JP2683060B2 - ダイヤモンド膜及びその製造法 - Google Patents
ダイヤモンド膜及びその製造法Info
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- JP2683060B2 JP2683060B2 JP63247812A JP24781288A JP2683060B2 JP 2683060 B2 JP2683060 B2 JP 2683060B2 JP 63247812 A JP63247812 A JP 63247812A JP 24781288 A JP24781288 A JP 24781288A JP 2683060 B2 JP2683060 B2 JP 2683060B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、気相法により基体上の所望の位置に所望の
形状でダイヤモンド結晶を形成する方法に関する。本発
明により選択的に形成したダイヤモンド結晶膜は、光学
薄膜、摺動部等の保護膜、半導体集積回路等に利用する
ことができる。
形状でダイヤモンド結晶を形成する方法に関する。本発
明により選択的に形成したダイヤモンド結晶膜は、光学
薄膜、摺動部等の保護膜、半導体集積回路等に利用する
ことができる。
［従来の技術］ ダイヤモンド膜やダイヤモンド状炭素膜の形成方法と
しては、従来より幾つかの方法が知られており、例えば
水素ガスと炭素含有ガスを熱分解あるいはプラズマ状態
にして炭素含有ガスの活性種を生成し、その活性種から
ダイヤモンド膜を基体上に形成する方法（特開昭58-911
00号公報、特開昭58-110494号公報、特公昭61-2632号公
報等）、原料ガスをイオン化し、電界により引き出して
基体上にダイヤモンド膜を形成する方法（特開昭53-106
34号公報等）、グラファイトやダイヤモンド等のターゲ
ットに荷電粒子を照射することによりスパッタ蒸着さ
せ、そのスパッタ蒸着した炭素原子によりダイヤモンド
膜を基体上に形成する、いわゆるイオンビームスパッタ
法（特開昭56-22616号公報等）などがある。
しては、従来より幾つかの方法が知られており、例えば
水素ガスと炭素含有ガスを熱分解あるいはプラズマ状態
にして炭素含有ガスの活性種を生成し、その活性種から
ダイヤモンド膜を基体上に形成する方法（特開昭58-911
00号公報、特開昭58-110494号公報、特公昭61-2632号公
報等）、原料ガスをイオン化し、電界により引き出して
基体上にダイヤモンド膜を形成する方法（特開昭53-106
34号公報等）、グラファイトやダイヤモンド等のターゲ
ットに荷電粒子を照射することによりスパッタ蒸着さ
せ、そのスパッタ蒸着した炭素原子によりダイヤモンド
膜を基体上に形成する、いわゆるイオンビームスパッタ
法（特開昭56-22616号公報等）などがある。
特に最近は、上述のような単なるダイヤモンドの製法
だけでなく、ダイヤモンド薄膜の実用化という観点から
ダイヤモンド薄膜を所望の位置に所望の大きさで形成し
ようとする動きが出始めている。例えば、特開昭62-297
298号公報がその１つである。これはダイヤモンド核発
生密度が高くなるように微小の傷を基板に形成する。そ
の後ダイヤモンドを形成しない部分をアモルファス材料
で覆い傷が露出している部分に選択的にダイヤモンド結
晶を析出する方法である。このような傷形成の他にもダ
イヤモンドを形成しやすい物質と形成しにくい物質のパ
ターンを形成し、ダイヤモンドを選択的に形成する方法
も知られている。（特開昭62-241898号公報）。
だけでなく、ダイヤモンド薄膜の実用化という観点から
ダイヤモンド薄膜を所望の位置に所望の大きさで形成し
ようとする動きが出始めている。例えば、特開昭62-297
298号公報がその１つである。これはダイヤモンド核発
生密度が高くなるように微小の傷を基板に形成する。そ
の後ダイヤモンドを形成しない部分をアモルファス材料
で覆い傷が露出している部分に選択的にダイヤモンド結
晶を析出する方法である。このような傷形成の他にもダ
イヤモンドを形成しやすい物質と形成しにくい物質のパ
ターンを形成し、ダイヤモンドを選択的に形成する方法
も知られている。（特開昭62-241898号公報）。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、これら２件の公報に述べられている方
法は、パターン形成に際してアモルファスカーボンやア
モルファスSiをマスクとして用いなければならず、これ
らのアモルファス物質は、基板温度600〜1000℃、かつ
水素ラジカルに富んだ気相法ダイヤモンド合成の雰囲気
下ではパターンを形成しているアモルファス材料が飛散
してしまい、所望の位置、所望の形状にダイヤモンドの
パターンを形成できないことがあるという欠点を有して
いた。
法は、パターン形成に際してアモルファスカーボンやア
モルファスSiをマスクとして用いなければならず、これ
らのアモルファス物質は、基板温度600〜1000℃、かつ
水素ラジカルに富んだ気相法ダイヤモンド合成の雰囲気
下ではパターンを形成しているアモルファス材料が飛散
してしまい、所望の位置、所望の形状にダイヤモンドの
パターンを形成できないことがあるという欠点を有して
いた。
［問題点を解決するための手段（及び作用）］ 本発明の第一は、平均粒径5000Å以下のダイヤモンド
粒子を有する所望のパターン状に形成された領域と該ダ
イヤモンド粒子から結晶成長させて得られたダイヤモン
ド領域パターンを有するダイヤモンド膜、である。
粒子を有する所望のパターン状に形成された領域と該ダ
イヤモンド粒子から結晶成長させて得られたダイヤモン
ド領域パターンを有するダイヤモンド膜、である。
また、本発明の第二は、基体に平均粒径5000Å以下の
ダイヤモンド粒子を埋め込む工程、及び該ダイヤモンド
粒子からダイヤモンドを結晶成長させて成膜する工程を
有するダイヤモンド膜の製造法、である。
ダイヤモンド粒子を埋め込む工程、及び該ダイヤモンド
粒子からダイヤモンドを結晶成長させて成膜する工程を
有するダイヤモンド膜の製造法、である。
本発明のダイヤモンド膜は、パターン状で使用される
用途、例えば半導体集積回路や光集積回路の絶縁体、半
導体、高屈折率物質、熱伝導体等としても用いることが
でき、非常に有用である。
用途、例えば半導体集積回路や光集積回路の絶縁体、半
導体、高屈折率物質、熱伝導体等としても用いることが
でき、非常に有用である。
尚、本発明でいう「パターン状に形成された」とは、
半導体集積回路等の回路パターン状に形成された事のみ
を意味するのではなく、用途に応じて基体上の所望の位
置および所望の形状に形成された事を意味する。更に
は、ダイヤモンド膜が形成された部分とされていない部
分とによるパターンのみを意味するのではなく、一様な
多結晶膜部分と単結晶部分とによるパターン等も意味す
る。
半導体集積回路等の回路パターン状に形成された事のみ
を意味するのではなく、用途に応じて基体上の所望の位
置および所望の形状に形成された事を意味する。更に
は、ダイヤモンド膜が形成された部分とされていない部
分とによるパターンのみを意味するのではなく、一様な
多結晶膜部分と単結晶部分とによるパターン等も意味す
る。
以下本発明のダイヤモンド膜の形成方法をその工程に
沿って説明する。
沿って説明する。
まず、その表面に気相法によりダイヤモンド結晶が成
長可能であり、600〜1000℃の温度でも耐える事がで
き、水素ラジカルによって著しく損傷されないような基
体を用意する。そのような基体としては例えば、Si,Ge
等の半導体基板、石英等の酸化物基板、Mo,Ta,W等の金
属基板を挙げる事ができる。
長可能であり、600〜1000℃の温度でも耐える事がで
き、水素ラジカルによって著しく損傷されないような基
体を用意する。そのような基体としては例えば、Si,Ge
等の半導体基板、石英等の酸化物基板、Mo,Ta,W等の金
属基板を挙げる事ができる。
次いでこの基板表面にダイヤモンド結晶形成のための
所望のパターンを形成する。第１図に沿って説明する
と、工程（ａ）で、まず基体１の表面に平均粒子径5000
Å以下のダイヤモンド粒子２が埋め込まれる。このため
には、ダイヤモンド粒子を用いたエアー加速式、水噴射
式、遠心投射式、ベルト投射式のブラスト加工や、ダイ
ヤモンド粒子を分散した溶液中で基板を超音波洗浄器で
超音波処理する等の方法を用いる。
所望のパターンを形成する。第１図に沿って説明する
と、工程（ａ）で、まず基体１の表面に平均粒子径5000
Å以下のダイヤモンド粒子２が埋め込まれる。このため
には、ダイヤモンド粒子を用いたエアー加速式、水噴射
式、遠心投射式、ベルト投射式のブラスト加工や、ダイ
ヤモンド粒子を分散した溶液中で基板を超音波洗浄器で
超音波処理する等の方法を用いる。
又、選択性よく所望のパターンのダイヤモンド（領
域）を形成するためには、埋め込まれたダイヤモンド粒
子２の密度は104〜1011個／mm2、より好ましくは、105
〜109個／mm2、最適には106〜107個／mm2であることが
望ましい。
域）を形成するためには、埋め込まれたダイヤモンド粒
子２の密度は104〜1011個／mm2、より好ましくは、105
〜109個／mm2、最適には106〜107個／mm2であることが
望ましい。
次に第１図（ｂ）に示すように、マスク３を介して基
体１をエッチングする事により、ダイヤモンド粒子２の
埋め込まれた領域をパターン状に形成できる。次いでマ
スク３を取り除き、基体１にダイヤモンドを成膜する
と、この領域のみに第１図（ｃ）に図示したダイヤモン
ド膜４がパターン状に形成できる。
体１をエッチングする事により、ダイヤモンド粒子２の
埋め込まれた領域をパターン状に形成できる。次いでマ
スク３を取り除き、基体１にダイヤモンドを成膜する
と、この領域のみに第１図（ｃ）に図示したダイヤモン
ド膜４がパターン状に形成できる。
上記マスクとして、ガラスや金属よりなるマスクも可
能であるが、微小なパターンを形成する時には光リソグ
ラフィーによりレジストパターンを形成する方が望まし
い。
能であるが、微小なパターンを形成する時には光リソグ
ラフィーによりレジストパターンを形成する方が望まし
い。
上記エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッ
チングのどちらでも良い。ウェットエッチングを行なう
場合は、例えばフッ化水素酸、硝酸混液によるエッチン
グなどを挙げることができる。またドライエッチングを
行なう場合は、例えばプラズマエッチング、イオンビー
ムエッチングなどを挙げることができる。プラズマエッ
チングのエッチングガスとしてはCF4ガスなどを挙げる
ことができ、イオンビームエッチングのエッチングガス
としてはAr,He,Ne等の希ガス、酸素、フッ素、水素、炭
素などを含んだガスも可能である。エッチングの深さ
は、ダイヤモンド膜の使用用途に応じて適宜選定すれば
よいが、好ましくは200〜1000Å、より好ましくは500〜
2000Å程度の深さにエッチングすれば、十分にパターン
形成できる。そのエッチング条件によりダイヤモンド核
の発生密度の制御が可能である。
チングのどちらでも良い。ウェットエッチングを行なう
場合は、例えばフッ化水素酸、硝酸混液によるエッチン
グなどを挙げることができる。またドライエッチングを
行なう場合は、例えばプラズマエッチング、イオンビー
ムエッチングなどを挙げることができる。プラズマエッ
チングのエッチングガスとしてはCF4ガスなどを挙げる
ことができ、イオンビームエッチングのエッチングガス
としてはAr,He,Ne等の希ガス、酸素、フッ素、水素、炭
素などを含んだガスも可能である。エッチングの深さ
は、ダイヤモンド膜の使用用途に応じて適宜選定すれば
よいが、好ましくは200〜1000Å、より好ましくは500〜
2000Å程度の深さにエッチングすれば、十分にパターン
形成できる。そのエッチング条件によりダイヤモンド核
の発生密度の制御が可能である。
ダイヤモンド結晶形成は、パターン領域が形成された
基体に対して、例えば特開昭58-91100号公報、特開昭58
-110494号公報、特公昭61-2632号公報などに記載された
方法によって行なう。
基体に対して、例えば特開昭58-91100号公報、特開昭58
-110494号公報、特公昭61-2632号公報などに記載された
方法によって行なう。
本発明で埋め込まれたダイヤモンド粒子の粒径は5000
Å以下、望ましくは1000Å以下、さらに望ましくは500
Åがよい。その理由は、 １）粒径が5000Åより大きいと、選択成長における位置
の選択性が悪くなる傾向がある。
Å以下、望ましくは1000Å以下、さらに望ましくは500
Åがよい。その理由は、 １）粒径が5000Åより大きいと、選択成長における位置
の選択性が悪くなる傾向がある。
２）粒径が5000Åより大きいと、ダイヤモンド粒子の埋
め込まれた領域をエッチング処理する際、エッチングの
深さを大きくする必要があり、エッチングによるマスク
（レジスト等）部分の損傷も大きく、マスクの除去がむ
ずかしくなり、ダイヤモンド形成の選択性が悪くなる傾
向がある。
め込まれた領域をエッチング処理する際、エッチングの
深さを大きくする必要があり、エッチングによるマスク
（レジスト等）部分の損傷も大きく、マスクの除去がむ
ずかしくなり、ダイヤモンド形成の選択性が悪くなる傾
向がある。
３）粒径が5000Åより大きいと、ダイヤモンド粒子の
「埋め込み」の際に、基板にクラック等の大きな損傷を
与える。このクラック等の損傷が大きいと、選択成長に
おける位置の選択性が悪くなる傾向がある。
「埋め込み」の際に、基板にクラック等の大きな損傷を
与える。このクラック等の損傷が大きいと、選択成長に
おける位置の選択性が悪くなる傾向がある。
ダイヤモンド粒子が「埋め込まれた」基板を用いるの
は、特開昭63-166798号に開示されているような粒子を
基板表面に塗布するだけでは、本発明時に必要な、例え
ばエッチング処理後のレジスト除去に必要な有機溶媒を
用いた洗浄及び成膜前の基板洗浄でダイヤモンド粒子が
離脱し、選択性が著しく低下するためである。このため
本発明では、これらのプロセスでダイヤモンドを離脱さ
せないため、ダイヤモンド粒子が基板に埋め込まれてい
る必要がある。又、ダイヤモンド粒子の埋め込みの度合
は、粒子全体が基板中に埋め込まれている必要はなく、
粒子の一部（全体の1/10程度以上）が埋め込まれていれ
ば上述の有機溶媒を用いた洗浄処理後にも離脱すること
なく、基板表面に残存する。
は、特開昭63-166798号に開示されているような粒子を
基板表面に塗布するだけでは、本発明時に必要な、例え
ばエッチング処理後のレジスト除去に必要な有機溶媒を
用いた洗浄及び成膜前の基板洗浄でダイヤモンド粒子が
離脱し、選択性が著しく低下するためである。このため
本発明では、これらのプロセスでダイヤモンドを離脱さ
せないため、ダイヤモンド粒子が基板に埋め込まれてい
る必要がある。又、ダイヤモンド粒子の埋め込みの度合
は、粒子全体が基板中に埋め込まれている必要はなく、
粒子の一部（全体の1/10程度以上）が埋め込まれていれ
ば上述の有機溶媒を用いた洗浄処理後にも離脱すること
なく、基板表面に残存する。
また、所望の位置に単結晶ダイヤモンドを形成するに
はダイヤモンドの埋め込まれた領域の面積を好ましくは
10μm2以下、より好ましくは4μm2以下、最適には1μm2
以下とするのが好ましい。
はダイヤモンドの埋め込まれた領域の面積を好ましくは
10μm2以下、より好ましくは4μm2以下、最適には1μm2
以下とするのが好ましい。
［実施例］ 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。な
お、本発明は以下の実施例によって何等限定されるもの
ではない （実施例１） まず、平均粒径500Åのダイヤモンド粒子を拡散させ
た水中に石英基板を入れ，その基板表面のダイヤモンド
埋め込み密度が107個／mm2になるよう20分間超音波処理
を行なった。
お、本発明は以下の実施例によって何等限定されるもの
ではない （実施例１） まず、平均粒径500Åのダイヤモンド粒子を拡散させ
た水中に石英基板を入れ，その基板表面のダイヤモンド
埋め込み密度が107個／mm2になるよう20分間超音波処理
を行なった。
次いで、その基板のダイヤモンド膜を形成すべき所望
の部分を通常のリソグラフィー法でマスクし、マスクし
た部分以外をAr+イオンビームで500Åの深さにエッチン
グした。なお、その際のAr+イオンビームの加速電圧は
0.5kV,照射時間は５分とした。
の部分を通常のリソグラフィー法でマスクし、マスクし
た部分以外をAr+イオンビームで500Åの深さにエッチン
グした。なお、その際のAr+イオンビームの加速電圧は
0.5kV,照射時間は５分とした。
次いで、エッチング後上記マスクを除去し洗浄した。
石英基板上にはマスクした部分にダイヤモンド粒子が脱
落することなく該ダイヤモンド粒子が埋め込まれた領域
が形成された。続いて、マイクロ波CVD法により、メタ
ン、水素ガス（各流量1SCCM、100SCCM）をプラズマ化
し、選択的にダイヤモンド膜を４時間形成した。その際
のマイクロ波電力は500W,基板温度は800℃，圧力は50To
rrであった。
石英基板上にはマスクした部分にダイヤモンド粒子が脱
落することなく該ダイヤモンド粒子が埋め込まれた領域
が形成された。続いて、マイクロ波CVD法により、メタ
ン、水素ガス（各流量1SCCM、100SCCM）をプラズマ化
し、選択的にダイヤモンド膜を４時間形成した。その際
のマイクロ波電力は500W,基板温度は800℃，圧力は50To
rrであった。
以上の成膜によりダイヤモンド膜が埋め込まれたパタ
ーン状領域に選択的にダイヤモンド膜が形成された。図
２（ａ）にパターンの模式図、図２（ｂ）にパターンの
SEM写真、図２（ｃ）に図２（ｂ）にパターン上に形成
したダイヤモンドのSEM写真を示す。又、表１に同様の
方法で種々の粒径のダイヤモンドを埋め込んだ時の選択
性を示す。
ーン状領域に選択的にダイヤモンド膜が形成された。図
２（ａ）にパターンの模式図、図２（ｂ）にパターンの
SEM写真、図２（ｃ）に図２（ｂ）にパターン上に形成
したダイヤモンドのSEM写真を示す。又、表１に同様の
方法で種々の粒径のダイヤモンドを埋め込んだ時の選択
性を示す。
（実施例２） まず、シリコンウエハーを基板とし該基板表面に粒径
1000Åのダイヤモンド粒子埋め込み密度が108個／mm2に
なるようにエアー加速式のブラスト加工処理をした。次
いで、その基板に100μｍの正方格子の格子点に0.3μｍ
四方のフォトレジストをパターニングし、Ar+イオンビ
ームで500Åの深さまでエッチングした。Ar+イオンビー
ムの加速電圧は1kV,照射時間は１分とした。
1000Åのダイヤモンド粒子埋め込み密度が108個／mm2に
なるようにエアー加速式のブラスト加工処理をした。次
いで、その基板に100μｍの正方格子の格子点に0.3μｍ
四方のフォトレジストをパターニングし、Ar+イオンビ
ームで500Åの深さまでエッチングした。Ar+イオンビー
ムの加速電圧は1kV,照射時間は１分とした。
次いでレジストを除去し、洗浄した基板を用いて高周
波CVD法によりダイヤモンド膜を形成した。ガス流量は
メタン1SCCM,H2200_SCCMとし、RF電力200W,基板温度は8
10℃，圧力40Torr,形成時間は４時間であった。
波CVD法によりダイヤモンド膜を形成した。ガス流量は
メタン1SCCM,H2200_SCCMとし、RF電力200W,基板温度は8
10℃，圧力40Torr,形成時間は４時間であった。
以上のダイヤモンド形成により、ダイヤモンド粒子の
埋め込まれた領域から直径３〜４μｍの単結晶が成長し
た。
埋め込まれた領域から直径３〜４μｍの単結晶が成長し
た。
（実施例３） 実施例２と同様の方法により、基板表面にダイヤモン
ド粒子（粒径2500Å）の埋め込み密度が１×1013個／mm
2のタングステン基板を形成した。次いで、この基板に
直径100μｍにレジストをパターニングし、それをAr+イ
オンビームで1000Åエッチングした。
ド粒子（粒径2500Å）の埋め込み密度が１×1013個／mm
2のタングステン基板を形成した。次いで、この基板に
直径100μｍにレジストをパターニングし、それをAr+イ
オンビームで1000Åエッチングした。
次いでレジストを除去し、Ｗ−フィラメント法により
３時間成膜を行なった。なおその際の原料ガスとしてメ
タンガス濃度が0.5％の水素メタン混合ガスを用い、圧
力は200Torr,基板温度は820℃，フィラメント温度は205
0℃成膜時間は３時間とした。
３時間成膜を行なった。なおその際の原料ガスとしてメ
タンガス濃度が0.5％の水素メタン混合ガスを用い、圧
力は200Torr,基板温度は820℃，フィラメント温度は205
0℃成膜時間は３時間とした。
以上の成膜により100μｍの円状領域にはダイヤモン
ドの多結晶膜が選択性よく形成された。
ドの多結晶膜が選択性よく形成された。
〈比較例１〉 実施例２と同様な方法で平均粒径１μｍのダイヤモン
ド結晶を基板に埋め込んだ。実施例２と同様なエッチン
グ処理、成膜条件でダイヤモンドを形成したが、エッチ
ング処理を施した領域に、ダイヤモンド結晶が残存した
ため、ダイヤモンド多結晶形成の選択性は著しく悪かっ
た。
ド結晶を基板に埋め込んだ。実施例２と同様なエッチン
グ処理、成膜条件でダイヤモンドを形成したが、エッチ
ング処理を施した領域に、ダイヤモンド結晶が残存した
ため、ダイヤモンド多結晶形成の選択性は著しく悪かっ
た。
〈比較例２〉 粒径500Å以下のダイヤモンド粒子をエチルアルコー
ルに入れ、これをSi表面に塗布した。この基板を実施例
２と同様なエッチング処理を行なった所、レジスト除去
時及び洗浄時に、ダイヤモンド粒子の大半が基板表面か
ら離脱し、成膜時にはダイヤモンド粒子はほとんど存在
せず、ダイヤモンド多結晶形成の選択性は著しく悪かっ
た。
ルに入れ、これをSi表面に塗布した。この基板を実施例
２と同様なエッチング処理を行なった所、レジスト除去
時及び洗浄時に、ダイヤモンド粒子の大半が基板表面か
ら離脱し、成膜時にはダイヤモンド粒子はほとんど存在
せず、ダイヤモンド多結晶形成の選択性は著しく悪かっ
た。
［発明の効果］ 本発明によって、所望の位置に所望の形状でダイヤモ
ンド多結晶膜を形成させ、所望の位置に単結晶を形成さ
せることが可能となった。
ンド多結晶膜を形成させ、所望の位置に単結晶を形成さ
せることが可能となった。
（１）図面の簡単な説明 第１図（ａ）はダイヤモンド粒子が埋め込まれた基板、
第１図（ｂ）はマスクを介してパターン状にエッチング
をした基板、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）の基体を用い
てダイヤモンドを形成した時の模式図を示す。 第２図は第１図（ｃ）の模式図が実現されたもので、第
２図（ａ）はパターンの模式図、第２図（ｂ）及び第２
図（ｃ）は夫々ダイヤモンドの粒子構造を示す写真であ
る。 （２）図面の主要な部分を表わす符号の説明 1.基体 2.ダイヤモンド粒子 3.マスク 4.ダイヤモンド膜 11.Si基板 12.基板上に形成されたダイヤモンド堆積前のパターン
第１図（ｂ）はマスクを介してパターン状にエッチング
をした基板、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）の基体を用い
てダイヤモンドを形成した時の模式図を示す。 第２図は第１図（ｃ）の模式図が実現されたもので、第
２図（ａ）はパターンの模式図、第２図（ｂ）及び第２
図（ｃ）は夫々ダイヤモンドの粒子構造を示す写真であ
る。 （２）図面の主要な部分を表わす符号の説明 1.基体 2.ダイヤモンド粒子 3.マスク 4.ダイヤモンド膜 11.Si基板 12.基板上に形成されたダイヤモンド堆積前のパターン
フロントページの続き (72)発明者 生駒 圭子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−14897（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−18991（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−138395（ＪＰ，Ａ)
Claims (13)
- 【請求項１】平均粒径5000Å以下のダイヤモンド粒子を
有する所望のパターン状に形成された領域と該ダイヤモ
ンド粒子から結晶成長させて得られたダイヤモンド領域
パターンを有するダイヤモンド膜。 - 【請求項２】前記ダイヤモンド粒子が104〜1011個／mm2
の密度で配置されている請求項１記載のダイヤモンド
膜。 - 【請求項３】前記ダイヤモンド粒子の平均粒径はが1000
Å以下である請求項１記載のダイヤモンド膜。 - 【請求項４】前記ダイヤモンド粒子の平均粒径が500Å
以下である請求項１記載のダイヤモンド膜。 - 【請求項５】前記ダイヤモンド領域パターンが気相法に
より形成されている請求項１記載のダイヤモンド膜。 - 【請求項６】基体に平均粒径5000Å以下のダイヤモンド
粒子を埋め込む工程、及び該ダイヤモンド粒子からダイ
ヤモンドを結晶成長させて成膜する工程を有するダイヤ
モンド膜の製造法。 - 【請求項７】前記ダイヤモンド粒子を104〜1011個／mm2
の密度で基体に埋め込む請求項６記載のダイヤモンド膜
の製造法。 - 【請求項８】前記ダイヤモンド粒子を105〜109個／mm2
の密度で基体に埋め込む請求項６記載のダイヤモンド膜
の製造法。 - 【請求項９】基体のダイヤモンド粒子が埋め込まれた領
域をパターン状に形成し、ダイヤモンドを成膜する工程
を行いパターン状のダイヤモンド膜を得る請求項６記載
のダイヤモンド膜の製造法。 - 【請求項１０】基体にダイヤモンド粒子を埋め込む工程
の後、該基体をマスクを介してエッチングすることによ
り基体のダイヤモンド粒子が埋め込まれた領域をパター
ン状にした後、ダイヤモンドを成膜する工程を行いパタ
ーン状のダイヤモンド膜を得る請求項６記載のダイヤモ
ンド膜の製造法。 - 【請求項１１】前記ダイヤモンド粒子の平均粒径が1000
Å以下である請求項６記載のダイヤモンド膜の製造法。 - 【請求項１２】前記ダイヤモンド粒子の平均粒径が500
Å以下である請求項６記載のダイヤモンド膜の製造法。 - 【請求項１３】ダイヤモンド粒子の全体の1/10以上を基
体に埋め込む請求項６記載のダイヤモンド膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63247812A JP2683060B2 (ja) | 1988-10-02 | 1988-10-02 | ダイヤモンド膜及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63247812A JP2683060B2 (ja) | 1988-10-02 | 1988-10-02 | ダイヤモンド膜及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297486A JPH0297486A (ja) | 1990-04-10 |
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