JPH05258854A

JPH05258854A - 高周波加熱装置

Info

Publication number: JPH05258854A
Application number: JP5782192A
Authority: JP
Inventors: Naoyoshi Maehara; 直芳前原; Haruo Suenaga; 治雄末永; Kazuho Sakamoto; 和穂坂本; Daisuke Betsusou; 大介別荘; Yuji Nakabayashi; 裕治中林; Makoto Shibuya; 誠渋谷; Shiro Takeshita; 志郎竹下
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-03-16
Filing date: 1992-03-16
Publication date: 1993-10-08

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は高周波加熱装置に関するもので、論
理異常制御部により半導体スイッチの電圧電流責務を軽
減する制御構成を可能とし、高周波高入力電圧動作の実
現による小型、高密度、低価格、大出力化を目的とした
ものである。【構成】半導体スイッチ素子１２を有する電力変換器
７と、電力変換器７の出力を受ける加熱手段１８と、半
導体スイッチ素子１２を制御する制御手段２１と、半導
体スイッチ素子の電圧検知手段２２、２３と、過電流検
知遮断手段４０、４１、４２を備えると共に、論理異常
制御部３０を備え、この論理異常制御部３０が、電圧検
知手段２２、２３と半導体スイッチ素子駆動信号との論
理異常を検出して半導体スイッチ素子の動作を停止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子レンジあるいは誘
導加熱装置などの高周波加熱装置に関し、さらに詳しく
は、共振型電力変換器をその電源装置に用いた高周波加
熱装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、高周波加熱装置の電源装置は、い
わゆる鉄共振型トランスを用いたものが長い間用いられ
ていた。しかし近年では、半導体技術の進歩のお蔭で大
電力を扱う電力変換器が比較的低価格で実用に供され得
るようになり、２０ｋHz程度の共振型高周波インバータ
（電力変換器）を用いたものが実用化されている。

【０００３】図５は従来の共振型インバータを用いた高
周波加熱装置の回路図である。図において、電源装置１
は商用電源２から電力を供給され、高周波加熱装置の制
御装置３より起動停止や電波出力の大きさ等に関する指
令を受けて動作する構成である。５、６はノイズフィル
タである。

【０００４】共振型インバータ７は、ダイオードブリッ
ジ８、インダクタ９、コンデンサ１０、１１、スイッチ
ング素子であるトランジスタ１２、ダイオード１３、昇
圧トランス１４、高圧コンデンサ１５、ダイオード１
６、１７、などよりなり、制御部２０によりトランジス
タ１２のスイッチング周波数を制御してマグネトロン１
８に所望の電力を供給する構成である。

【０００５】制御部２０は制御手段２１を有し、制御手
段２１は、抵抗器２２、２３により検出されるトランジ
スタ１２のコレクタ電圧Ｖｃｅに同期してトランジスタ
１２の導通時間Ｔｏｎを調節する。また、その導通時間
Ｔｏｎは、制御装置３からの設定信号に基づき、入力電
流検知手段２４あるいはアノード電流検知手段２５から
の信号が設定値になるよう負帰還制御するものである。

【０００６】図６（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それ
ぞれトランジスタ１２のコレクタ電圧Ｖｃｅ、トランジ
スタ１２のコレクタ電流とダイオード１３の電流Ｉｃ
ｄ、トランジスタ１２のゲート駆動電圧Ｖｇである。図
５のインバータは、いわゆる電圧共振型インバータと呼
ばれるものであり、コンデンサ１０の端子電圧Ｖｃｃに
対して３〜５倍程度のコレクタ電圧Ｖｃｅとなる。たと
えば商用電源２の電圧が１００Ｖである時、図６のコレ
クタ電圧Ｖｃｅの値は、Ｖｃｃ＝１４０Ｖに対してＶ１
＝６００Ｖにも達する。また、トランジスタ１２のコレ
クタ電流Ｉｃは、Ｉ１＝６０Ａ程度となる。制御手段２
１は、図６（ａ）における点Ｐのタイミングを検出し、
Ｔｄ時間後に所望の電波出力が得られるよう調節された
導通時間Ｔｏｎの駆動電圧Ｖｇを出力するよう制御する
ものである。

【０００７】このように共振型インバータは、トランジ
スタ１２のターンオン時は、コレクタ電圧Ｖｃｅが零
で、かつ、コレクタ電流Ｉｃが零から立ち上がり、一
方、ターンオフ時は、コレクタ電圧Ｖｃｅが共振電圧波
形となっている。このためトランジスタ１２のスイッチ
ング損失の著しい低減が可能となり、１〜２ＫＷという
大電力でありながら１個のトランジスタ１２のみで変換
することが可能であった。

【０００８】しかしながら、図６における時刻ｔで、た
とえばマグネトロン１８のアノードカソード間放電が何
等かの原因で生じるとＩｃの傾きが増大し、かつＴｏｎ
は一定であるので、Ｉｃは同図（ｂ）のＩ２のようにき
わめて大きな値となる。そしてこの結果、Ｖｃｅもきわ
めて高い値Ｖ２に達し、上記の具体例の場合には１００
０Ｖを越えてしまう場合も発生する。このため、図５に
示すように、バリスタ１９が共振コンデンサ１１に並列
に設けられ、Ｖ２が９００Ｖ程度に制限されるよう構成
されて実用に供されていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このような電源装置を
用いた高周波加熱装置に対して、高周波加熱装置全体を
よりコンパクト化し一層使い勝手が高く、かつ、安価で
高信頼性とするために、電源装置のさらなる小型高密度
化、低コスト化の実現が強く望まれるようになってき
た。また、２００Ｖ商用電源用の電源装置も家庭におけ
る電力機器利用の増大と共に強く望まれるようになって
きた。しかしながら、このような電源装置の小型高密度
化や高耐圧化を進めていくためには、スイッチング周波
数の高周波化とスイッチング素子の高耐圧化が必要不可
欠であったが、とりわけ高耐圧性能を維持しつつ高周波
化を進めて行くことは半導体技術上困難度が高いもので
あり、しかも、高価格化せざるを得ないという欠点があ
った。また、スイッチング周波数を高周波化するとバリ
スタなどの過電圧保護手段の高周波損失が過大となり、
実用上使用することが困難となり、電源装置の信頼性の
低下を引き起こすというものであった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために以下の構成より成るものである。すなわち、
半導体スイッチ素子を有し、商用電源または蓄電池より
の電力を高周波電力に変換する電力変換器と、前記電力
変換器の出力を受けて被加熱物を加熱する加熱手段と、
前記半導体スイッチ素子の動作を制御する制御手段とを
有すると共に、前記半導体スイッチ素子の端子電圧を検
出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段の検出信号と
前記制御手段の前記半導体スイッチ素子制御信号とを比
較し論理異常を判定する論理異常制御部とを設け、前記
半導体スイッチ素子の導通制御信号発生時に前記電圧検
出信号が入力された時、前記論理異常制御部が前記電力
変換器の動作を停止するよう構成したものである。

【００１１】また、電力変換器の半導体スイッチ素子に
流れる電流値が所定値になった時この半導体スイッチを
非導通状態に制御する過電流検出遮断手段を設け、か
つ、前記半導体スイッチ素子の端子電圧を検出する電圧
検出手段と、前記電圧検出手段の検出信号と前記半導体
スイッチ素子の制御手段の前記半導体スイッチ素子制御
信号とを比較し論理異常を判定する論理異常制御部とを
設け、前記半導体スイッチ素子の導通制御信号発生時に
前記電圧検出信号が入力された時、前記論理異常制御部
が前記電力変換器の動作を停止するよう構成したもので
ある。

【００１２】さらに、論理異常制御部に計時手段を設
け、論理異常による電力変換器が動作停止してから所定
の時間経過後、前記電力変換器を自動的に再起動する構
成としたものである。

【００１３】さらにまた、論理異常制御に計数手段を設
け、論理異常による電力変換器の動作停止を計数する構
成とし、所定の回数だけ電力変換器を自動的に再起動す
ると共に、所定回数再起動した後は電力変換器の再起動
を禁止する構成としたものである。

【００１４】そして、論理異常制御部に論理異常出力部
を設け、論理異常による動作停止時にその情報を出力す
る構成としたものである。

【００１５】そしてまた、論理異常表示部を設け、論理
異常出力部の出力信号に基づきその情報を表示する構成
としたものである。

【００１６】

【作用】半導体スイッチ素子の端子電圧検出手段の検出
信号と制御手段の制御信号とを比較し論理異常を判定す
る論理異常制御部を設け、前記半導体スイッチ素子の導
通制御信号発生時に前記電圧検出信号が入力された時、
前記論理異常制御部が前記電力変換器の動作を停止する
構成により、半導体スイッチ素子の端子電圧異常状態を
容易に検出し、半導体スイッチ素子の破壊や信頼性低下
が生じる前に電力変換器の動作を停止せしめるものであ
る。そしてこれにより、必要最小限度の電圧耐量の半導
体スイッチ素子の利用を可能とし、しかも電圧破壊等の
不都合を確実に防止するものであり、半導体スイッチ素
子の大幅な損失低減を可能とするものである。

【００１７】また、半導体スイッチ素子の過電流検出遮
断手段と、半導体スイッチ素子の端子電圧検出手段と、
前記電圧検出手段の検出信号と前記制御手段の制御信号
とを比較し論理異常を判定する論理異常制御部とを設
け、前記半導体スイッチ素子の導通制御信号発生時に前
記電圧検出信号が入力された時、前記論理異常制御部が
前記電力変換器の動作を停止する構成とすることによ
り、半導体スイッチ素子の過電流を検出すると同時に端
子電圧異常状態を容易に検出し、半導体スイッチ素子の
過電流やそれに伴う過電圧による破壊が生じる前に電力
変換器の動作を停止するものであり、半導体スイッチ素
子の大幅な損失低減を可能とするものである。

【００１８】さらに、計時手段を設け、論理異常による
電力変換器が動作停止してから所定の時間経過後、前記
電力変換器を自動的に再起動する構成としたので、半導
体スイッチ素子の過電流やそれに伴う過電圧による破壊
が生じる前に電力変換器の動作を停止するものであり、
半導体スイッチ素子の大幅な損失低減を可能とし、しか
も、異常状態が取り除かれるのに十分な時間が経過して
から自動的に電力変換器の動作を再開せしめるものであ
る。したがって、ノイズなどによる単発的な半導体スイ
ッチ素子の誤動作の場合などは、半導体スイッチ素子を
保護し、かつ、高周波加熱機器が停止状態のままになっ
て加熱作用を果たせなくなるという不都合を回避するも
のである。

【００１９】さらにまた、計数手段を設け、動作停止回
数を計数する構成とし、所定の回数だけ電力変換器を自
動的に再起動すると共に、所定回数再起動した後は電力
変換器の再起動を禁止する構成により、ノイズなどによ
る単発的な半導体スイッチ素子の誤動作の場合などは、
半導体スイッチ素子を保護し、かつ、高周波加熱機器が
停止状態のままになって加熱作用を果たせなくなるとい
う不都合を回避すると共に、異常状態の発生頻度が高い
ときは再起動を停止して、半導体スイッチ素子等の破壊
が生じるのを防止するものである。

【００２０】そして、論理異常出力部を設け、論理異常
による動作停止時にその情報を出力する構成としたの
で、異常状態による動作停止が生じた場合、高周波加熱
装置の制御装置や故障サービス時における点検により、
異常による停止状態の判別を可能ならしめるものであ
る。

【００２１】そしてまた、論理異常表示部を設け、論理
異常出力部の出力信号に基づきその情報を表示する構成
とすることにより、高周波加熱装置の故障状態の原因判
別がきわめて容易になり、故障サービス等をより迅速で
簡便化せしめる。

【００２２】

【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。

【００２３】図１は本発明の一実施例を示す高周波加熱
装置の回路図であり、図５と同符号のものは相当する構
成要素であり詳しい説明を省略する。

【００２４】図１において、制御部２０は、制御手段２
１と論理異常制御部３０等より構成されている。この論
理異常制御部３０は、制御手段２１がトランジスタ１２
を駆動する駆動信号（Ｖｇ）と、抵抗器２２、２３によ
り検出されるトランジスタ１２のコレクタ電圧検出信号
（Ｖｃｅ）との論理判定をする論理異常判定部３１と、
この論理異常判定部３１の出力を受け、制御手段２１を
制御してトランジスタ１２への駆動信号を停止させる異
常時停止部３２と、異常時停止部３２が停止指令を制御
手段２１に与えてからの時間を計数し所定の計時後停止
解除信号を異常時停止部３２に与える計時手段３３と、
異常時停止部３２による制御手段２１への停止制御信号
の発生回数を計数し所定の計数後再起動禁止信号を異常
停止部３２に与える計数手段３４と、所定の回数計数し
た後の再起動禁止信号等を受けて再起動禁止の状態であ
ることを出力する論理異常出力部３５とにより構成され
ている。

【００２５】この論理異常出力部３５の出力信号は、フ
ィルタ３６を介して制御装置３に送られ、制御装置３
は、論理異常表示部３７により、論理異常のために電力
変換器７の動作が停止していることを表示し使用者やサ
ービスマンにその内容を容易に伝達することができる構
成となっている。

【００２６】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、
それぞれ、Ｖｃｅ、Ｉｃｄ、Ｖｇおよび論理異常判定部
３１により検出される論理異常信号Ｖａｂである。同図
２における時刻ｔ１において、図１のマグネトロン１８
の高圧端子間放電などの事故が発生したとすると、Ｉｃ
の増加速度は図２（ｂ）のようにそれまでより急激に大
きくなり、時刻ｔ２で通常の電流値Ｉ１より大きいＩ２
に達する。トランジスタ１２には、同一チップ上に１チ
ップで構成された電流検出用トランジスタ４０、検出抵
抗４１およびゲート電圧Ｖｇを遮断する遮断トランジス
タ４２が組み込まれ、過電流検出遮断手段を構成してい
る。遮断トランジスタ４２は自己保持機能を有する電界
効果型サイリスタであり、一度導通するとＶｇが供給さ
れている限り導通を継続してＶｇを遮断し続け、Ｖｇが
零電圧になると自己保持を解除するものである。この遮
断トランジスタ４２の作動電流値がＩ２となっているの
で、このような場合、時刻ｔ２においてＶｇが供給さ
れ、かつ、Ｖｃｅが発生するという論理異常期間Ｔａｂ
が生じる。したがって、論理異常検出信号Ｖａｂが検出
されるので、前述したように制御手段２１が論理異常停
止部３２よりの信号を受けてトランジスタ１２の動作を
停止し、次のサイクルの駆動電圧Ｖｇｎは発生しない。
このため、トランジスタ１２が過大な電流および電圧下
で動作しなければならない条件の発生が防止される。Ｉ
２の値は、定常動作では発生しない程度の大きさで、か
つ、十分小さい値となっている。したがって、Ｖｃｅの
値Ｖ２も、定常値Ｖ１に比べてさほど大きな値とはなら
ない。このためトランジスタ１２の電圧および電流耐量
を従来に比べて著しく小さいものにすることが可能とな
り、トランジスタ１２の大幅な低損失化が可能となるの
で、従来の困難であった高周波動作化や２００Ｖ商用電
源適用化が半導体性能の飛躍的改善を必要とせずに実現
することができる。たとえば、従来１００Ｖ商用電源用
に２０ＫHz程度の周波数で動作していた電力変換器に用
いていたトランジスタを、若干の半導体性能の改善によ
り、２００ＫHz程度まで高周波動作化することが可能と
なる。また、２００Ｖ商用電源用２０ＫHz動作の電力変
換器についても同様に実現することが可能である。これ
は、先に述べたように、本発明の適用によって高周波加
熱装置用電力変換器として、安全で高信頼性な動作を保
証したので、トランジスタ１２の電圧電流耐量を必要最
小限度の値とすることができ、このためトランジスタ１
２のスイッチングスピードと飽和電圧の低減を比較的容
易に実現し大幅なスイッチング性能の向上を実現するこ
とが可能となったからである。

【００２７】なお、トランジスタ１２、４０、４２およ
び抵抗器４１は、前述したように１チップトランジスタ
４４として構成としているので、２０ＫHzあるいはそれ
以上の高周波動作に対しても配線の浮遊インピーダンス
の影響などを受ける事なく過電流遮断性能を高精度に実
現することができる。しかしながら、あまり高精度を必
要としない場合は、図３に示すように電流変成器２５に
よりＩｃを検出し、駆動電圧遮断回路４６により遮断信
号を制御部２０に供給する構成とすることにより、図１
の実施例と同様の作用効果を発揮することができる。な
お、図３において図１と同符号のものは相当する構成要
素であり、詳しい説明を省略する。

【００２８】図４は本発明のさらに他の実施例を示す高
周波加熱装置の回路図であり、図１と同符号のものは相
当する構成要素であるので詳しい説明を省略する。同図
において、電力変換器（共振型インバータ）７の出力
は、加熱手段である加熱コイル５０に供給され、鍋５１
を誘導加熱する構成となっている。このような誘導加熱
調理装置の場合は、加熱動作中に鍋などが急激に取り除
かれた場合などのような異常時に発生する可能性のある
過大電流などを確実に検出して抑制することができるの
で図１の実施例の場合と同様の作用効果を発揮すること
ができる。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の調理装置
は、以下に述べる効果を有するものである。

【００３０】すなわち、端子電圧検出手段と論理異常制
御部とを設け、論理異常発生時に論理異常制御部が前記
電力変換器の動作を停止する構成とすることにより、半
導体スイッチ素子の端子電圧異常状態を容易に検出し、
半導体スイッチ素子の破壊や信頼性低下が生じる前に電
力変換器の動作を停止せしめる事が可能となりきわめて
高い信頼性と安全性を有する高周波加熱装置を実現する
ことができる。特に、この構成により、必要最小限度の
電圧耐量の半導体スイッチ素子の利用を可能とし、しか
も電圧破壊等の不都合を確実に防止するものであり、半
導体スイッチ素子の大幅な損失低減を可能とした高周波
加熱装置を実現し、従来困難であった高周波動作化によ
る小型高密度化および低価格化を高い信頼性と安全性を
保証しつつ容易に実現することができる。また、耐圧面
の余裕度が拡大するので、高入力電圧（商用電源など）
用の高周波加熱装置をきわめて容易に実現し、大電力高
周波加熱機器の実現要望を満たすことができる。

【００３１】また、過電流検出遮断手段を設け、かつ、
端子電圧検出手段と、論理異常制御部とを設け、論理異
常時に論理異常制御部が前記電力変換器の動作を停止す
る構成とすることより、過電流を検出すると同時に端子
電圧異常状態を容易に検出し、半導体スイッチ素子の過
電流やそれに伴う過電圧による破壊が生じる前に電力変
換器の動作を停止することを可能ならしめるものであ
り、きわめて高い信頼性と安全性を有する高周波加熱装
置を実現することができる。特に、この構成により、必
要最小限度の電圧および電流耐量の半導体スイッチ素子
の利用を可能とし、しかも電圧破壊等の不都合を確実に
防止するものであり、半導体スイッチ素子の大幅な損失
低減を可能とした高周波加熱装置を実現し、従来困難で
あった高周波動作化による小型高密度化および低価格化
を高い信頼性と安全性を保証しつつ容易に実現すること
ができる。また、耐圧面の余裕度が拡大するので、高入
力電圧（商用電源など）用の高周波加熱装置をきわめて
容易に実現し、大電力高周波加熱機器の実現要望を満た
すことができる。

【００３２】さらに、計時手段により、論理異常による
電力変換器が動作停止してから所定の時間経過後に、自
動的に再起動する構成としたので、半導体スイッチ素子
の大幅な損失低減を可能とし、しかも、異常状態が取り
除かれるのに十分な時間が経過してから自動的に電力変
換器の動作を再開せしめる事が可能な高周波加熱装置を
提供することができる。したがって、ノイズなどによる
誤動作や完全に停止して修理をすることが必要でない事
故などの場合は、半導体スイッチ素子の破壊は防止し、
かつ、高周波加熱機器が停止状態のままになって加熱作
用を果たせなくなり、使い勝手が悪い機器になってしま
うという不都合を回避した、きわめて使い勝手のよい高
周波加熱装置を実現することができる。

【００３３】さらにまた、計数手段により、所定回数再
起動した後は電力変換器の再起動を禁止する構成とした
ので、ノイズなどによる誤動作や完全に停止して修理を
することが必要でない事故などの場合は、半導体スイッ
チ素子の破壊は防止し、かつ、高周波加熱機器が停止状
態のままになって加熱作用を果たせなくなるという不都
合を回避すると共に、異常状態の発生頻度が高いときは
再起動を停止して、半導体スイッチ素子等の破壊などの
重大故障に至るのを防止することができる、きわめて使
い勝手のよい高周波加熱装置を提供することができる。

【００３４】そして、論理異常出力部を設けたので、論
理異常による動作停止状態を、高周波加熱装置の制御装
置を介して検出したり、故障サービス時における点検装
置により点検したりすることができる、サービス性に優
れた高周波加熱装置を実現することができる。

【００３５】そしてまた、論理異常表示部を設けたの
で、論理異常による停止状態であることの情報を容易に
表示することができる高周波加熱装置を実現し、使用者
の故障状態の原因判別がきわめて容易であり、ために、
故障サービス等をより迅速で簡便化せしめた高周波加熱
装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の高周波加熱装置の回路図

【図２】（ａ）図１の高周波加熱装置のトランジスタ電
圧Ｖｃｅの波形図（ｂ）図１の高周波加熱装置のトランジスタ電流Ｉｃと
ダイオード電流Ｉｄの合成電流Ｉｃｄの波形図（ｃ）図１の高周波加熱装置のトランジスタ駆動電圧Ｖ
ｇの電圧波形図（ｄ）図１の高周波加熱装置の論理異常検出信号波形図

【図３】本発明の他の実施例の高周波加熱装置の回路図

【図４】本発明のさらに他の実施例の高周波加熱装置の
回路図

【図５】従来の高周波加熱装置の回路図

【図６】（ａ）図５の高周波加熱装置のトランジスタ電
圧Ｖｃｅの波形図（ｂ）図５の高周波加熱装置のトランジスタ電流Ｉｃと
ダイオード電流Ｉｄの合成電流Ｉｃｄの波形図（ｃ）図５の高周波加熱装置のトランジスタ駆動電圧Ｖ
ｇの電圧波形図

【符号の説明】

７電力変換器（共振型インバータ）１２半導体スイッチ素子１８，５０加熱手段（マグネトロン、加熱コイル）２０制御部２１制御手段２２，２３電圧検出手段３０論理異常制御部３１論理異常判定部３２異常停止部３３計時手段３４計数手段３５論理異常出力部３７論理異常表示部

フロントページの続き (72)発明者別荘大介大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者中林裕治大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者渋谷誠大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者竹下志郎大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体スイッチ素子を有し、商用電源また
は蓄電池よりの電力を高周波電力に変換する電力変換器
と、前記電力変換器の出力を受けて被加熱物を加熱する
加熱手段と、前記半導体スイッチ素子の動作を制御する
制御手段とを有すると共に、前記半導体スイッチ素子の
端子電圧を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段
の検出信号と前記制御手段の前記半導体スイッチ素子制
御信号とを比較し論理異常を判定する論理異常制御部と
を設け、前記半導体スイッチ素子の導通制御信号発生時
に前記電圧検出信号が入力された時、前記論理異常制御
部が前記電力変換器の動作を停止するよう構成した高周
波加熱装置。
【請求項２】半導体スイッチ素子を有し、商用電源また
は蓄電池よりの電力を高周波電力に変換する電力変換器
と、前記電力変換器の出力を受けて被加熱物を加熱する
加熱手段と、前記半導体スイッチ素子の動作を制御する
制御手段とを有すると共に、前記半導体スイッチ素子に
流れる電流値が所定値になった時この半導体スイッチを
非導通状態に制御する過電流検出遮断手段と、前記半導
体スイッチ素子の端子電圧を検出する電圧検出手段と、
前記電圧検出手段の検出信号と前記制御手段の前記半導
体スイッチ素子制御信号とを比較し論理異常を判定する
論理異常制御部とを設け、前記半導体スイッチ素子の導
通制御信号発生時に前記電圧検出信号が入力された時、
前記論理異常制御部が前記電力変換器の動作を停止する
よう構成した高周波加熱装置。
【請求項３】論理異常制御部に計時手段を設け、論理異
常による電力変換器が動作停止してから所定の時間経過
後、前記電力変換器を自動的に再起動する構成とした請
求項１または請求項２記載の高周波加熱装置。
【請求項４】論理異常制御部に計数手段を設け、論理異
常による電力変換器の動作停止を計数する構成とし、所
定の回数だけ電力変換器を自動的に再起動すると共に、
所定回数再起動した後は電力変換器の再起動を禁止する
構成とした請求項１または請求項２記載の高周波加熱装
置。
【請求項５】論理異常制御部に論理異常出力部を設け、
論理異常による動作停止時にその情報を出力する構成と
した請求項１または請求項２記載の高周波加熱装置。
【請求項６】論理異常表示部を設け、論理異常出力部の
出力信号に基づきその情報を表示する構成とした請求項
５記載の高周波加熱装置。