JPH05259732A - 電波吸収体の製造方法 - Google Patents
電波吸収体の製造方法Info
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- JPH05259732A JPH05259732A JP4215161A JP21516192A JPH05259732A JP H05259732 A JPH05259732 A JP H05259732A JP 4215161 A JP4215161 A JP 4215161A JP 21516192 A JP21516192 A JP 21516192A JP H05259732 A JPH05259732 A JP H05259732A
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- Japan
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- ferrite
- radio wave
- wave absorber
- electromagnetic wave
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電波吸収周波数帯域の広帯域化と吸収体薄板化
を同時に満足するＮｉ−Ｚｎ系フェライト電波吸収体を
提供することを目的とする。 【構成】 Ｆｅ2 Ｏ3 ６６．１ｇ、ＺｎＯ２３．１ｇ、
ＮｉＯ８．８ｇ、ＭｎＯ2 ０．５ｇ、Ｃｏ3 ０4 ０．５
ｇ及びＣｕＯ０．１ｇを混合し、乾燥及び粉砕した後、
９００℃の温度で２時間下焼きした後、下焼きした原料
を粉砕し２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形した後、２〜１
２℃／分の昇温速度で１２５０℃に加熱し２〜６時間程
度維持した後、２〜１２℃／分の冷却速度で冷却する。
を同時に満足するＮｉ−Ｚｎ系フェライト電波吸収体を
提供することを目的とする。 【構成】 Ｆｅ2 Ｏ3 ６６．１ｇ、ＺｎＯ２３．１ｇ、
ＮｉＯ８．８ｇ、ＭｎＯ2 ０．５ｇ、Ｃｏ3 ０4 ０．５
ｇ及びＣｕＯ０．１ｇを混合し、乾燥及び粉砕した後、
９００℃の温度で２時間下焼きした後、下焼きした原料
を粉砕し２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形した後、２〜１
２℃／分の昇温速度で１２５０℃に加熱し２〜６時間程
度維持した後、２〜１２℃／分の冷却速度で冷却する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
ト電波吸収体の製造方法に関するもので、特に、焼結時
諸般の焼結条件を適切に制御し焼結体の複素透磁率虚数
部を増加させる事で薄板化と広帯域化を図った電波吸収
体の製造方法に関するものである。
ト電波吸収体の製造方法に関するもので、特に、焼結時
諸般の焼結条件を適切に制御し焼結体の複素透磁率虚数
部を増加させる事で薄板化と広帯域化を図った電波吸収
体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電子通
信技術が発展するに従い電波の利用が拡大し多様なディ
ジタル機器の使用拡大に随伴し、不必要な電波の発生に
因る電子装置等の誤動作を招来する等の電波公害問題が
頻発している。一例としてディジタル回路の場合は、本
来放射ノイズレベルが高いからマイクロコンピュータ間
の平均距離が短くなれば入力インピーダンスの高いＭＯ
Ｓ型素子はノイズの影響に因り誤動作する例が増加する
様になる。
信技術が発展するに従い電波の利用が拡大し多様なディ
ジタル機器の使用拡大に随伴し、不必要な電波の発生に
因る電子装置等の誤動作を招来する等の電波公害問題が
頻発している。一例としてディジタル回路の場合は、本
来放射ノイズレベルが高いからマイクロコンピュータ間
の平均距離が短くなれば入力インピーダンスの高いＭＯ
Ｓ型素子はノイズの影響に因り誤動作する例が増加する
様になる。
【０００３】この様な不必要な電波に因る問題点を解決
する為に諸形態の電波吸収体が開発され使用されている
が、その特性により、通常的に電波の電気エネルギを抵
抗体に依り熱エネルギに変換させる抵抗体型と、シール
ド面に磁性体を添付し磁気損失に依り電波を吸収する磁
性体型及びこれら２種の形態を複合した複合型の３つの
種類に区分される。
する為に諸形態の電波吸収体が開発され使用されている
が、その特性により、通常的に電波の電気エネルギを抵
抗体に依り熱エネルギに変換させる抵抗体型と、シール
ド面に磁性体を添付し磁気損失に依り電波を吸収する磁
性体型及びこれら２種の形態を複合した複合型の３つの
種類に区分される。
【０００４】磁性体型の１種であるフェライト電波吸収
体は自由空間と臨界結合をしている広帯域共振器で、こ
の様な広帯域性能は強磁性体固有の自然共鳴現象に依る
ものと知られているが、この様なフェライトを、カーボ
ン等を利用した抵抗損失材料と組み合わせて複合型電波
吸収体に製作する様になればＶＨＦ帯域以上の広帯域を
カバーできるようになる。
体は自由空間と臨界結合をしている広帯域共振器で、こ
の様な広帯域性能は強磁性体固有の自然共鳴現象に依る
ものと知られているが、この様なフェライトを、カーボ
ン等を利用した抵抗損失材料と組み合わせて複合型電波
吸収体に製作する様になればＶＨＦ帯域以上の広帯域を
カバーできるようになる。
【０００５】この様な複合型電波吸収体は、波長の長い
低周波領域は主にフェライトの磁気損失が、そして波長
の短い高周波領域はカーボンを使用した導伝材料の抵抗
損失が分担する周波数分担型の電波吸収体で、抵抗体型
や磁性体型に比べ比較的広い周波数範囲にわたり電波減
衰特性を発揮するが、その厚さの厚い短所があり実用化
に問題点として指摘されている。
低周波領域は主にフェライトの磁気損失が、そして波長
の短い高周波領域はカーボンを使用した導伝材料の抵抗
損失が分担する周波数分担型の電波吸収体で、抵抗体型
や磁性体型に比べ比較的広い周波数範囲にわたり電波減
衰特性を発揮するが、その厚さの厚い短所があり実用化
に問題点として指摘されている。
【０００６】電波吸収体を利用した電波遮蔽技術はＥＭ
Ｉ対策の一方法として又は不要電波の抑制対策面で電子
回路及び電波伝送の技術と並行し新しい電波吸収材料の
開発に関する総合的な研究が行われているが、電磁波干
渉の防止の為の材料としては反射に依る電磁波の放射を
防止するだけでなく吸収と共に反射波及び透過波も減少
させる効果を持つフェライト電波吸収材料及び電磁シー
ルド材料に対する研究が行われている。
Ｉ対策の一方法として又は不要電波の抑制対策面で電子
回路及び電波伝送の技術と並行し新しい電波吸収材料の
開発に関する総合的な研究が行われているが、電磁波干
渉の防止の為の材料としては反射に依る電磁波の放射を
防止するだけでなく吸収と共に反射波及び透過波も減少
させる効果を持つフェライト電波吸収材料及び電磁シー
ルド材料に対する研究が行われている。
【０００７】特に、電子部品内でのノイズに対する不要
モードの発生に依り機器の性能を低下させるか異常共振
を起こす現象を防止する為の方法として、フェライト複
合材料を回路ケース及び回路の一部に付着する様になれ
ば、放射ノイズの吸収乃至は磁気損失に依るダンピング
効果を通じ不必要なモードの制御と同時に電子機器から
の不要輻射の防止及び漏洩防止を期することが出来る。
モードの発生に依り機器の性能を低下させるか異常共振
を起こす現象を防止する為の方法として、フェライト複
合材料を回路ケース及び回路の一部に付着する様になれ
ば、放射ノイズの吸収乃至は磁気損失に依るダンピング
効果を通じ不必要なモードの制御と同時に電子機器から
の不要輻射の防止及び漏洩防止を期することが出来る。
【０００８】一般的にあらゆる電波吸収体は透磁率及び
誘電率で材料自体の固有整数で現す事が出来、この様な
電波吸収体の設計には透磁率（実数、虚数）、誘電率
（実数、虚数）、周波数及び厚さ等と共に、フェライト
の原料、組成、製造工程の変数及び焼結温度（加熱速
度、最高温度維持時間、冷却速度）等の適切な調整が要
求され、進んでコンピュータシュミレーション（Comput
er Simulation)を通じ最適の厚さを探し出さねばならぬ
等の多くの変数が存在する為に精密な制御及び適切な変
数調整を必要とする。
誘電率で材料自体の固有整数で現す事が出来、この様な
電波吸収体の設計には透磁率（実数、虚数）、誘電率
（実数、虚数）、周波数及び厚さ等と共に、フェライト
の原料、組成、製造工程の変数及び焼結温度（加熱速
度、最高温度維持時間、冷却速度）等の適切な調整が要
求され、進んでコンピュータシュミレーション（Comput
er Simulation)を通じ最適の厚さを探し出さねばならぬ
等の多くの変数が存在する為に精密な制御及び適切な変
数調整を必要とする。
【０００９】現在まで開発され適用されている電波吸収
材料には、電波暗室及び建築用材料であるフェライト焼
結体で製造した電波吸収タイル、フェライト及びゴムの
複合フェライト、導伝性繊維に発泡スチロールを混合し
てなるシート状電波吸収体、カーボニル鉄にゴムを混入
したシート状磁性体、フェライトにカーボニル鉄とハイ
パルンゴムを混ぜて製造した液状電波吸収材料及びフェ
ライトにエポキシ樹脂系統を混合して成る複合フェライ
ト等その用途及び形状がとても多様である。
材料には、電波暗室及び建築用材料であるフェライト焼
結体で製造した電波吸収タイル、フェライト及びゴムの
複合フェライト、導伝性繊維に発泡スチロールを混合し
てなるシート状電波吸収体、カーボニル鉄にゴムを混入
したシート状磁性体、フェライトにカーボニル鉄とハイ
パルンゴムを混ぜて製造した液状電波吸収材料及びフェ
ライトにエポキシ樹脂系統を混合して成る複合フェライ
ト等その用途及び形状がとても多様である。
【００１０】フェライト系電波吸収材料は共振型である
為使用可能周波数帯域が非常に狭いと言う特性に起因し
て、大概ＵＨＦ帯域でだけ使用可能なＮｉ−Ｚｎ系と、
ＶＨＦ帯域でだけ使用可能なＭｎ−Ｚｎ系の２種の形態
が知られているが、これらＮｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトは組成により多少の差異があるが、約１２００
〜１３００℃で焼結が成り、特にＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トの場合、磁気特性を発揮する為には焼結時酸素噴圧を
適切に維持させねばならない。
為使用可能周波数帯域が非常に狭いと言う特性に起因し
て、大概ＵＨＦ帯域でだけ使用可能なＮｉ−Ｚｎ系と、
ＶＨＦ帯域でだけ使用可能なＭｎ−Ｚｎ系の２種の形態
が知られているが、これらＮｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトは組成により多少の差異があるが、約１２００
〜１３００℃で焼結が成り、特にＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トの場合、磁気特性を発揮する為には焼結時酸素噴圧を
適切に維持させねばならない。
【００１１】公知のフェライト系電波吸収体の具体的な
一例として、米国特許第３，７２０，９５１号には液状
フェライトの裏面に金属材質を接着させたフェライト電
波吸収壁に関する記述が現れているが、その明細書上に
記載された所に依ればＮｉ−Ｚｎ系フェライトであるＮ
ｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト組成の場合、５．３ｍｍの厚
さで１３０〜５４０ＭＨｚ範囲の周波数帯域で電波吸収
特性を示し２０ｄＢ以上のバンド幅が４１０ＭＨｚであ
り、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトであるＭｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系
フェライト組成の場合、１２．１ｍｍの厚さで７４〜１
８５ＭＨｚの周波数帯域で電波吸収特性を現し２０ｄＢ
以上のバンド幅は１１１ＭＨｚに過ぎなく、全体的に２
０ｄＢ以上の電波減衰量を見せるバンド幅が狭く厚さが
比較的厚いと言う短所がある。
一例として、米国特許第３，７２０，９５１号には液状
フェライトの裏面に金属材質を接着させたフェライト電
波吸収壁に関する記述が現れているが、その明細書上に
記載された所に依ればＮｉ−Ｚｎ系フェライトであるＮ
ｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト組成の場合、５．３ｍｍの厚
さで１３０〜５４０ＭＨｚ範囲の周波数帯域で電波吸収
特性を示し２０ｄＢ以上のバンド幅が４１０ＭＨｚであ
り、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトであるＭｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系
フェライト組成の場合、１２．１ｍｍの厚さで７４〜１
８５ＭＨｚの周波数帯域で電波吸収特性を現し２０ｄＢ
以上のバンド幅は１１１ＭＨｚに過ぎなく、全体的に２
０ｄＢ以上の電波減衰量を見せるバンド幅が狭く厚さが
比較的厚いと言う短所がある。
【００１２】この様に既存のフェライト系電波吸収体の
大部分が、その構造上板状フェライトの裏面金属板が付
着された断層型からなり、ＶＨＦ帯域かＵＨＦ帯域中い
ずれか１つの帯域に対してだけ電波吸収特性を現す帯域
幅の狭少であるのを解決する為にフェライトの裏面に誘
電体層を複層化し広帯域化を図った電波吸収体が知られ
ているが、この場合の電波吸収体は誘電体層の複層化に
伴う厚さの増加をもたらす為に実用的でないと言う問題
点をもっている。
大部分が、その構造上板状フェライトの裏面金属板が付
着された断層型からなり、ＶＨＦ帯域かＵＨＦ帯域中い
ずれか１つの帯域に対してだけ電波吸収特性を現す帯域
幅の狭少であるのを解決する為にフェライトの裏面に誘
電体層を複層化し広帯域化を図った電波吸収体が知られ
ているが、この場合の電波吸収体は誘電体層の複層化に
伴う厚さの増加をもたらす為に実用的でないと言う問題
点をもっている。
【００１３】従って、本発明は上記従来の電波吸収材料
が持っている問題点を勘案し、フェライト焼結体の製造
時可能な限りあらゆる損失を活性化する様製造条件を制
御し、複素透磁率の虚数部を増大させ電波吸収体の薄板
化と広帯域を図った電波吸収体の製造方法を提供するの
にその目的がある。
が持っている問題点を勘案し、フェライト焼結体の製造
時可能な限りあらゆる損失を活性化する様製造条件を制
御し、複素透磁率の虚数部を増大させ電波吸収体の薄板
化と広帯域を図った電波吸収体の製造方法を提供するの
にその目的がある。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び作用】このため、本発
明の電波吸収体の製造方法は、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｎ
ｉＯ、ＭｎＯ2 、Ｃｏ3 ０4 及びＣｕＯを秤量し混合、
乾燥及び粉砕工程を経た後、９００℃で２時間程度下焼
きし、更に粉砕し成型した後、電気炉で焼結を行うよう
になるが、この時昇温速度は２〜１２℃／分にし、１２
５０℃迄加熱した状態で２〜６時間程度維持した後、２
〜１２℃／分の冷却速度で冷却するようにした。
明の電波吸収体の製造方法は、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｎ
ｉＯ、ＭｎＯ2 、Ｃｏ3 ０4 及びＣｕＯを秤量し混合、
乾燥及び粉砕工程を経た後、９００℃で２時間程度下焼
きし、更に粉砕し成型した後、電気炉で焼結を行うよう
になるが、この時昇温速度は２〜１２℃／分にし、１２
５０℃迄加熱した状態で２〜６時間程度維持した後、２
〜１２℃／分の冷却速度で冷却するようにした。
【００１５】一般的に、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの平衡
酸素噴圧は１０００〜１４００℃で増加し１２５０℃で
のフェライトの平衡酸素噴圧は大気中の酸素噴圧よりも
高いものと知られているから、本発明では焼結時最高温
度を１２５０℃に維持し高温でフェライト内の酸素不足
（スピネルフェライト物質と酸素の間の平衡）に因り過
多Ｆｅ+2の生成を誘導し、低い温度で平衡酸素噴圧の減
少で２次物質としてのＦｅ2 Ｏ3 が析出する様にする。
この時、上記高温で生成した過多のＦｅ+2は磁気凝力係
数（magnetocrystalline anisotropy)が正（＋）の値に
なるようにし初透磁率を減少させ、低温で生成したＦｅ
2 Ｏ3 の２次物質析出は磁壁移動を妨害し低い透磁率の
原因となり、また、Ｆｅ+2の存在はエレクトロンホッピ
ング（electron hopping）に依り比抵抗を減少させ渦電
流の損失を起こす様になり、結果的に電波吸収能力を増
加させる様になる。
酸素噴圧は１０００〜１４００℃で増加し１２５０℃で
のフェライトの平衡酸素噴圧は大気中の酸素噴圧よりも
高いものと知られているから、本発明では焼結時最高温
度を１２５０℃に維持し高温でフェライト内の酸素不足
（スピネルフェライト物質と酸素の間の平衡）に因り過
多Ｆｅ+2の生成を誘導し、低い温度で平衡酸素噴圧の減
少で２次物質としてのＦｅ2 Ｏ3 が析出する様にする。
この時、上記高温で生成した過多のＦｅ+2は磁気凝力係
数（magnetocrystalline anisotropy)が正（＋）の値に
なるようにし初透磁率を減少させ、低温で生成したＦｅ
2 Ｏ3 の２次物質析出は磁壁移動を妨害し低い透磁率の
原因となり、また、Ｆｅ+2の存在はエレクトロンホッピ
ング（electron hopping）に依り比抵抗を減少させ渦電
流の損失を起こす様になり、結果的に電波吸収能力を増
加させる様になる。
【００１６】そして、本発明は最高温度維持時間を延長
させ冷却速度を低くして焼結後の結晶粒大きさ（grain
size）を大きく不均一に成長させ焼結体組織の不均一を
招来し微細組織の変化をもたらすことで損失を極大化さ
せている。即ち、本発明は同一なフェライト組成である
場合でも焼結温度、最高温度維持時間、昇温／冷却速度
及び焼結体の微細構造等の諸般製造工程の差異に従い複
素透磁率が変化する様になり、この様な複素透磁率の変
化に従い電波吸収特性が変化様になる事実を基とし、上
記の焼結工程時諸般条件を適切に制御する事で薄板化と
広帯域化達成する様にした。
させ冷却速度を低くして焼結後の結晶粒大きさ（grain
size）を大きく不均一に成長させ焼結体組織の不均一を
招来し微細組織の変化をもたらすことで損失を極大化さ
せている。即ち、本発明は同一なフェライト組成である
場合でも焼結温度、最高温度維持時間、昇温／冷却速度
及び焼結体の微細構造等の諸般製造工程の差異に従い複
素透磁率が変化する様になり、この様な複素透磁率の変
化に従い電波吸収特性が変化様になる事実を基とし、上
記の焼結工程時諸般条件を適切に制御する事で薄板化と
広帯域化達成する様にした。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例は以下の通りである。 〈実施例〉Ｆｅ2 Ｏ3 ６６．１ｇ、ＺｎＯ２３．１ｇ、
ＮｉＯ８．８ｇ、ＭｎＯ2 ０．５ｇ、Ｃｏ3 ０4 ０．５
ｇ及びＣｕＯ０．１ｇをスチールボールと共にポリエチ
レンジャー（jar)に入れ、脱イオン水を分散媒とし上記
の原料とボール及び脱イオン水の重さ比を１：１：１．
５に維持した状態で８０ＲＰＭに１０時間混合した後、
減圧濾過し１１０℃の電気オーブンで２４時間乾燥させ
た。乾燥した試料を粉砕し、電気炉で９００℃の温度で
２時間下焼きした後、下焼きした原料を粉砕し減圧濾過
した後、１１０℃の電気オーブンで１２時間乾燥させ
た。
ＮｉＯ８．８ｇ、ＭｎＯ2 ０．５ｇ、Ｃｏ3 ０4 ０．５
ｇ及びＣｕＯ０．１ｇをスチールボールと共にポリエチ
レンジャー（jar)に入れ、脱イオン水を分散媒とし上記
の原料とボール及び脱イオン水の重さ比を１：１：１．
５に維持した状態で８０ＲＰＭに１０時間混合した後、
減圧濾過し１１０℃の電気オーブンで２４時間乾燥させ
た。乾燥した試料を粉砕し、電気炉で９００℃の温度で
２時間下焼きした後、下焼きした原料を粉砕し減圧濾過
した後、１１０℃の電気オーブンで１２時間乾燥させ
た。
【００１８】次に、５％ＰＶＡ水溶液を原料重さに対し
５〜８％添加し充分に混合した後、５０メッシュの篩を
通過させ顆粒形態に形成した後、測定用ジグに適合する
よう（外径７ｍｍ，内径３ｍｍ）組立てた型に粉末を入
れ、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し試料を製造した。
続いて、大気雰囲気の電気炉で２〜１２℃／分の昇温速
度で１２５０℃に加熱し２〜６時間程度維持した後、２
〜１２℃／分の冷却速度で冷却した。このようにして、
表１に示している所の各焼結条件で複数の試片を製造し
た。
５〜８％添加し充分に混合した後、５０メッシュの篩を
通過させ顆粒形態に形成した後、測定用ジグに適合する
よう（外径７ｍｍ，内径３ｍｍ）組立てた型に粉末を入
れ、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し試料を製造した。
続いて、大気雰囲気の電気炉で２〜１２℃／分の昇温速
度で１２５０℃に加熱し２〜６時間程度維持した後、２
〜１２℃／分の冷却速度で冷却した。このようにして、
表１に示している所の各焼結条件で複数の試片を製造し
た。
【００１９】焼結後、試片を精密に錬磨し加工した後、
同軸型測定装置（ＨＰ８５０５１−６０００７）とネッ
トワークアナライザ（Network analyzer）を使用し各試
片の複素透磁率、複素誘電率及び減衰量に対する測定を
した。
同軸型測定装置（ＨＰ８５０５１−６０００７）とネッ
トワークアナライザ（Network analyzer）を使用し各試
片の複素透磁率、複素誘電率及び減衰量に対する測定を
した。
【００２０】
【表１】
【００２１】図１は表１の試片８に対する電子顕微鏡拡
大写真で、（ａ）は錬磨面の組織であり、（ｂ）は破断
面の組織であるが、写真で所々雪見たいに白い点で現れ
た部分がＦｅ2 Ｏ3 ２次析出像であり、全体的に見る
時、結晶粒の大きさが比較的大きく、結晶粒間の大きさ
が５μｍ乃至３０μｍに至る迄相当な差異を見せて組織
が不均一であるのと併せて結晶粒内部に気孔（pore) 等
を始めとする内部欠陥が多く存在するのを知ることが出
来る。
大写真で、（ａ）は錬磨面の組織であり、（ｂ）は破断
面の組織であるが、写真で所々雪見たいに白い点で現れ
た部分がＦｅ2 Ｏ3 ２次析出像であり、全体的に見る
時、結晶粒の大きさが比較的大きく、結晶粒間の大きさ
が５μｍ乃至３０μｍに至る迄相当な差異を見せて組織
が不均一であるのと併せて結晶粒内部に気孔（pore) 等
を始めとする内部欠陥が多く存在するのを知ることが出
来る。
【００２２】表２は本発明の各実施例試片の厚さ変化に
対する２０ｄＢ以上の反射減衰量を示す周波数の範囲を
示したものである。
対する２０ｄＢ以上の反射減衰量を示す周波数の範囲を
示したものである。
【００２３】
【表２】
【００２４】図２及び図３は各々７ｍｍ厚さで試片５及
び試片６の周波数変化に対する減衰量効果を示した図
で、２つの試片共にＶＨＦ帯域及びＵＨＦ帯域を同時に
カバーできるのを知る事が出来る。このように、本実施
例の製造方法による電波吸収体によれば、２０ｄＢ以上
の反射減衰量を現す周波数の範囲が拡大し薄型である２
〜７ｍｍの厚さでＶＨＦ（９０〜２２２ＭＨｚ）帯域と
ＵＨＦ（４７０〜７７０ＭＨｚ）帯域を同時に満足させ
ＴＶゴースト（ghost)障害防止材料、電波暗室用材料及
び放射ノイズ電波吸収用材料を始めとする多様な用途に
実用的に使用する事が出来る。
び試片６の周波数変化に対する減衰量効果を示した図
で、２つの試片共にＶＨＦ帯域及びＵＨＦ帯域を同時に
カバーできるのを知る事が出来る。このように、本実施
例の製造方法による電波吸収体によれば、２０ｄＢ以上
の反射減衰量を現す周波数の範囲が拡大し薄型である２
〜７ｍｍの厚さでＶＨＦ（９０〜２２２ＭＨｚ）帯域と
ＵＨＦ（４７０〜７７０ＭＨｚ）帯域を同時に満足させ
ＴＶゴースト（ghost)障害防止材料、電波暗室用材料及
び放射ノイズ電波吸収用材料を始めとする多様な用途に
実用的に使用する事が出来る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
波減衰特性を発揮する周波数帯域の広帯域化と薄板化の
両方を同時に満足させることができ、ゴースト障害防止
材料、電波暗室用材料及び放射ノイズ電波吸収用材料を
始めとする多様な用途に実用的に使用する事が出来る。
波減衰特性を発揮する周波数帯域の広帯域化と薄板化の
両方を同時に満足させることができ、ゴースト障害防止
材料、電波暗室用材料及び放射ノイズ電波吸収用材料を
始めとする多様な用途に実用的に使用する事が出来る。
【図１】本発明の実施例試片８の組織の電子顕微鏡拡大
写真で、（ａ）は錬磨面、（ｂ）は破断面
写真で、（ａ）は錬磨面、（ｂ）は破断面
【図２】本発明の実施例試片５の周波数変化に対する減
衰量の変化挙動を示したグラフ
衰量の変化挙動を示したグラフ
【図３】本発明の実施例試片７の周波数変化に対する減
衰量の変化挙動を示したグラフ
衰量の変化挙動を示したグラフ
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｍ 7128−4Ｅ (72)発明者 朱 潤 暾 大韓民国慶尚南道昌原市明西洞145−４
Claims (1)
- 【請求項１】Ｆｅ2 Ｏ3 ６６．１ｇ、ＺｎＯ２３．１
ｇ、ＮｉＯ８．８ｇ、ＭｎＯ2 ０．５ｇ、Ｃｏ3 ０
4 ０．５ｇ及びＣｕＯ０．１ｇを混合し乾燥及び粉砕し
た後、９００℃で２時間下焼きし再び粉砕し成型した
後、２〜１２℃／分の昇温速度で１２５０℃迄加熱し２
〜６時間維持させた後、２〜１２℃／分の冷却速度で冷
却して製造することを特徴とする電波吸収体の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| KR1019910013920A KR930011547B1 (ko) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 전파흡수체의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259732A true JPH05259732A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=19318503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215161A Pending JPH05259732A (ja) | 1991-08-13 | 1992-08-12 | 電波吸収体の製造方法 |
Country Status (2)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109650933A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-04-19 | 陕西科技大学 | 一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112194481B (zh) * | 2020-09-28 | 2022-08-23 | 兰州大学 | 一种镍锌铁氧体材料及其制备方法 |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6289747A (ja) * | 1985-06-15 | 1987-04-24 | Tdk Corp | 電波吸収体 |
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- 1992-08-12 JP JP4215161A patent/JPH05259732A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6289747A (ja) * | 1985-06-15 | 1987-04-24 | Tdk Corp | 電波吸収体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109650933A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-04-19 | 陕西科技大学 | 一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷及其制备方法 |
| CN109650933B (zh) * | 2019-01-28 | 2021-03-30 | 陕西科技大学 | 一种多孔Co3O4/Al2SiO5低密度吸波型复相陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
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