JPH05263230A - ターゲツト材およびその製造方法 - Google Patents
ターゲツト材およびその製造方法Info
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- JPH05263230A JPH05263230A JP9222592A JP9222592A JPH05263230A JP H05263230 A JPH05263230 A JP H05263230A JP 9222592 A JP9222592 A JP 9222592A JP 9222592 A JP9222592 A JP 9222592A JP H05263230 A JPH05263230 A JP H05263230A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度記録に適する改良された磁気特性を有
する磁気記録層（磁性膜）をスパツタ法により形成する
ためのターゲツト材の改良。 【構成】 このターゲツト材は、原子％で、Ｃｒ：６〜
１７％，Ｂ：０．８〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％ま
たは／およびＴａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの
合計量は３８％を越えない），残部実質的にＣｏからな
り、相対密度：９８％以上の焼結体である。粒径２２メ
ツシユ以下のアトマイズ粉末をカプセル容器に充填し真
空密封（０．１ｍｍＨｇ以下）の後、熱間静水等方加圧
焼結（８００〜１２００℃，５００〜２０００Ｋｇｆ／
ｃｍ2 ，０．５〜４Ｈｒ）することにより製造される。
する磁気記録層（磁性膜）をスパツタ法により形成する
ためのターゲツト材の改良。 【構成】 このターゲツト材は、原子％で、Ｃｒ：６〜
１７％，Ｂ：０．８〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％ま
たは／およびＴａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの
合計量は３８％を越えない），残部実質的にＣｏからな
り、相対密度：９８％以上の焼結体である。粒径２２メ
ツシユ以下のアトマイズ粉末をカプセル容器に充填し真
空密封（０．１ｍｍＨｇ以下）の後、熱間静水等方加圧
焼結（８００〜１２００℃，５００〜２０００Ｋｇｆ／
ｃｍ2 ，０．５〜４Ｈｒ）することにより製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の磁気記
録層をスパツタ法により形成するためのターゲツト材、
およびその製造方法に関する。
録層をスパツタ法により形成するためのターゲツト材、
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気デイスク、磁気テープ等の磁気記録
媒体は、高密度記録性の点から、その磁気記録層（磁性
膜）を強磁性合金で形成した金属薄膜型記録媒体が、従
来の塗布型磁気記録媒体に代って主流となつている。そ
の磁気記録層をスパツタ法により非磁性基体上に製膜す
るためのターゲツト材として、Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金が使用されてきた。
媒体は、高密度記録性の点から、その磁気記録層（磁性
膜）を強磁性合金で形成した金属薄膜型記録媒体が、従
来の塗布型磁気記録媒体に代って主流となつている。そ
の磁気記録層をスパツタ法により非磁性基体上に製膜す
るためのターゲツト材として、Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金が使用されてきた。
【０００３】磁気記録分野における高密度記録に対する
要求はますます高まり、一層の高保磁力化およびノイズ
レベルの低減が要求されているが、上記Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等をターゲツト材とし
て形成される磁性膜では、その改善効果に限度がある。
要求はますます高まり、一層の高保磁力化およびノイズ
レベルの低減が要求されているが、上記Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等をターゲツト材とし
て形成される磁性膜では、その改善効果に限度がある。
【０００４】その高密度記録化の要請に応えるためのタ
ーゲツト材の改良として種々の提案がなされており、例
えば特開平１−１３３２１７号公報には、一定量のＴａ
を添加したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金をターゲツト材として
磁性膜を形成することにより高保磁力とノイズ低減効果
を得ることが記載され、特開平３−１３８３６５号公報
には、そのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性膜の磁気特性の均
質性を高めるためのターゲツト材の改良として、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金の微細な急冷凝固粉末を加圧焼結して製
造される均質緻密な焼結体をターゲツト材とすることが
記載されている。また、このほかＢを一定量添加したＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ合金をターゲツト
として磁性膜を形成することや、そのスパツタ蒸着にお
いて基板に負電圧を印加するバイアススパツタにより磁
性膜の保磁力を高めること等も提案されている（特開平
３−４９０２１号公報、特開平３−５４７２３号公
報）。
ーゲツト材の改良として種々の提案がなされており、例
えば特開平１−１３３２１７号公報には、一定量のＴａ
を添加したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金をターゲツト材として
磁性膜を形成することにより高保磁力とノイズ低減効果
を得ることが記載され、特開平３−１３８３６５号公報
には、そのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性膜の磁気特性の均
質性を高めるためのターゲツト材の改良として、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金の微細な急冷凝固粉末を加圧焼結して製
造される均質緻密な焼結体をターゲツト材とすることが
記載されている。また、このほかＢを一定量添加したＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ合金をターゲツト
として磁性膜を形成することや、そのスパツタ蒸着にお
いて基板に負電圧を印加するバイアススパツタにより磁
性膜の保磁力を高めること等も提案されている（特開平
３−４９０２１号公報、特開平３−５４７２３号公
報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気記録媒
体の高密度記録に適した改良された磁気特性を有する磁
性膜を形成するための新規合金組成を有するターゲツト
材およびその製造方法を提供するものである。
体の高密度記録に適した改良された磁気特性を有する磁
性膜を形成するための新規合金組成を有するターゲツト
材およびその製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明のター
ゲツト材は、原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｂ：０．８
〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％または／およびＴａ：
０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％を越
えない），残部実質的にＣｏからなり、相対密度：９８
％以上である焼結体であることを特徴としている。本発
明のターゲツト材は、上記組成を有する粒径２２メツシ
ユ以下の急冷凝固された微細なアトマイズ粉末を焼結原
料とし、熱間静水加圧焼結することにより製造される。
ゲツト材は、原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｂ：０．８
〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％または／およびＴａ：
０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％を越
えない），残部実質的にＣｏからなり、相対密度：９８
％以上である焼結体であることを特徴としている。本発
明のターゲツト材は、上記組成を有する粒径２２メツシ
ユ以下の急冷凝固された微細なアトマイズ粉末を焼結原
料とし、熱間静水加圧焼結することにより製造される。
【０００７】以下、本発明について詳しく説明する。本
発明のターゲツト材を、焼結体として形成することとし
たのは、ターゲツト材の肉厚内部における構成元素の分
布のムラを防止し、板厚方向の全体に亘る組成の均質性
を得るためである。通常、ターゲツト材は、溶解・鋳造
による鋳塊として、また鋳塊を緻密化するための熱間も
しくは冷間での塑性加工（鍛造、圧延等）を加えて所要
形状に成形する工程を経て製造されるが、本発明の前記
組成を有するターゲツト合金は、そのＢ，Ｔａの固溶限
が比較的低く、しかも工業的生産での鋳造工程では平衝
状態からのずれが生じるため、ミクロ的にＢ，Ｔａ等の
富化した偏析、およびそれらの化合物の局所的な晶出・
偏在を不可避的に付随する。その組成の不均質性は、熱
間・冷間の塑性加工を施しても十分に解消することがで
きない。このような組成の不均一なターゲツト材を使用
して行うスパツタリングでは、基板上に蒸着形成される
磁性膜の組成が、スパツタリングの経過に伴つて変動
し、所期の磁気特性を確保することは不可能である。そ
こで本発明は、そのターゲツト材を、組成の均質な微細
粉末を原料とする焼結体として形成することにより、タ
ーゲツト材の肉厚内部の組成の均質性を確保し、併せて
高緻密性をもたせている。鋳造工程を経て製造されるタ
ーゲツト材では、熱間・冷間のいずれの塑性加工も困難
である（割れを生じ易い）のに対し、均質な組成と高緻
密質の焼結体として形成される本発明のターゲツト材
は、熱間または冷間の塑性加工を施すことができ、その
塑性加工の効果としてターゲツト材をより高緻密質のも
のとすることも可能である。
発明のターゲツト材を、焼結体として形成することとし
たのは、ターゲツト材の肉厚内部における構成元素の分
布のムラを防止し、板厚方向の全体に亘る組成の均質性
を得るためである。通常、ターゲツト材は、溶解・鋳造
による鋳塊として、また鋳塊を緻密化するための熱間も
しくは冷間での塑性加工（鍛造、圧延等）を加えて所要
形状に成形する工程を経て製造されるが、本発明の前記
組成を有するターゲツト合金は、そのＢ，Ｔａの固溶限
が比較的低く、しかも工業的生産での鋳造工程では平衝
状態からのずれが生じるため、ミクロ的にＢ，Ｔａ等の
富化した偏析、およびそれらの化合物の局所的な晶出・
偏在を不可避的に付随する。その組成の不均質性は、熱
間・冷間の塑性加工を施しても十分に解消することがで
きない。このような組成の不均一なターゲツト材を使用
して行うスパツタリングでは、基板上に蒸着形成される
磁性膜の組成が、スパツタリングの経過に伴つて変動
し、所期の磁気特性を確保することは不可能である。そ
こで本発明は、そのターゲツト材を、組成の均質な微細
粉末を原料とする焼結体として形成することにより、タ
ーゲツト材の肉厚内部の組成の均質性を確保し、併せて
高緻密性をもたせている。鋳造工程を経て製造されるタ
ーゲツト材では、熱間・冷間のいずれの塑性加工も困難
である（割れを生じ易い）のに対し、均質な組成と高緻
密質の焼結体として形成される本発明のターゲツト材
は、熱間または冷間の塑性加工を施すことができ、その
塑性加工の効果としてターゲツト材をより高緻密質のも
のとすることも可能である。
【０００８】本発明のターゲツト材を、Ｃｒ：６〜１７
％，Ｂ：０．８〜１０％，およびＮｉ：０．５〜３６％
とＴａ：０．５〜８％の１種ないし２種（但し、Ｎｉと
Ｔａの合計量は３８％以下），残部実質的にＣｏからな
る組成としたのは、この組成範囲において、１６００Ｏ
ｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を発現し、高密度記録を可能と
する改良された磁気特性が得られ、また耐候性も良く、
記録層として必要な安定性も確保されるからである。Ｎ
ｉとＴａを同時に含有する場合の両元素の合計量の上限
を３８％としたのは、それを越えると却つて保磁力が低
下するからである。なお、ＮｉおよびＴａの含有量は好
ましくは、Ｎｉ：２％以上、Ｔａ：１％以上である。
％，Ｂ：０．８〜１０％，およびＮｉ：０．５〜３６％
とＴａ：０．５〜８％の１種ないし２種（但し、Ｎｉと
Ｔａの合計量は３８％以下），残部実質的にＣｏからな
る組成としたのは、この組成範囲において、１６００Ｏ
ｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を発現し、高密度記録を可能と
する改良された磁気特性が得られ、また耐候性も良く、
記録層として必要な安定性も確保されるからである。Ｎ
ｉとＴａを同時に含有する場合の両元素の合計量の上限
を３８％としたのは、それを越えると却つて保磁力が低
下するからである。なお、ＮｉおよびＴａの含有量は好
ましくは、Ｎｉ：２％以上、Ｔａ：１％以上である。
【０００９】本発明のターゲツトの緻密度を、相対密度
で９８％以上としたのは、焼結体の緻密性が低いと、そ
れだけ焼結体に内蔵されるガス量が多く、スパツタリン
グ中のターゲツトからのガス放出に起因して異常放電が
生じ易くなり、基板上に形成される磁性膜の均質性が損
なわれ、磁気特性の改善効果を十分に発現させることが
できなくなるからであり、このため相対密度９８％以上
として、スパツタリング中のガス放出とそれに付随する
上記弊害を防止している。
で９８％以上としたのは、焼結体の緻密性が低いと、そ
れだけ焼結体に内蔵されるガス量が多く、スパツタリン
グ中のターゲツトからのガス放出に起因して異常放電が
生じ易くなり、基板上に形成される磁性膜の均質性が損
なわれ、磁気特性の改善効果を十分に発現させることが
できなくなるからであり、このため相対密度９８％以上
として、スパツタリング中のガス放出とそれに付随する
上記弊害を防止している。
【００１０】本発明のターゲツト材の焼結原料として使
用される前記組成を有するＣｏ基合金粉末は、成分元素
の偏析等のない均質なものであることを要する。原料粉
末の組成の不均一は焼結体の組成の均質性を損なう原因
となるからである。このため本発明は原料粉末としてア
トマイズ粉末を使用することとした。アトマイズ法にお
ける合金溶湯の噴霧時に十分な急速冷却凝固を行なわせ
て得られる微細粉末は、その急冷効果として、固溶限の
低いＢやＴａ等が均一に固溶し、またそれらの化合物が
晶出した場合でも、微細に分散晶出した均質性の高い組
織を有する。そのアトマイズ合金粉末を、粒径２２メツ
シユ以下の微細粉末に限定したのは、十分な急冷効果に
よる粉末組成の均質性を確保するためである。アトマイ
ズ粉末は、ガスアトマイズ粉末、水アトマイズ粉末、ま
たは真空アトマイズ粉末等を適宜使用することができ
る。
用される前記組成を有するＣｏ基合金粉末は、成分元素
の偏析等のない均質なものであることを要する。原料粉
末の組成の不均一は焼結体の組成の均質性を損なう原因
となるからである。このため本発明は原料粉末としてア
トマイズ粉末を使用することとした。アトマイズ法にお
ける合金溶湯の噴霧時に十分な急速冷却凝固を行なわせ
て得られる微細粉末は、その急冷効果として、固溶限の
低いＢやＴａ等が均一に固溶し、またそれらの化合物が
晶出した場合でも、微細に分散晶出した均質性の高い組
織を有する。そのアトマイズ合金粉末を、粒径２２メツ
シユ以下の微細粉末に限定したのは、十分な急冷効果に
よる粉末組成の均質性を確保するためである。アトマイ
ズ粉末は、ガスアトマイズ粉末、水アトマイズ粉末、ま
たは真空アトマイズ粉末等を適宜使用することができ
る。
【００１１】上記アトマイズ粉末を、カプセル容器に充
填し、脱気密封したうえ、加圧焼結処理に付す。容器の
材種は、軟鋼、ステンレス鋼等、その選択は任意であ
る。容器内に充填した粉末は十分に脱気することが必要
であり、脱気不十分なまま焼結処理を行つて得られるタ
ーゲツト材は、スパツタリングにおいて、焼結体内に残
留した窒素、酸素の放出により、異常放電を生じ、基板
上に形成される磁性膜の健全性を損う原因となる。この
ため、０．１ｍｍＨｇ以下の真空下に密封することとし
た。
填し、脱気密封したうえ、加圧焼結処理に付す。容器の
材種は、軟鋼、ステンレス鋼等、その選択は任意であ
る。容器内に充填した粉末は十分に脱気することが必要
であり、脱気不十分なまま焼結処理を行つて得られるタ
ーゲツト材は、スパツタリングにおいて、焼結体内に残
留した窒素、酸素の放出により、異常放電を生じ、基板
上に形成される磁性膜の健全性を損う原因となる。この
ため、０．１ｍｍＨｇ以下の真空下に密封することとし
た。
【００１２】加圧焼結処理に熱間静水等方加圧焼結法
（ＨＩＰ焼結）法を適用するのは、高加圧力の均一な作
用下に生起する焼結反応により、均質・緻密性にすぐれ
た焼結体を形成するためである。その焼結処理は、温
度：８００〜１２００℃，加圧力：５００〜２０００Ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 ，保持時間：０．５〜４Ｈｒの条件下に首
尾よく達成される。温度：８００℃以上、加圧力：５０
０Ｋｇｆ／ｃｍ2 以上、保持時間：０．５Ｈｒ以上とし
たのは、それに満たない処理条件では、相対密度９８％
以上の緻密性を確保することが困難ないし不可能となる
からであり、他方、処理温度の上限を１２００℃に規定
したのは、それを越えると、液相の生成とそれに伴う
Ｂ、Ｔａ等の偏析が生起し、結果として、微細アトマイ
ズ粉末を使用したことの効果が失われ、得られる焼結体
の均質性を確保することができなくなるからである。ま
た、加圧力の上限を２０００Ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、保持
時間の上限を４Ｈｒとしたのは、それ以上の加圧力と時
間を適用することにより得られる利益はないからであ
る。
（ＨＩＰ焼結）法を適用するのは、高加圧力の均一な作
用下に生起する焼結反応により、均質・緻密性にすぐれ
た焼結体を形成するためである。その焼結処理は、温
度：８００〜１２００℃，加圧力：５００〜２０００Ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 ，保持時間：０．５〜４Ｈｒの条件下に首
尾よく達成される。温度：８００℃以上、加圧力：５０
０Ｋｇｆ／ｃｍ2 以上、保持時間：０．５Ｈｒ以上とし
たのは、それに満たない処理条件では、相対密度９８％
以上の緻密性を確保することが困難ないし不可能となる
からであり、他方、処理温度の上限を１２００℃に規定
したのは、それを越えると、液相の生成とそれに伴う
Ｂ、Ｔａ等の偏析が生起し、結果として、微細アトマイ
ズ粉末を使用したことの効果が失われ、得られる焼結体
の均質性を確保することができなくなるからである。ま
た、加圧力の上限を２０００Ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、保持
時間の上限を４Ｈｒとしたのは、それ以上の加圧力と時
間を適用することにより得られる利益はないからであ
る。
【００１３】上記工程を経て得られた焼結体はこれに適
宜の機械加工が加えられて所定形状のターゲツト材に仕
上げられる。また、その焼結体は、溶解・鋳造法による
ものと異なつて、熱間または冷間での鍛造、圧延等の塑
性加工が可能であり、従つて所望により、その緻密性を
更に高めるべく塑性加工に付して所定の板形状に成形す
ることもできる。
宜の機械加工が加えられて所定形状のターゲツト材に仕
上げられる。また、その焼結体は、溶解・鋳造法による
ものと異なつて、熱間または冷間での鍛造、圧延等の塑
性加工が可能であり、従つて所望により、その緻密性を
更に高めるべく塑性加工に付して所定の板形状に成形す
ることもできる。
【００１４】本発明のターゲツト材を磁性膜材料とする
磁気記録媒体の製作は、常法に従つて行えばよい。例え
ば、面内記録用磁気デイスクについて述べれば、アルミ
ニウム合金板等を基体とし、その表面に無電解めつきに
より硬質のＮｉ−Ｐめつき膜（膜厚：例えば１５〜２５
μｍ）を設け、めつき膜面にテキスチヤ処理を施したの
ち、磁性膜に面内異方性を与えるための下地層としてＣ
ｒ膜を適宜の膜厚（例えば５００〜３０００Å）に形成
し、ついで本発明のターゲツト材を使用して、上記Ｃｒ
膜面上に磁性膜（膜厚は例えば５００〜１０００Å）を
形成する。上記磁性膜のスパツタ成膜過程において、基
板側に、負の電圧（約−４０Ｖ以上、例えば−４０〜−
２５０Ｖ）を印加するバイアススパツタを適用した場合
は、その効果として磁性膜に、より高い保磁力を付与す
ることも可能である。なお、上記磁性膜の膜面には、所
望により、その摩耗・損傷を防止するための保護膜とし
て、潤滑性と耐摩耗性を備えた被膜、例えば炭素質膜
（膜厚：例えば１５０〜６００Å）が常法に従つて形成
される。
磁気記録媒体の製作は、常法に従つて行えばよい。例え
ば、面内記録用磁気デイスクについて述べれば、アルミ
ニウム合金板等を基体とし、その表面に無電解めつきに
より硬質のＮｉ−Ｐめつき膜（膜厚：例えば１５〜２５
μｍ）を設け、めつき膜面にテキスチヤ処理を施したの
ち、磁性膜に面内異方性を与えるための下地層としてＣ
ｒ膜を適宜の膜厚（例えば５００〜３０００Å）に形成
し、ついで本発明のターゲツト材を使用して、上記Ｃｒ
膜面上に磁性膜（膜厚は例えば５００〜１０００Å）を
形成する。上記磁性膜のスパツタ成膜過程において、基
板側に、負の電圧（約−４０Ｖ以上、例えば−４０〜−
２５０Ｖ）を印加するバイアススパツタを適用した場合
は、その効果として磁性膜に、より高い保磁力を付与す
ることも可能である。なお、上記磁性膜の膜面には、所
望により、その摩耗・損傷を防止するための保護膜とし
て、潤滑性と耐摩耗性を備えた被膜、例えば炭素質膜
（膜厚：例えば１５０〜６００Å）が常法に従つて形成
される。
【００１５】
［Ｉ］ターゲツト材の製造 所定の化学組成を有するＣｏ基合金のガスアトマイズ粉
末を分級し、２２メツシユアンダの微細粉末を焼結原料
とする。上記アトマイズ粉末を軟鋼製カプセル容器に充
填し、真空度０．０８ｍｍＨｇで真空密封したうえ、熱
間静水等方加圧焼結処理（ＨＩＰ）を行つた（表１）。
焼結後、カプセル容器を機械加工により除去して板状焼
結体（板厚：４０ｍｍ）を取出し、これに機械加工を加
えて複数枚のターゲツト材（板厚：２ｍｍ）に仕上げ
た。
末を分級し、２２メツシユアンダの微細粉末を焼結原料
とする。上記アトマイズ粉末を軟鋼製カプセル容器に充
填し、真空度０．０８ｍｍＨｇで真空密封したうえ、熱
間静水等方加圧焼結処理（ＨＩＰ）を行つた（表１）。
焼結後、カプセル容器を機械加工により除去して板状焼
結体（板厚：４０ｍｍ）を取出し、これに機械加工を加
えて複数枚のターゲツト材（板厚：２ｍｍ）に仕上げ
た。
【００１６】表１に供試ターゲツト材の相対密度、およ
び表面と板厚中心部の化学組成分析値を示す。表中、Ｔ
１〜Ｔ４は発明例の焼結体ターゲツト、Ｔ５およびＴ６
は比較例である。比較例Ｔ５のターゲツト材は、発明例
と同一のＨＩＰ処理により製造された焼結体であるが、
合金元素としてＢの含有を欠いている例であり、Ｔ６は
溶解鋳造により鋳片（板厚４０ｍｍ）として製造した例
（但し、合金組成は本発明の規定を満足している）であ
る。鋳片として製造された供試ターゲツト材Ｔ６は、そ
の表面と板厚中心部とにおけるＢおよびＴａの含有量に
大きな差異があるのに対し、微細なアトマイズ合金粉末
を使用しＨＩＰ処理による焼結体として形成された供試
ターゲツト材Ｔ１〜Ｔ５の板厚方向の偏析は軽微で均質
性にすぐれている。なお、鋳片として形成された供試材
Ｔ６は、鋳造および熱間圧延工程で割れを生じ、ターゲ
ツト材としての所定形状への成形は不可能であつた。
び表面と板厚中心部の化学組成分析値を示す。表中、Ｔ
１〜Ｔ４は発明例の焼結体ターゲツト、Ｔ５およびＴ６
は比較例である。比較例Ｔ５のターゲツト材は、発明例
と同一のＨＩＰ処理により製造された焼結体であるが、
合金元素としてＢの含有を欠いている例であり、Ｔ６は
溶解鋳造により鋳片（板厚４０ｍｍ）として製造した例
（但し、合金組成は本発明の規定を満足している）であ
る。鋳片として製造された供試ターゲツト材Ｔ６は、そ
の表面と板厚中心部とにおけるＢおよびＴａの含有量に
大きな差異があるのに対し、微細なアトマイズ合金粉末
を使用しＨＩＰ処理による焼結体として形成された供試
ターゲツト材Ｔ１〜Ｔ５の板厚方向の偏析は軽微で均質
性にすぐれている。なお、鋳片として形成された供試材
Ｔ６は、鋳造および熱間圧延工程で割れを生じ、ターゲ
ツト材としての所定形状への成形は不可能であつた。
【００１７】［ＩＩ］磁気デイスクの製作 アルミニウム合金基板（表面に膜厚２０μｍのＮｉ−Ｐ
合金無電解めつき膜形成）に、直流マグネトロンスパツ
タリング法を使用し、スパツタ雰囲気：５×１０-3Ｔｏ
ｒｒＡｒガス，基板温度：２５０℃，基板バイアス電
圧：−１５０Ｖのスパツタ条件下に、Ｃｒ膜（膜厚：１
０００Å）、磁性膜（膜厚：６００Å）、および炭素質
膜（膜厚：２５０Å）をこの順に積層成膜して面内異方
性磁気デイスクを製作した。磁性膜のスパツタ成膜には
前記供試ターゲツト材Ｔ１〜Ｔ５を使用した。各供試磁
気デイスクについて、磁性膜のスパツタ成膜に使用した
ターゲツト材とそのスパツタリング層位、および磁気特
性の測定結果を表２に示す。
合金無電解めつき膜形成）に、直流マグネトロンスパツ
タリング法を使用し、スパツタ雰囲気：５×１０-3Ｔｏ
ｒｒＡｒガス，基板温度：２５０℃，基板バイアス電
圧：−１５０Ｖのスパツタ条件下に、Ｃｒ膜（膜厚：１
０００Å）、磁性膜（膜厚：６００Å）、および炭素質
膜（膜厚：２５０Å）をこの順に積層成膜して面内異方
性磁気デイスクを製作した。磁性膜のスパツタ成膜には
前記供試ターゲツト材Ｔ１〜Ｔ５を使用した。各供試磁
気デイスクについて、磁性膜のスパツタ成膜に使用した
ターゲツト材とそのスパツタリング層位、および磁気特
性の測定結果を表２に示す。
【００１８】表２に示したように、ターゲツト材Ｔ５
（Ｂを含有しない）を使用して磁性膜を形成した磁気デ
イスクＤ９およびＤ１０に比べ、本発明のターゲツト材
Ｔ１〜Ｔ４を使用して磁性膜を形成した磁気デイスクＤ
１〜Ｄ８は、そのいずれも約１６００Ｏｅ以上の高保磁
力（Ｈｃ）を有し、かつ保磁力角型比Ｓ* の値も相対的
に低いレベルにある。保磁力角型比Ｓ* は、記録媒体ノ
イズとの関連を有し、その値が低い程、媒体ノイズは小
さくなるとされている特性値であり、供試磁気デイスク
Ｄ１〜Ｄ８と磁気デイスクＤ９，Ｄ１０との比較から、
本発明のターゲツト材を使用することにより、高密度記
録に適した磁気特性を有する記録媒体が得られることが
わかる。また、同一のターゲツト材を使用し、その表面
層をスパツタリングして磁性膜を形成した磁気デイスク
と、その板厚中央層をスパツタリングして磁性膜を形成
した磁気デイスクとの比較から、スパツタリングの経過
に伴う磁性膜の特性の変動は少なく、ターゲツト材の使
用開始当初から、その寿命に到るまで、磁気特性の安定
した磁性膜を形成できることがわかる。
（Ｂを含有しない）を使用して磁性膜を形成した磁気デ
イスクＤ９およびＤ１０に比べ、本発明のターゲツト材
Ｔ１〜Ｔ４を使用して磁性膜を形成した磁気デイスクＤ
１〜Ｄ８は、そのいずれも約１６００Ｏｅ以上の高保磁
力（Ｈｃ）を有し、かつ保磁力角型比Ｓ* の値も相対的
に低いレベルにある。保磁力角型比Ｓ* は、記録媒体ノ
イズとの関連を有し、その値が低い程、媒体ノイズは小
さくなるとされている特性値であり、供試磁気デイスク
Ｄ１〜Ｄ８と磁気デイスクＤ９，Ｄ１０との比較から、
本発明のターゲツト材を使用することにより、高密度記
録に適した磁気特性を有する記録媒体が得られることが
わかる。また、同一のターゲツト材を使用し、その表面
層をスパツタリングして磁性膜を形成した磁気デイスク
と、その板厚中央層をスパツタリングして磁性膜を形成
した磁気デイスクとの比較から、スパツタリングの経過
に伴う磁性膜の特性の変動は少なく、ターゲツト材の使
用開始当初から、その寿命に到るまで、磁気特性の安定
した磁性膜を形成できることがわかる。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】
【発明の効果】本発明のターゲツト材を使用することに
より、高密度記録に適した磁気特性を有する磁性膜を形
成することができる。そのターゲツト材は、板厚方向の
組成変動が少なく良好な均質性を有しているので、ター
ゲツト材の使用開始当初から寿命に到るまで、そのスパ
ツタリングにより形成される磁性膜は、所定の合金組成
とそれに基づく改良された一定の磁気特性を有し、磁気
記録層としての信頼性にすぐれている。
より、高密度記録に適した磁気特性を有する磁性膜を形
成することができる。そのターゲツト材は、板厚方向の
組成変動が少なく良好な均質性を有しているので、ター
ゲツト材の使用開始当初から寿命に到るまで、そのスパ
ツタリングにより形成される磁性膜は、所定の合金組成
とそれに基づく改良された一定の磁気特性を有し、磁気
記録層としての信頼性にすぐれている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西 隆 兵庫県尼崎市西向島町64番地 株式会社ク ボタ尼崎工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｂ：０．
８〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％または／およびＴ
ａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％
を越えない），残部実質的にＣｏからなり、相対密度：
９８％以上である焼結体であることを特徴とするターゲ
ツト材。 - 【請求項２】 原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｂ：０．
８〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％または／およびＴ
ａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％
を越えない），残部実質的にＣｏからなる、粒径２２メ
ツシユ以下のアトマイズ合金粉末を金属容器に充填し、
脱気密封した後、熱間静水等方加圧焼結することを特徴
とする請求項１に記載のターゲツト材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222592A JP2802850B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ターゲツト材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222592A JP2802850B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ターゲツト材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05263230A true JPH05263230A (ja) | 1993-10-12 |
| JP2802850B2 JP2802850B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=14048501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222592A Expired - Lifetime JP2802850B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | ターゲツト材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2802850B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP9222592A patent/JP2802850B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2802850B2 (ja) | 1998-09-24 |
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