JPH05129123A - 酸化物磁性材料及びそれを使用した電波吸収体 - Google Patents
酸化物磁性材料及びそれを使用した電波吸収体Info
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- JPH05129123A JPH05129123A JP3291712A JP29171291A JPH05129123A JP H05129123 A JPH05129123 A JP H05129123A JP 3291712 A JP3291712 A JP 3291712A JP 29171291 A JP29171291 A JP 29171291A JP H05129123 A JPH05129123 A JP H05129123A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電波暗室の利用空間の拡大と，設備費用を低
減するために，その手法として，電波吸収体として使用
されているフェライト材料の特性を改良すること，及び
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの透磁率を更に向上し，フェラ
イト材料単独でも，電波吸収特性のｆebを３０MHz 以下
を達成することにより，低周波側対策のための工費や，
材料使用料の減少により，設備費の低減と暗室内空間の
拡張を実現すること。 【構成】 磁化物磁性材料において，組成比を，ａ（Ｎ
ｉ(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3 （但
し，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００mol ％，０≦ｘ＜１）とし，ａ
＝１５．０〜１８．０mol ％，ｂ＝３１．０〜３４．５
mol ％，ｃ＝４９．０〜５２．５mol ％とした。電波吸
収体は，この組成を有する酸化物磁性材料の高透磁率焼
結体によって構成される。
減するために，その手法として，電波吸収体として使用
されているフェライト材料の特性を改良すること，及び
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの透磁率を更に向上し，フェラ
イト材料単独でも，電波吸収特性のｆebを３０MHz 以下
を達成することにより，低周波側対策のための工費や，
材料使用料の減少により，設備費の低減と暗室内空間の
拡張を実現すること。 【構成】 磁化物磁性材料において，組成比を，ａ（Ｎ
ｉ(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3 （但
し，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００mol ％，０≦ｘ＜１）とし，ａ
＝１５．０〜１８．０mol ％，ｂ＝３１．０〜３４．５
mol ％，ｃ＝４９．０〜５２．５mol ％とした。電波吸
収体は，この組成を有する酸化物磁性材料の高透磁率焼
結体によって構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，酸化物磁性材料及びそ
の焼結体を使用した電波吸収体に関するものである。
の焼結体を使用した電波吸収体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年，電磁ノイズが精密機器等に及ぼす
影響が，大きな問題となっている。この電磁ノイズの測
定，評価には電波暗室が多く使用されている。現在，電
波暗室は，磁性材料と誘電材料を複合化して構成されて
いる。
影響が，大きな問題となっている。この電磁ノイズの測
定，評価には電波暗室が多く使用されている。現在，電
波暗室は，磁性材料と誘電材料を複合化して構成されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現在，電波暗室に使用
されているフェライト材料は，Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト
やＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イトが使用されている。この中でもＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イトは，他のフェライト材料に比べ，透磁率はやや低い
ものの，吸収帯域が広くとられることから，現在主に使
用されている。
されているフェライト材料は，Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト
やＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イトが使用されている。この中でもＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イトは，他のフェライト材料に比べ，透磁率はやや低い
ものの，吸収帯域が広くとられることから，現在主に使
用されている。
【０００４】しかしながら，現在市販されているＮｉ−
Ｚｎ系フェライト材料（電波吸収体としてはＮｉＯの一
部をＣｕＯを置換した材質が多い。）は，最高級のもの
で１００kHz における比透磁率（μ１００kHz)が２００
０前後である。このフェライト板を電波吸収体として，
整合厚を調節して，最適条件に設定した場合，電波の反
射率が−２０dB以下となる周波数帯域で，低域側の周波
数（ｆeb）は約５０MHz となっている。したがって，こ
のフェライト材料を使用して，更に３０MHz以下の周波
数帯域の電波吸収特性を得るには，形状の変化や他材料
との複合化等が必要となり，設備のコスト高及び暗室空
間が狭くなる等の不利益が生じている。
Ｚｎ系フェライト材料（電波吸収体としてはＮｉＯの一
部をＣｕＯを置換した材質が多い。）は，最高級のもの
で１００kHz における比透磁率（μ１００kHz)が２００
０前後である。このフェライト板を電波吸収体として，
整合厚を調節して，最適条件に設定した場合，電波の反
射率が−２０dB以下となる周波数帯域で，低域側の周波
数（ｆeb）は約５０MHz となっている。したがって，こ
のフェライト材料を使用して，更に３０MHz以下の周波
数帯域の電波吸収特性を得るには，形状の変化や他材料
との複合化等が必要となり，設備のコスト高及び暗室空
間が狭くなる等の不利益が生じている。
【０００５】この建物の外側寸法に比べ，電波暗室内部
の空間が著しく小さくなるため，高価な設備の割りには
利用空間が小さいという欠点は未だに解決されてはいな
い。
の空間が著しく小さくなるため，高価な設備の割りには
利用空間が小さいという欠点は未だに解決されてはいな
い。
【０００６】そこで，本発明の一つの技術的課題は，電
波暗室の利用空間の拡大と，設備費用を低減するため
に，その手法として，電波吸収体として使用されている
フェライト材料の特性を改良することにある。
波暗室の利用空間の拡大と，設備費用を低減するため
に，その手法として，電波吸収体として使用されている
フェライト材料の特性を改良することにある。
【０００７】本発明のもう一つの技術的課題は，Ｎｉ−
Ｚｎ系フェライトの透磁率を更に向上し，フェライト材
料単独でも，電波吸収特性のｆebを３０MHz 以下を達成
することにより，低周波側対策のための工費や，材料使
用料の減少により，設備費の低減と暗室内空間の拡張を
実現することにある。
Ｚｎ系フェライトの透磁率を更に向上し，フェライト材
料単独でも，電波吸収特性のｆebを３０MHz 以下を達成
することにより，低周波側対策のための工費や，材料使
用料の減少により，設備費の低減と暗室内空間の拡張を
実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，Ｎｉ−Ｚ
ｎ系フェライトの高透磁率化について種々検討した結
果，組成を極めて限定された範囲に設定することによ
り，実現されることを発見した。
ｎ系フェライトの高透磁率化について種々検討した結
果，組成を極めて限定された範囲に設定することによ
り，実現されることを発見した。
【０００９】即ち，本発明によれば，磁化物磁性材料に
おいて，組成比を， ａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3
（但し，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００mol ％，０≦ｘ＜１）と
し，ａ＝１５．０〜１８．０mol ％，ｂ＝３１．０〜３
４．５mol ％，ｃ＝４９．０〜５２．５mol ％としたこ
とを特徴とする酸化物磁性材料が得られる。。
おいて，組成比を， ａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3
（但し，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００mol ％，０≦ｘ＜１）と
し，ａ＝１５．０〜１８．０mol ％，ｂ＝３１．０〜３
４．５mol ％，ｃ＝４９．０〜５２．５mol ％としたこ
とを特徴とする酸化物磁性材料が得られる。。
【００１０】本発明によれば，前記組成を有する酸化物
磁性材料の高透磁率焼結体によって構成されることを特
徴とする電波吸収体が得られる。
磁性材料の高透磁率焼結体によって構成されることを特
徴とする電波吸収体が得られる。
【００１１】ここで，フェライト単独でｆebが３０MHz
以下となるのは，μ１００kHz が２５００以上を示す領
域である。μ１００kHz が２５００以上という特性は，
従来最高級とされていたＮｉ−Ｚｎ系フェライトのμ１
００kHz が約２０００であることから，顕著な特性の改
善を必要としていることが理解できる。
以下となるのは，μ１００kHz が２５００以上を示す領
域である。μ１００kHz が２５００以上という特性は，
従来最高級とされていたＮｉ−Ｚｎ系フェライトのμ１
００kHz が約２０００であることから，顕著な特性の改
善を必要としていることが理解できる。
【００１２】尚，Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料は，通常
焼成温度が１２００℃〜１４００℃程度となる。しかし
ながら，ＮｉＯの一部をＣｕＯで置換することにより，
透磁率を低下することなく，焼結温度を低下できること
が知られている。
焼成温度が１２００℃〜１４００℃程度となる。しかし
ながら，ＮｉＯの一部をＣｕＯで置換することにより，
透磁率を低下することなく，焼結温度を低下できること
が知られている。
【００１３】したがって，本発明では，Ｎｉ−Ｚｎ系フ
ェライトにおけるＮｉＯの一部を，ＣｕＯで置換した組
成系で行なっているが，このＣｕＯの置換量は任意に変
化できるものであり，ＣｕＯが零であっても，本発明の
フェライト特性が達成できることは，明らかであるとい
える。
ェライトにおけるＮｉＯの一部を，ＣｕＯで置換した組
成系で行なっているが，このＣｕＯの置換量は任意に変
化できるものであり，ＣｕＯが零であっても，本発明の
フェライト特性が達成できることは，明らかであるとい
える。
【００１４】また，本発明では，スピネル型Ｎｉ−Ｚｎ
系フェライト材料の組成範囲を， ａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕx ）・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2Ｏ3 ここで，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００mol ％，０≦ｘ＜１とし，
ａ＝１５．０〜１８．０mol ％，ｂ＝３１．０〜３４．
５mol ％，ｃ＝４９．０〜５２．５mol ％とすることに
より，μ１００kHz が２５００以上の従来にない高い特
性を達成している。
系フェライト材料の組成範囲を， ａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕx ）・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2Ｏ3 ここで，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００mol ％，０≦ｘ＜１とし，
ａ＝１５．０〜１８．０mol ％，ｂ＝３１．０〜３４．
５mol ％，ｃ＝４９．０〜５２．５mol ％とすることに
より，μ１００kHz が２５００以上の従来にない高い特
性を達成している。
【００１５】そして，本発明において，このフェライト
材料を電波吸収体として使用することにより，３０MHz
以下の周波数帯域をフェライト単独でもカバーできるこ
とになり，電波暗室の工費低減と室内空間の拡張が，容
易に実現できる。これは工業上極めて有益である。
材料を電波吸収体として使用することにより，３０MHz
以下の周波数帯域をフェライト単独でもカバーできるこ
とになり，電波暗室の工費低減と室内空間の拡張が，容
易に実現できる。これは工業上極めて有益である。
【００１６】尚，本発明において，Ｎｉ−Ｚｎ系フェラ
イト材料の組成を上述の範囲としたのは，この組成範囲
でのみμ１００kHz が２５００以上を達成でき，それ以
外では目標とする特性を達成できないからである。
イト材料の組成を上述の範囲としたのは，この組成範囲
でのみμ１００kHz が２５００以上を達成でき，それ以
外では目標とする特性を達成できないからである。
【００１７】
【実施例】以下，本発明の実施例について説明する。
【００１８】（実施例１）化学組成比をａ（Ｎｉ0.7 ・
Ｃｕ0.3 ）Ｏ・（４９．５−ａ）ＺｎＯ・５０．５Ｆｅ
2 Ｏ3とし，ここでａが１４．５，１５．０，１５．
５，１６．０，１６．５，１７．０，１７．５，１８．
０，１８．５，１９．０となるように，酸化鉄（α−Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化ニッケル（Ｎｉ
Ｏ），酸化銅（ＣｕＯ）の各粉末を原料とし，ボールミ
ルにて２０時間湿式混合した。
Ｃｕ0.3 ）Ｏ・（４９．５−ａ）ＺｎＯ・５０．５Ｆｅ
2 Ｏ3とし，ここでａが１４．５，１５．０，１５．
５，１６．０，１６．５，１７．０，１７．５，１８．
０，１８．５，１９．０となるように，酸化鉄（α−Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化ニッケル（Ｎｉ
Ｏ），酸化銅（ＣｕＯ）の各粉末を原料とし，ボールミ
ルにて２０時間湿式混合した。
【００１９】次に，これら原料混合粉末を大気中８００
℃で２時間焼成した後，ボールミルにて３時間湿式粉砕
した。
℃で２時間焼成した後，ボールミルにて３時間湿式粉砕
した。
【００２０】次に，この粉末にＰＶＡを１wt％混合した
後，成形圧２ton ／cm2 で外径１６mm，内径１０mm，高
さ７mmのリング状成形体を得た。これら成形体を，空気
中で徐熱，炉冷し１０００℃〜１３５０℃で５０℃毎に
それぞれ保持温度を変化し，２時間保持焼結した。
後，成形圧２ton ／cm2 で外径１６mm，内径１０mm，高
さ７mmのリング状成形体を得た。これら成形体を，空気
中で徐熱，炉冷し１０００℃〜１３５０℃で５０℃毎に
それぞれ保持温度を変化し，２時間保持焼結した。
【００２１】これらのリング状焼結体の１００kHz にお
ける比較透磁率（μ１００kHz)を，ＹＨＰ製インピーダ
ンスアナライザーを使用し，測定した。これらの試料
中，各々の組成にて最も高いμ１００kHz を示した値を
図１に示す。ａ＝１５．０〜１８．０mol ％の範囲でμ
１００kHZ が２５００以上の値となっている。
ける比較透磁率（μ１００kHz)を，ＹＨＰ製インピーダ
ンスアナライザーを使用し，測定した。これらの試料
中，各々の組成にて最も高いμ１００kHz を示した値を
図１に示す。ａ＝１５．０〜１８．０mol ％の範囲でμ
１００kHZ が２５００以上の値となっている。
【００２２】（実施例２）実施例１と同様にして，化学
組成比を１６．５（Ｎｉ0.7 ・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・ｂＺｎＯ
・（８３．５−ｂ）Ｆｅ2 Ｏ3 とし，ｂが３１．０，３
１．５，３２．０，３２．５，３３．０，３３．５，３
４．０，３４．５，３５．０なるリング状焼結体を得た
後，μ１００kHz を測定した。
組成比を１６．５（Ｎｉ0.7 ・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・ｂＺｎＯ
・（８３．５−ｂ）Ｆｅ2 Ｏ3 とし，ｂが３１．０，３
１．５，３２．０，３２．５，３３．０，３３．５，３
４．０，３４．５，３５．０なるリング状焼結体を得た
後，μ１００kHz を測定した。
【００２３】これらの試料中，各々の組成にて最も高い
μ１００kHz を示した値を図２に示す。ｂ＝３１．０〜
３４．５mol ％の範囲でμ１００kHz が２５００以上の
値となっている。
μ１００kHz を示した値を図２に示す。ｂ＝３１．０〜
３４．５mol ％の範囲でμ１００kHz が２５００以上の
値となっている。
【００２４】（実施例３）実施例１と同様にして，化学
組成比を（６７．０−Ｃ）（Ｎｉ0.7 ・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・
３３．０ＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3 とし，Ｃが４８．５，４
９．０，４９．５，５０．０，５０．５，５１．０，５
１．５，５２．０，５２．５，５３．０なるリング状焼
結体を得た後，μ１００kHz を測定した。
組成比を（６７．０−Ｃ）（Ｎｉ0.7 ・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・
３３．０ＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3 とし，Ｃが４８．５，４
９．０，４９．５，５０．０，５０．５，５１．０，５
１．５，５２．０，５２．５，５３．０なるリング状焼
結体を得た後，μ１００kHz を測定した。
【００２５】これらの試料中，各々の組成にて最も高い
μ１００kHz を示した値を図３に示す。ｃ＝４９．０〜
５２．５mol ％の範囲で，μ１００kHz が２５００以上
の値となっている。
μ１００kHz を示した値を図３に示す。ｃ＝４９．０〜
５２．５mol ％の範囲で，μ１００kHz が２５００以上
の値となっている。
【００２６】（実施例４）実施例１〜３にて作製したリ
ング状試料のμ１００kHz 値と，同様の条件で作製した
フェライト板の整合厚をそれぞれ変化し，最適整合条件
での電波吸収特性を測定した。これらの材料は，数〜数
百MHz の範囲で良好な電波吸収（低反射率）を示した。
ング状試料のμ１００kHz 値と，同様の条件で作製した
フェライト板の整合厚をそれぞれ変化し，最適整合条件
での電波吸収特性を測定した。これらの材料は，数〜数
百MHz の範囲で良好な電波吸収（低反射率）を示した。
【００２７】電波の反射が−２０dB以下となる低域側の
周波数（ｆeb）と，リング状フェライトのμ１００kHz
の関係を図４に示す。μ１００kHz が２５００以上で，
ｆebが明らかに３０MHz 以下となっている。
周波数（ｆeb）と，リング状フェライトのμ１００kHz
の関係を図４に示す。μ１００kHz が２５００以上で，
ｆebが明らかに３０MHz 以下となっている。
【００２８】尚，Ｆebが３０MHz 以下を示すフェライト
材を誘電材と複合化して電波暗室を作製したところ，従
来材料（μ１００kHz が約２０００）を使用した場合に
比べ，室内空間を１０％以上拡張することができる。
材を誘電材と複合化して電波暗室を作製したところ，従
来材料（μ１００kHz が約２０００）を使用した場合に
比べ，室内空間を１０％以上拡張することができる。
【００２９】以上の実施例からわかるように，Ｎｉ−Ｚ
ｎ系フェライト焼結体の組成比をａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕ
x ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3 （ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
mol％，０≦ｘ＜１）とし，ａ＝１５．０〜１８．０mol
％，ｂ＝３１．０〜３４．５mol ％，ｃ＝４９．０〜
５２．５mol ％とし，この材料によって構成された電波
吸収体は，従来困難であった低周波数帯域での吸収効率
の向上を実現できる。したがって，本発明のフェライト
焼結体を電波吸収体として使用した電波暗室は，従来に
比べ室内空間を１０％以上拡張することができる。
ｎ系フェライト焼結体の組成比をａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕ
x ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3 （ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
mol％，０≦ｘ＜１）とし，ａ＝１５．０〜１８．０mol
％，ｂ＝３１．０〜３４．５mol ％，ｃ＝４９．０〜
５２．５mol ％とし，この材料によって構成された電波
吸収体は，従来困難であった低周波数帯域での吸収効率
の向上を実現できる。したがって，本発明のフェライト
焼結体を電波吸収体として使用した電波暗室は，従来に
比べ室内空間を１０％以上拡張することができる。
【００３０】尚，本発明の実施例では，原料粉末を混合
して焼成する方法についてのみ述べているが，粉末の製
法として，共沈法，水熱合成法，噴霧熔焼法等を適用し
ても，フェライト焼結体の組成が本発明の範囲にあれ
ば，本発明に含まれるものである。
して焼成する方法についてのみ述べているが，粉末の製
法として，共沈法，水熱合成法，噴霧熔焼法等を適用し
ても，フェライト焼結体の組成が本発明の範囲にあれ
ば，本発明に含まれるものである。
【００３１】また，吸収体としてフェライト板を使用し
た例について示してあるが，フェライト焼結体の形状を
変化しても，本発明はフェライト材料の電波吸収特性を
改善しているものであり，組成が本発明の範囲にあれ
ば，本発明に含まれることは明らかである。
た例について示してあるが，フェライト焼結体の形状を
変化しても，本発明はフェライト材料の電波吸収特性を
改善しているものであり，組成が本発明の範囲にあれ
ば，本発明に含まれることは明らかである。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
電波暗室の利用空間の拡大と，設備費用を低減するため
に，特性が改良された電波吸収体として使用されるフェ
ライト材料を提供することができる。
電波暗室の利用空間の拡大と，設備費用を低減するため
に，特性が改良された電波吸収体として使用されるフェ
ライト材料を提供することができる。
【００３３】本発明のもう一つの技術的課題は，Ｎｉ−
Ｚｎ系フェライトの透磁率を更に向上し，フェライト材
料単独でも，電波吸収特性のｆebを３０MHz 以下を達成
することにより，低周波側対策のための工費や，材料使
用料の減少により，設備費の低減と暗室内空間の拡張を
実現し，工業上極めて有益である。
Ｚｎ系フェライトの透磁率を更に向上し，フェライト材
料単独でも，電波吸収特性のｆebを３０MHz 以下を達成
することにより，低周波側対策のための工費や，材料使
用料の減少により，設備費の低減と暗室内空間の拡張を
実現し，工業上極めて有益である。
【図１】実施例１において，化学組成比，ａ（Ｎｉ0.7
・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・（４９．５−ａ）ＺｎＯ・５０．５Ｆ
ｅ2 Ｏ3 におけるａとμ１００kHz との関係を示したも
のである。
・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・（４９．５−ａ）ＺｎＯ・５０．５Ｆ
ｅ2 Ｏ3 におけるａとμ１００kHz との関係を示したも
のである。
【図２】実施例２において，化学組成比１６．５（Ｎｉ
0.7 ・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・ｂＺｎＯ・（８３．５−ｂ）Ｆｅ
2 Ｏ3におけるｂとμ１００kHz との関係を示したもの
である。
0.7 ・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・ｂＺｎＯ・（８３．５−ｂ）Ｆｅ
2 Ｏ3におけるｂとμ１００kHz との関係を示したもの
である。
【図３】実施例３において，化学組成比（６７．０−
Ｃ）（Ｎｉ0.7 ・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・３３．０ＺｎＯ・ＣＦ
ｅ2 Ｏ3におけるｃとμ１００kHz との関係を示したも
のである。
Ｃ）（Ｎｉ0.7 ・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・３３．０ＺｎＯ・ＣＦ
ｅ2 Ｏ3におけるｃとμ１００kHz との関係を示したも
のである。
【図４】実施例４において，フェライト焼結試料のμ１
００kHz と電波の反射が−２０dB以下となる低域側の周
波数（ｆeb）との関係を示したものである。
００kHz と電波の反射が−２０dB以下となる低域側の周
波数（ｆeb）との関係を示したものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 磁化物磁性材料において，組成比を， ａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ＣＦｅ2 Ｏ3
（但し，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００mol ％，０≦ｘ＜１）と
し， ａ＝１５．０〜１８．０mol ％， ｂ＝３１．０〜３４．５mol ％， ｃ＝４９．０〜５２．５mol ％， としたことを特徴とする酸化物磁性材料。 - 【請求項２】 請求項１記載の組成を有する酸化物磁性
材料の高透磁率焼結体によって構成されることを特徴と
する電波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3291712A JPH05129123A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 酸化物磁性材料及びそれを使用した電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3291712A JPH05129123A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 酸化物磁性材料及びそれを使用した電波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129123A true JPH05129123A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17772425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3291712A Pending JPH05129123A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 酸化物磁性材料及びそれを使用した電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129123A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5454338A (en) * | 1994-07-14 | 1995-10-03 | Sara Lee Corporation | Positive pressure lint barrier and oil cooler for a sewing machine |
| US6146545A (en) * | 1998-12-04 | 2000-11-14 | Tdk Corporation | Radio wave absorbent |
| US6210597B1 (en) | 1997-09-25 | 2001-04-03 | Tdk Corporation | Radio wave absorbent |
| JP2006206415A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Tdk Corp | フェライト、電子部品及びそれらの製造方法 |
| US8138959B2 (en) * | 2006-10-19 | 2012-03-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Radio wave absorption material and radio wave absorber |
| KR20160033036A (ko) | 2014-09-17 | 2016-03-25 | 티디케이가부시기가이샤 | 전파 흡수체용 페라이트 조성물 및 전파 흡수체 |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP3291712A patent/JPH05129123A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5454338A (en) * | 1994-07-14 | 1995-10-03 | Sara Lee Corporation | Positive pressure lint barrier and oil cooler for a sewing machine |
| US5546879A (en) * | 1994-07-14 | 1996-08-20 | Sara Lee Corporation | Lint barrier for a sewing machine |
| US6210597B1 (en) | 1997-09-25 | 2001-04-03 | Tdk Corporation | Radio wave absorbent |
| US6146545A (en) * | 1998-12-04 | 2000-11-14 | Tdk Corporation | Radio wave absorbent |
| JP2006206415A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Tdk Corp | フェライト、電子部品及びそれらの製造方法 |
| US8138959B2 (en) * | 2006-10-19 | 2012-03-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Radio wave absorption material and radio wave absorber |
| KR20160033036A (ko) | 2014-09-17 | 2016-03-25 | 티디케이가부시기가이샤 | 전파 흡수체용 페라이트 조성물 및 전파 흡수체 |
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