JPH05270986A - ダイヤモンド膜の選択形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、基板に悪影響を及ぼすこと
なく、高性能な半導体デバイスや光導波路等の電子機器
分野をはじめとする広い分野で好適なダイヤモンド膜を
選択的に形成することのできる方法を提供することにあ
る。 【構成】 前記目的を達成するための本発明の構成は、
基板の表面のダイヤモンド膜を形成すべき部分にフォト
レジストによるパターン膜を形成した後、前記基板の表
面全体にダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ）を形成し、溶
剤により前記パターン膜を溶解すると共にその表面上に
ある前記ダイヤモンド状炭素膜を前記基板の表面から除
去した後、前記基板の表面全体をダイヤモンド砥粒によ
り傷付け処理し、最後に前記基板の表面に気相法による
ダイヤモンド膜の合成を行なうことにより、前記パター
ン膜形成部分に選択的にダイヤモンド膜を形成すること
を特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はダイヤモンド膜の製造方
法に関し、さらに詳しく言うと、高性能な半導体デバイ
スや光導波路等に好適に用いることのできるダイヤモン
ド膜を選択的に形成することのできるダイヤモンド膜の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術と発明が解決しようとする課題】近年、炭
素含有化合物と水素との混合ガスを原料として、ＣＶＤ
法やＰＶＤ法などの気相法ダイヤモンド合成技術を用い
て、基板の表面にダイヤモンド膜を析出形成する技術が
開発され、切削工具や半導体デバイス等の分野への用途
が注目されてきた。さらに近時、微細なパターンのダイ
ヤモンド膜を基板の表面に選択的に形成する技術が開発
され、切削工具、研磨工具等の超硬工具のみならず各種
の摺動部材や耐摩耗性部材、さらには高性能な半導体デ
バイス等の電子・電気機器分野における各種の素材など
への広範囲の用途が期待されている。

【０００３】このような気相法によるダイヤモンド膜を
基板の表面に選択的に形成する方法として、例えば、特
開昭６３−３０３８９１号公報には、基板の表面にニッ
ケルなどの金属によるパターニング用マスクをした後
に、金属の付与されていない面に選択的に気相法による
ダイヤモンド合成をする方法が提案されている。また、
特開昭６３−３１５５９８号公報や特開平２−１８４５
９８号公報には、傷付け処理した基板の表面にフォトレ
ジスト膜によりパターンを形成し、エッチングにより基
板の非マスク部分の傷を除去した後、レジストを除去し
て、この上に気相法によるダイヤモンド膜を形成する方
法が提案されている。

【０００４】しかし、これらの方法には、前記基板の表
面に汚染の原因となる金属を用いること、および、この
金属を除去するのに強酸を用いることにより、基板に悪
影響を及ぼし、また、ダイヤモンドの初期核の発生のた
めに必要な傷付け処理による傷の深さは数千オングスト
ロームに及ぶので、エッチングに時間を要するほか、再
現性も十分でなく、実用に際して連続生産等を行なうこ
とができないという問題がある。前記問題を解決するこ
とが、技術的にも、経済的にも要望されている。

【０００５】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
である。本発明の目的は、基板に悪影響を及ぼすことな
く、高性能な半導体デバイスや光導波路等の電子機器分
野をはじめとする広い分野で好適なダイヤモンド膜を選
択的に形成することのできる方法を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、ダイヤモンドを合
成したくない箇所にダイヤモンド状炭素でマスクするこ
とにより、傷付け処理の際に基板に傷をつけることな
く、効率的に再現性のあるダイヤモンドの選択形成が達
成され、かかる形成されたダイヤモンド膜が、半導体デ
バイスや光導波路等の高度な性能や品質性が要求される
電子機器部品等の先端材料分野に好適に用いることがで
きることを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００７】すなわち、前記課題を解決するための本発
明は、基板の表面におけるダイヤモンド膜を形成すべき
部分に、レジストによるパターン膜を形成した後、前記
基板の表面全体にダイヤモンド状炭素膜を形成し、溶剤
により前記パターン膜を溶解すると共にその表面上にあ
る前記ダイヤモンド状炭素膜を前記基板の表面から除去
した後、前記基板の表面全体を傷付け処理し、次いで前
記基板の表面に気相法によるダイヤモンド膜の合成を行
なうことにより、前記パターン膜形成部分に選択的にダ
イヤモンド膜を形成することを特徴とするダイヤモンド
膜の選択形成法である。

【０００８】以下に、本発明について詳細に説明する。
本発明の方法は、 １）基板の表面におけるダイヤモンド膜を形成すべき部
分にレジストによりパターン膜を形成する工程（以下、
パターン膜形成工程と称する。）、 ２）基板の表面全体にダイヤモンド状炭素膜（以下にお
いてこれをＤＬＣと略称することがある。）を被覆形成
する工程（以下、ＤＬＣコーティング工程と称す
る。）、 ３）溶剤によりパターン膜を溶解すると共にその表面に
あるダイヤモンド状炭素膜を基板の表面から除去する工
程（以下、ＤＬＣ除去工程と称する。）、 ４）砥粒により基板の表面全体を傷付け処理する工程
（以下、傷付け処理工程と称する。）、 ５）基板の表面に気相法によるダイヤモンド膜を形成す
る工程（以下、ダイヤモンド膜形成工程と称する。）の
５つの工程を有する。以下、順を追って前記各工程につ
いて説明する。

【０００９】−パターン膜形成工程− 前記パターン膜形成工程では、レジストを用いて基板表
面にパターン膜が形成される。更に詳述すると、このパ
ターン膜形成工程では、例えば、フォトレジストを含有
するパターン膜形成用塗布液を前記基板の表面全体に塗
布し、これを乾燥してからフォトマスクを介して紫外線
等の光を照射し、露光部分を除去しあるいは未露光部分
を除去することによりパターン膜が形成される。

【００１０】前記レジストとしては、フォトレジストの
他、電子線やＸ線用のレジストを用いることができる。
前記フォトレジストしては、ネガ型フォトレジストまた
はポジ型フォトレジストを挙げることができる。これら
のレジストは一般に用いられているもののほか、各種公
知の樹脂系やゴム系のフォトレジストを用いることがで
きる。市販品としては、例えば、富士薬品工業（株）の
ＬＭＲ−３３や東京応化工業（株）のＯＭＲ−８３、Ｏ
ＦＰＲ−２などを挙げることができる。

【００１１】前記パターン膜形成用塗布液の調製方法と
しては、特に制限はなく、公知の種々の方法を採用する
ことができる。前記パターン膜形成用塗布液の塗布方法
としては、スプレー、スピンナー、デイップ等を用いる
方法などを挙げることができ、これらの中で好ましいの
はスピンナーを用いる方法である。

【００１２】パターン膜形成用塗布液を塗布した後、通
常の場合乾燥することにより、レジスト膜を得る。この
レジスト膜の乾燥厚としては、特に制限はないが、通
常、０．５〜３μｍ程度である。前記パターン膜は、フ
ォトマスクを介してレジスト膜に紫外線などの光を照射
し、現像及びリンスすることにより、形成することがで
きる。

【００１３】前記紫外線などの光を照射することによる
露光の方法としては、例えば、コンタクト露光方式、プ
ロキシミティー露光方式、プロジェクション露光方式等
を挙げることができ、目的に応じて種々の方法を適宜に
選択して用いることができる。このようにしてこの工程
では、例えば図１に示すように、基板１の表面にレジス
トによるパターン膜２が形成される。

【００１４】−ＤＬＣコーティング工程− ＤＬＣコーティング工程では、例えば図２に示すよう
に、前記パターン膜２を形成した基板１の表面全体にダ
イヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ）３が被覆形成される。前
記ＤＬＣコーティングを行なう方法としては、特に制限
はなく、例えば、ＰＶＤ法、イオン化蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法等の従来法を好適に用いる
ことができる。これらの中で特に好ましいのは、イオン
化蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法であ
る。

【００１５】前記ＤＬＣコーティングを行なう条件とし
ては、目的に応じて種々の励起方法、原料ガス、反応圧
力、反応温度、成長時間、ヌープ硬度等を選択すること
ができる。前記励起方法としては、ＤＣ、ＡＣ、ＲＦ
（１３．５６ＭＨｚ）、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）
などによる放電励起が好ましい。

【００１６】前記原料ガスとしては、メタン、エタン、
一酸化炭素などが好ましく、特に好ましいのは、メタ
ン、メタン／水素の混合ガス、メタン／アルゴンの混合
ガスである。混合ガス中のメタンの含有率は１〜９９ｖ
ｏｌ．％が好ましく、特に好ましいのは、１０〜９９ｖ
ｏｌ．％である。

【００１７】前記反応圧力（Ｐｒ）としては、１０^-6〜
１００Ｔｏｒｒが好ましく、特に好ましいのは、１０^-4
〜０．１Ｔｏｒｒである。前記反応温度としては、７７
Ｋ〜１１００℃が好ましく、特に好ましいのは、室温〜
５００℃である。

【００１８】前記成長速度としては、１Å／秒〜６００
０Å／秒が好ましく、特に好ましいのは、１０Å／秒〜
６０００Å／秒である。前記ヌープ硬度（Ｈｋ）として
は、１０００（ｋｇ・ｆ）／ｃｍ² 以上が好ましく、特
に好ましいのは、２０００（ｋｇ・ｆ）／ｃｍ² 以上で
ある。

【００１９】本発明においては、基板の表面に形成され
るダイヤモンド状炭素の膜厚は、通常、５００Å〜１０
μｍであり、好ましいのは、１０００Å〜１μｍであ
る。この膜厚が、あまり薄すぎると基板の傷付け処理工
程において、ダイヤモンド状炭素膜が基板から剥離した
り、基板に傷付け処理が施されてしまうことがあり、一
方、あまり厚すぎるとダイヤモンド状炭素膜が剥離する
ことがあり、厚くしたことによる効果はない。

【００２０】−ＤＬＣ除去工程− ＤＬＣ除去工程では、前記の工程で形成されたレジスト
によるパターン膜とその表面にあるダイヤモンド状炭素
膜とが基板の表面から除去される。前記レジストによる
パターン膜の除去は、レジストが可溶な溶剤を用いて溶
解除去することにより達成される。このような溶剤とし
ては、例えば、アセトン、ジメチルホルムアミド、硫酸
と過酸化水素との２：１の混合液などを挙げることがで
きる。前記溶剤は、用いたレジストの種類に応じて選択
することができる。

【００２１】なお、ダイヤモンド状炭素は前記溶剤に溶
解することはないが、前記溶剤を使用すると、レジスト
によるパターン膜が容易に溶剤に溶解し、その溶解と同
時に前記パターン膜の表面に形成されたダイヤモンド状
炭素膜の下に空間が生じ、該ダイヤモンド状炭素膜は非
常に不安定な状態となり、結果として容易に除去される
ようになる。一方、基板の表面におけるパターン膜の存
在しない部分に直接に被覆形成されたダイヤモンド状炭
素膜は、基板と密着しているので、溶剤で処理しても除
去されることはない。したがって、図３に示すように、
基板１の表面におけるパターン膜の形成されなかった部
分に、ダイヤモンド状炭素膜３がパターン状に残留した
状態になる。

【００２２】−傷付け処理工程− 傷付け処理工程では、基板の表面に傷をつける。基板の
表面に傷をつけるには、基板よりも硬度の大きな微粒子
を使用するのが好ましく、通常、ＳｉＣ、ＣＢＮ、ダイ
ヤモンドの砥粒等が使用される。これら砥粒の粒径とし
ては、パターンの幅の１／３以下であることが好まし
く、例えば、０．５〜１００μｍが好ましく、特に好ま
しくは、０．５〜５０μｍである。

【００２３】傷付け処理に際しては、これらの砥粒は溶
媒中に分散されて使用される。溶媒としては、アルコー
ル、アセトン等を挙げることができる。また、溶媒に分
散する前記砥粒の量としては、通常、溶媒１００ｍｌ当
たり０．０５〜１０ｇであり、好ましいのは、０．１〜
１ｇである。

【００２４】傷付け処理においては、通常、前記砥粒を
溶媒に分散した溶媒液中に、基板を浸漬し、この溶媒液
に超音波を照射する。超音波を照射すると、砥粒が激し
く基板の表面に接触し、これにより、ダイヤモンド状炭
素膜で被覆されていない基板の表面に微小な傷がつく。
この有様を摸式的に図４に示す。図４において、基板１
の表面にはダイヤモンド状炭素３がコーティングされて
おり、ダイヤモンド状炭素膜３が形成されずに基板１の
表面が露出している部分４に、傷付け処理による微小な
傷が付けられている。この傷付け処理により基板の表面
に付与された微小な傷は、ダイヤモンド合成の際のダイ
ヤモンド初期核の発生点として作用する。

【００２５】−ダイヤモンド膜形成工程− ダイヤモンド膜の形成は、従来の気相合成法等の各種の
気相合成法によって行うことができ、中でも、ＣＶＤ法
による方法が好適に採用される。こうしたダイヤモンド
膜の気相合成法としてのＣＶＤ法としては、たとえば、
マイクロ波プラズマＣＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ
法、熱フィラメントＣＶＤ法、ＤＣアークプラズマＣＶ
Ｄ法、有磁場プラズマＣＶＤ法（ＥＣＲ法を含む）等の
多種多様の方法が知られている。本発明の方法において
は、これらのいずれの方法も適用することができるが、
中でも、特に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、高周波プ
ラズマＣＶＤ法や熱フィラメントＣＶＤ法、有磁場プラ
ズマＣＶＤ法などが好適に適用される。

【００２６】また、こうしたプラズマＣＶＤ法によるダ
イヤモンド膜の気相合成法においては、原料ガスとし
て、少なくとも炭素源ガスを含む各種の種類および組成
の原料ガスを使用することのできることが、知られてい
る。前記原料ガスとして、例えば、ＣＨ₄ とＨ₂ の混合
ガス等のように炭化水素を炭素源ガスとして含有する原
料ガス、ＣＯとＨ₂ の混合ガス等のように炭化水素以外
の炭素化合物を炭素源ガスとして含有する原料ガスな
ど、各種の原料ガスを挙げることができる。

【００２７】本発明の方法においては、ダイヤモンド膜
の形成が可能であれば、上記の原料ガス等を初めとする
従来法で使用されている原料ガスなどの各種の原料ガス
を適宜に使用してダイヤモンド膜を形成させることがで
きる。中でも、ＣＯとＨ₂ との混合ガス、あるいはＣＨ
₄ とＨ₂ との混合ガスが好ましい。特に、ＣＯとＨ₂と
の混合ガスを原料ガスとして使用すると、炭化水素を用
いた場合に比べてダイヤモンド膜の堆積速度が速くて、
高純度のダイヤモンドを効率よく成膜することができる
などの点で優れている。

【００２８】以下に、この特に好ましいダイヤモンド膜
の形成方法の例として、ＣＯとＨ₂を原料ガスとして用
いる方法について、その好適な方法の例を説明する。す
なわち、本発明の方法においては、前記ダイヤモンド膜
の形成は、下記の一酸化炭素と水素ガスとの混合ガスを
原料ガスとして用いる方法（以下、この方法を、方法Ｉ
と称する。）によって特に好適に行うことができる。す
なわち、この方法Ｉは、一酸化炭素と水素とを、一酸化
炭素ガスが１容量％以上となる割合で、含有する混合ガ
スを励起して得られるプラズマガスを、基板に接触させ
ることを特長とする。

【００２９】この方法Ｉにおいて、使用に供する前記一
酸化炭素としては特に制限がなく、たとえば石炭、コー
クスなどと空気または水蒸気を熱時反応させて得られる
発生炉ガスや水性ガスを充分に精製したものを用いるこ
とができる。使用に供する前記水素について特に制限が
なく、たとえば石油類のガス化、天然ガス、水性ガスな
どの変成、水の電解、鉄と水蒸気との反応、石炭の完全
ガス化などにより得られるものを充分に精製したものを
用いることができる。

【００３０】この方法Ｉにおいては、原料ガスとして一
酸化炭素と前記水素とを、一酸化炭素ガスの含有量が１
容量％以上、好ましくは３容量％以上となる割合で、含
有する混合ガスを励起して得られるガスを、前記基材に
接触させることにより、その所定の面上にダイヤモンド
膜を堆積させる。前記混合ガス中の一酸化炭素ガスの含
有量が１容量％よりも少ないとダイヤモンドが生成しな
かったり、ダイヤモンドがたとえ生成してもその堆積速
度が著しく小さい。

【００３１】前記原料ガスを励起して励起状態の炭素を
含有する前記原料ガスを得る手段としては、例えばプラ
ズマＣＶＤ法、熱フィラメント法などの従来より公知の
方法を用いることができる。前記プラズマＣＶＤ法を用
いる場合には、前記水素は高周波またはマイクロ波の照
射によってプラズマを形成し、前記熱フィラメント法な
どのＣＶＤ法を用いる場合には、前記水素は熱フィラメ
ントにより原子状水素を形成する。この原子状水素は、
ダイヤモンドの析出と同時に析出する黒鉛構造の炭素を
除去する作用を有する。

【００３２】この方法Ｉにおいては、前記原料ガスのキ
ャリヤーとして、不活性ガスを用いることもできる。不
活性ガスの具体例としては、アルゴンガス、ネオンガ
ス、ヘリウムガス、キセノンガス、窒素ガスなどが挙げ
られる。これらは、１種単独で用いてもよいし、２種以
上を組合わせて用いてもよい。

【００３３】この方法Ｉにおいては、以下の条件下に反
応が進行して、基板の表面にダイヤモンド膜が析出す
る。すなわち、前記基板の表面の温度は、前記原料ガス
の励起手段によって異なるので、一概に決定することは
できないが、例えばプラズマＣＶＤ法を用いる場合に
は、通常、室温〜１２００℃、好ましくは４５０℃〜１
１００℃である。この温度が室温より低い場合には、ダ
イヤモンド膜の堆積速度が遅くなったり、励起状態の炭
素が生成しないことがある。一方、１２００℃より高い
場合には、前記基板の表面に堆積したダイヤモンド膜が
エッチングにより削られてしまい、堆積速度の向上が見
られないことがある。

【００３４】前記反応圧力は、通常、１０^-3〜１０³ ｔ
ｏｒｒ、好ましくは１〜８００Ｔｏｒｒである。反応圧
力が１０^-3Ｔｏｒｒよりも低い場合には、ダイヤモンド
膜の堆積速度が遅くなったり、ダイヤモンド膜が析出し
なくなったりする。一方、１０³ Ｔｏｒｒより高くして
もそれに相当する効果は得られない。

【００３５】以上のように本発明においては、前記基板
の表面のパターン膜形成部分に、ダイヤモンド膜を選択
的に形成することができる。本発明の方法においては、
前記ダイヤモンド膜の形成は、もちろん、上記の方法Ｉ
以外の方法を適用して行ってもよい。形成される前記ダ
イヤモンド膜の膜厚は、使用目的等に応じて適宜に適当
な膜厚にすればよく、この意味で特に制限はないが、通
常は、１〜１００μｍの範囲に選定するのがよい。

【００３６】この膜厚が、あまり薄すぎると、ダイヤモ
ンドが膜として得られないことがあり、一方、あまり厚
すぎると、使用条件によっては、ダイヤモンド膜の剥離
を生じることがある。なお、得られたダイヤモンドを切
削工具等の過酷な条件で使用する場合には、通常、この
厚さを、５〜１００μｍの範囲に選定するのが好適であ
る。

【００３７】

【実施例】以下、本発明の実施例およびその比較例によ
って本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。 （実施例１） −パターン膜形成工程− Ｓｉウエハーの基板の表面に、ネガ型フォトレジスト
（富士薬品工業（株）製：ＬＭＲ−３３）からなるパタ
ーン膜形成用塗布液を、毎分５，０００ｒｐｍのスピナ
ーで塗布することにより、基板の表面にレジスト層を形
成した。塗布後、前記塗布膜を６０℃で３０分間かけて
加熱した。次に、図５に示すように、一辺５０μｍの正
方形からなる露光用窓５を互いに５０μｍの間隔を設け
て行列状に配列してなるフォトマスクを、基板上のレジ
スト層の上に配置し、Ｘｅ−Ｈｇランプ（波長３００ｎ
ｍ以下）で露光（３０ｍＪ／ｃｍ² ）した。露光後１０
０℃で３０分かけて加熱し、さらに、同社製のＬＭＲ用
現像液Ｃタイプを用いて、未感光の部分を２０℃で８０
秒間かけて除去し、同社製のＬＭＲリンス液にて、２０
℃で２０秒間かけてリンスを行ない、パターン膜の形成
を行なった。

【００３８】−ＤＬＣコーティング工程− ＲＦ平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用い、酸素供給
量１０ｓｃｃＭ、圧力０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦ出力２００
Ｗにて、１５秒間アッシングしてレジストを完全に除去
した後、以下の条件でダイヤモンド状炭素膜を形成し
た。

【００３９】導入原料ガスの種類及びその流量：ＣＨ
₃ 、１０ｓｃｃｍ、 系内の圧力：１０^-2Ｔｏｒｒ、 ＲＦ出力：１５０Ｗ、 反応時間：３０分 結果として、厚みが約１，０００Åであり、ヌープ硬度
が５，０００Ｋｇ／ｍｍ² であるダイヤモンド状炭素膜
が、基板の表面に被覆された。

【００４０】−ダイヤモンド状炭素膜の除去工程− 前記基板を、アセトンで洗浄し、基板の表面のパターン
膜を溶解除去すると共に、前記パターン膜の表面に形成
されたダイヤモンド状炭素膜も同時に除去した。

【００４１】−傷付け処理工程− 超音波洗浄装置内に、粒径５〜１２μｍのダイヤモンド
パウダー０．５ｇを１００ｍｌのアセトン中に分散さ
せ、該液中に基板を浸し、傷付け処理を１５分間かけて
行なった。

【００４２】−ダイヤモンド膜形成工程− 以下の条件でダイヤモンド膜の形成を行なった。 原料ガスの種類と流量：ＣＯとＨ₂ との混合ガス、１０
／９０ｓｃｃｍ 合成条件：反応圧力４０Ｔｏｒｒ、基板温度９００℃、
合成時間２時間 合成法（原料ガス励起法）：マイクロ波プラズマＣＶＤ
法（２．４５ＧＨｚ）。 結果としては ダイヤモンド状炭素膜の形成がされてい
ない部分は、ダイヤモンド膜の形成が見られた。

【００４３】

【発明の効果】本発明によると、基板に悪影響を及ぼす
ことなく、高性能な半導体デバイスや光導波路等の電子
機器分野をはじめとする広い分野で好適なダイヤモンド
膜を選択的に形成することのできる、実用上著しく有用
なダイヤモンド膜の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、表面にパターン膜を形成した基板の表
面を示す断面図である。

【図２】図２は、パターン膜を形成した基板の表面に、
ダイヤモンド状炭素膜を形成した状態を示す断面図であ
る。

【図３】図３は、パターン膜を除去し、ダイヤモンド状
炭素が基板の表面に残された状態を示す断面図である。

【図４】図４は、図３に示される基板の表面を傷付け処
理した後における基板を示す断面図である。

【図５】図５は、フォトマスクを示す平面図である。

【符合の説明】 １ 基材 ２ パターン膜 ３ ダイヤモンド状炭素膜 ４ 傷付き処理をされた部分 ５ 露光用窓

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面におけるダイヤモンド膜を形
   成すべき部分に、レジストによるパターン膜を形成した
   後、前記基板の表面全体にダイヤモンド状炭素膜を形成
   し、溶剤により前記パターン膜を溶解すると共にその表
   面上にある前記ダイヤモンド状炭素膜を前記基板の表面
   から除去した後、前記基板の表面全体を傷付け処理し、
   次いで前記基板の表面に気相法によるダイヤモンド膜の
   合成を行なうことにより、前記パターン膜形成部分に選
   択的にダイヤモンド膜を形成することを特徴とするダイ
   ヤモンド膜の選択形成法。