JPH11144860A - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPH11144860A
JPH11144860A JP9305431A JP30543197A JPH11144860A JP H11144860 A JPH11144860 A JP H11144860A JP 9305431 A JP9305431 A JP 9305431A JP 30543197 A JP30543197 A JP 30543197A JP H11144860 A JPH11144860 A JP H11144860A
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voltage
power supply
semiconductor switching
switching element
circuit
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和穗 坂本
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治雄 末永
Daisuke Betsusou
大介 別荘
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明はマグネトロンを用いた高周波加熱装
置のマグネトロン駆動用電源に関するものであり、マグ
ネトロンのインピーダンス変化によって、第1の半導体
スイッチング素子の電圧電流責務の増大を防止すること
である。 【解決手段】 本発明の高周波加熱装置のマグネトロン
駆動用電源は、駆動回路20に電圧検出手段34を設
け、電圧検出手段34は平滑コンデンサ14の電圧と比
較する比較手段36と、基準値を起動時と定常時とで切
り替える切り替え手段37から構成され、マグネトロン
のインピーダンス変化を検出し、高周波加熱装置を停止
し、第1の半導体スイッチング素子の電圧電流責務の増
大を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子レンジなどの
ようにマグネトロンを用いて誘導加熱を行う高周波加熱
装置の分野で、特にマグネトロンを駆動する電源装置の
回路構成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図7は従来の高周波加熱装置のマグネト
ロンを駆動する電源の構成を示す回路図である。これは
商用電源1からの電力供給により、マグネトロン9を駆
動する電源の回路を示しており、商用電源1を整流して
得られる直流電源2は、コイル3と平滑コンデンサ4と
を通して、共振コンデンサ5とリーケージ型トランス6
との並列回路に半導体スイッチング素子7を直列接続し
た回路に電圧を印加している。この半導体スイッチング
素子7が高い周波数で動作する。ここでは、半導体スイ
ッチング素子7としてIGBTを用いている。リーケー
ジ型トランス6と共振コンデンサ5とを並列接続したも
のが共振回路を構成する。
【0003】この回路動作について図8を用いて説明す
る。まず、半導体スイッチング素子7に駆動信号Vgが
与えられオンした時、電流Iはリーケージ型トランス6
の1次巻線を通って半導体スイッチング素子7に流れ
る。図8(a)の波形図では期間(イ)に相当する。時
間Ton後に半導体スイッチング素子7がオフすると、
電流は共振コンデンサ5に向かって流れ始め共振動作を
開始する。これが期間(ロ)である。図8(b)は半導
体スイッチング素子7の駆動信号波形を示している。こ
の時のリーケージ型トランス6の電流をI、インダクタ
ンスをLとすると、リーケージ型トランス6の持つエネ
ルギーWLは、 WL=(L*I2)/2 (1) となる。
【0004】また、電流Iは次式で表される。 I=Vdc*Ton/L (2) ただし、Vdcは平滑コンデンサ4の電圧、すなわち、
直流電源電圧である。
【0005】共振を開始すると、このエネルギーが共振
コンデンサ5に移るので次式が成り立つ。
【0006】 WL=(C*V2)/2+Wmg (3) ただし、Cは共振コンデンサ5の容量値、Vは共振コン
デンサ5の電圧、Wmgはリーケージ型トランス6の2
次巻線に接続される高圧整流回路8とマグネトロン9と
で消費されるエネルギーである。
【0007】エネルギーが共振コンデンサ5に移ってし
まうと、共振コンデンサ5からリーケージ型トランス6
に向かってエネルギーが供給されるようになり期間
(ハ)に示すように減衰しながら共振動作が継続する。
共振動作を安定に持続させるためには、マグネトロン9
で消費されたエネルギー分を補充する必要がある。この
ため期間(ニ)で半導体スイッチング素子7を再びオン
させて、リーケージ型トランス6の1次巻線にエネルギ
ーの供給を行う。半導体スイッチング素子7のコレクタ
−エミッタ間電圧Vceがゼロになったタイミングで半
導体スイッチング素子7を再びオンさせることにより、
スイッチング損失を低減することが共振型回路の特徴で
ある。リーケージ型トランス6の1次巻線電圧波形Vp
は図8(c)に示される共振波形となる。半導体スイッ
チング素子7のVceは、 Vce=Vdc−Vp (4) ただし、Vpは1次巻線電圧 で表されるので、その波形は図8(d)のように表され
共振の作用により電圧のピーク値が高くなる。期間
(ロ)〜(ハ)の期間Toffは図7に示される回路図
の、共振コンデンサ5、リーケージ型トランス6及び、
2次巻線に接続される高圧整流回路8、マグネトロン9
の回路定数とリーケージ型トランス6に与えられるエネ
ルギーの大きさによって決定される。Vceがゼロ以下
になるためにはVp≧Vdcとなる期間(ハ)が必要と
なる。期間(ニ)で再び半導体スイッチング素子7をオ
ンさせて、マグネトロン9で消費されたエネルギーを補
充すれば共振動作を安定に持続させることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、負荷と
なるマグネトロン9は管内放電などのように、急激なイ
ンピーダンス変化を起こすものである。このように急激
なインピーダンス変化を起こした際に、前述した共振回
路の動作に影響を与える。すなわち、リーケージ型トラ
ンス6の等価回路は図9(a)に示すような構成であ
り、リーケージ分のインダクタンスと理想トランスで表
現することができる。一方、マグネトロン9が管内放電
等のインピーダンス変化を起こした場合、リーケージ型
トランス6の2次側の負荷が無くなってしまうため、リ
ーケージ型トランス6の等価回路は図9(b)のように
なり、リーケージ分のインダクタンスしか持たなくな
る。このため、(2)式で示される半導体スイッチング
素子7を流れる電流の傾きが大きくなり、その動作波形
は図10に示すようになる。このため、半導体スイッチ
ング素子7に過大な電流および電圧が継続的に印加され
ることになり、半導体スイッチング素子7の耐電圧が高
くなり、結果として大型化、高コスト化になってしまう
という課題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】商用電源を整流して得ら
れる直流電源と、前記直流電源に接続されるコイルと、
その出力を平滑する平滑コンデンサと、前記直流電源に
接続されるリーケージ型トランスと、前記リーケージ型
トランスの1次巻線に直列に接続される第1の半導体ス
イッチング素子と、前記リーケージ型トランスの1次巻
線に直列または並列に接続される第1の共振コンデンサ
と、前記1次巻線に直列または並列に接続される第2の
共振コンデンサと第2の半導体スイッチング素子の直列
接続と、前記リーケージ型トランスの2次巻線に接続さ
れる高圧整流回路と、前記高圧整流回路に接続されるマ
グネトロンと前記第1、第2の半導体スイッチング素子
を駆動する駆動回路と、前記平滑コンデンサの電圧変化
を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段は基準値
と、平滑コンデンサ電圧の検出レベルを比較する比較手
段と、基準値を切り替える切り替え手段とを設け、起動
時と定常時とで基準値を切り替える構成とすることによ
り、マグネトロンのインピーダンス変化による、半導体
スイッチング素子への過電流、過電圧が継続的に印加さ
れることはなく、速やかに回路動作停止を行うことがで
きる。
【0010】
【発明の実施の形態】商用電源を整流して得られる直流
電源と、前記直流電源に接続されるコイルと、その出力
を平滑する平滑コンデンサと、前記直流電源に接続され
るリーケージ型トランスと、前記リーケージ型トランス
の1次巻線に直列に接続される第1の半導体スイッチン
グ素子と、前記リーケージ型トランスの1次巻線に直列
または並列に接続される第1の共振コンデンサと、前記
リーケージ型トランスの1次巻線に直列または並列に接
続される第2の共振コンデンサと第2の半導体スイッチ
ング素子の直列接続と、前記リーケージ型トランスの2
次巻線に接続される高圧整流回路と、前記高圧整流回路
に接続されるマグネトロンと前記第1、第2の半導体ス
イッチング素子を駆動する駆動回路と、前記平滑コンデ
ンサの電圧変化を検出する電圧検出手段と、前記電圧検
出手段は基準値と、平滑コンデンサ電圧の検出レベルを
比較する比較手段と、基準値を切り替える切り替え手段
とを設け、起動時と定常時とで基準値を切り替え、前記
平滑コンデンサの検出レベルが基準値以上または以下に
なると前記駆動回路を停止する構成とした。これによ
り、マグネトロンのインピーダンス変化による、半導体
スイッチング素子への過電流、過電圧が継続的に印加さ
れることはなく、速やかに回路動作停止を行うことがで
きる。
【0011】また、商用電源を整流して得られる直流電
源と、前記商用電源の電圧を検出する商用電源電圧検出
手段とを備え、前記商用電源電圧検出手段は、ダイオー
ドとツェナーダイオードとの直列回路から成り、前記商
用電源電圧検出手段の出力信号は電圧検出手段に入力さ
れる構成とした。これにより、落雷による過電圧の発生
時や、スパーク時の速やかな回路動作停止を行うことが
でき、一部の回路を共用するので少ない回路部品点数で
構成することができる。
【0012】また、コンデンサ電圧の検出レベルが基準
値以上または以下になった回数により、駆動回路に停止
信号を出力する停止の判断手段を設ける構成とした。こ
れにより、前記駆動回路に停止信号を出力する停止の判
断手段を設ける構成とすることにより、回路動作に大き
な影響を与えない程度の瞬時の過電圧や、外来ノイズで
停止機能が作用しないようにすることが可能である。
【0013】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
【0014】(実施例1)図1は本発明の実施例1の高
周波加熱装置に用いるマグネトロンを駆動する電力変換
器の回路構成を示す回路図である。同図において、11
は商用電源、12は商用電源11を整流して得られる直
流電源、13はコイル、14は直流電源12を平滑する
平滑コンデンサ、15は第1の共振コンデンサ、16は
リーケージ型トランス、17は第1の半導体スイッチン
グ素子、18は第2の共振コンデンサ、19は第2の半
導体スイッチング素子、20は駆動回路、21は全波倍
電圧整流回路、22はマグネトロンである。また、本実
施例における他の回路構成図を図10に示す。本実施例
は第1の半導体スイッチング素子17をIGBT23
と、それに並列に接続されるダイオード24から構成し
ている。第2の半導体スイッチング素子19も同様にI
GBT25とダイオード26とから構成している。
【0015】駆動回路20は、その内部に第1の半導体
スイッチング素子17と第2の半導体スイッチング素子
19の駆動信号をつくるための発振部を有し、この発振
部で所定周波数とデューティーの信号が発生され、第1
の半導体スイッチング素子17に駆動信号を与えてい
る。第2の半導体スイッチング素子19には、第1の半
導体スイッチング素子17の駆動信号の反転信号に遅延
時間を持たせた信号が与えられる。
【0016】この回路の動作についてリーケージ型トラ
ンス16の1次巻線電圧Vpの波形図である図2を参照
して説明する。第1の半導体スイッチング素子17の電
圧Vceは、この1次巻線電圧Vpと、直流電源の電圧
Vdcとで前述の式(4)のように表される。
【0017】 Vce=Vdc−Vp (4) まず、IGBT23がオンしている時コレクタ電流Ic
がリーケージ型トランス16の1次巻線を通って流れ
る。1次巻線電圧Vpは、IGBT23がオンしている
ので直流電源電圧Vdcになり、これが同図のモード
(イ)に当る。この時、リーケージ型トランス16の2
次巻線出力は全波倍電圧整流回路21のコンデンサ27
の充電を始める。コンデンサ28の初期電圧がV2にな
っているとすると、コンデンサ27の電圧V3とが、 V2+V3>Vbm (5) Vbm:マグネトロン発振開始電圧 の関係になるとマグネトロン22を発振させることがで
きマグネトロン22にアノード電流が流れ始める。
【0018】第1の半導体スイッチング素子17がオフ
すると、リーケージ型トランス16の1次巻線に流れて
いた電流は第1の共振コンデンサ15に向かって流れ始
める。このとき、リーケージ型トランス16の2次巻線
出力はコンデンサ28の充電を始め、1次巻線電圧Vp
は同図のモード(ロ)に当る。このとき、(5)式を満
たすと、再びマグネトロン22は発振を開始し、アノー
ド電流が流れ始める。第1の共振コンデンサ15の電圧
が第2の共振コンデンサ18の初期電圧に到達すると、
第2の半導体スイッチング素子19を構成するダイオー
ド26がオンし、第2の共振コンデンサ18の充電が開
始され、モード(ハ)となる。
【0019】第2の共振コンデンサ18は第1の共振コ
ンデンサ15に比べて、その容量値を大きくしてあるの
で電圧の傾きが、急激に緩やかになる。リーケージ型ト
ランス16の1次巻線から第2の共振コンデンサ18に
向かって流れていた電流が、反対に、第2の共振コンデ
ンサ18から1次巻線に向かって流れるようになると、
モード(ニ)に移行する。この時点で、第2の半導体ス
イッチング素子19を構成するIGBT25をオンさせ
ておく必要がある。任意の時間T1でIGBT25を遮
断すると、第1の共振コンデンサ15からリーケージ型
トランス16の1次巻線に向かって電流が流れ始め、モ
ード(ホ)に移行する。この時の電圧の傾きは急にな
る。この電圧がVdcになったとき、(4)式より、第
1の半導体スイッチング素子17の電圧が零になるの
で、この時点で第1の半導体スイッチング素子17を再
び駆動させると、モード(イ)から同様な動作を繰り返
すことになり、スイッチング損失を低減させるスイッチ
ング動作が実現できる。前述した第2の共振コンデンサ
18の初期電圧Vsは、モード(ニ)で、第2の半導体
スイッチング素子19をオンさせる任意の時間T1によ
り決定される。すなわち、第2の半導体スイッチング素
子19のオン時間を長くすればするほど、第2の共振コ
ンデンサ18の初期電圧が下がり、結果として第1の半
導体スイッチング素子17の電圧を下げる事ができる。
このように、従来の回路構成では実現できなかった。第
1の半導体スイッチング素子17のオフ時間、言い換え
れば、第2の半導体スイッチング素子19のオン時間を
任意に設定することができるようになり、さらに、第2
の共振コンデンサ18の容量を第1の共振コンデンサ1
5に比べて十分大きな容量値とすることにより、第1の
半導体スイッチング素子17の電圧を低減(クランプ)
することができる。
【0020】ここで、マグネトロン22について説明し
ておく。マグネトロン22はテレビ周波数帯にノイズを
発生するので、このノイズを除去するためにフィルタが
用いられている。このフィルタの構成は図1に示すよう
に、カソードに直列に挿入されるコイル29、30とア
ノードとカソード間に接続されるコンデンサ31、32
およびカソードに並列に接続されるコンデンサ33から
なる。カソードのインピーダンスZCは0.3Ω程度で
あり、コイル29,30のインピダンスZLはカソード
の電流の周波数fとすると、 ZL=2*π*f*L (6) で与えられ、周波数を40kHzとすると約0.5Ωと
なる。この値はカソードのインピーダンスZCと同程度
の値を持ち、カソード電流を決定する大きな要因とな
る。マグネトロン22の速やかな起動のためには、大き
なカソード電流を流す必要がある。このためには、周波
数を下げてコイル29,30のインピーダンスを小さく
すればよいことがわかる。例えば、周波数を20kHz
にすると、(6)式からコイルのインピーダンスは約4
0kHzのときの1/2となる。これによりカソード電
流を増大することができる。本発明では駆動回路20に
起動時と定常時とで動作周波数を切り替える構成を持た
しており、起動時は定常時より低い周波数で動作させる
ことにより、マグネトロン22のフィルターを構成する
コイル29,30のインピーダンスを低減し、カソード
電流が増大させるよう作用する。起動時の周波数を低く
する事により、十分なカソード電流を流すことができる
ので、従来例のように起動時にリーケージ型トランス1
6の2次巻線に大きな電圧を出す必要がない。2次巻線
電圧は1次巻線電圧と比例関係にあり、さらに、直流電
源電圧Vdcと第1の半導体スイッチング素子17に印
加する電圧Vceと1次巻線電圧VL1とは、 Vdc=VL1+Vce (7) の関係があるので、第1の半導体スイッチング素子17
の電圧Vceと2次巻線電圧とは比例関係にあることが
わかる。
【0021】従って、2次巻線電圧を適切な値にするた
めには、Vceをそれに相当する電圧になるように制御
すればよい。
【0022】マグネトロン22の駆動には高電圧が必要
であるが、高電圧になる部分に埃、油煙等が付着してい
くとスパークを起こすことが考えられ、スパークが発生
した場合は速やかに回路の動作を停止することが好まし
い。このため、本発明の高周波加熱装置に用いるマグネ
トロン駆動用電力変換装置は、図1に示すように、高調
波成分が直流電源11に伝わらないようにするために設
けられるコイル13と平滑コンデンサ14とからなるフ
ィルタの平滑コンデンサ14の電圧変化を検出する電圧
検出手段34と、基準値35と比較手段36が設けられ
ている。比較手段36は電圧検出手段34の出力と、基
準値35とを比較し、電圧検出手段34の出力が大とな
れば、駆動回路20に停止信号を出力し、回路動作を停
止させる。
【0023】リーケージ型トランス16の2次巻線端子
間でスパークした場合、リーケージ型トランス16のイ
ンダクタンスが減少するため、第1の半導体スイッチン
グ素子17のIGBT23がオンすると過大な電流が流
れる。この時の電荷は平滑コンデンサ14から供給され
るので、過大な電荷の放電により平滑コンデンサ14の
電圧が急激に減少する。IGBT23がオフすると、リ
ーケージ型トランス16の1次巻線に流れていた電流
は、第1の共振コンデンサ15、さらに第2の半導体ス
イッチング素子19のダイオード26を介して平滑コン
デンサ14に流れる。リーケージ型トランス16のエネ
ルギーが全て、平滑コンデンサ14に移ると、反対に平
滑コンデンサ14から第2の半導体スイッチング素子1
9のIGBT25を介してリーケージ型トランス16に
流れ始める。IGBT25がオフすると、リーケージ型
トランス16の電流は平滑コンデンサ14に第1の半導
体スイッチング素子17のダイオード24を通って平滑
コンデンサ14に流れることにより、平滑コンデンサ1
4の電圧が急激に上昇する。図2はスパーク時の第1の
半導体スイッチング素子17のIGBT23の電流波形
Icとダイオード24の電流波形Id、および平滑コン
デンサ14の電圧波形Vc14を示したもので、同図
(a)の正方向がIc、負方向がIdで、点線で示され
る時点でスパーク(短絡に近い状態)が発生している状
態を示している。過大な電流Icが流れ、電圧Vc14
が急激に減少し、次の周期で過大な電流がダイオード2
4に流れているので、Vc14が急激に増加している。
同図(c)は比較手段36の出力信号で、Vc14の増
加が急になったときに出力信号が出ている。この信号に
より駆動回路20は停止する。
【0024】電圧Vc14が急激に減少したタイミング
でも検出は可能である。すなわち、基準値35よりも電
圧検出手段34の出力が小さくなると、信号を発するよ
うに比較手段36を構成すればよい。
【0025】前述したように、起動時は低い周波数にし
てマグネトロンのフィルタを構成するコイルのインピー
ダンスを低減するようにしている。このため起動時の平
滑コンデンサ14の電圧Vc14の変化は定常時よりも
大きくなるので、起動時に前記した電圧検出手段34
と、基準値35と、比較手段36とからなる回路が動作
し駆動回路20を停止することがある。そこで、起動時
は前記基準値35を高い値に設定する。切り替え手段3
7のトランジスタは起動時にはオフして基準値35を高
い電圧に設定し、定常時はオンすることによって、基準
値を低い値に設定している。
【0026】(実施例2)図4は本発明の実施例2の高
周波加熱装置に用いるマグネトロンを駆動する電力変換
器の回路構成を示す回路図である。同図において、商用
電源11を整流して得られる直流電源12は、商用電源
系統に落雷、あるいはその他の要因により急激に電圧上
昇する場合がある。この電圧は通常電圧の数倍から数十
倍になるので、このような電圧が発生した場合は回路保
護のために、回路動作を停止する必要がある。ここで、
前述したスパーク発生時に速やかに回路を停止させるた
めの、高調波成分が直流電源12に伝わらないようにす
るために設けられるコイル13と平滑コンデンサ14と
からなるフィルタの平滑コンデンサ14の電圧変化を検
出する電圧検出手段34と、基準値35と比較手段36
とを設け、比較手段36は電圧検出手段34の出力と、
基準値35とを比較し、電圧検出手段34の出力が大と
なれば、駆動回路20に停止信号を出力し、回路動作を
停止させるという構成は急激な電圧上昇による過電圧を
検出することができる。そこで、商用電源系統の過電圧
発生時も、この構成を用いれば速やかな回路停止が実現
できる。しかしながら、通常動作時において平滑コンデ
ンサ14の電圧の検出レベルと商用電源系統の電圧の検
出レベルとが互いに干渉しないようにしておかなければ
ならない。このため、商用電源電圧検出手段38を設
け、これはダイオード39とツェナーダイオード40と
の直列回路から構成され、商用電源電圧を抵抗で分圧し
て得られた電圧を前記直列回路を通して、電圧検出手段
34に入力している。商用電源電圧を抵抗で分圧して得
られた電圧が、電圧検出手段34に入力される分圧され
た平滑コンデンサ14の電圧に、ツェナーダイオード4
0のツェナー電圧を足した以上の値にならなければ、電
圧検出手段34に信号が入力されない。従って、定常動
作時に商用電源電圧検出手段38の出力が電圧検出手段
34に作用をおぼよすことがない。さらに、ダイオード
39をもうけることにより、電圧検出手段34が商用電
源電圧検出手段38に作用を及ぼすことがなくなる。こ
のような構成にすることにより、落雷による過電圧の発
生時やスパーク時の速やかな回路動作停止を行う事がで
き、一部の回路を共用するので少ない回路部品点数で構
成することができるという効果がある。
【0027】(実施例3)図5に示される停止の判断手
段41は電圧検出手段34の出力で充電されるコンデン
サ42とコンデンサの電圧と基準値43とを比較する比
較器44から構成される。図3(d)の波形図における
実線はコンデンサ42の電圧波形を示し、点線は基準値
43を示す。電圧検出手段34の出力信号である同図
(c)のパルス信号によりコンデンサ42が充電する
が、2回目のパルス信号で、コンデンサ42の電圧が基
準値43を超えている。この時点で比較器44の出力信
号が反転し、駆動回路20を停止する。電圧検出手段3
4の出力信号が何回で停止の判断手段41が停止の信号
を出力するかは、コンデンサ42の容量値、あるいは、
コンデンサ42を充電するときに流れる電流が通る抵抗
45の大きさ、あるいはコンデンサ42を放電する抵抗
46の大きさによって決定される。このような停止の判
断手段41を設ける目的は、例えば、回路動作に大きな
影響を与えない程度の瞬時の過電圧や、外来ノイズで停
止機能が作用しないようにすることにある。外来ノイズ
や瞬時の過電圧などと、落雷あるいはスパークとを区別
するために、スパークや落雷などは、ある程度の持続性
をもっており、反対に外来ノイズや瞬時の過電圧などは
持続性が少なく単的であるという特徴を生かした判断手
段である。
【0028】
【発明の効果】商用電源を整流して得られる直流電源
と、前記直流電源に接続されるコイルと、その出力を平
滑する平滑コンデンサと、前記直流電源に接続されるリ
ーケージ型トランスと、前記リーケージ型トランスの1
次巻線に直列に接続される第1の半導体スイッチング素
子と、前記リーケージ型トランスの1次巻線に直列また
は並列に接続される第1の共振コンデンサと、前記リー
ケージ型トランスの1次巻線に直列または並列に接続さ
れる第2の共振コンデンサと第2の半導体スイッチング
素子の直列接続と、前記リーケージ型トランスの2次巻
線に接続される高圧整流回路と、前記高圧整流回路に接
続されるマグネトロンと前記第1、第2の半導体スイッ
チング素子を駆動する駆動回路と、前記平滑コンデンサ
の電圧変化を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手
段は基準値と、平滑コンデンサ電圧の検出レベルを比較
する比較手段と、基準値を切り替える切り替え手段とを
設け、起動時と定常時とで基準値を切り替え、リーケー
ジ型トランスの2次巻線側の高電圧部分でのスパーク発
生により、前記平滑コンデンサの電圧変化が大となるこ
とを検出でき、これにより駆動回路を停止することによ
り、スパーク持続を阻止できるという効果を有する。
【0029】また、商用電源を整流して得られる直流電
源と、前記商用電源の電圧を検出する商用電源電圧検出
手段とを備え、前記商用電源電圧検出手段は、ダイオー
ドとツェナーダイオードとの直列回路からなり、前記商
用電源電圧の出力信号は電圧検出手段に入力される構成
とすることにより、商用電源系統に生じる落雷時の異常
電圧上昇を検出することができるという効果を有すると
ともに、一部の回路を共用できるので回路の簡素化が実
現できるという効果を有する。
【0030】また、平滑コンデンサ電圧の検出レベルが
基準値以上または以下になった回数により駆動回路に停
止信号を出力する停止の判断手段を設ける構成とするこ
とにより、外来ノイズや瞬時の過電圧などと、落雷ある
いはスパークとを区別することができるという効果を有
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の高周波加熱装置のマグネト
ロン駆動用電源の回路図
【図2】同高周波加熱装置の動作波形図
【図3】電圧検出手段の動作波形図
【図4】本発明の実施例2の高周波加熱装置のマグネト
ロン駆動用電源の回路図
【図5】本発明の実施例3の高周波加熱装置のマグネト
ロン駆動用電源の回路図
【図6】(a)本発明の共振コンデンサと半導体スイッ
チング素子との関係を示す回路図 (b)同共振コンデンサと半導体スイッチング素子との
関係を示す回路図 (c)同共振コンデンサと半導体スイッチング素子との
関係を示す回路図 (d)同共振コンデンサと半導体スイッチング素子との
関係を示す回路図
【図7】従来の高周波加熱装置のマグネトロン駆動用電
源の回路図
【図8】従来例の動作波形図
【図9】リーケージ型トランスの等価回路を示す回路図
【図10】マグネトロンがインピーダンス変化を起こし
た場合の動作波形図
【符号の説明】
12 直流電源 14 平滑コンデンサ 15 第1の共振コンデンサ 16 リーケージ型トランス 17 第1の半導体スイッチング素子 18 第2の共振コンデンサ 19 第2の半導体スイッチング素子 20 駆動回路 22 マグネトロン 34 電圧検出手段 36 比較手段 37 切り替え手段 38 商用電源電圧検出手段 41 停止の判断手段 44 比較器
フロントページの続き (72)発明者 末永 治雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 別荘 大介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 安井 健治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 商用電源を整流して得られる直流電源
    と、前記直流電源に接続されるコイルと、その出力を平
    滑する平滑コンデンサと、前記直流電源に接続されるリ
    ーケージ型トランスと、前記リーケージ型トランスの1
    次巻線に直列に接続される第1の半導体スイッチング素
    子と、前記リーケージ型トランスの1次巻線に直列また
    は並列に接続される第1の共振コンデンサと、前記リー
    ケージ型トランスの1次巻線に直列または並列に接続さ
    れる第2の共振コンデンサと第2の半導体スイッチング
    素子の直列接続と、前記リーケージ型トランスの2次巻
    線に接続される高圧整流回路と、前記高圧整流回路に接
    続されるマグネトロンと前記第1、第2の半導体スイッ
    チング素子を駆動する駆動回路と、前記平滑コンデンサ
    の電圧変化を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手
    段は基準値と、平滑コンデンサ電圧の検出レベルを比較
    する比較手段と、基準値を切り替える切り替え手段とを
    設け、起動時と定常時とで基準値を切り替え、前記平滑
    コンデンサの検出レベルが基準値以上または以下になる
    と前記駆動回路を停止する構成とした高周波加熱装置。
  2. 【請求項2】 商用電源を整流して得られる直流電源
    と、前記商用電源の電圧を検出する商用電源電圧検出手
    段とを備え、前記商用電源電圧検出手段は、ダイオード
    とツェナーダイオードとの直列回路から成り、前記商用
    電源電圧検出手段の出力信号は電圧検出手段に入力され
    る構成とした請求項1記載の高周波加熱装置。
  3. 【請求項3】 コンデンサ電圧の検出レベルが基準値以
    上または以下になった回数により、駆動回路に停止信号
    を出力する停止の判断手段を設ける構成とした請求項1
    記載の高周波加熱装置。
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