.6μｍ
のカツテイング用レーザスポツトを0.4μｍ移動した場
合のデータ46、直径0.6μｍのカツテイング用レーザス
ポツトを0.3μｍ移動した場合のデータ47、直径0.6μｍ
のカツテイング用レーザスポツトを0.2μｍ移動した場
合のデータ48、直径0.6μｍのカツテイング用レーザス
ポツトを0.1μｍ移動した場合のデータ49、グルーブの
露光量50を表示してある。
このグラフから明らかなように、カツテイング用レー
ザスポツトの移動距離がレーザスポツト径よりも大きい
場合には、所要の大きさのピツトを形成するに足る露光
量Ｚにて露光されるが、カツテイング用レーザスポツト
の移動距離がレーザスポツト径よりも小さくなると、露
光量が比例的に小さくなる。
ザスポツトの移動距離がレーザスポツト径よりも大きい
場合には、所要の大きさのピツトを形成するに足る露光
量Ｚにて露光されるが、カツテイング用レーザスポツト
の移動距離がレーザスポツト径よりも小さくなると、露
光量が比例的に小さくなる。
これをグルーブ部分の露光量と比較すると、第11図に
示めすように、カツテイング用レーザスポツトの移動量
がレーザスポツト径（0.6μｍ）よりも短かい領域で
は、露光量の比率が指数関数的に減少することが判る。
示めすように、カツテイング用レーザスポツトの移動量
がレーザスポツト径（0.6μｍ）よりも短かい領域で
は、露光量の比率が指数関数的に減少することが判る。
上記したように、ピツトの大きさは感光剤の露光量に
ほぼ比例するから、露光量の比率が減少するとピツトの
大きさが小さくなつて正確な情報の記録が困難となり、
また、この光デイスク原盤から複製される光デイスク
は、再生時の出力信号レベルが小さくなつて正確な情報
信号の読出しが困難になるのである。
ほぼ比例するから、露光量の比率が減少するとピツトの
大きさが小さくなつて正確な情報の記録が困難となり、
また、この光デイスク原盤から複製される光デイスク
は、再生時の出力信号レベルが小さくなつて正確な情報
信号の読出しが困難になるのである。
本発明は、従来正確な情報の記録が困難とされていた
デイスクの最内周領域への情報の記録を可能にするた
め、最小ピツトのピツト長がカツテイング用レーザスポ
ツトの直径以上の領域においては、光デイスク原盤の回
転中心とカツテイング用レーザスポツトの中心との距離
に比例する露光強度で前記感光面を露光し、ピツト長が
カツテイング用レーザスポツトの直径以下となる領域に
おいては、前記ピツト長がカツテイング用レーザスポツ
トの直径以上の領域におけるピツトの路光量と等しい露
光量で前記感光面を露光したものである。
デイスクの最内周領域への情報の記録を可能にするた
め、最小ピツトのピツト長がカツテイング用レーザスポ
ツトの直径以上の領域においては、光デイスク原盤の回
転中心とカツテイング用レーザスポツトの中心との距離
に比例する露光強度で前記感光面を露光し、ピツト長が
カツテイング用レーザスポツトの直径以下となる領域に
おいては、前記ピツト長がカツテイング用レーザスポツ
トの直径以上の領域におけるピツトの路光量と等しい露
光量で前記感光面を露光したものである。
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
第１図は本発明による光デイスク原盤のカツテイング
方法の一例を示めすグラフであって、横軸に光デイスク
原盤の中心からビームスポツトまでの距離を、縦軸に感
光材の露光強度を目盛つてある。このグラフにおいて、
１はピツト部分の露光強度であり、２はグルーブ部分の
露光強度を示めす。このグラフから明らかなように、グ
ルーブの露光強度は、光デイスク原盤の中心から外周縁
に至るまで、光デイスク原盤の中心からの距離に比例し
て強くする。一方、ピツト部分の露光強度は、ピツト長
がレーザスポツトの直径以上の領域（第１図のＡ領域）
においては、光デイスク原盤の中心からの距離に比例し
て強くし、ピツト長がレーザスポツトの直径以下となる
領域（第１図のＢ領域）においては、第２図に示めすよ
うに、グルーブとピツトの露光量の比率がピツト長に関
係なく一定になるように、露光強度を補正する。
方法の一例を示めすグラフであって、横軸に光デイスク
原盤の中心からビームスポツトまでの距離を、縦軸に感
光材の露光強度を目盛つてある。このグラフにおいて、
１はピツト部分の露光強度であり、２はグルーブ部分の
露光強度を示めす。このグラフから明らかなように、グ
ルーブの露光強度は、光デイスク原盤の中心から外周縁
に至るまで、光デイスク原盤の中心からの距離に比例し
て強くする。一方、ピツト部分の露光強度は、ピツト長
がレーザスポツトの直径以上の領域（第１図のＡ領域）
においては、光デイスク原盤の中心からの距離に比例し
て強くし、ピツト長がレーザスポツトの直径以下となる
領域（第１図のＢ領域）においては、第２図に示めすよ
うに、グルーブとピツトの露光量の比率がピツト長に関
係なく一定になるように、露光強度を補正する。
即ち、第３図に示めすように、カツテイング用レーザ
スポツトの移動距離がレーザスポツト径（0.6μｍ）よ
りも小さくなる領域においては、カツテイング用レーザ
スポツトの移動距離が小さくなるほどグルーブ部分の露
光強度に対するピツト部分の露光強度を高め、レーザス
ポツトの移動距離に関わりなく、グルーブ部分の露光量
に対するピツト部分の露光量を一定にする。
スポツトの移動距離がレーザスポツト径（0.6μｍ）よ
りも小さくなる領域においては、カツテイング用レーザ
スポツトの移動距離が小さくなるほどグルーブ部分の露
光強度に対するピツト部分の露光強度を高め、レーザス
ポツトの移動距離に関わりなく、グルーブ部分の露光量
に対するピツト部分の露光量を一定にする。
上記実施例の光デイスク原盤のカツテイング方法は、
ピツト長がレーザスポツトの直径以下となる領域におい
ても、グルーブとピツトの露光量の比率が一定、即ちグ
ルーブ幅とピツト幅の比率が一定のピツトを配列するこ
とができるので、該領域においても再生出力信号レベル
が低下することがなく、正確な情報の記録が可能にな
る。従つて、従来、ピツト長が短かくなりすぎて安定し
た出力信号が得られないため、非記録領域とされていた
領域にも情報を記録することが可能になり、光デイスク
の直径を一定とした場合には記録量の増大が図れ、ま
た、情報の記録量を一定とした場合には光デイスクの直
径の減少を図ることが可能になる。実験によると、本発
明の光デイスクの場合、再生用レーザスポツトの直径が
1.6μｍに対してピツト長が0.55μｍのピツトからも充
分に安定した出力信号を得ることができ、12インチデイ
スクの場合、回転中心から半径45mm以上の領域（従来は
半径68mm以上の領域）に記録することが可能になる。
ピツト長がレーザスポツトの直径以下となる領域におい
ても、グルーブとピツトの露光量の比率が一定、即ちグ
ルーブ幅とピツト幅の比率が一定のピツトを配列するこ
とができるので、該領域においても再生出力信号レベル
が低下することがなく、正確な情報の記録が可能にな
る。従つて、従来、ピツト長が短かくなりすぎて安定し
た出力信号が得られないため、非記録領域とされていた
領域にも情報を記録することが可能になり、光デイスク
の直径を一定とした場合には記録量の増大が図れ、ま
た、情報の記録量を一定とした場合には光デイスクの直
径の減少を図ることが可能になる。実験によると、本発
明の光デイスクの場合、再生用レーザスポツトの直径が
1.6μｍに対してピツト長が0.55μｍのピツトからも充
分に安定した出力信号を得ることができ、12インチデイ
スクの場合、回転中心から半径45mm以上の領域（従来は
半径68mm以上の領域）に記録することが可能になる。
尚、デイスク原盤に形成されるピツトの長さは、回転
駆動されるデイスク原盤の角速度と、デイスク原盤の回
転中心からカツテイング用レーザスポツトの照射中心ま
での半径によつて定まる。従つて、デイスク原盤を適宜
の定角速度にて回転駆動することによつて、デイスク原
盤の外周領域に最小ピツトのピツト長がカツテイング用
レーザスポツトの直径よりも長いピツト配列を、また、
デイスク原盤の内周領域に最小ピツトのピツト長がカツ
テイング用レーザスポツトの直径よりも短かいピツト配
列を形成することができる。
駆動されるデイスク原盤の角速度と、デイスク原盤の回
転中心からカツテイング用レーザスポツトの照射中心ま
での半径によつて定まる。従つて、デイスク原盤を適宜
の定角速度にて回転駆動することによつて、デイスク原
盤の外周領域に最小ピツトのピツト長がカツテイング用
レーザスポツトの直径よりも長いピツト配列を、また、
デイスク原盤の内周領域に最小ピツトのピツト長がカツ
テイング用レーザスポツトの直径よりも短かいピツト配
列を形成することができる。
尚、上記実施例は、光デイスク原盤にグルーブとピツ
トとを同時にカツテイングする場合の実施例について説
明したが、本発明の要旨はこれに限定されるものではな
く、ピツトのみをカツテイングする場合にも全く同様に
適用することができる。
トとを同時にカツテイングする場合の実施例について説
明したが、本発明の要旨はこれに限定されるものではな
く、ピツトのみをカツテイングする場合にも全く同様に
適用することができる。
第４図はかかる光デイスク原盤のカツテイング方法の
一例を示めすグラフであって、横軸に光デイスク原盤の
中心からビームスポットまでの距離を、縦軸に感光面の
露光強度を目盛つてある。このグラフにおいて、３はピ
ツト部分の露光強度を示めす。このグラフから明らかな
ように、ピツト長がレーザスポツトの直径以下となる領
域（第４図のＣ領域）の露光強度を、破線にて表示され
る従来の露光強度４よりも順次高くして、第５図に示め
すように、ピツト長に関係なくピツト部分の露光量が一
定になるように補正する。
一例を示めすグラフであって、横軸に光デイスク原盤の
中心からビームスポットまでの距離を、縦軸に感光面の
露光強度を目盛つてある。このグラフにおいて、３はピ
ツト部分の露光強度を示めす。このグラフから明らかな
ように、ピツト長がレーザスポツトの直径以下となる領
域（第４図のＣ領域）の露光強度を、破線にて表示され
る従来の露光強度４よりも順次高くして、第５図に示め
すように、ピツト長に関係なくピツト部分の露光量が一
定になるように補正する。
尚、ピツト長がレーザスポツトの直径以上の領域（第
４図のＤ領域）の露光強度は、従来のカツテイング方法
と同様、光デイスク原盤の中心からの距離に比例して強
くする。
４図のＤ領域）の露光強度は、従来のカツテイング方法
と同様、光デイスク原盤の中心からの距離に比例して強
くする。
上記第２実施例の場合にも、上記第１実施例の場合と
同様の効果を得ることができる。
同様の効果を得ることができる。
以下、感光面の露光強度を調整する具体的手段の一例
を説明する。
を説明する。
第６図は、光デイスク原盤カツテイング装置の全体の
構成を示めす斜視図であって、11は光デイスク原盤、12
はターンテーブル、13はAr+レーザ、14はＡ−Ｏ光変調
器、15は反射鏡、16はＥ−Ｏ変調器、17はＥ−Ｏ変調器
16に加えられる情報信号源、18は情報信号源の処理回
路、19は反射鏡、20はビームエキスパンダ、21はHe−Ne
レーザ、22は半透鏡、23はビーム混合プリズム、24は反
射鏡、25はカツテイングヘツド、26はカツテイングヘツ
ド25に備えられたフオーカスアクチユエータ、27はカツ
テイングヘツド25に備えられた最終の絞り込みレンズ、
28はフオーカスアクチユエータ26を制御するフオーカス
制御回路である。
構成を示めす斜視図であって、11は光デイスク原盤、12
はターンテーブル、13はAr+レーザ、14はＡ−Ｏ光変調
器、15は反射鏡、16はＥ−Ｏ変調器、17はＥ−Ｏ変調器
16に加えられる情報信号源、18は情報信号源の処理回
路、19は反射鏡、20はビームエキスパンダ、21はHe−Ne
レーザ、22は半透鏡、23はビーム混合プリズム、24は反
射鏡、25はカツテイングヘツド、26はカツテイングヘツ
ド25に備えられたフオーカスアクチユエータ、27はカツ
テイングヘツド25に備えられた最終の絞り込みレンズ、
28はフオーカスアクチユエータ26を制御するフオーカス
制御回路である。
光デイスク原盤11は、研摩加工されたガラス基板ある
いはプラスチツク基板の表面に、感光剤が均一に塗布さ
れている。
いはプラスチツク基板の表面に、感光剤が均一に塗布さ
れている。
Ar+レーザ13は光デイスク原盤11に形成された感光面
の露光用として用いられ、この感光面の感光域外の波長
を有するHe−Neレーザ21はカツテイングヘツド25に備え
られたフオーカスアクチユエータ26の自動焦点調整のた
めに用いられる。
の露光用として用いられ、この感光面の感光域外の波長
を有するHe−Neレーザ21はカツテイングヘツド25に備え
られたフオーカスアクチユエータ26の自動焦点調整のた
めに用いられる。
Ａ−Ｏ光変調器14は、第７図に示めすように、例えば
LiNbO3などの圧電体29に周波数ｆの電圧を加えて、Te
Oz、PbMoO4などの媒質30中に波長λの疎密波31を発生さ
せ、これを回折格子として信号波を回折させるものであ
つて、超音波駆動電圧を振幅変調することによって、変
調光32を得るようになつている。
LiNbO3などの圧電体29に周波数ｆの電圧を加えて、Te
Oz、PbMoO4などの媒質30中に波長λの疎密波31を発生さ
せ、これを回折格子として信号波を回折させるものであ
つて、超音波駆動電圧を振幅変調することによって、変
調光32を得るようになつている。
Ｅ−Ｏ変調器16は、第８図に示めすように、ポツケル
スセル33に電圧を加えて、結晶の屈折率楕円体の主軸と
の間に異方性を生じ、結晶内を進む２つの直線偏波間に
電界の強さに比例した位相速度の差を生ずる現象を利用
するものであつて、ポツケルスセル33から出る楕円偏光
34をアナライザ35を介して取り出し、振幅変調された光
36を得るようになつている。
スセル33に電圧を加えて、結晶の屈折率楕円体の主軸と
の間に異方性を生じ、結晶内を進む２つの直線偏波間に
電界の強さに比例した位相速度の差を生ずる現象を利用
するものであつて、ポツケルスセル33から出る楕円偏光
34をアナライザ35を介して取り出し、振幅変調された光
36を得るようになつている。
ビームエキスパンダ20は一種のコリメータであって、
カツテイングヘツド25に備えられた最終の絞り込みレン
ズ27の開口一杯にビームを入射させるために、ビーム径
を広げるようになっている。
カツテイングヘツド25に備えられた最終の絞り込みレン
ズ27の開口一杯にビームを入射させるために、ビーム径
を広げるようになっている。
かかるカツテイング装置によつて光デイスク原盤をカ
ツテイングする場合、Ａ−Ｏ光変調器14の超音波駆動電
圧を振幅変調するか、あるいは、Ar+レーザ13に流す電
流の値を調整することによつて露光量の補正を行なうこ
とができる。
ツテイングする場合、Ａ−Ｏ光変調器14の超音波駆動電
圧を振幅変調するか、あるいは、Ar+レーザ13に流す電
流の値を調整することによつて露光量の補正を行なうこ
とができる。
上記のようにして作製された光デイスク原盤から光デ
イスクを複製する場合は、まず、光デイスク原盤を原型
として、例えばこれにニツケル電鋳を施こすことによつ
てスタンパを作製し、続いて、このスタンパを原型とし
て、例えば光硬化性の樹脂をスタンパと基板との間で展
伸することによつて、光デイスクを複製する。
イスクを複製する場合は、まず、光デイスク原盤を原型
として、例えばこれにニツケル電鋳を施こすことによつ
てスタンパを作製し、続いて、このスタンパを原型とし
て、例えば光硬化性の樹脂をスタンパと基板との間で展
伸することによつて、光デイスクを複製する。
以上説明したように、本発明によれば、ピツト長がレ
ーザスポツトの直径以下となる領域に面積および深さの
大きいピツトを形成することができるので、従来正確な
情報の記録が困難であるとされていたピツト長がレーザ
スポツトの直径以下となる領域にも情報を記録すること
が可能になる。従つて、正確な情報を記録することが可
能な領域が拡大され、記録容量が大きく、かつ、コンパ
クトな光デイスクの提供が可能になる。
ーザスポツトの直径以下となる領域に面積および深さの
大きいピツトを形成することができるので、従来正確な
情報の記録が困難であるとされていたピツト長がレーザ
スポツトの直径以下となる領域にも情報を記録すること
が可能になる。従つて、正確な情報を記録することが可
能な領域が拡大され、記録容量が大きく、かつ、コンパ
クトな光デイスクの提供が可能になる。
第１図は本発明に係る光デイスク原盤のカツテイング方
法の一例を示めすグラフ、第２図は第１図のカツテイン
グ方法におけるピツト用レーザスポツトの移動距離（ピ
ツト長）とグルーブおよびピツトの露光量比の関係を示
めすグラフ、第３図は第１図のカツテイング方法におけ
るピツト部分とグルーブ部分の露光強度比の補正値を示
めすグラフ、第４図は本発明に係る光デイスク原盤のカ
ツテイング方法の他の例を示めすグラフ、第５図は第４
図のカツテイング方法におけるピツト用レーザスポツト
の移動距離（ピツト長）とピツト露光量の関係を示めす
グラフ、第６図は本発明の光デイスクのカツテイング方
法に適用されるカツテイングマシンの一例を示めす斜視
図、第７図はＡ−Ｏ光変調器の原理を示めす斜視図、第
８図はＥ−Ｏ変調器の原理を示めす斜視図、第９図は従
来の光デイスク原盤のカツテイング方法を示めすグラ
フ、第10図はレーザスポツトの移動距離（ピツト長）と
露光量の関係を示めすグラフ、第11図は従来のカツテイ
ング方法におけるピツト用レーザスポツトの移動距離
（ピツト長）とグルーブおよびピツトの露光量比の関係
を示めすグラフである。 11:光デイスク原盤、13:Ar+レーザ、14:A−Ｏ光変調
器、16:E−Ｏ変調器、17:映像信号源、18:処理回路、2
0:ビームエキスパンダ、21:He−Neレーザ、25:カツテイ
ングヘツド、26:フオーカスアクチユエータ、27:最終の
絞り込みレンズ
法の一例を示めすグラフ、第２図は第１図のカツテイン
グ方法におけるピツト用レーザスポツトの移動距離（ピ
ツト長）とグルーブおよびピツトの露光量比の関係を示
めすグラフ、第３図は第１図のカツテイング方法におけ
るピツト部分とグルーブ部分の露光強度比の補正値を示
めすグラフ、第４図は本発明に係る光デイスク原盤のカ
ツテイング方法の他の例を示めすグラフ、第５図は第４
図のカツテイング方法におけるピツト用レーザスポツト
の移動距離（ピツト長）とピツト露光量の関係を示めす
グラフ、第６図は本発明の光デイスクのカツテイング方
法に適用されるカツテイングマシンの一例を示めす斜視
図、第７図はＡ−Ｏ光変調器の原理を示めす斜視図、第
８図はＥ−Ｏ変調器の原理を示めす斜視図、第９図は従
来の光デイスク原盤のカツテイング方法を示めすグラ
フ、第10図はレーザスポツトの移動距離（ピツト長）と
露光量の関係を示めすグラフ、第11図は従来のカツテイ
ング方法におけるピツト用レーザスポツトの移動距離
（ピツト長）とグルーブおよびピツトの露光量比の関係
を示めすグラフである。 11:光デイスク原盤、13:Ar+レーザ、14:A−Ｏ光変調
器、16:E−Ｏ変調器、17:映像信号源、18:処理回路、2
0:ビームエキスパンダ、21:He−Neレーザ、25:カツテイ
ングヘツド、26:フオーカスアクチユエータ、27:最終の
絞り込みレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 均 大阪府茨木市丑寅１丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−145535（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板の表面に形成された感光面に情報信号
によって変調されたレーザ光を照射して情報信号に対応
した配列の凹凸がカッティングされた光ディスク原盤を
作製する工程を含む光ディスクの製造方法において、前
記光ディスク原盤のカッティング時、前記基板を定角速
度回転し、最小ピットのピット長がレーザスポットの直
径以上の領域においては、光ディスク原盤の回転中心と
レーザスポットの中心との距離に比例する露光強度で前
記感光面を露光し、ピット長がレーザスポットの直径以
下となる領域においては、前記ピット長がレーザスポッ
トの直径以上の領域におけるピットの露光量と等しい露
光量で前記感光面を露光することを特徴とする光ディス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054123A JPH0827944B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054123A JPH0827944B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214150A JPS61214150A (ja) | 1986-09-24 |
| JPH0827944B2 true JPH0827944B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12961819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60054123A Expired - Lifetime JPH0827944B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827944B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE198386T1 (de) * | 1993-12-24 | 2001-01-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zur herstellung eines optischen informationsträgers, vorrichtung zur durchführung des verfahrens, und nach diesem verfahren hergestellter optischer informationsträger |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60054123A patent/JPH0827944B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61214150A (ja) | 1986-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |