JPH0293505A - 光フアイバガイド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコン単結晶に形成された貫通口に光ファ
イバを挿入して位置決めする光ファイバガイドに係り、
特に堅固且つ安定にガイドするのに好適な光ファイバガ
イドに関する。

〔従来の技術〕

従来の光ファイバガイドは、例えば特公昭６２−１４３
２６号、特開昭６２−１９２７１０号や昭和６２年電子
情報通信学会半導体・材料部門全国大会４０１に記載の
ものが知られている。

特公昭６０−１４３２６号では、シリコン単結晶の結晶
面（１１１）から成る四角錐状のガイド穴を貫通したフ
ァイバが穴の先端において点接触している。

特開昭６２−１９２７１０号では、ファイバがファイバ
外径より小さい貫通口の傾斜面（結晶面（１１１））に
直接点接触して位置決めされている。

昭和６２年電子情報通信学会半導体・材料部門全国大会
４０１では、テーパー型先球ファイバが貫通口に嵌合し
ており、貫通口の先端で点接触している。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、ファイバをガイドに挿入した際、ファ
イバと貫通口の接触点において発生するシリコン単結晶
のチッピングについて配慮していない、すなわち、硬脆
材であるシリコン単結晶は接触点へ集中する応力によっ
て破壊される。したがって、ガイドの機械的な信頼性に
欠ける上、ファイバの位置が所定の位置からずれるとい
う問題があった。

本発明の目的は、上記チッピングを防止し、ファイバを
堅固且つ安定にガイドすることにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、ファイバとガイドの接触箇所に可塑材の被
覆を施すことにより達成される。さらに上記目的は、上
記方法によるファイバガイドを使用し、光導波路と光フ
ァイバを光学的結合した光デバイスを提供することにあ
る。

〔作用〕

上記被覆にファイバが接触すると、応力によって被覆が
塑性変形する。この変形により、被覆とファイバの接触
面積が増すので、シリコンにかかる単位面積当たりの応
力が減少する。したがって。

応力はシリコンの破壊強度以下に抑えられ、チッピング
が防止される。

〔実施例〕

以下１本発明の実施例を図面と共に説明する。

第１図に１本発明の第１実施例の光ファイバガイドの断
面図を示す。

第１図において、１は結晶面（１００）のシリコン単結
晶ウェハ、２は結晶面（１１１）から成四角錐状の貫通
口、３はウェハ１の上面に施した蒸着膜、４はウェハ１
の全面に施した被覆である。

貫通口２は、一般によく知られている結晶異方性エツチ
ングによって加工した０貫通口２のテーパー角度はシリ
コンの結晶方位によって決まり、７０．５℃である０貫
通口２の最小口径は５０．０Ｘ５０．０μｍである。正
方形にバターニングされた５ｉｎｓ膜をエツチングマス
クとしてウェハ１をＫＯＨ水溶液中でエツチングすると
、エツチング速度が最も遅い結晶面（１１１）が残り貫
通口２が形成される。加工精度はマスク精度で決まるの
で、μｍオーダーの高い精度を得ることができた。

貫通ロ２加工後、５ｉｎｓ膜を取り除いたウェハｌ上面
にＴ　ｉ　／　Ｎ　ｉから成る膜３を蒸着した。

膜厚はＴｉが１５００人、Ｎｉが１０００人である。

被覆４は、簡便な電解鍍金法により付けたＮｉ膜である
。Ｎｉは可塑性を有する。膜厚は４μｍであり、膜の付
着性は充分良かった。蒸着膜３を電極とすることにより
、ウェハ１の面積が大きい場合や貫通口２を複数加工す
る場合であってもウェハ１内で均一な膜厚分布が得られ
た。ウェハ１は半導体なので、膜３の表面と共にウェハ
１下面にも鍍金される。

第２図は、第１実施例に示した光ファイバガイドに光フ
ァイバ５を挿入・嵌合させたところを示す断面図である
。

第２図において、５はシングルモード石英ファイバ（外
径１２５μｍ、スポットサイズ半径５μｍ）である。そ
の先端にはテーパー（細径化）加工が施され、先球レン
ズ６が形成されている。

テーパー角度が６０°、先球レンズ半径が１５μｍのも
のを用いた。７はガイドとファイバの接触箇所（４箇所
）である。

ファイバ５を貫通口２に挿入・嵌合する際、接触箇所７
には荷重（応力）がかかる、可塑材である被覆４は、こ
の荷重によりファイバ形状に応じて塑性変形する。被覆
を施さないウェハ１にそのままファイバ５を挿入した場
合（第３図）は点接触（図中の８）であるのと比べ、本
第１実施例は上記変形により接触箇所７が面接触となる
（接触面積が増す）、シたがってウェハ１にかかる応力
が分散され、チッピングを起こすことがなくなる。

第４図は本第１実施例の貫通口２を示す図、第５図は第
３図の被覆なしの貫通口２を示す図である。第４，５図
のＡはウェハ１を表側から観察した正面図、Ｂはウェハ
１を裏側（ファイバ挿入側）から観察した裏面図である
。第４，５図ともファイバ挿入時に等しい荷重を加え比
較した。第５図の貫通口２には接触点への応力集中によ
って貝殻状破面のチッピング４１が生じているが、第４
図の貫通口２には本発明の効果によりチッピングが生じ
ていない。これは、第４図Ｂの被覆４の変形部分４０に
おいて、ファイバとガイドが面接触し応力が分散される
からである。

上記応力分散効果は、第８図に示す実験結果からも明ら
かである０図中、横軸はファイバのテーパー角度、縦軸
はガイドの破壊強度（チッピングが発生する荷重）の相
対値（第３図の無被覆ガイドのファイバテーパー角度６
０°における破壊強度を基準にとった。）白丸のプロッ
トは本第１実施例のガイド、黒丸は第３図のガイド、三
角と四角はそれぞれ第６図と第７図のガイドを示す、第
６．７図のガイドは、本発明と比較するために、ウェハ
１の片側にのみ第１実施例と同様の蒸着膜（１０，２１
）と電解鍍金膜（１１，２２）を被覆したものである。

貫通口２の周辺では若干被覆が回り込んでいる。電気絶
縁膜（１２，２０）は、ウェハ１のもう片側に電解鍍金
膜が付くのを防ぐために施した。

ガイドの種類によって破壊強度が異なるのは、ファイバ
挿入時の同じ荷重に対してガイド毎に応力が異なること
を意味する。応力の違いは、変形した被覆とファイバと
の接触面積の違いに起因する。接触面積は本第１実施例
〉第７図〉第６図〉第３図（点接触）の順に大きく、こ
れと同じ順に破壊強度が大きい。ファイバテーパー角１
６０’のところで比較すると、本第１実施例のガイドは
、被覆がない第３図のガイドの約１４倍の強度を有する
。第６図と第７図の大小には、先程述べた貫通口２周辺
の被覆の回り込み量も若干影響している。また、ファイ
バのテーパー角度が大きいほど接触面積も大きくなるの
で、これに伴って破壊強度も増加していく。

以上の結果から、被覆を施すことによりファイバ挿入時
の荷重に対して応力を減少させることができるので、す
なわちチッピングを防止することが可能になる。このよ
うに本第１実施例の光ファイバガイドによれば、ファイ
バは堅固且つ安定に支持される。なお上記変形は４つの
接触箇所７で均等に起こるので、ファイバ５の位置決め
精度が損なわれることはなく、ファイバ５は貫通口の加
工精度を反映して高精度に位置決めされた。

第１実施例では１本のファイバをガイドする場合を示し
たが、複数のファイバを高精度に配列しガイドする（フ
ァイバ配列位置に対応する貫通口をウェハ上に複数高精
度加工する）場合であっても本発明の効果が発揮される
ことは言うまでもない、また、第９図や第１０図に示す
ように、垂直端面のファイバ３１を貫通口３０に挿入す
る場合やファイバ３５を貫通口３４に貫通させる場合に
も、ファイバとガイドの接触箇所（３２，３６）に可塑
材の被覆（３３，３７）を設けておくことで本発明を実
施し得る。

第１１図は、本発明の１応用例を示す第２実施例の部分
拡大斜視図である０本発明の効果を確認するため、実際
に第１実施例と同様の光ファイバガイドを用い光導波路
アレイと光ファイバアレイの光結合を試みた。

第１１図において、１００が本発明による光ファイバガ
イド、１０１はシリコン結晶面（１１１）から成る四角
錐状の貫通口、１０２はガイドｌＯＯ全面に施した可塑
材の被覆である。１０３は４本の光ファイバから成る光
ファイバアレイ、１０４はその先端に形成されたテーパ
ー先球レンズである。１０５と１０７は、それぞれ光フ
ァイバアレイ１０３用のサブマウントとマウントである
。サブマウント１０５の表面にはＶ溝１０６が形成され
ている。１０８は光導波路１０９がアレイ状に形成され
た基板である。１１０は基板１０８のマウントである。

ガイド１００は、＠１実施例と同様の方法によって作成
した。４つの貫通口１０１は光導波路１０９のアレイ間
隔と等しい間隔（１６０，０μｍ）で加工されている。

この間隔や貫通口径の加工精度はエツチングマスクやバ
ターニング精度で決まるので、μｍオーダーの高精度加
工が行なえた。

４つの貫通口の最小口径は等しく　５０．ＯＸ５０．０
μｍである。被覆１０２はＮｉ電解鍍金によって施し、
膜厚は３μｍとした。

光ファイバアレイ１０３の各々のファイバは、外径１２
５μｍのシングルモード石英ファイバである。テーパー
先球レンズ１０４のテーパー角度は６０＠　レンズ半径
は１５μｍである。

ファイバ１０３が設置されるサブマウント１０５はシリ
コン製である。４本のＶ溝１０６は回転刃よる研削によ
って加工した。刃の送りピッチすなわちＶ溝１０６のア
レイ間隔は１６０．０μｍとした。サブマウント１０５
が積載されるマウント１０７は熱膨張係数が小さいコバ
ール合金から成る。

基板１０８はＩｎＰ半導体製である。基板１０８上にＩ
ｎＧａＡｓＰ　から成るリッジ型光導波路１０９が形成
されている。４本の光導波路１０９端部のアレイ間隔は
１６０．０μｍ、それぞれの導波スポットサイズは縦１
μｍ×横２．５μｍである。

基板１０８が積載されるマウント１１０は、マウント１
０７と同じコバール合金製である。

本第２実施例の光デバイスは、以下のようにして組み立
てた。まず、マウント１０７にガイド１００とサブマウ
ント１０５を、マウント１１０に基板１０８を、それぞ
れ所定の位置に接着した。

接着はＰｂ５ｎ製半田（融点１８３℃）で行なつた。半
田の接着性を高めるため、接着面に予めメタライズを施
しておいた。次に、ファイバアレイ１０３をＶ溝１０５
に添わせながら貫通口１０１に挿入・嵌合させ、ファイ
バアレイ１０３を位置決めする。ここまで組み上がった
ら、マウント１０７と１１０の相対的な位置を微動装置
（図示せず）によって動かし、ファイバアレイ１０３と
導波路アレイ１０９の光軸合わせを行なう、最後に、光
軸が合ったのちガイド１００とマウント１１０をＰｂ５
ｎＩｎ半田（融点１６２℃）によって接着固定した。こ
の接着面にも予めメタライズが施されている。

上記の方法によって組み立てた第２実施例の光軸合わせ
精度をファイバと導波路の光結合損失によって評価した
結果、±１μｍの高い精度が得られていることがわかっ
た。また、ガイド１００ヘファイバアレイ１０３の着脱
を繰り返しその都度光結合損失を測定したところ１着脱
回数によらず光結合損失は殆ど変化しなかった。すなわ
ち、高いファイバ位置決め精度が維持されていることが
わかった。

以上の結果から、ファイバアレイ１０３の嵌合や着脱に
対してガイド１００がチッピングを全く起こさなかった
ことが確認された。これは、被覆１０２の変形によりガ
イド１００にかかる応力が分散したからであり、本発明
の効果は明らかである。尚１着脱を行なう必要がない場
合は、ファイバアレイ２０３をガイド１００あるいはＶ
溝１０５に接着剤で固定すれば良い。

本発明は第２実施例に示した光デバイスのみならず、フ
ァイバの高精度位置決めを必要とする種々の光デバイス
に適用可能である１例えば、面発光・受光素子の２次元
アレイと光ファイバ２次元アレイとの結合、複数の光フ
ァイバ同士をつなぐ多心コネクタ、光スィッチ等の光Ｉ
Ａ！Ｉ！回路の入出力端にファイバを結合させた光モジ
ュール、など多くの光デバイスに使用し得る。

第１２図は、本発明の光ファイバガイドを光ファイバ多
心コネクタに応用した第３実施例を示し、一部所面の全
体斜視図である。２００は５本の単−モード石英系光フ
ァイバ（外径１５２μｍ、スポット径５μｍ）であり、
テープ型５心光ファイバ２０８の樹脂被覆を剥いだもの
である。２０１゜２０２は嵌合用の金属ビン（外径７０
０μｍ）、２０４は結晶面（１１１）から成る貫通口（
口径１２６μｍ）が５個開けられ本発明の被覆が施され
たシリコン製光ファイバガイド、２０３はガイド２０４
表面に設けた所定厚の保護材、２０５は貫通口２０６（
口径１４０μｍ）が５個開けられた樹脂製ガイド、２０
７は樹脂製フェルールである。

本光ファイバ多心コネクタは以下のようにして組み立て
た。まず、ガイド２０５の貫通口２０６に５本の光ファ
イバ２００を挿入し、更に光ファイバガイド２０４に光
ファイバ２００を挿入した。

光ファイバ２００の位置はガイド２０４によって正確に
決まる０次に、貫通口２０６やガイド２０４の貫通口、
ガイド２０４とガイド２０５の間に接着剤を充填し、そ
の後接着剤を固化させてガイド２０４とガイド２０５と
５本の光ファイバ２００を一体化した。最後に、ガイド
２０４表面に保護材２０３を貼り、これらをフェルール
２０７で覆い、光ファイバ２００の端面を研磨して光フ
ァイバ多心コネクタを完成させた。尚１本第１２図はコ
ネクタの雄型を示し、嵌合ビン２０１，２０２を抜けば
雌型となる。

本第３実施例によれば、ガイド２０４に被覆と保護材２
０３が設けられているので、ガイド２０４に光ファイバ
２００を挿入した時や、光ファイバ２００の端面研磨を
行なう時に、光ファイバガイド２０４が破壊されること
がない、また、コネクタの雄型と雌型の接続を繰り返し
ても、保護材２０３の表面は壊れることがないので、光
ファイバ多心コネクタ自身の機械寿命が延びる効果があ
る。更に、保護材２０３の研磨強度が光ファイバ２００
（石英製）よりも僅かに小さいものを用いれば、端面研
磨後保護材２０３の表面から光ファイバ２００の端面が
僅かに突き出て、しかも光ファイバ２００の端面形状は
コア部が突き出た大きい曲率をもった形状となる。した
がって、コネクタ接続時に光ファイバのコア部同士を密
着させることが可能と成るので、非常に小さい接続損失
が得られる６本第３実施例では、５本の光ファイバ全て
について０．３　ｄ　Ｂ　以下の接続損失を実現するこ
とができた。尚１本実施例では、光ファイバが横に１列
に並んだ５心の場合を示したが、この心線数をより増や
すことや、光ファイバを縦横２次元状に配列することも
勿論可能である。

第１３図は、本発明の光ファイバ位置決めガイドを光集
積回路モジュールに応用した第４実施例を示し、一部所
面の全体斜視図である。本第４実施例では、光集積回路
として、光スィッチを採り上げた。光スィッチ２１０は
ＩｎＧａＡｓＰ系４×４完全格子型光スイツチであり、
その上面では４本と４本の単一モード光導波路２１１同
士がＸ字型に交差している。１６個ある交差部２１２に
電流を流すと、その部分の屈折率が変化して全反射が起
こり、光の進路が切り換わる。光導波路２１１端部の７
レイ間隔は１６０μｍ、スポットサイズは１．ＩＸ２．
５．ｕｍである。２２２，２２８はそれぞれ４本の単一
モード光ファイバ（外径１２５μｍ、スポットサイズ５
μｍ）であり、その先端にはテーパ型先球レンズ（レン
ズ半径１３μｍ）が形成され光スィッチ２１０と光結合
している。

本発明の光ファイバガイド２１５，２２３は、それぞれ
４個の貫通口（口径５０μｍ）が開けられて被覆２１６
，２２４が施されている。ガイド２１５．２２３の片面
が穴２１７のように掘り下げられているのは、ガイド２
１６，２２３周辺の厚みを厚くして取扱作業性を改善す
るためである。

２１８．２２５はそれぞれ４個の貫通口２１９（口径１
３０μｍ）が開けられたセラミックス製ガイドである。

２１３，２２０，２２６は低熱膨張金属製ブロック、２
１４，２２１，２２７は半田、２２９は基体である。

本第４実施例は、以下のようにして組み立てた。

まず、光スィッチ２１０とブロック２１３、ガイド２１
５とガイド２１８とブロック２２０、ガイド２２３とガ
イド２２５とブロック２２６をそれぞれ一体化しておく
０次に、ブロック２１３゜２２０．２２６を基体２２９
に対して半田２１４゜２２１，２２７により仮固定する
。その後、光ファイバ２２２，２２８をそれぞれガイド
２１８゜２２５と光ファイバガイド２１５，２２３の貫
通口に挿入し嵌合させる。最後に、マニピュレータ（図
示せず）によってブロック２１３，２２０゜２２６を個
別に保持し、半田２１４，２２１゜２２７に溶融させて
、光スィッチ２１０と光ファイバ２２２，２２８の光軸
合わせを行ない、所定の光結合損失が得られたら半田２
１４，２２１゜２２７を固化させる。

本第４実施例によれば、光ファイバ２２２゜２２８は光
ファイバガイド２１５，２２３の貫通口に対して嵌合し
ているだけなので、光ファイバ２２２．２２８の着脱が
可能である。勿論１着脱を繰り返しても、再現性良く高
精度な位置決めが行なわれた、第４実施例をパッケージ
内に納める場合は、第１３図に示したものから光ファイ
バ２２２．２１８を１度引き抜き、これ全体をパッケー
ジの中に固定して、再び外部から光ファイバ２２２．２
２８を貫通口に挿入・嵌合する。しかる後、光ファイバ
２２２，２２８をパッケージに対して固定する。こうす
れば、狭いパッケージ内部では、煩雑な光軸調整を行な
う必要がないので、実質的に“無調整”で光スイツチモ
ジュールの組立を行なえる。すなわち、本第１３実施例
によれば実装作業が向上する効果がある。尚、このよう
なモジュール組立方法によって、個々の光結合部分につ
いて１ｄＢ以内の結合損失に抑えることができた。とこ
ろで、本第４実施例では、光集積回路の１例として光ス
ィッチを採り上げたが、他の光集積回路１例えば発光・
受光素子、光変調素子。

光論理素子を組み合せた光集積デバイスにも本発明は充
分適用できることは言うまでもない。

第１４図は、本発明の光ファイバガイドを光デバイスで
ある光インタコネクションに応用した第５実施例を示し
、一部断面の全体斜視図である。

光インタコネクションとは、大規模電子集積回路（以下
ＬＳＩと略す）間の信号接続を光によって行なうもので
あり、電気配線容量による信号遅延かない、信号間の相
互干渉がない等の利点がある。

第１４図において、ＬＳＩ２３０と外部とは、２３８に
代表される光ファイバによって信号接続される。ＬＳＩ
２３０には発光・受光素子２３１が複数形成されており
、光ファイバ２３８からの光信号の授受を行なう、光フ
ァイバ２３８の先端には先球レンズ２３９が形成されて
いる。光ファイバ２３８は、ガイド２３６の貫通口２３
７に挿入されたあと、本発明の被覆２３５が施された光
ファイバガイド２３３の貫通口２３４によって位置決め
されている。光ファイバガイド２３３とガイド２３６は
一体化しており、これらは半田バンプ２３２によってＬ
Ｓ　Ｉ　２３０に固定されている。

本第５実施例によれば、ＬＳＩ上の任意の位置と外部と
を立体的に光配線でつなぐことができるので、ＬＳＩを
高速化できる。また、外部につながる電気配線を省略で
きるのでＬＳＩを高密度化でき、ＬＳＩ設計の自由度が
増す効果がある。更に、光ファイバの着脱が可能である
ことから、プログラマブルな光配線網の構築を行なえる
。ところで、光ファイバガイド２３３と発光・受光素子
２３１との位置合わせは、半田バンプ２３２のセルフア
ラインメント作用（溶融半田の表面張力）によって自動
的に行われるので、複数の光ファイバの位置合わせを号
々に行なう必要はなく、無調整で一括して光結合が行わ
れる。尚、本実施例では、光コンピュータにおける光信
号処理系・光信号伝達系等の光配線部にも応用できるこ
とは言うまでもない。

以上、第１から第５実施例に示した光ファイバガイドで
は、シリコン単結晶（１００）ウェハに形成させた結晶
面（１１１）から成る四角錐状の貫通口を例として挙げ
た。しかし、この他にも（１１０）ウニに形成させた（
１１１）面から成る四角柱状の貫通口や（１１１）面か
ら成る■溝を２つ向い合わせて祷成した貫通口、その他
に結晶異方性エツチング以外の加工方法１例えば研削に
よって加工した貫通口など、シリコンに形成した貫通口
を利用する様々な光ファイバガイドに本発明は実施でき
る。

さらに本発明は光ファイバのガイドとしてばかりでなく
１貫通口径の若干の設計変更によりロンドレンズや球レ
ンズ、金属ピン（例えば第１２図の２０１，２０２）等
の高精度位置決め用ガイドとして応用できることは言う
までもない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、可塑材から成る被覆の塑性変形により
光ファイバガイドにかかる応力を分散させることができ
るので、光ファイバガイドのチッピングを防止できる効
果がある。したがって、光ファイバを機械的に堅固且つ
安定に位置決めすることが可能になり、高い信頼性が得
られる。すなわち、本発明は極めて実用的な光ファイバ
ガイドを提供するものである。

なお、本発明の要件は可塑材の被覆を施したことにある
のであって１例えば可塑材として「実施例」に示したも
の以外の金属や樹脂等を用いても良い。また、被覆方法
は接触箇所において均一な膜厚が得られる方法であれば
良く、蒸着法や塗布法等を用いることも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の光ファイバガイドを示す
断面図、第２図は第１実施例に光ファイバを挿入したと
ころを示す図、第３図は従来の光ファイバガイドに光フ
ァイバを挿入したところを示す図、第４図Ａ、Ｂは本発
明の第１実施例図、第５図Ａ、Ｂは第３図の光ファイバ
ガイド、第６図、第７図は第１実施例と比較するために
作成した光ファイバガイドを示す断面図、第８図は第１
実施例と第３図、第６図、第７図の光ファイバガイドの
破壊強度試験結果を示す図である。 第９図、第１０図は本発明の他の実施例を示す図である
。 第１１図は本発明を光ファイバアレイと光導波路アレイ
の光結合に応用した例を説明する図、第１２図は、本発
明を光ファイバ多心コネクタに応用した例を示す図、第
１３図は光スイツチモジュールに応用した例を示す図、
第１４図は光インタコネクションに応用した例を示す図
である。 １・・・ウェハ、２・・・貫通口、４・・・被覆、７・
・・接触箇所・

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、シリコン単結晶に形成された貫通口に光ファイバを
   挿入して光ファイバの位置決めを行なう光ファイバガイ
   ドにおいて、上記貫通口に可塑材の被覆を施したことを
   特徴とする光ファイバガイド。 ２、シリコン単結晶に形成された貫通口に鍍金被覆を施
   したことを特徴とする光ファイバガイド。 ３、特許請求の範囲第１項乃至第２項記載の被覆を上記
   貫通口と上記光ファイバの接触箇所に施したことを特徴
   とする光ファイバガイド。 ４、特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の貫通口がシ
   リコン単結晶の結晶面（１１１）から構成されることを
   特徴とする光ファイバガイド。 ５、特許請求の範囲第４項記載のシリコン単結晶の結晶
   面（１１１）の４面から成る四角錐状の貫通口の先端に
   被覆を施したことを特徴とする光ファイバガイド。 ６、特許請求の範囲第１項乃至第５項記載のシリコン単
   結晶に形成した複数の貫通口により、複数の光ファイバ
   の位置決めを行なつたことを特徴とする光ファイバガイ
   ド。 ７、特許請求の範囲第１項乃至第６項記載の貫通口の最
   小口径が光ファイバの最大外径より小さく、該貫通口に
   細径化加工した光ファイバ先端を嵌合させることにより
   位置決めを行なつたことを特徴とする光ファイバガイド
   。 ８、特許請求の範囲第１項乃至第７項記載の光ファイバ
   ガイドにより光導波路と光ファイバの光学的結合を行な
   つたことを特徴とする光デバイス。