JP3666433B2 - マグネトロン駆動用電源 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子レンジなどのマグネトロンを負荷とするマグネトロン駆動用電源に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のマグネトロン駆動用電源について図面を用いて説明する。図9は従来のマグネトロン駆動用電源の回路構成図である。第1及び第2の半導体スイッチ5、6の直列接続体はそれぞれ逆並列のダイオードが内蔵され接続されている。直列接続された第1及び第2の半導体スイッチ5、6は第1及び第2のダイオード3、4の直列接続体と並列接続している。第1及び第2のダイオード3、4にはそれぞれ第1及び第2のコンデンサ7、8が接続されており、第1及び第2のダイオードの3、4の接続点と第1及び第2の半導体スイッチ5、6の接続点の間に商用電源1、フィルタ2及び高圧トランス9が接続される構成となっている。高圧トランス9の2次巻き線出力は高圧整流回路10に接続され、マグネトロン11に直流高電圧を印可する。マグネトロン11はこの直流高電圧により、2.45GHzの電波を発生する。
【0003】
制御手段19は入力装置などの動作指令手段23からの入力に応じて、マグネトロン11の電波出力が所定値になるように第1及び第2の半導体スイッチ5、6の導通時間を決め、ドライブ手段18を用いて第1及び第2の半導体スイッチ5、6の導通時間を制御している。また、制御手段19は、マグネトロン駆動用電源の動作状態に応じて半導体スイッチの動作の開始・停止を行うインバータ動作許可手段17を有している。更に、制御手段19は、電圧検出手段12により第1及び第2の半導体スイッチ5,6のコレクタ−エミッタ間電圧(Vce)、または第1及び第2の半導体スイッチ5、6の直列接続の両端電圧(Vcu)を検出し、VceまたはVcuが所定値より大きい場合、ここでは第1の比較レベル13より大きな入力があった場合に、比較手段15の出力に従いインバータ動作許可手段17により、発振手段16の出力を止めることで、マグネトロン駆動用電源を安全に停止させている。ここで、Vceが過電圧を生じる場合としては電源1が瞬時停電や雷サージなどの外的要因により急激に変化する場合などが考えられる。また、過電圧を検出するレベルとしては半導体スイッチの許容電圧の80%程度のレベルに設定される。
【0004】
図10はインバータの各期間における電流が流れる経路を示した図であり、図11はそれに対応した動作波形図である。商用電源1の極性が図示の状態で第2の半導体スイッチ6がオン状態から説明を始める。この状態では図10(a)に示す様に商用電源1→フィルタ2→高圧トランス9の一次巻き線→第2の半導体スイッチ6→第2の整流ダイオード4の経路で電流が流れる(図11中のI6参照)。この動作により、マグネトロン11にエネルギーが伝達されるとともに、高圧トランス9の一次巻き線にエネルギーが蓄積されることになる。続いて、第2の半導体スイッチ6を所定の時間でオフすると、高圧トランス9の一次巻き線電流は同一方向に流れるため、図10(b)に示すように商用電源1→フィルタ2→高圧トランス9の一次巻き線→第1の半導体スイッチ5内のダイオード→第1のコンデンサ7の経路で高圧トランス9のエネルギーを第1のコンデンサ7に充電する。この動作により、第1のコンデンサ7には商用電源1の電圧を昇圧した電圧が蓄えられる。高圧トランス9の一次巻き線に蓄えられたエネルギーを全て放出すると、図10(c)の経路が形成され、第1のコンデンサ7の充電したエネルギーを、第1のコンデンサ7→第1の半導体スイッチ5→高圧トランス9の一次巻き線→商用電源1の経路で取り出す。そして、第1の半導体スイッチ5を所定の時間でオフすると、高圧トランスの一次巻き線は同一方向に電流を流すため、図10(d)のように高圧トランス9の一次巻き線→商用電源1→第2のコンデンサ8→第2の半導体スイッチ6内のダイオードの経路で電流が流れる。商用電源1の電圧極性が図10と逆極性の場合は第1及び第2の半導体スイッチ5、6、第1及び第2のダイオード3、4及び第1及び第2のコンデンサ7、8の動作を入れ替えるだけで同様の動作をする。この一連の動作を20〜50kHzで高周波動作させることにより、必要な出力を得ることになる。
【0005】
ここで、第1及び第2の半導体スイッチ5、6のコレクタ−エミッタ間電圧(Vce)は第1及び第2のコンデンサ7、8のクランプ作用により、0Vとクランプ電圧とを駆動周波数で行き来する(図11:V5,V6参照)。ここで、第1の半導体スイッチ5のコレクタ端子と第2半導体スイッチ6のエミッタ端子間の電圧(Vcu)を見ると、各々の半導体スイッチのコレクタ−エミッタ間電圧が現れるためにほぼ一定値をとることになる。よって、このVcu値を検出することで、第1及び第2の半導体スイッチ5、6に現れる過電圧状態を検出ことが可能となる。
【0006】
図12にこの構成で過電圧検知を行う場合の波形図を記す。従来のマグネトロン駆動用電源を100〜120V電源に用いる場合では、図10に示すように、起動前のVcu発生電圧(最大300〜380V程度)が起動後のVcu発生電圧(最大400〜480V程度)より低い。そこで、過電圧の検知レベルを起動後の発生電圧の最大値よりやや高めに設定することで、素早く過電圧検知を行うことが可能となる。ここで、起動前のVcuの電圧が電源電圧より大きいのは、電源、第1及び第2の半導体スイッチ5,6内のダイオード、第1及び第2のコンデンサ7、8により倍電圧整流回路が形成され、最大:電源電圧のピーク値の2倍の電圧が生じるためである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来のマグネトロン駆動用電源を200V系の電源(200〜240V電源)に使用する場合に、起動前のVce発生電圧(最大600〜750V程度)が起動後のVce発生電圧(最大500〜600V程度)より高くなることになる。そこで、過電圧基準値を起動前のVce電圧から決定すると過電圧基準レベルを800V以上で設定することになり、通常用いられる900Vクラスの半導体スイッチに対して耐圧余裕が少なくなる問題が生じる。特に、瞬時停電からの復帰時や雷サージ発生時等の電源電圧変動時においては、電源変動中に半導体スイッチの発生電圧が上昇する場合があり、耐圧破壊を引き起こす可能性が生じる。具体的には、電源変動が生じた場合に最初の発生電圧が720V、次の周期の発生電圧が950Vに達し、半導体スイッチの耐圧破壊に至る可能性が生じることになる。一方、耐圧が1000V以上の半導体スイッチを用いると、コストアップ要因となるとともに半導体スイッチの損失増加につながり冷却構成等の見直しが必要になるなど問題が生じる。
【0008】
本発明は上記の課題を解決するもので、200V系電源を使用する場合においても、電源変動に強く安定した動作が可能なマグネトロン駆動用電源を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、それぞれに逆並列のダイオードを備えた第1及び第2の半導体スイッチの直列接続体と、前記第1及び第2の半導体スイッチに並列接続され、前記第1及び第2の半導体スイッチが備えている前記逆並列のダイオードと同一方向に配置された第1及び第2のダイオードの直列接続体と、前記第1及び第2のダイオードに各々並列に接続される第1及び第2のコンデンサと、前記第1及び第2の半導体スイッチの接続点と第1及び第2のダイオードの接続点間に接続され、互いに直列に接続される商用電源及び高圧トランスの1次巻き線と、前記第1及び第2の半導体スイッチの発生電圧を検出する電圧検出手段と、前記高圧トランスの2次側出力に接続される高圧整流回路及びマグネトロンと、前記第1及び第2の半導体スイッチを制御し、かつ、前記電圧検出手段の検出した電圧が過電圧設定値よりも大きい場合には第1及び第2の半導体スイッチの動作の禁止を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、起動後の前記過電圧設定値を、起動前の前記過電圧設定値よりも引き下げることを特徴とするマグネトロン駆動用電源としている。
【0010】
これにより、200V系の電源であっても動作中に生じる電源の変動に対し機敏に検出することができ、半導体スイッチの耐圧破壊を未然に防ぐことが可能となり、電源電圧変動に強いマグネトロン駆動用電源を実現できるものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
請求項1に係わる本発明は、それぞれに逆並列のダイオードを備えた第1及び第2の半導体スイッチの直列接続体と、前記第1及び第2の半導体スイッチに並列接続され、前記第1及び第2の半導体スイッチが備えている前記逆並列のダイオードと同一方向に配置された第1及び第2のダイオードの直列接続体と、前記第1及び第2のダイオードに各々並列に接続される第1及び第2のコンデンサと、前記第1及び第2の半導体スイッチの接続点と第1及び第2のダイオードの接続点間に接続され、互いに直列に接続される商用電源及び高圧トランスの1次巻き線と、前記第1及び第2の半導体スイッチの発生電圧を検出する電圧検出手段と、前記高圧トランスの2次側出力に接続される高圧整流回路及びマグネトロンと、前記第1及び第2の半導体スイッチを制御し、かつ、前記電圧検出手段の検出した電圧が過電圧設定値よりも大きい場合には第1及び第2の半導体スイッチの動作の禁止を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、起動後の前記過電圧設定値を、起動前の前記過電圧設定値よりも引き下げることを特徴とするマグネトロン駆動用電源としている。
【0012】
これにより、200V系の電源であっても動作中に生じる電源の変動に対し機敏に検出することができ、半導体スイッチの耐圧破壊を未然に防ぐことが可能となり、電源電圧変動に強いマグネトロン駆動用電源を実現できるものである。
【0013】
請求項2に係わる本発明は、前記制御手段は、発振手段を有し、かつ、前記電圧検出手段の検出した電圧と起動前の過電圧設定値を比較し、商用電源の電圧が過電圧状態でないと判断した場合には、前記制御手段は発振手段の発振を許可するとともに、前記発振手段 が発振することを許可する発振指令に同期して、起動後の前記過電圧設定値を起動前の前記過電圧設定値よりも引き下げることを特徴とするマグネトロン駆動用電源としている。
【0014】
これにより、検知レベルの引き下げ、引き上げをスムーズに行うことが可能となり、半導体スイッチの耐圧破壊などの電源電圧変動に起因する故障が生じないマグネトロン駆動用電源を実現できるものである。
【0015】
【実施例】
(実施例1)
本発明の実施例1について図面を参照しながら説明する。本実施例は請求項1に係わる。
【0016】
図1は本実施例のマグネトロン駆動用電源の回路構成を示す図である。第1及び第2の半導体スイッチ5、6の直列接続体はそれぞれ逆並列のダイオードが接続されている。直列接続された第1及び第2の半導体スイッチ5、6は第1及び第2のダイオード3、4の直列接続体と並列接続している。第1及び第2のダイオード3、4にはそれぞれ第1及び第2のコンデンサ7、8が接続されており、第1及び第2のダイオードの3、4の接続点と第1及び第2の半導体スイッチ5、6の接続点の間に商用電源1、フィルタ2及び高圧トランス9が接続される構成となっている。高圧トランス9の2次巻き線出力は高圧整流回路10に接続され、マグネトロン11に直流高電圧を印可する。マグネトロン11はこの直流高電圧によって2.45GHzの電波を発生する。なお、本実施例では電源1としては200V系電源すなわち200〜240Vの商用電源を想定している。
【0017】
制御手段19は入力装置などの動作指令手段23からの入力に応じて、マグネトロン11の電波出力が所定値になるように第1及び第2の半導体スイッチ5、6の導通時間を決め、ドライブ手段18を用いて第1及び第2の半導体スイッチ5、6の導通時間を制御している。また、制御手段19は、マグネトロン駆動用電源の動作状態に応じて、動作指令手段23とは独立して半導体スイッチの動作の禁止を行うインバータ動作許可手段17を有している。更に、制御手段19は、電圧検出手段12により第1及び第2の半導体スイッチ5,6のコレクタ−エミッタ間電圧(Vce)、または第1及び第2の半導体スイッチ5、6の直列接続の両端電圧(Vcu)を検出し、VceまたはVcuが設定値より大きい場合には、比較手段15の出力に従いインバータ動作許可手段17により、発振手段16の出力を停止させる。ここで、Vcuの過電圧設置値としては第1の比較レベル13及び第2の比較レベル14があり、起動前は第1の比較レベル13で設定される値を、動作中には第2の比較レベル14で設定される値を用いている。
【0018】
図2は本実施例における過電圧検出時の動作波形を示している。本実施例は、動作時の第1及び第2の半導体スイッチ5,6のコレクタ−エミッタ間の発生電圧(VceまたはVcu)の最大値が起動前のVceまたはVcu最大電圧よりも低くなる、200V系の商用電源(200〜240V)の場合を示している。起動前のVcuの最大電圧は、第1及び第2のコンデンサ7、8と第1及び第2の半導体スイッチ5、6内のダイオードにより形成される倍電圧整流回路の作用により、電源電圧の最大値の2倍になる。すなわち、起動前のVcuの最大値は600〜720Vに達する。この起動前の状態では、VceまたはVcuの最大電圧を第1の比較レベル13と比較することで電源1の電圧が正常であるかを確認することができる。次に、起動後第1及び第2の半導体スイッチ5、6が動作を始めるとVcuは急激に下がりはじめ、マグネトロン発振前で400V前後、発振後で500V前後の最大電圧に低下する。そこで、制御手段19はVceまたはVcuの最大電圧が十分下がった段階で、電圧検知レベルを第2の比較レベル14まで引き下げる。このことにより、電源1の電圧異常などにより半導体スイッチに異常電圧が発生した場合に、発生電圧がより低い状態での検出が可能となる。このことにより、半導体スイッチの耐圧破壊が未然に防ぎかつ電源異常も早急に検知することが可能となる。なお、動作が終了した場合には、検知レベルを第1の比較レベル13に戻して、次の動作に備える必要がある。
【0019】
なお、電源1の電圧が100V系の場合には、特に過電圧検知レベルを切り替える必要はないが、切り替えを行う場合には、起動前の異常電圧検知レベルである第1の比較レベル13に対して、起動後の過電圧検知レベルである第2の比較レベル14を引き上げることになる。
【0020】
以上のように本実施例によれば、200V系の電源であっても動作中に生じる電源の変動に対し機敏に検出することができるため、半導体スイッチの耐圧破壊を未然に防ぐことが可能となり、電源電圧変動に強いマグネトロン駆動用電源を実現できるものである。
【0021】
(実施例2)
本発明のマグネトロン駆動用電源の実施例2について図面を参照しながら説明する。本実施例は請求項2に係わる。
【0022】
図3は本実施例のマグネトロン駆動用電源の回路構成を示す図である。本実施例の構成が実施例1と異なるのは第1の比較レベル13から第2の比較レベル14への切り替えがインバータ動作許可手段17に同期して行われる点である。
【0023】
図4は本実施例の動作を示す波形である。本実施例においても電源1としては200V系電源すなわち200〜240Vの商用電源を想定している。制御手段19は入力装置などの動作指令手段23からの入力を受け、電源1の電圧が過電圧状態にないことを電圧検知手段12の出力と第1の比較レベル13を比較手段15で比較した後、インバータ動作許可手段17を通じて発振手段16の発振を許可する。この際、制御手段19は、インバータ動作許可手段17の発振指令に同期して、比較手段15の比較対照を第2の比較レベル14に設定することで、比較レベルを引き下げる。ここで、電源1の異常などによりVceまたはVcuに過電圧が生じた場合には、比較手段15の出力を受けインバータ動作許可手段17により発振手段16の発振を停止させる。この際、インバータ動作許可手段17の出力状態の変化により、第1の比較レベル13が再び選択されることになる。この後、制御手段19は動作指令手段23からの入力が継続しており、かつ電源1の電圧が正常である場合には、再起動を行うためインバータ動作許可手段17の信号は発振手段16の発振を再開させる。この際、再び第2の比較レベル14が選択されることになる。このように、インバータ動作許可手段17の動作に同期させることで比較レベルの遷移がスムーズに行われ、切り替えタイミングのずれ等による不必要な停止状態が生じないことになる。
【0024】
以上のように本実施例によれば、過電圧検出値を制御手段19の動作命令に同期して可変させることにより、検知レベルの引き下げ、引き上げをスムーズに行うことが可能となり、半導体スイッチの耐圧破壊などの電源電圧の変動に起因する故障の生じないマグネトロン駆動用電源を実現できるものである。
【0025】
(実施例3)
本発明の実施例3について図面を参照しながら説明する。
【0026】
図5は本実施例のマグネトロン駆動用電源の回路構成を示す図である。本実施例の構成が実施例1と異なるのは起動前に電源電圧を電圧検出手段12で検出し、その電圧値に応じて第2の比較レベル14を決定ている点である。本実施例においても電源1としては200V系電源すなわち200〜240Vの商用電源を想定している。
【0027】
図6は本実施例における制御手段19の制御手順を示したフロチャート図である。まずStep1でスイッチなどの外部入力手段の信号を受け、動作指令手段23により制御手段19に対して動作指令を行う。次にStep2で過電圧検知レベルを起動前の過電圧検知レベル(第1の比較レベル13)に設定し、起動前の電源電圧を読み込みを行い、続いてStep3で電源電圧が過電圧状態であるかを判断する。ここで電源が過電圧状態である場合には、Step9に移行して検知回数を確認し、Step1に戻り再び同じ動作を繰り返すことになる。Step9への移行が設定回数連続して行われた場合は電源が異常状態であると判断して、Step10へ移行して動作を終了させる。一方、電源電圧に過電圧状態が見られない場合にはStep4へ移行し、インバータ動作許可手段17を動作許可状態にし、第1及び第2の半導体スイッチ5、6を動作させるとともにStep2で検知した電源電圧の値により決定した第2の比較レベル14の値に過電圧検知レベルを設定し、Step5へ移行する。Step5では制御手段19は動作中に電圧検知手段12の出力が第2の比較レベル14を超えないかを比較手段15で常に比較し、過電圧を検出した際にはStep8に移行し、インバータ動作許可手段17を動作禁止状態にすることで発振手段16の動作を停止させるとともに過電圧検知レベルを第1の比較レベル13に戻し、Step9へ移行する。Step9では検知回数を確認し、設定回数の検知が行われれば電源異常状態と判断してStep10へ移行し動作を終了させる。また、Step9において設定回数の検知がなければ再びStep1へ戻り、Step1から動作を再び行うことになる。一方、Step5においてVcuの過電圧が検出されなければ、Step6の動作指令終了の入力があるまで動作を継続し、動作終了の入力を受けてStep7へ移行する。Step7ではインバータ動作許可手段17の動作を停止させ、検知レベルを第1の比較レベル13に戻し、Step10へ移行して動作を終了させる。このように、電源1の電圧に対応して過電圧検知の設定値を変えることで、電源1の電圧異常などにより半導体スイッチに異常電圧が発生した場合に、発生電圧がより適切な値での検出が可能となる。このことにより、半導体スイッチの耐圧破壊が未然に防ぎかつ電源異常も早急に検知することが可能となる。
【0028】
以上の様に本実施例によれば、過電圧検出値を起動前の電圧に応じて可変させることにより、それぞれの電源事情に応じて過電圧レベルを設定することが可能となり、より精度の高い過電圧検知が可能となり、半導体スイッチの耐圧破壊などの電源電圧の変動に起因する故障の生じないマグネトロン駆動用電源を実現できるものである。
【0029】
(実施例4)
本発明の実施例4について図面を参照しながら説明する。
【0030】
図7は本実施例のマグネトロン駆動用電源の回路構成を示す図である。本実施例の構成が実施例1と異なるのは、入力電力指定手段20に応じてVcuの過電圧検出レベルである第2の比較レベル14を変えている点である。本実施例においても電源1としては200V系電源すなわち200〜240Vの商用電源を想定している。
【0031】
図8は本実施例における制御手段19の制御手順を記したフロチャートである。まずStep1ではスイッチなどの外部入力手段を受け、動作指令手段23は制御手段19に動作指令を行う。次にStep2で過電圧検知レベルを起動前の過電圧検知レベル(第1の比較レベル13)に設定し、起動前の電源電圧を読み込みを行い、続いてStep3で電源電圧が過電圧状態であるかを判断する。ここで電源1が過電圧状態にある場合にはStep11に移行して検知回数を確認し、Step1に戻り再び同じ動作を繰り返すことになる。Step11への移行が設定回数行われた場合は電源が異常状態であると判断して、Step12へ移行して動作を停止させる。一方、電源電圧が正常な場合にはStep4へ移行し、インバータ動作許可手段17を動作許可状態にして、第1及び第2の半導体スイッチ5、6を動作させるとともに、入力電力指令値20により決まる第2の比較レベル14を過電圧の設定値として、Step5へ移行する。Step5では、制御手段19は動作中に電圧検知手段12の出力が第2の比較レベル14を超えないかを比較手段15で常に比較し、過電圧を検出した際にはStep10に移行し、インバータ動作許可手段17を動作禁止状態とすることで動作を停止させるとともに、過電圧検知レベルを第1の比較レベル13に戻し、Step11へ移行する。Step11では検知回数を確認し、設定回数の検知が行われれば電源異常状態と判断してStep12へ移行し、動作を終了させる。また、設定回数の検知がなければ再びStep1へ戻り、Step1から動作を行うことになる。一方、Step5においてVceまたはVcuの過電圧が検出されなければ、Step6へ移行し入力電流指定手段20の指定値に変更があるかを確認し、指定値に変更があればStep7は移行し第2の比較レベル14を電流指令値に応じた設定値に変更し、過電圧検知を引き続き行う。この過電圧検知はStep8で動作指令終了の入力があるまで継続される。Step8ではインバータ動作許可手段17の動作を停止させ、検知レベルを第1の比較レベル13に戻し、Step112へ移行して動作を終了させる。このように、入力電力設定手段20の指令値に対応して過電圧検知の設定値を変えることで、電源1の電圧異常などにより半導体スイッチに異常電圧が発生した場合に、発生電圧がより適切な値での検出が可能となる。このことにより、半導体スイッチの耐圧破壊が未然に防ぎかつ電源異常も早急に検知することが可能となる。
【0032】
以上より本実施例によれば、過電圧検出値を入力電流の設定値により可変させることにより、各電流値で発生するVceに併せて過電圧検出レベルを決めることができ、低電力時でも精度よく電源電圧変動を検知することが可能となり、半導体スイッチの耐圧破壊などの電源電圧の変動に起因する故障の生じないマグネトロン駆動用電源を実現できるものである。
【0033】
【発明の効果】
以上のように、請求項1〜2に記載の発明によれば、200V系の電源であっても動作中に生じる電源の変動に対し機敏に検出することができ、半導体スイッチの耐圧破壊を未然に防ぐことが可能となり、電源電圧変動に強いマグネトロン駆動用電源を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1のマグネトロン駆動用電源の回路図
【図2】 本発明の実施例1のマグネトロン駆動用電源の動作波形図
【図3】 本発明の実施例2のマグネトロン駆動用電源の回路図
【図4】 本発明の実施例2のマグネトロン駆動用電源の動作波形図
【図5】 本発明の実施例3のマグネトロン駆動用電源の回路図
【図6】 本発明の実施例3のマグネトロン駆動用電源の制御手段の動作フローチャート
【図7】 本発明の実施例4のマグネトロン駆動用電源の回路図
【図8】 本発明の実施例4のマグネトロン駆動用電源の制御手段の動作フローチャート
【図9】 従来のマグネトロン駆動用電源の回路図
【図10】 従来のマグネトロン駆動電源の動作経路図
【図11】 従来のマグネトロン駆動用電源の半導体スイッチの動作波形図
【図12】 従来のマグネトロン駆動用電源の動作波形図
【符号の説明】
1 電源
2 フィルタ
3 第1のダイオード
4 第2のダイオード
5 第1の半導体スイッチ
6 第2の半導体スイッチ
7 第1のコンデンサ
8 第2のコンデンサ
9 高周波トランス
10 高圧整流回路
11 マグネトロン
12 電圧検知手段
13 第1の比較レベル
14 第2の比較レベル
15 比較手段
16 発振手段
17 インバータ動作許可手段
18 ドライブ手段
19 制御手段
20 入力電流指定手段
23 動作指令手段
Claims (2)
- それぞれに逆並列のダイオードを備えた第1及び第2の半導体スイッチの直列接続体と、前記第1及び第2の半導体スイッチに並列接続され、前記第1及び第2の半導体スイッチが備えている前記逆並列のダイオードと同一方向に配置された第1及び第2のダイオードの直列接続体と、前記第1及び第2のダイオードに各々並列に接続される第1及び第2のコンデンサと、前記第1及び第2の半導体スイッチの接続点と第1及び第2のダイオードの接続点間に接続され、互いに直列に接続される商用電源及び高圧トランスの1次巻き線と、前記第1及び第2の半導体スイッチの発生電圧を検出する電圧検出手段と、前記高圧トランスの2次側出力に接続される高圧整流回路及びマグネトロンと、前記第1及び第2の半導体スイッチを制御し、かつ、前記電圧検出手段の検出した電圧が過電圧設定値よりも大きい場合には第1及び第2の半導体スイッチの動作の禁止を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、起動後の前記過電圧設定値を、起動前の前記過電圧設定値よりも引き下げることを特徴とするマグネトロン駆動用電源。
- 前記制御手段は、発振手段を有し、かつ、前記電圧検出手段の検出した電圧と起動前の過電圧設定値を比較し、商用電源の電圧が過電圧状態でないと判断した場合には、前記制御手段は発振手段の発振を許可するとともに、前記発振手段が発振することを許可する発振指令に同期して、起動後の前記過電圧設定値を起動前の前記過電圧設定値よりも引き下げることを特徴とする請求項1に記載のマグネトロン駆動用電源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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