JPH05264868A - 光ファイバアレイ装置およびその製造方法 - Google Patents
光ファイバアレイ装置およびその製造方法Info
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- JPH05264868A JPH05264868A JP4060455A JP6045592A JPH05264868A JP H05264868 A JPH05264868 A JP H05264868A JP 4060455 A JP4060455 A JP 4060455A JP 6045592 A JP6045592 A JP 6045592A JP H05264868 A JPH05264868 A JP H05264868A
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- optical fiber
- metallized
- etching
- pressing plate
- bare optical
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- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｖ字溝に整列させた光ファイバ相互間のピッ
チ精度を向上させ、さらにコア先端を凸レンズ状とし、
ＬＤアレイなどとの高精度結合を可能にするアレイを提
供する。 【構成】 シリコン基板のＶ字溝３４に裸光ファイバ１
８を並べ、この上にＡｕ／Ｓｎシートハンダ３８をの
せ、さらにこれに押さえ板４０をのせ加熱してハンダを
熔融して固定し、これを光ファイバに垂直な面で切断
し、さらに切断面を研磨して、この研磨面をエッチング
して先球光ファイバとする。
チ精度を向上させ、さらにコア先端を凸レンズ状とし、
ＬＤアレイなどとの高精度結合を可能にするアレイを提
供する。 【構成】 シリコン基板のＶ字溝３４に裸光ファイバ１
８を並べ、この上にＡｕ／Ｓｎシートハンダ３８をの
せ、さらにこれに押さえ板４０をのせ加熱してハンダを
熔融して固定し、これを光ファイバに垂直な面で切断
し、さらに切断面を研磨して、この研磨面をエッチング
して先球光ファイバとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバアレイ装
置およびその製造方法に関する。
置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より光ファイバを結合させるために
は、コアの先端をエッチングによって凸レンズ状に形成
して行う、いわゆる先球ファイバ結合が行われていた。
は、コアの先端をエッチングによって凸レンズ状に形成
して行う、いわゆる先球ファイバ結合が行われていた。
【０００３】この光ファイバの先端部をエッチングして
コアの先端に凸レンズ型突起を形成する技術は、例えば
学会報告：昭和６０年電子通信学会全国大会、講演番号
２６１５『エッチング加工した先球ファイバとレーザダ
イオードとの結合特性』に開示されている。
コアの先端に凸レンズ型突起を形成する技術は、例えば
学会報告：昭和６０年電子通信学会全国大会、講演番号
２６１５『エッチング加工した先球ファイバとレーザダ
イオードとの結合特性』に開示されている。
【０００４】以下、この先球光ファイバ結合を行わせる
ため、従来行われていたエッチング工程について図６の
（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。
ため、従来行われていたエッチング工程について図６の
（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。
【０００５】図６は従来の一般的な光ファイバの構造を
示す図である。光ファイバは、通常は光ファイバ心線２
２といい、これは、コアとクラッドからなる裸光ファイ
バ１８を一次被覆１４で覆って光ファイバ素線２０を構
成し、さらにこれを二次被覆１６で覆って構成する（図
６の（Ａ））。
示す図である。光ファイバは、通常は光ファイバ心線２
２といい、これは、コアとクラッドからなる裸光ファイ
バ１８を一次被覆１４で覆って光ファイバ素線２０を構
成し、さらにこれを二次被覆１６で覆って構成する（図
６の（Ａ））。
【０００６】エッチングに際しては、まず、光ファイバ
心線２２の一次被覆１４、および二次被覆１６を除去し
て裸光ファイバ１８を露出させる（図６の（Ａ））。次
にエッチング液３０に裸光ファイバ１８の先端部を浸し
て、この浸した部分をエッチングする。（図６の
（Ｂ））。
心線２２の一次被覆１４、および二次被覆１６を除去し
て裸光ファイバ１８を露出させる（図６の（Ａ））。次
にエッチング液３０に裸光ファイバ１８の先端部を浸し
て、この浸した部分をエッチングする。（図６の
（Ｂ））。
【０００７】裸光ファイバ１８の先端部が所定の形状に
なったとき、光ファイバ心線２２をエッチング液３０か
ら引き上げて付着したエッチング液を洗浄して除去す
る。
なったとき、光ファイバ心線２２をエッチング液３０か
ら引き上げて付着したエッチング液を洗浄して除去す
る。
【０００８】なお、エッチング液は、５０％フッ酸（Ｈ
Ｆ）と４０％ＮＨ4 Ｆを１：１０に混合した緩衝フッ酸
溶液を用いている。
Ｆ）と４０％ＮＨ4 Ｆを１：１０に混合した緩衝フッ酸
溶液を用いている。
【０００９】このようにして、コア先端が凸レンズ型に
突出した先球光ファイバの一例を図６の（Ｃ）に示す。
図６の（Ｃ）は、エッチング終了後の光ファイバ心線の
部分のうち、裸光ファイバ１８の部分を断面として示し
てある。
突出した先球光ファイバの一例を図６の（Ｃ）に示す。
図６の（Ｃ）は、エッチング終了後の光ファイバ心線の
部分のうち、裸光ファイバ１８の部分を断面として示し
てある。
【００１０】この方法によって裸光ファイバ先端部をエ
ッチングするとき、通常、エッチング液に裸光ファイバ
の先端部を数ｍｍ程度浸す。エッチングによってコア先
端部に凸レンズ型突起２６が形成されるが、クラッド１
２もエッチングによってテーパ状に細くなってしまう。
このように変形したクラッドを図６の（Ｃ）に２８で示
す。
ッチングするとき、通常、エッチング液に裸光ファイバ
の先端部を数ｍｍ程度浸す。エッチングによってコア先
端部に凸レンズ型突起２６が形成されるが、クラッド１
２もエッチングによってテーパ状に細くなってしまう。
このように変形したクラッドを図６の（Ｃ）に２８で示
す。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クラッ
ドの先端がエッチングによってテーパ状に細くなってい
る裸光ファイバを、これらを固定するための基板のガイ
ド溝、例えばＶ字溝の各々に整列させて、いわゆる光フ
ァイバアレイを形成した場合、裸光ファイバ相互間の整
列ピッチが不揃いとなり、結合相手となる光学系との結
合精度が保てない恐れがあった。
ドの先端がエッチングによってテーパ状に細くなってい
る裸光ファイバを、これらを固定するための基板のガイ
ド溝、例えばＶ字溝の各々に整列させて、いわゆる光フ
ァイバアレイを形成した場合、裸光ファイバ相互間の整
列ピッチが不揃いとなり、結合相手となる光学系との結
合精度が保てない恐れがあった。
【００１２】この発明の目的は、エッチングによって先
球光ファイバを形成しても、整列ピッチの精度を維持で
きる先球光ファイバアレイ装置およびその製造方法を提
供することにある。
球光ファイバを形成しても、整列ピッチの精度を維持で
きる先球光ファイバアレイ装置およびその製造方法を提
供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の方法によれば、（ａ）複数の並行したガ
イド溝付きシリコン基板、このガイド溝付きシリコン基
板を覆うことのできるシリコンの押さえ板および裸光フ
ァイバのそれぞれの少なくとも一方の端部側の部分をエ
ッチング耐性を有する材料でメタライズ加工する工程
と、（ｂ）前記メタライズ加工されたガイド溝に、前記
メタライズ加工された裸光ファイバを１本ずつ整列さ
せ、この上にエッチング耐性を有する材料からなるシー
トハンダをのせ、さらにこの上に前記メタライズ加工さ
れた押さえ板をのせ、その後、この押さえ板を加熱し
て、前記シートハンダを熔融して裸光ファイバを前記ガ
イド溝に固定して、光ファイバアレイを形成する工程
と、（ｃ）この光ファイバアレイを裸光ファイバの整列
方向に垂直な面で、裸光ファイバの端部に近い、メタラ
イズ加工されている個所で切断した後、残った光ファイ
バアレイの切断面を研磨する工程と、（ｄ）研磨した側
の光ファイバアレイの先端部をフッ化水素酸系のエッチ
ング液でエッチングして、光ファイバのコアの先端を凸
レンズ状に形成する工程と、を含むことを特徴とする。
め、この発明の方法によれば、（ａ）複数の並行したガ
イド溝付きシリコン基板、このガイド溝付きシリコン基
板を覆うことのできるシリコンの押さえ板および裸光フ
ァイバのそれぞれの少なくとも一方の端部側の部分をエ
ッチング耐性を有する材料でメタライズ加工する工程
と、（ｂ）前記メタライズ加工されたガイド溝に、前記
メタライズ加工された裸光ファイバを１本ずつ整列さ
せ、この上にエッチング耐性を有する材料からなるシー
トハンダをのせ、さらにこの上に前記メタライズ加工さ
れた押さえ板をのせ、その後、この押さえ板を加熱し
て、前記シートハンダを熔融して裸光ファイバを前記ガ
イド溝に固定して、光ファイバアレイを形成する工程
と、（ｃ）この光ファイバアレイを裸光ファイバの整列
方向に垂直な面で、裸光ファイバの端部に近い、メタラ
イズ加工されている個所で切断した後、残った光ファイ
バアレイの切断面を研磨する工程と、（ｄ）研磨した側
の光ファイバアレイの先端部をフッ化水素酸系のエッチ
ング液でエッチングして、光ファイバのコアの先端を凸
レンズ状に形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
【作用】この発明の構成によれば、切断面において露出
しているコアおよびクラッド以外はエッチング耐性を有
する材料でメタライズ加工が施されているので、エッチ
ング液に浸漬された場合、エッチングされるのは切断面
において露出しているコアおよびクラッドのみで、クラ
ッドの側面はエッチングされず、従って、テーパ状に細
くなることがない。
しているコアおよびクラッド以外はエッチング耐性を有
する材料でメタライズ加工が施されているので、エッチ
ング液に浸漬された場合、エッチングされるのは切断面
において露出しているコアおよびクラッドのみで、クラ
ッドの側面はエッチングされず、従って、テーパ状に細
くなることがない。
【００１５】そのためガイド溝に裸光ファイバを１本ず
つ整列したとき、整列ピッチの精度を保つことができ、
しかも、エッチング後も整列ピッチの精度は低下しな
い。また、エッチングの前工程で研磨しているので、エ
ッチング速度は、ほぼ光ファイバ素線間でバラツキなく
安定している。従って、光ファイバアレイの端面から裸
光ファイバのクラッドおよびコアの軸方向の引っ込み量
は正確に保つことができる。
つ整列したとき、整列ピッチの精度を保つことができ、
しかも、エッチング後も整列ピッチの精度は低下しな
い。また、エッチングの前工程で研磨しているので、エ
ッチング速度は、ほぼ光ファイバ素線間でバラツキなく
安定している。従って、光ファイバアレイの端面から裸
光ファイバのクラッドおよびコアの軸方向の引っ込み量
は正確に保つことができる。
【００１６】
【実施例】以下、図１〜５を参照して、この発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
【００１７】なお、図はこの発明が理解できる程度に、
各構成成分の形状、大きさ、および配置関係は概略的に
示してあるにすぎない。また、図６において示した構成
成分と同様な構成成分については同一符号を付してあ
る。
各構成成分の形状、大きさ、および配置関係は概略的に
示してあるにすぎない。また、図６において示した構成
成分と同様な構成成分については同一符号を付してあ
る。
【００１８】まず、この発明の光ファイバアレイ装置の
製造方法を中心に説明する。
製造方法を中心に説明する。
【００１９】まず、複数の平行したガイド溝、例えばＶ
字溝３４付きのシリコン基板３６と、シリコンの押さえ
板４０と、光ファイバ心線の一次、および二次被覆１４
および１６を部分的に除去した裸光ファイバ１８とを用
意する。次にこれら基板、裸光ファイバおよび押さえ板
のそれぞれの接合時に対応する部分をメタライズ加工す
る。
字溝３４付きのシリコン基板３６と、シリコンの押さえ
板４０と、光ファイバ心線の一次、および二次被覆１４
および１６を部分的に除去した裸光ファイバ１８とを用
意する。次にこれら基板、裸光ファイバおよび押さえ板
のそれぞれの接合時に対応する部分をメタライズ加工す
る。
【００２０】図２は、メタライズ加工を施した裸光ファ
イバの先端部を破断してその構成を示す図である。ま
ず、裸光ファイバ１８の側面をメタライズ加工する。メ
タライズはメッキまたは蒸着により形成する。図中、こ
のメタライズ層、すなわちメッキまたは蒸着層を２４で
示してある。
イバの先端部を破断してその構成を示す図である。ま
ず、裸光ファイバ１８の側面をメタライズ加工する。メ
タライズはメッキまたは蒸着により形成する。図中、こ
のメタライズ層、すなわちメッキまたは蒸着層を２４で
示してある。
【００２１】メタライズ加工にはメッキ法と蒸着法とが
あるが、メッキ法では、無電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ
を約５００Ａ°（Ａ°はオングストロームを表す単位）
を行い、その上に金（Ａｕ）メッキを１０００〜２００
０Ａ°行う。
あるが、メッキ法では、無電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ
を約５００Ａ°（Ａ°はオングストロームを表す単位）
を行い、その上に金（Ａｕ）メッキを１０００〜２００
０Ａ°行う。
【００２２】蒸着法の場合には、チタン（Ｔｉ）を約５
００Ａ°、次いで白金（Ｐｔ）約１０００Ａ°、さらに
金（Ａｕ）を１０００〜２０００Ａ°蒸着する。
００Ａ°、次いで白金（Ｐｔ）約１０００Ａ°、さらに
金（Ａｕ）を１０００〜２０００Ａ°蒸着する。
【００２３】図３の（Ａ）は、同様にしてメタライズ加
工したＶ字溝付きシリコン基板３６の断面図を示す。
工したＶ字溝付きシリコン基板３６の断面図を示す。
【００２４】まず、シリコン基板３２に複数のＶ字溝３
４をエッチングにより形成する。次に、Ｖ字溝３４に蒸
着法によりメタライズ加工を施す。これを図３の（Ｂ）
を参照して説明する。図３の（Ｂ）は、図中○で囲った
部分を拡大して示してある。この実施例では、メタライ
ズ層５０を三層構造として形成してある。
４をエッチングにより形成する。次に、Ｖ字溝３４に蒸
着法によりメタライズ加工を施す。これを図３の（Ｂ）
を参照して説明する。図３の（Ｂ）は、図中○で囲った
部分を拡大して示してある。この実施例では、メタライ
ズ層５０を三層構造として形成してある。
【００２５】まず、Ｖ字溝付きシリコン基板３６を大気
中で酸化して表面に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４２を
形成する。このＳｉＯ2 膜４２は、ＴｉやＣｒのメタラ
イズ層との密着強度を高める。そのためメタライズ層５
０の第１層４４はＴｉかＣｒを使用する。メタライズ層
５０の第２層４６は、白金（Ｐｔ）層とする。この層４
６は、金（Ａｕ）の拡散防止の作用を有している。メタ
ライズ層５０の第３層４８は、金（Ａｕ）の層とする。
この金（Ａｕ）層４８は、金（Ａｕ）とスズ（Ｓｎ）の
合金シートハンダ（以下、Ａｕ／Ｓｎシートハンダと称
する）とのハンダ接着性をよくするためのものである。
中で酸化して表面に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜４２を
形成する。このＳｉＯ2 膜４２は、ＴｉやＣｒのメタラ
イズ層との密着強度を高める。そのためメタライズ層５
０の第１層４４はＴｉかＣｒを使用する。メタライズ層
５０の第２層４６は、白金（Ｐｔ）層とする。この層４
６は、金（Ａｕ）の拡散防止の作用を有している。メタ
ライズ層５０の第３層４８は、金（Ａｕ）の層とする。
この金（Ａｕ）層４８は、金（Ａｕ）とスズ（Ｓｎ）の
合金シートハンダ（以下、Ａｕ／Ｓｎシートハンダと称
する）とのハンダ接着性をよくするためのものである。
【００２６】図３の（Ｂ）に示す実施例では、このメタ
ライズ層５０をチタン（Ｔｉ）の第１層４４を約５００
Ａ°、次いで白金（Ｐｔ）の第２層４６を約１０００Ａ
°、さらに金（Ａｕ）の第３層４８を１０００〜２００
０Ａ°蒸着して構成してある。
ライズ層５０をチタン（Ｔｉ）の第１層４４を約５００
Ａ°、次いで白金（Ｐｔ）の第２層４６を約１０００Ａ
°、さらに金（Ａｕ）の第３層４８を１０００〜２００
０Ａ°蒸着して構成してある。
【００２７】しかし、クロム（Ｃｒ）の第１層４４を約
５００Ａ°、次いで白金（Ｐｔ）の第２層４６を約１０
００Ａ°、さらに金（Ａｕ）の第３層４８を１０００〜
２０００Ａ°としてメタライズ層５０を形成してもよ
い。
５００Ａ°、次いで白金（Ｐｔ）の第２層４６を約１０
００Ａ°、さらに金（Ａｕ）の第３層４８を１０００〜
２０００Ａ°としてメタライズ層５０を形成してもよ
い。
【００２８】次に、図１の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して光
ファイバアレイの組み立て工程を説明する。
ファイバアレイの組み立て工程を説明する。
【００２９】まず、メタライズ加工済みのＶ字溝付き基
板３６のＶ字溝３４にメタライズ加工済みの裸光ファイ
バ１８をのせる。
板３６のＶ字溝３４にメタライズ加工済みの裸光ファイ
バ１８をのせる。
【００３０】なお、図中、メタライズ層２４および５０
の図示を省略してある。
の図示を省略してある。
【００３１】その上にＡｕ／Ｓｎシートハンダ３８を挟
んで押さえ板４０をのせる。押さえ板４０はＳｉ板にＶ
字溝に行ったと同様のメタライズ加工を施したものを用
いる。（図１の（Ａ））次に、押さえ板４０を加熱す
る。そのため、例えば押さえ板４０上にハンダこてを当
てて、これを加熱し、Ａｕ／Ｓｎシートハンダ３８を熔
融させる。熔融ハンダが固まると、裸光ファイバ１８が
Ｖ字溝３４にハンダ付け固定される。
んで押さえ板４０をのせる。押さえ板４０はＳｉ板にＶ
字溝に行ったと同様のメタライズ加工を施したものを用
いる。（図１の（Ａ））次に、押さえ板４０を加熱す
る。そのため、例えば押さえ板４０上にハンダこてを当
てて、これを加熱し、Ａｕ／Ｓｎシートハンダ３８を熔
融させる。熔融ハンダが固まると、裸光ファイバ１８が
Ｖ字溝３４にハンダ付け固定される。
【００３２】Ａｕ／Ｓｎシートハンダ３８を熔融する方
法は、光ファイバの一次、二次被覆に熱が加わらない方
法であればハンダこて以外の他の手段を用いてもよい。
例えば、Ｖ字溝付き基板３６の下からホットプレートで
加熱してもよい。
法は、光ファイバの一次、二次被覆に熱が加わらない方
法であればハンダこて以外の他の手段を用いてもよい。
例えば、Ｖ字溝付き基板３６の下からホットプレートで
加熱してもよい。
【００３３】次に、Ａｕ／Ｓｎシートハンダ３８で固定
されて一体となったＶ字溝付き基板３６、裸光ファイバ
１９、および押さえ板４０を、それぞれメタライズ加工
されている領域において切断する（図１の（Ｃ））。そ
の切断個所を図中、Ｉ−Ｉ線で示してある。
されて一体となったＶ字溝付き基板３６、裸光ファイバ
１９、および押さえ板４０を、それぞれメタライズ加工
されている領域において切断する（図１の（Ｃ））。そ
の切断個所を図中、Ｉ−Ｉ線で示してある。
【００３４】次に、切断面を研磨することによって、フ
ァイバの端面およびＶ字溝の端面および押さえ板の端面
を同一の面内で揃うようにする（図１の（Ｄ））。図中
研磨面を５２で示す。このようにして、裸光ファイバ１
８をＶ字溝付きシリコン基板３６に押さえ板４０とハン
ダ３８とで固定した構造体５４を得る。
ァイバの端面およびＶ字溝の端面および押さえ板の端面
を同一の面内で揃うようにする（図１の（Ｄ））。図中
研磨面を５２で示す。このようにして、裸光ファイバ１
８をＶ字溝付きシリコン基板３６に押さえ板４０とハン
ダ３８とで固定した構造体５４を得る。
【００３５】最後に、このようにして得られた構造体の
メタライズ加工されている端部側をエッチング液３０に
その液面に垂直に立てて浸して、コアおよびクラッドを
エッチングする。この状態を図４の（Ａ）に示してあ
り、図中構造体の一部分を切り欠いて内部を示してあ
る。このエッチングにより研磨面よりコアおよびクラッ
ド部を引っ込め、コアの先端に凸面を形成し、目的とす
る先球光ファイバアレイができあがる（図４の
（Ｂ））。
メタライズ加工されている端部側をエッチング液３０に
その液面に垂直に立てて浸して、コアおよびクラッドを
エッチングする。この状態を図４の（Ａ）に示してあ
り、図中構造体の一部分を切り欠いて内部を示してあ
る。このエッチングにより研磨面よりコアおよびクラッ
ド部を引っ込め、コアの先端に凸面を形成し、目的とす
る先球光ファイバアレイができあがる（図４の
（Ｂ））。
【００３６】図４の（Ａ）において、破断線の○印で囲
んで示すアレイ先端部の拡大図の一部分を図４の（Ｂ）
に示す。この図は図４の（Ａ）と同様に、構造体５４を
垂直に立て、その側面から見た断面図（ただし、断面図
を示すハッチング等は省略してある。）である。メタラ
イズ加工を施したＶ字溝付きシリコン基板３６に、コア
１０とクラッド１２からなる裸光ファイバ１８がＡｕ／
Ｓｎシートハンダ３８によって固定され、その上を押さ
え板４０が覆っている。コア１０とクラッド１２がエッ
チングによって研磨面より引込み（引込み量をＥで示
す）、エッチング速度がクラッド１２より遅いコア１０
が、先端部において凸レンズ状２６となっている。図中
に示すコア１０の凸面の研磨面からの引込量Ｅはエッチ
ング時間を加減することによって制御することができ
る。
んで示すアレイ先端部の拡大図の一部分を図４の（Ｂ）
に示す。この図は図４の（Ａ）と同様に、構造体５４を
垂直に立て、その側面から見た断面図（ただし、断面図
を示すハッチング等は省略してある。）である。メタラ
イズ加工を施したＶ字溝付きシリコン基板３６に、コア
１０とクラッド１２からなる裸光ファイバ１８がＡｕ／
Ｓｎシートハンダ３８によって固定され、その上を押さ
え板４０が覆っている。コア１０とクラッド１２がエッ
チングによって研磨面より引込み（引込み量をＥで示
す）、エッチング速度がクラッド１２より遅いコア１０
が、先端部において凸レンズ状２６となっている。図中
に示すコア１０の凸面の研磨面からの引込量Ｅはエッチ
ング時間を加減することによって制御することができ
る。
【００３７】このようにして、裸光ファイバが各Ｖ字溝
に配列している光ファイバアレイ装置６０が完成する。
この光ファイバアレイ装置６０の実施例の斜視図を図５
に示す。
に配列している光ファイバアレイ装置６０が完成する。
この光ファイバアレイ装置６０の実施例の斜視図を図５
に示す。
【００３８】図７に、この発明による先球光ファイバア
レイ装置６０を用いた多芯ファイバコネクタプラグ８０
を示す。先球光ファイバアレイ装置６０を、第１ケース
６２と第２ケース６４とで挟んで固定したところであ
る。
レイ装置６０を用いた多芯ファイバコネクタプラグ８０
を示す。先球光ファイバアレイ装置６０を、第１ケース
６２と第２ケース６４とで挟んで固定したところであ
る。
【００３９】光ファイバにはテープファイバ７０を用
い、Ｖ字溝付き基板３６にガイドピン（オス型）６６を
取り付けてあり、結合されるもう一方のアレイ（例えば
レーザダイオード（ＬＤ）アレイ）のガイドピンがガイ
ド穴（メス型）６８に挿入されて接続を精密に行うこと
ができる。
い、Ｖ字溝付き基板３６にガイドピン（オス型）６６を
取り付けてあり、結合されるもう一方のアレイ（例えば
レーザダイオード（ＬＤ）アレイ）のガイドピンがガイ
ド穴（メス型）６８に挿入されて接続を精密に行うこと
ができる。
【００４０】
【発明の効果】上述の説明で明らかなように、この発明
によれば以下のことが可能となる。
によれば以下のことが可能となる。
【００４１】コア間のピッチおよびコアのアレイ端面
からの引込量を正確に位置決めできるので、レーザダイ
オード（ＬＤ）アレイなどとの結合を正確に行うことが
できる。
からの引込量を正確に位置決めできるので、レーザダイ
オード（ＬＤ）アレイなどとの結合を正確に行うことが
できる。
【００４２】光ファイバをのせるＶ字溝付き基板にシ
リコンを使用しているので、このまま半導体プロセスに
応用でき、量産性に優れる。
リコンを使用しているので、このまま半導体プロセスに
応用でき、量産性に優れる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明における光ファイ
バアレイ装置の製造工程図である。
バアレイ装置の製造工程図である。
【図２】裸光ファイバのメタライズ加工の説明図であ
る。
る。
【図３】（Ａ）は、Ｖ字溝付き基板のメタライズ加工の
説明図であり、（Ｂ）はメタライズ部の拡大図である。
説明図であり、（Ｂ）はメタライズ部の拡大図である。
【図４】（Ａ）は、この発明におけるエッチングの説明
図であり、（Ｂ）は、同エッチングにより形成されたア
レイ先端部の拡大図である。
図であり、（Ｂ）は、同エッチングにより形成されたア
レイ先端部の拡大図である。
【図５】この発明の光ファイバアレイ装置の一実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の裸光ファイバのエッ
チング方法の説明図である。
チング方法の説明図である。
【図７】この発明による光ファイバアレイ装置を用いた
多芯光ファイバコネクタの斜視図である。
多芯光ファイバコネクタの斜視図である。
１０：コア １２：クラッド １４：一次被覆 １６：二次被覆 １８：裸光ファイバ ２０：光ファイバ素線 ２２：光ファイバ心線 ２４：メタライズ部 ２６：コア先端凸面部 ２８：エッチングにより細くなったクラッド部 ３０：エッチング液 ３２：シリコン基板 ３４：Ｖ字溝 ３６：Ｖ字溝付きシリコン基板 ３８：Ａｕ／Ｓｎシートハンダ ４０：押さえ板 ４２：酸化シリコン（ＳｉＯ2 ） ４４：チタン（Ｔｉ） ４６：白金（Ｐｔ） ４８：金（Ａｕ） ５０：メタライズ層 ５２：研磨面 ５４：構造体 ６０：光ファイバアレイ装置 ６２：第１ケース ６４：第２ケース ６６：ガイドピン（オス型） ６８：ガイド穴（メス型） ７０：テープファイバ ８０：多芯光ファイバコネクタ
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）複数の並行したガイド溝付きシリコ
ン基板、このガイド溝付きシリコン基板を覆うことので
きるシリコンの押さえ板および裸光ファイバのそれぞれ
の少なくとも一方の端部側の部分をエッチング耐性を有
する材料でメタライズ加工する工程と、（ｂ）前記メタ
ライズ加工されたガイド溝に、前記メタライズ加工され
た裸光ファイバを１本ずつ整列させ、この上にエッチン
グ耐性を有する材料からなるシートハンダをのせ、さら
にこの上に前記メタライズ加工された押さえ板をのせ、
その後、この押さえ板を加熱して、前記シートハンダを
熔融して裸光ファイバを前記ガイド溝に固定して、光フ
ァイバアレイを形成する工程と、（ｃ）この光ファイバ
アレイを裸光ファイバの整列方向に垂直な面で、裸光フ
ァイバの端部に近い、メタライズ加工されている個所で
切断した後、残った光ファイバアレイの切断面を研磨す
る工程と、（ｄ）研磨した側の光ファイバアレイの先端
部をフッ化水素酸系のエッチング液でエッチングして、
光ファイバのコアの先端を凸レンズ状に形成する工程
と、を含むことを特徴とする先球光ファイバアレイ装置
の製造方法。 - 【請求項２】 それぞれメタライズ加工したガイド溝付
きシリコン基板、押さえ板および裸光ファイバを備え、
該裸光ファイバは、前記ガイド溝内に１本ずつ整列させ
た状態で、前記押さえ板でこれを押さえ、さらに、前記
裸光ファイバ素線はシートハンダで前記ガイド溝内に固
定してあり、さらに、前記光ファイバのコアおよびクラ
ッドの先端は、前記シリコン基板および押さえ板の端面
より内側に引き込んでいて、該コアの先端が凸レンズ形
状をなしていて、前記クラッドの先端から突出している
ことを特徴とする光ファイバアレイ。
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|---|---|---|---|
| JP4060455A JP3068941B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 光ファイバアレイ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060455A JP3068941B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 光ファイバアレイ装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| JPH05264868A true JPH05264868A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3068941B2 JP3068941B2 (ja) | 2000-07-24 |
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| GB2291215A (en) * | 1994-06-28 | 1996-01-17 | Nec Corp | Forming tip of array optical fiber using etching and resist material |
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| WO2013136517A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | Ｎｅｃディスプレイソリューションズ株式会社 | 光ファイバ固定構造及びプロジェクター |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP4060455A patent/JP3068941B2/ja not_active Expired - Fee Related
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